專利名稱：：振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及振蕩電路，特別是涉及可以從一個(gè)水晶振動(dòng)器中獲得多個(gè)振蕩頻率的振蕩電路。技術(shù)背景以前，采用水晶振動(dòng)器轉(zhuǎn)換頻率的振蕩器，必須是振蕩不同頻率的2個(gè)振蕩電路，通過(guò)釆用開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換擇2個(gè)振蕩電路內(nèi)的某一個(gè)來(lái)獲得不同的振蕩頻率的方法。例如，計(jì)時(shí)器中搭載兩個(gè)振蕩電路，將l個(gè)水晶振蕩器作為時(shí)間計(jì)量使用，采用另外的1個(gè)水晶振蕩器作為控制使用。另外，例如，在控制基板中，采用兩個(gè)水晶振蕩器的兩個(gè)頻率被分另啦制4頓。作為這種振蕩電路，例如從專禾忟獻(xiàn)l-3中獲得。[專利文獻(xiàn)l]特開(kāi)2004_140817號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特開(kāi)2005—167572號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開(kāi)2005—86378號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明戶;i軍決的技術(shù)問(wèn)題雖然，在專利文獻(xiàn)1到3中示出的振蕩電路中，存在這樣的問(wèn)題，為了轉(zhuǎn)換頻率，由于2個(gè)水晶振動(dòng)器和其振蕩電路是必要的，因此其面積變大、成本也升高。另外，在采用水晶振動(dòng)器計(jì)量時(shí)亥啲計(jì)時(shí)器中，在該計(jì)時(shí)器的功能測(cè)試瞎況下，用于計(jì)量時(shí)刻的水晶振動(dòng)器頻率，例如32.768Khz下進(jìn)行功能觀賦。由于采用該時(shí)亥附量用的水晶振動(dòng)器下頻率比較慢，存在計(jì)時(shí)器的功能測(cè)試中需要的時(shí)間變長(zhǎng)這樣的問(wèn)題。作為該功能測(cè)試，例如，來(lái)自采用水晶振蕩器的振蕩電路的32.768Khz雖然被分頻電路分頻后生成lHz，但是該分頻回路在正常分頻時(shí)存在檢查是否的測(cè)試。另外，為了該功能測(cè)試，不采用來(lái)自振蕩電路的頻率，在計(jì)時(shí)器中輸入來(lái)自外部的頻率5K行功能測(cè)試也是可以的，但是這種情況下，存在這樣的問(wèn)題，計(jì)時(shí)器的功能測(cè)試本身需要的時(shí)間變短，而不能進(jìn)行振蕩器本身的觀賦。本發(fā)明為了克月讓述缺陷，其致力于提供一種能夠從一個(gè)水晶振動(dòng)器(振蕩振動(dòng)器)獲得多個(gè)振蕩頻率的振蕩電路。解決問(wèn)題的手段本發(fā)明為了解決，問(wèn)題，本發(fā)明的振蕩電路為如下構(gòu)成。一種振蕩電路，其特征在于具有振蕩振動(dòng)器；與，振蕩振動(dòng)器并列連接的振蕩逆變器；與，振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；和與上述振蕩逆變器并列連接的電阻值可變的反饋電阻。另外，一種振蕩電路，其中上述振蕩電路具有改變上述振蕩逆變器的電流驅(qū)動(dòng)能力的振蕩逆變器開(kāi)關(guān)。另外，一種振蕩電路，其特征在于具有振蕩振動(dòng)器；與上述振蕩振動(dòng)器并列連接的振蕩逆變器；與上述振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；與上述振蕩逆變器并列連接的反饋電阻；和改變上述振蕩逆變器的電流驅(qū)動(dòng)能力的振蕩逆變器開(kāi)關(guān)。另外，一種振蕩電路，其中所述反饋電阻的電阻值是可變的。另外，一種振蕩電路，其中上述反饋電阻由第一反饋電阻、第二反饋電阻、與所述第二反饋電阻并列連接的反饋電阻開(kāi)關(guān)構(gòu)成。另外，一種振蕩電路，其中所述第二反饋電阻是多個(gè)反饋電阻，所述反饋電阻開(kāi)關(guān)是多個(gè)反饋電阻開(kāi)關(guān)。另外，一種振蕩電路，其中所述振蕩逆變器由多個(gè)晶體管構(gòu)成，并與所述振蕩逆變器開(kāi)關(guān)的輸入相對(duì)應(yīng)改變工作的晶體管的個(gè)數(shù)。