專利名稱：環(huán)震蕩器中的延遲單元及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種延遲單元及相關(guān)方法，尤指一種環(huán)震蕩器中的延遲單元及相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
請參照圖l，其為習(xí)知鎖相回路示意圖。鎖相回路包括相位頻率偵測器(Phase Frequency Detector) 10、電荷幫浦(Charge Pump) 20、回路濾波器(Loop Filter)30、壓控 震蕩器(Voltage Controlled Oscillator)40、除頻單元(Frequency Dividing Unit)45。 其中，具有一參考頻率Fref的參考信號，例如由一參考震蕩器(未繪示)所產(chǎn)生，并且該參 考信號與除頻單元45所輸出的一除頻信號同時(shí)輸入該相位頻率偵測器10。該相位頻率偵 測器10可偵測該參考信號與該除頻信號之間的相位與頻率的差異，之后，輸出一相位差信 號(Phase Difference Signal)至該電荷幫浦20。接著，電荷幫浦20根據(jù)該相位差信號的 大小產(chǎn)生相關(guān)于該相位差信號的一輸出電流至該回路濾波器30。接著，該回路濾波器30平 緩(smooth)該輸出電流，并轉(zhuǎn)換為一電壓控制信號至該壓控震蕩器40。該壓控震蕩器40 根據(jù)該電壓控制信號產(chǎn)生一壓控輸出信號(voltage controlled signal)，且該壓控輸出 信號有一壓控頻率Fvco。然后，該除頻單元45接收該壓控輸出信號，并將該壓控輸出信號 進(jìn)行將壓控頻率Fvco除以N的動(dòng)作后產(chǎn)生除頻信號，其中，N為整數(shù)并且Fvco = N*Fref 。
—般來說，壓控震蕩器40的類型可以區(qū)分為LC震蕩器與環(huán)震蕩器 (ringoscillator)。 LC震蕩器的優(yōu)點(diǎn)為具有低相位噪聲(low phase noise)，缺點(diǎn)為布局 (layout)面積大、窄的頻率調(diào)整范圍(tuning range)。環(huán)震蕩器的優(yōu)點(diǎn)為布局面積小、寬 的頻率調(diào)整范圍，而缺點(diǎn)為具有較大的相位噪聲。對于集成電路設(shè)計(jì)者來說，鎖相回路中的 壓控震蕩器利用環(huán)震蕩器來實(shí)現(xiàn)。如果集成電路設(shè)計(jì)者要以LC震蕩器來實(shí)現(xiàn)的話，則必須 另行增加腳位(Pin)用以連接電感組件。 請參照圖2，其為環(huán)震蕩器電路圖。環(huán)震蕩器包括多級(stage)的延遲單元(delay cell)，每一級的延遲單元皆可利用電壓控制信號來控制輸入端與輸出端之間的相位移 (phase shift)，經(jīng)由調(diào)整電壓控制信號產(chǎn)生想要的頻率；而前一級延遲單元的輸出端連接 至下一級延遲單元的輸入端。 由圖2可知，延遲單元102、104、106可以為構(gòu)造相同的差動(dòng)放大器(differential amplifier)，并連接至一電壓控制信號(Vc)來控制延遲單元102、 104、 106的相位移。延 遲單元102、104、106的正極輸出端(Vo+)分別連接至其下一級延遲單元的正極輸入端 (Vin+)，延遲單元102、104、106的負(fù)極輸出端(Vo-)分別連接至其下一級的負(fù)極輸入 端(Vin-);最后，延遲單元106的正極輸出端(Vo+)連接至延遲單元102的負(fù)極輸入端 (Vin-)，延遲單元106的負(fù)極輸出端(Vo-)連接至延遲單元102的正極輸入端(Vin+)。
當(dāng)然，上述延遲單元并不限定于差動(dòng)放大器，單一輸入的電路，例如反相器 (inverter)所組成的反相煉(inverter chain)，也可以作為壓控震蕩器的延遲單元并利用 電壓控制信號來控制延遲單元的相位移。
