專(zhuān)利名稱(chēng)：反向驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種驅(qū)動(dòng)電路，特別是指一種反向驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參照?qǐng)Dl,所示為現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路圖示，由圖l可知，現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路包括 一全橋方波控制器l,所述全橋方波控制器1有四個(gè)信號(hào)輸出端VI、 V2、 V3與 V4，分別輸出至四個(gè)NFET管Ql、 Q2、 Q3與Q4的柵極，其中V1與V2信號(hào)極性 相反，V3與V4信號(hào)極性相反，Ql與Q2在不同時(shí)間導(dǎo)通，以形成一方波輸出， Q3與Q4也在不同時(shí)間導(dǎo)通，以形成另一方波輸出。
由于上述現(xiàn)有技術(shù)中需要驅(qū)動(dòng)高電平端二個(gè)NFET管Ql與Q3,因其為N型 場(chǎng)效應(yīng)管，所以需同時(shí)偵測(cè)方波輸出之電壓以決定VI與V3的輸出，當(dāng)電路板 受噪聲干擾時(shí)易受影響而損毀NFET管，而且因只能偵測(cè)一組方波輸出，造成無(wú) 法多組輸出。
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，發(fā)明人提供本實(shí)用新型發(fā)明。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于針對(duì)前述現(xiàn)狀，提供一種具有抗噪聲干擾能 力，工作穩(wěn)定的，并且可以多組同時(shí)輸出的反向驅(qū)動(dòng)電路。 本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)
一種反向驅(qū)動(dòng)電路，包括 一全橋方波控制器，所述方波控制器有四個(gè)驅(qū) 動(dòng)端，兩兩極性相反，將四個(gè)驅(qū)動(dòng)端分成二組，每一組包含一對(duì)極性相反的驅(qū) 動(dòng)端，每一組的連接 式為 一反向驅(qū)動(dòng)器，上述全橋方波控制器的一驅(qū)動(dòng)端輸出至一反向驅(qū)動(dòng)器，反向驅(qū)動(dòng)器輸出至一 PFET管的柵極，所述PFET管的源 極接高電平，所述PFET管的漏極連接至一個(gè)NFET管的源極，所述NFET管的柵 極與上述全橋方波控制器的另一極性相反的驅(qū)動(dòng)端連接，所述NFET管的漏極接 地；上述PFET管的漏極與上述NFET管的源極接點(diǎn)為信號(hào)輸出端。
本實(shí)用新型的目的還可以通過(guò)以下技術(shù)解決方案來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn) 前述的反向驅(qū)動(dòng)電路，所述全橋方波控制器的方波偵測(cè)端接地。
本實(shí)用新型所述反向驅(qū)動(dòng)電路，加一反向驅(qū)動(dòng)器于方波控制器與晶體管間， 就可將高端兩個(gè)NFET管改為PFET管，從而可以避免偵測(cè)方波，就可將方波偵
測(cè)接地，可以有效地避免電路板噪聲干擾而造成晶體管損壞，有效提高電路的 穩(wěn)定性；由于不必偵測(cè)方波，可以實(shí)現(xiàn)多組方波同時(shí)輸出。 下文將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。


圖l是現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路圖示；
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的反向驅(qū)動(dòng)電路圖示；
具體實(shí)施方式第一實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D2,為本實(shí)用新型實(shí)施例的反向驅(qū)動(dòng)電路圖示。如圖2所示，本 實(shí)用新型之反向驅(qū)動(dòng)裝置包括 一種反向驅(qū)動(dòng)電路，包括 一全橋方波控制器l, 所述方波控制器有四個(gè)驅(qū)動(dòng)端VI、 V2、 V3與V4， V1與V2為一組，極性相反， V3與V4為另一組，極性相反；全橋方波控制器l的驅(qū)動(dòng)端V1與V3分別輸出至 一反向驅(qū)動(dòng)器2，反向驅(qū)動(dòng)器2輸出至一 PFET管Ql與Q3的柵極，PFET管Ql 與Q3的源極接直流電源，PFET管Ql與Q3的漏極分別連接至NFET管Q2與Q4
4的源極，NFET管Q2與Q4的柵極分別與全橋方波控制器1的驅(qū)動(dòng)端V2與V4連 接，NFET管Q2與Q4的漏極接地；PFET管Ql與Q3的漏極與NFET管Q2與Q4 的源極接點(diǎn)輸出方波信號(hào)。 第二實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D2,為本實(shí)用新型實(shí)施例的反向驅(qū)動(dòng)電路圖示。如圖2所示，本 實(shí)用新型之反向驅(qū)動(dòng)裝置在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，將全橋方波控制器1的方波 偵測(cè)端Zl與Z2接地，可有效地避免噪聲干擾。
除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡釆用等同替換或 等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1、一種反向驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述反向驅(qū)動(dòng)電路包括一全橋方波控制器，所述方波控制器有四個(gè)驅(qū)動(dòng)端，兩兩極性相反，將四個(gè)驅(qū)動(dòng)端分成二組，每一組包含一對(duì)極性相反的驅(qū)動(dòng)端，每一組的連接方式為一反向驅(qū)動(dòng)器，上述全橋方波控制器的一驅(qū)動(dòng)端輸出至一反向驅(qū)動(dòng)器，反向驅(qū)動(dòng)器輸出至；一PFET管的柵極，所述PFET管的源極接高電平，所述PFET管的漏極連接至；一個(gè)NFET管的源極，所述NFET管的柵極與上述全橋方波控制器的另一極性相反的驅(qū)動(dòng)端連接，所述NFET管的漏極接地；上述PFET管的漏極與上述NFET管的源極接點(diǎn)為信號(hào)輸出端。
2、 如權(quán)利要求l所述的反向驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述全橋方波控制器 的方波偵測(cè)端接地。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種反向驅(qū)動(dòng)電路。包括有四個(gè)驅(qū)動(dòng)端的全橋方波控制器，將四個(gè)驅(qū)動(dòng)端分成二組，每一組包含一對(duì)極性相反的驅(qū)動(dòng)端，各驅(qū)動(dòng)端輸出至一反向驅(qū)動(dòng)器，反向驅(qū)動(dòng)器輸出至PFET管的柵極。本實(shí)用新型通過(guò)加一反向驅(qū)動(dòng)器于方波控制器與晶體管間，就可將高端兩個(gè)NFET管改為PFET管，從而可以避免偵測(cè)方波，就可將方波偵測(cè)接地，可以有效地避免電路板噪聲干擾而造成晶體管損壞，有效提高電路的穩(wěn)定性；由于不必偵測(cè)方波，可以實(shí)現(xiàn)多組方波同時(shí)輸出。
文檔編號(hào)H03K19/0175GK201341124SQ20082015970
公開(kāi)日2009年11月4日 申請(qǐng)日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日
發(fā)明者孫曉瑞, 梁學(xué)龍, 陶學(xué)峰 申請(qǐng)人:力銘電子(蘇州)有限公司