另外，一種振蕩電路，其中所述振蕩逆變器具有具有不同的電流驅(qū)動(dòng)能力的多個(gè)振蕩逆變器電路，并具有與所述振蕩逆變器開(kāi)關(guān)的輸入相對(duì)應(yīng)的、從所述多個(gè)振蕩逆變器電路中選擇一個(gè)振蕩逆變器電路的振蕩逆變器電路選擇開(kāi)關(guān)。另外，一種振蕩電路，其中所述振蕩逆變器具有與上述振蕩逆變器開(kāi)關(guān)的輸入相對(duì)應(yīng)輸出可變電壓的可變電壓源和通過(guò)輸入來(lái)自所述可變電壓源的可變電壓驅(qū)動(dòng)的振蕩逆變器電路。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，振蕩電路中設(shè)有振蕩振動(dòng)器、振蕩逆變器、在振蕩逆變器的輸出和輸入端子之間連接的阻尼電阻、與振蕩逆變器的輸入輸出連接的反饋電阻、和改變反饋電阻的電阻值的反饋電阻開(kāi)關(guān)或改變振蕩逆變器的相互電導(dǎo)值的振蕩逆變器開(kāi)關(guān)，通過(guò)反饋電阻開(kāi)關(guān)或振蕩逆變器開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換反饋電阻的電阻值或振蕩逆變器的相互電導(dǎo)值，通過(guò)使得振蕩電路的頻率范圍可變和選擇振蕩振動(dòng)器具有的高次諧波成分，可以轉(zhuǎn)換振蕩頻率，并可以從一個(gè)振蕩振動(dòng)器中獲得多個(gè)振蕩頻率。另外，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)從一個(gè)振蕩振動(dòng)器中獲得多個(gè)振蕩頻率，水晶振蕩電路具有可以提供一種元件數(shù)少、芯片面積小的振蕩電路的效果。另外，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)橥ㄟ^(guò)從一個(gè)振蕩振動(dòng)器中獲得多個(gè)振蕩頻率，水晶振蕩電路可以提供一種元件數(shù)少并且芯片面積小的振蕩電路，從而提供了可以斷氐水晶振蕩電路的制造成本的效果。另外，根據(jù)本發(fā)明，水晶振蕩電路，從一個(gè)振蕩振動(dòng)器中可以得到多個(gè)振蕩頻率，功能觀賦時(shí)ffl31采用高次諧波使振蕩振動(dòng)器動(dòng)作，從而具有能夠縮短功能測(cè)試需要的時(shí)間的效果。另外，根據(jù)本發(fā)明，水晶振蕩電路，從一個(gè)振蕩振動(dòng)器中可以得至眵個(gè)振蕩頻率，功能測(cè)試時(shí)通過(guò)采用高次諧波使振蕩振動(dòng)器動(dòng)作，不但縮短了功能測(cè)試時(shí)需要的時(shí)間，而且還具有可以確認(rèn)振蕩電路本身的動(dòng)作的效果。圖1^出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的振蕩電路的電路圖。圖2^出圖1中的振蕩電路的頻率特性的頻率特性圖。圖3是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的振蕩電路的電路圖。圖4是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的振蕩電路的電路圖。圖5^出本發(fā)明的第四實(shí)施方式的振蕩電路的電路圖。[符號(hào)說(shuō)明]1、水晶振蕩器2、21、22振蕩逆變器3、31逆變器Rf、RfT、Rf2、Rf3反饋電阻Rd阻尼電阻<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>VI可變電壓源具體實(shí)施方式第一實(shí)施方式下面，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的振蕩電路構(gòu)成的概括方塊圖。振蕩電路具有振蕩逆變器2、反饋電阻Rfl和Rf1、阻尼電阻Rd和開(kāi)關(guān)SW2(反饋電阻開(kāi)關(guān))。振蕩逆變器2例如是由P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管構(gòu)成的CMOS振蕩逆變器。在振蕩逆變器2的兩端連接串聯(lián)連接的反饋電阻Rf1和Rf2。