—般來說，壓控震蕩器將其壓控頻率范圍與控制電壓(Af/AV)的常數(shù)定義為頻 率調(diào)整常數(shù)(Kvco)。而習(xí)知壓控震蕩器的壓控頻率無法提供一個(gè)固定值的頻率調(diào)整常數(shù)， 也就是說，頻率調(diào)整常數(shù)(Kvco)會隨控制電壓的改變而改變，在設(shè)計(jì)者的角度而言，當(dāng)頻 率調(diào)整常數(shù)會隨著控制電壓的變化而變化時(shí)，整個(gè)鎖相回路的電路設(shè)計(jì)會很復(fù)雜，尤其是 鎖相回路中連接于壓控震蕩器的前一級電路單元，也就是回路濾波器的設(shè)計(jì)會很復(fù)雜。亦 即，當(dāng)頻率調(diào)整常數(shù)無法維持固定值時(shí)，回路濾波器的噪聲會提高。因此，提供一個(gè)使用于 環(huán)震蕩器中的延遲單元，使得壓控震蕩器可以提供固定的頻率調(diào)整常數(shù)(Kvco)為本發(fā)明 主要的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種環(huán)震蕩器中的延遲單元及相關(guān)方法，使壓 控震蕩器可以提供固定的頻率調(diào)整常數(shù)。 為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案 本發(fā)明提供一種環(huán)震蕩器中的延遲單元，包括差動(dòng)放大器，用以產(chǎn)生差動(dòng)輸出； 切換電容庫，耦接于差動(dòng)放大器，用以根據(jù)電容控制信號提供電容值；以及，頻率調(diào)整參數(shù) 均衡器，耦接于差動(dòng)放大器，用以根據(jù)電流控制信號產(chǎn)生可調(diào)式電流。 本發(fā)明更提供一種調(diào)整環(huán)震蕩器的操作頻率的方法，包括粗調(diào)操作頻率于復(fù)數(shù)
個(gè)頻帶上；等化該些頻帶上的復(fù)數(shù)個(gè)頻率調(diào)整常數(shù)；以及，微調(diào)操作頻率。 本發(fā)明采用的環(huán)震蕩器中的延遲單元及相關(guān)方法利用N型晶體管實(shí)現(xiàn)的差動(dòng)放
大器并且搭配切換電容庫以及頻率調(diào)整參數(shù)均衡器來動(dòng)作，使壓控震蕩器可以提供固定的
頻率調(diào)整常數(shù)。


圖1為鎖相回路示意圖。圖2為環(huán)震蕩器電路圖。圖3(a)為具有寬帶率調(diào)整范圍的環(huán)震蕩器電路圖。圖3(b)為具有寬帶率調(diào)整范圍環(huán)震蕩器的頻率調(diào)整圖。圖4(a)為本發(fā)明具體實(shí)施例的環(huán)震蕩器中的延遲單元。圖4(b)為利用本發(fā)明延遲單元所實(shí)現(xiàn)的環(huán)震蕩器的頻率調(diào)整圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例可調(diào)式電流源電路圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例切換電容庫電路圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的調(diào)整環(huán)震蕩器的操作頻率的方法流程圖。主要組件符號說明本案圖式中所包含的各組件列示如下10相位頻率偵測器 20電荷幫浦30回路濾波器 40壓控震蕩器45除頻單元102、104、106延遲單元110環(huán)震蕩器 112、122、132差動(dòng)放大器114、124、134切換電容庫
具體實(shí)施例方式
請參照圖3(a)，其為具有寬帶率調(diào)整范圍的環(huán)震蕩器電路圖。環(huán)震蕩器110包 括多級的延遲單元(delay cell)，每一延遲單元包括一差動(dòng)放大器以及一切換電容庫 (switched capacitance bank)，而每一級的延遲單元皆可利用電壓控制信號(Vc)來控制 輸入端與輸出端之間的相位移。切換電容庫中包括復(fù)數(shù)個(gè)電容，而電容控制信號控制電容 器連接于差動(dòng)放大器正極輸出端與接地端之間，或者差動(dòng)放大器負(fù)極輸出端與接地端之 間。 三個(gè)延遲單元中的第一差動(dòng)放大器112、第二差動(dòng)放大器122、第三差動(dòng)放大器 132皆連接至一電壓控制信號(Vc)來控制延遲單元的相位移。 第一差動(dòng)放大器112的正極輸出端連接至第二差動(dòng)放大器122的正極輸入端，第 一差動(dòng)放大器112的負(fù)極輸出端連接至第二差動(dòng)放大器122的負(fù)極輸入端；第二差動(dòng)放大 器122的正極輸出端連接至第三差動(dòng)放大器132的正極輸入端，第二差動(dòng)放大器122的負(fù) 極輸出端連接至第三差動(dòng)放大器132的負(fù)極輸入端；最后，第三差動(dòng)放大器132的正極輸出 端連接至第一差動(dòng)放大器112的負(fù)極輸入端，第三差動(dòng)放大器132的負(fù)極輸出端連接至第 一差動(dòng)放大器112的正極輸入端。 三個(gè)延遲單元中的切換電容庫114、124、134具有相同的結(jié)構(gòu)。舉例來說，第一電 容庫114中包括四個(gè)電容器C1、C2、C3、C4，其中，第一開關(guān)SW1可以控制第一電容器C1連 接于差動(dòng)放大器正極輸出端與接地端；第二開關(guān)SW2可以控制第二電容器C2連接于差動(dòng)放 大器負(fù)極輸出端與接地端；第三開關(guān)SW3可以控制第三電容器C3連接于差動(dòng)放大器正極輸 出端與接地端；以及，第四開關(guān)SW4可以控制第四電容器C4連接于差動(dòng)放大器負(fù)極輸出端 與接地端。三個(gè)切換電容庫114、124、134接收電容控制信號，舉例來說，當(dāng)電容控制信號控 制第一開關(guān)SW1關(guān)閉(close)時(shí)，三個(gè)切換電容庫114、124、134中的第一開關(guān)SW1皆被關(guān) 閉。 —般來說，于延遲單元中加入切換電容庫可以使得環(huán)震蕩器具有寬帶率調(diào)整范 圍。請參照圖3 (b)，其為具有寬帶率調(diào)整范圍環(huán)震蕩器的頻率調(diào)整圖，縱軸為環(huán)震蕩器的操 作頻率，而橫軸為電壓控制信號(Vc)。由圖中可知，當(dāng)延遲單元輸出端等效的電容值越大時(shí) (電容器C1、C2、C3、C4并聯(lián)的數(shù)目越多時(shí))，延遲單元輸入端與輸出端之間的相位移越大。 因此，利用控制電容器C1、C2、C3、C4并聯(lián)的數(shù)目即可以粗調(diào)(coarse tune)環(huán)震蕩器的操 作頻率。如圖所示，切換電容庫提供不同的電容值時(shí)，環(huán)震蕩器可在不同的頻帶(band)上 調(diào)整操作頻率。經(jīng)由電容控制信號來控制切換電容庫進(jìn)行環(huán)震蕩器的頻帶選擇之后，電壓 控制信號(Vc)即可進(jìn)行環(huán)震蕩器操作頻率的微調(diào)(fine tine)。 上述圖3(a)的環(huán)震蕩器具有寬帶率調(diào)整范圍，然而環(huán)震蕩器的頻率調(diào)整常數(shù) (Kvco)并非定值，每一頻帶所提供的頻率調(diào)整常數(shù)(Kvco)皆不同，會造成回路濾波器的噪
聲提高。 請參照圖4(a)，其為根據(jù)本發(fā)明較佳具體實(shí)施例的環(huán)震蕩器中的延遲單元，可以 施用于環(huán)震蕩器，包含多級的延遲單元，每一延遲單元具有圖4(a)的構(gòu)造。延遲單元包括 差動(dòng)放大器、切換電容庫以及頻率調(diào)整參數(shù)均衡器(Kvcoequalizer)。 差動(dòng)放大器包括晶體管差動(dòng)對(differential pair)、第一負(fù)載Rl與第二負(fù)載R2。晶體管差動(dòng)對包括第一電流源Issl、第一 PM0S晶體管Ml、第二 PM0S晶體管M2及第 三PM0S晶體管M3。第一電流源Issl連接于電壓源(Vdd)與第三PM0S晶體管M3源極之
間；第三PM0S晶體管M3的閘極可以輸入一反相的電壓控制信號()或者一偏壓電壓；
第三PM0S晶體管M3汲極連接至第一 PM0S晶體管Ml與第二 PM0S晶體管M2的源極；第一 PM0S晶體管M1閘極為晶體管差動(dòng)對的正極輸入端(Vin+);第二PM0S晶體管M2的閘極為 晶體管差動(dòng)對的負(fù)極輸入端(Vin-);第一PM0S晶體管M1汲極為晶體管差動(dòng)對的正極輸出 端(Vo+);第二PM0S晶體管M2汲極為晶體管差動(dòng)對的負(fù)極輸出端(Vo-)。再者，第一負(fù)載 Rl連接于晶體管差動(dòng)對的正極輸出端(Vo+)與接地之間；第二負(fù)載R2連接于晶體管差動(dòng) 對的負(fù)極輸出端(Vo-)與接地之間。 切換電容庫中包括復(fù)數(shù)個(gè)電容器，例如四個(gè)電容器C1、C2、C3、C4，第一開關(guān)SW1可 以控制第一電容器Cl連接于差動(dòng)放大器正極輸出端與接地端；第二開關(guān)SW2可以控制第二 電容器C2連接于差動(dòng)放大器負(fù)極輸出端與接地端；第三開關(guān)SW3可以控制第三電容器C3 連接于差動(dòng)放大器正極輸出端與接地端；以及，第四開關(guān)SW4可以控制第四電容器C4連接 于差動(dòng)放大器負(fù)極輸出端與接地端。再者，利用電容控制信號可選擇性地關(guān)閉或者開啟四 個(gè)開關(guān)SW1、 SW2、 SW3、 SW4。 頻率調(diào)整參數(shù)均衡器包括一可調(diào)式電流源Iss2、第四PM0S晶體管M4、第五PM0S 晶體管M5、第六PM0S晶體管M6?？烧{(diào)式電流源Iss2連接于電壓源(Vdd)與節(jié)點(diǎn)a之間， 第六PM0S晶體管M6源極連接至節(jié)點(diǎn)a ;第六PM0S晶體管M6的閘極可以輸入電壓控制信 號(Vc);第六PM0S晶體管M6汲極連接至第四PM0S晶體管M4與第五PM0S晶體管M5的源 極；第四PM0S晶體管M4閘極連接至第五PM0S晶體管M5汲極以及晶體管差動(dòng)對的負(fù)極輸 出端(Vo-);第五PM0S晶體管M5閘極連接至第四PM0S晶體管M4汲極以及晶體管差動(dòng)對 的正極輸出端(Vo+)。 于此實(shí)施例中，當(dāng)延遲單元輸出端等效的電容值越大時(shí)(電容器C1、C2、C3、C4并 聯(lián)的數(shù)目越多時(shí))，頻率調(diào)整參數(shù)均衡器中的可調(diào)式電流源Iss2可提供越大的電流補(bǔ)償?shù)?一負(fù)載R1與第二負(fù)載R2。也就是說，同時(shí)控制電容控制信號與可調(diào)式電流源Iss2的電流 控制信號，使得切換電容庫輸出電容值越大時(shí)頻率調(diào)整參數(shù)均衡器中的可調(diào)式電流源Iss2 的電流也越大。 請參照圖4(b)，其為施用本發(fā)明延遲單元的環(huán)震蕩器的頻率調(diào)整圖，縱軸為環(huán)震 蕩器的操作頻率，而橫軸為電壓控制信號(Vc)。由圖中可知，由于延遲單元輸出端等效的電 容值越大時(shí)(電容器C1、C2、C3、C4并聯(lián)的數(shù)目越多時(shí))，頻率調(diào)整參數(shù)均衡器中的可調(diào)式 電流源Iss2的電流越大。當(dāng)切換電容庫提供不同的電容值時(shí)，環(huán)震蕩器可在任意的頻帶上 調(diào)整操作頻率，并且調(diào)整補(bǔ)償電流(Iss2)使所有頻帶的環(huán)震蕩器的頻率調(diào)整常數(shù)(Kvco) 實(shí)質(zhì)地維持在定值。因此，本發(fā)明延遲單元所組成的環(huán)震蕩器具有固定的頻率調(diào)整常數(shù) (Kvco)，舉例而言，可以于電路設(shè)計(jì)階段利用電路仿真獲得電流大小與電容值的設(shè)計(jì)值，可 使得回路濾波器的噪聲與電路復(fù)雜度有效地降低。 請參照圖5，其為本發(fā)明可調(diào)式電流源Iss2電路圖?？烧{(diào)式電流源Iss2中包括 定電流供應(yīng)路徑(Irl)以及復(fù)數(shù)條受控電流路徑(Ir2 Ir4)連接于電壓源(Vdd)以及節(jié) 點(diǎn)a之間。定電流供應(yīng)路徑(Irl)上有一第一電阻rl，使得定電流供應(yīng)路徑(Irl)可提供 定電流。復(fù)數(shù)條受控電流路徑(Ir2 Ir4)上各有一第二電阻r2、一第三電阻r3、一第四電阻r4，利用晶體管開關(guān)SWIR2、SWIR3、SWIR4來控制復(fù)數(shù)條受控電流路徑(Ir2 Ir4)連 接于電壓源(Vdd)以及節(jié)點(diǎn)a之間。也就是說，電流控制信號可以控制晶體管開關(guān)SWIR2、 SWIR3、 SWIR4來控制可調(diào)式電流源Iss2的輸出電流；舉例來說，當(dāng)三個(gè)晶體管開關(guān)SWIR2、 SWIR3、 SWIR4關(guān)閉時(shí)，可調(diào)式電流源Iss2的輸出電流為Iss2 = Irl+Ir2+Ir3+Ir4。較佳 地，電阻rl、r2、r3、r4系利用長通道(long channel)的P晶體管來實(shí)現(xiàn)，P晶體管閘極與 源極相互連接，而源極與汲極則形成電阻的二端。 請參照圖6，其為本發(fā)明切換電容庫電路圖。切換電容庫包括復(fù)數(shù)條受控電容路 徑，其中，第一與第三受控電容路徑上有第一電容C1、第三電容C3利用晶體管開關(guān)SW1、SW3 來控制受控電容路徑連接于晶體管差動(dòng)對的正極輸出端(Vo+)與接地端之間；并且，第二 與第四受控電容路徑上有第二電容C2、第四電容C4利用晶體管開關(guān)SW2、 SW4來控制受控 電容路徑連接于晶體管差動(dòng)對的負(fù)極輸出端(Vo-)與接地端之間。利用電容控制信號可以 控制晶體管開關(guān)SW1、 SW2、 SW3、 SW4來控制切換電容器輸出的電容值；舉例來說，當(dāng)四個(gè)晶 體管開關(guān)SW1、SW2、SW3、SW4皆關(guān)閉時(shí)，切換電容庫輸出的電容值為Cl+C2+C3+C4。較佳地， 電容C1、 C2、 C3、 C4系利用N型晶體管來實(shí)現(xiàn)，其源極與汲極相互連接，而閘極與汲極則形 成電容的二端。 圖7為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的調(diào)整環(huán)震蕩器的操作頻率的方法流程圖，環(huán)震蕩器 包含復(fù)數(shù)個(gè)延遲單元，此流程從步驟700開始，于步驟720，粗調(diào)操作頻率，舉例而言，利用 切換電容庫提供不同的電容值，使環(huán)震蕩器在不同的頻帶上調(diào)整操作頻率；于步驟740，等 化不同頻帶上的頻率調(diào)整常數(shù)，使得各頻帶上的頻率調(diào)整常數(shù)(Kvco)系實(shí)質(zhì)地相同，舉例 而言，提供補(bǔ)償電流于切換電容庫使得各頻帶上的頻率調(diào)整常數(shù)實(shí)質(zhì)地相同，較佳地，當(dāng) 電容值越大時(shí)，補(bǔ)償電流也越大；于步驟760，微調(diào)操作頻率，舉例而言，控制電壓控制信號 (Vc)的位準(zhǔn)進(jìn)行環(huán)震蕩器操作頻率的微調(diào)。 以上實(shí)施例的延遲單元是利用P型晶體管實(shí)現(xiàn)的差動(dòng)放大器并且搭配切換電容
庫以及頻率調(diào)整參數(shù)均衡器進(jìn)行說明。然而，熟悉此技藝的人士也可以利用N型晶體管實(shí)
現(xiàn)的差動(dòng)放大器并且搭配切換電容庫以及頻率調(diào)整參數(shù)均衡器來動(dòng)作。 綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何
熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保
護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，其包括一差動(dòng)放大器，用以產(chǎn)生一差動(dòng)輸出；一切換電容庫，耦接于該差動(dòng)放大器，用以根據(jù)一電容控制信號提供一電容值；以及一頻率調(diào)整參數(shù)均衡器，耦接于該差動(dòng)放大器，用以根據(jù)一電流控制信號產(chǎn)生一可調(diào)式電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該差動(dòng)放大器包括一晶體管差動(dòng)對、一第一負(fù)載與一第二負(fù)載；其中，該晶體管差動(dòng)對具有一正極輸入端、一負(fù)極輸入端、一正極輸出端與一負(fù)極輸出端，且該第一負(fù)載連接于該正極輸出端，且該第二負(fù)載 連接于該負(fù)極輸出端。
3. 如權(quán)利要求l所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該切換電容庫中包含復(fù) 數(shù)條受控電容路徑，該切換電容庫可根據(jù)該電容控制信號選擇性地將該些受控電容路徑連 接于該正極輸出端或者該負(fù)極輸出端。
4. 如權(quán)利要求1所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該頻率調(diào)整參數(shù)均衡器 中包括一可調(diào)式電流源，用以根據(jù)該電流控制信號產(chǎn)生該可調(diào)式電流并控制該頻率調(diào)整參 數(shù)均衡器補(bǔ)償該第一負(fù)載與該第二負(fù)載的電流大小。
5. 如權(quán)利要求4所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，同時(shí)控制該電容控制信 號與該電流控制信號，使得該切換電容庫輸出電容值越大時(shí)，該頻率調(diào)整參數(shù)均衡器所產(chǎn) 生的該可調(diào)式電流也越大。
6. 如權(quán)利要求2所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該晶體管差動(dòng)對包括 一第一電流源；一第一 PM0S晶體管； 一第二PMOS晶體管；以及 一第三PM0S晶體管；其中，該第一電流源連接于一電壓源與該第三PMOS晶體管源極之間；該第三PMOS晶體 管的閘極可以輸入一反相的電壓控制信號或者一偏壓電壓；該第三PM0S晶體管汲極連接 至該第一PM0S晶體管與該第二PMOS晶體管的源極；該第一PM0S晶體管閘極為該正極輸入 端；該第二PM0S晶體管的閘極為該負(fù)極輸入端；該第一PM0S晶體管汲極為該正極輸出端 且該第二PM0S晶體管汲極為該負(fù)極輸出端。
7. 如權(quán)利要求3所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，每一受控電容路徑包括 一晶體管開關(guān)與一電容，該晶體管開關(guān)可根據(jù)該電容控制信號選擇性地并聯(lián)該電容至該切 換電容庫。
8. 如權(quán)利要求7所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該晶體管開關(guān)與該電容 系由N型晶體管所組成。
9. 如權(quán)利要求1所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該頻率調(diào)整參數(shù)均衡器 包括一可調(diào)式電流源、一第四PM0S晶體管、一第五PM0S晶體管、一第六PMOS晶體管；其中， 該可調(diào)式電流源連接于一電壓源與一節(jié)點(diǎn)之間，該第六PMOS晶體管源極連接至該節(jié)點(diǎn)；該 第六PMOS晶體管的閘極可以輸入一電壓控制信號；該第六PMOS晶體管汲極連接至該第四 PMOS晶體管與該第五PMOS晶體管的源極；該第四PMOS晶體管閘極連接至該第五PMOS晶 體管汲極以及該負(fù)極輸出端；該第五PMOS晶體管閘極連接至該第四PMOS晶體管汲極以及該正極輸出端。
10. 如權(quán)利要求4所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該可調(diào)式電流源包括一 定電流供應(yīng)路徑以及復(fù)數(shù)條受控電流路徑連接于一 電壓源。
11. 如權(quán)利要求io所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該定電流供應(yīng)路徑可提供一定電流，而復(fù)數(shù)條受控電流路徑上各有一電阻，并且經(jīng)由一電流控制信號可選擇性 地并聯(lián)該些受控電流路徑于該定電流供應(yīng)路徑。
12. 如權(quán)利要求ll所述的環(huán)震蕩器中的延遲單元，其特征在于，該電阻系為一長通道 PM0S晶體管。
13. —種調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，其包括 粗調(diào)該操作頻率于復(fù)數(shù)個(gè)頻帶上； 等化該些頻帶上的復(fù)數(shù)個(gè)頻率調(diào)整常數(shù)；以及 微調(diào)該操作頻率。
14. 如權(quán)利要求13所述的調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，該粗調(diào)步驟系 利用一切換電容庫提供一電容值，以粗調(diào)該操作頻率于該些頻帶上。
15. 如權(quán)利要求13所述的調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，該等化步驟系 等化該些頻帶上的頻率調(diào)整常數(shù)，使得各頻帶上的頻率調(diào)整常數(shù)系實(shí)質(zhì)地相同。
16. 如權(quán)利要求13所述的調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，該等化步驟系 提供一補(bǔ)償電流于該切換電容庫使得各頻帶上的頻率調(diào)整常數(shù)實(shí)質(zhì)地相同。
17. 如權(quán)利要求16所述的調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，當(dāng)該電容值越 大時(shí)，該補(bǔ)償電流也越大。
18. 如權(quán)利要求13所述的調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，該環(huán)震蕩器包 含復(fù)數(shù)個(gè)延遲單元。
19. 如權(quán)利要求13所述的調(diào)整環(huán)震蕩器操作頻率的方法，其特征在于，該微調(diào)步驟系 控制一電壓控制信號的位準(zhǔn)以微調(diào)操作頻率。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種環(huán)震蕩器中的延遲單元及相關(guān)方法，使壓控震蕩器可以提供固定的頻率調(diào)整常數(shù)。延遲單元包括一差動(dòng)放大器，該差動(dòng)放大器包括一晶體管差動(dòng)對、一第一負(fù)載、與一第二負(fù)載；一切換電容庫，該切換電容庫中有復(fù)數(shù)條受控電容路徑，該切換電容庫可根據(jù)一電容控制信號選擇性地將該些受控電容路徑連接于該正極輸出端或者該負(fù)極輸出端；以及，一頻率調(diào)整參數(shù)均衡器，該頻率調(diào)整參數(shù)均衡器中包括一可調(diào)式電流源，根據(jù)一電流控制信號可調(diào)整該可調(diào)式電流源的大小用以控制該頻率調(diào)整參數(shù)均衡器補(bǔ)償該第一負(fù)載與該第二負(fù)載的電流。
文檔編號H03K5/13GK101753117SQ200810183418
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者王耀祺 申請人:晨星軟件研發(fā)(深圳)有限公司;晨星半導(dǎo)體股份有限公司