另外，振蕩逆變器2的輸出連接阻尼電阻Rd。開(kāi)關(guān)SW2是在振蕩逆變器2的兩端串聯(lián)連接的反饋電阻Rfl和Rf2中、選擇是否插入反饋電阻Rf2的開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)SW2在斷開(kāi)時(shí)，在振蕩逆變器2的兩端連接的反饋電阻中插入反饋電阻Rf2，振蕩逆變器2的反饋電阻反饋電阻Rfl和Rf2。另一方面，該開(kāi)關(guān)SW2在閉合時(shí)，沒(méi)有在振蕩逆變器2的兩端連接的反饋電阻中插入反饋電阻Rf2，振蕩逆變器2的反饋電阻反饋電阻Rf1。因此，M31開(kāi)關(guān)SW2可以改變振蕩逆變器2的反饋電阻的電阻值。另外，戰(zhàn)振蕩電路的輸入端子為XIN，輸出端子為XOUT。i繊入端子X(jué)ESf和輸出端子X(jué)OUT連接在振蕩振動(dòng)器1兩端的兩端。該振蕩振動(dòng)器1是7k晶振蕩器或陶瓷振蕩器。以下，該振蕩振動(dòng)器l以水晶振蕩器l進(jìn)行說(shuō)明。另外，水晶振蕩器l的輸入端子通過(guò)輸入電容cg接地，水晶振蕩器l的輸出端子通過(guò)輸出電容cd接地。輸入電容cg和輸出電容cd是基板等的電容。釆用以上構(gòu)成的水晶振動(dòng)器的振蕩電路M設(shè)置與反饋電阻Rf1串聯(lián)插入反饋電阻Rf2的開(kāi)關(guān)，Mii采用開(kāi)關(guān)切換一個(gè)振蕩電路的反饋電阻的電阻值，使得振蕩電路的頻率范圍可變，通雌擇水晶振動(dòng)器具有的高次諧波成分，可以切換振蕩頻率，從而可以從一個(gè)水晶振動(dòng)器得到多個(gè)振蕩頻率。<原理〉下面，說(shuō)明由一個(gè)水晶振動(dòng)器獲得多個(gè)振蕩頻率的原理。在此，采用測(cè)量時(shí)刻時(shí)使用的具有32.768kHz的頻率的水晶振動(dòng)器，來(lái)說(shuō)明得到其6倍的頻率200kHz的頻率的情況。首先，一般地，對(duì)于設(shè)計(jì)的頻率來(lái)說(shuō)水晶振動(dòng)器具有其倍數(shù)的頻率。例如，設(shè)計(jì)具有32.768kHz的頻率的水晶振動(dòng)器，具有其2倍、3倍…6倍…n倍(n為自然數(shù))的頻率，即高次諧波。通常，由水晶振動(dòng)器具有的多個(gè)頻率，只有振蕩電路設(shè)計(jì)的頻率產(chǎn)生振蕩，例如只輸出32.768kHz的頻率，所以采用該水晶振動(dòng)器。以上所述32.768kHz的7jC晶振動(dòng)器，如，所說(shuō)明的在其制備工藝上存在200kHz的高次諧波。為此，采用32.768kHz的水晶振動(dòng)器時(shí)，通過(guò)調(diào)整振蕩電路側(cè)的頻率范圍，無(wú)論32.768kHz還是200kHz進(jìn)行振蕩都是可能的。下面，采用圖2，說(shuō)明32.768kHz的水晶振動(dòng)器采用32.768kHz和200kHz進(jìn)行振蕩的情況和該振蕩電路的頻率范圍。在此，圖2中示出縱軸為負(fù)性電阻RL、橫軸為頻率f的振蕩電路的頻率范圍。在此，負(fù)性電阻RL是從輸A^子X(jué)IN和輸出端子X(jué)OUT看到的齡振蕩電路的電阻成分。圖2的實(shí)線示出的波形是圖1的開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的頻率范圍，另一方面，圖2的虛線示出的波形是圖1的開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的頻率范圍。該圖2的波形是實(shí)測(cè)或通過(guò)模擬(、〉厶^一->3測(cè)定、計(jì)測(cè)后的波形。圖2中，在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，以32Khz為中心容易進(jìn)行振蕩，另一方面，在開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，以200Khz為中心容易進(jìn)行振蕩。在此，為了說(shuō)明該頻率范圍的一般特性，說(shuō)明與反饋電阻的電阻值相對(duì)的截止頻率fc的變化。該截止頻率fc，以縱軸為負(fù)性電阻RL、橫軸為頻率f的振蕩電路的頻率范圍中，具體地為負(fù)性電阻R1^0Q時(shí)的頻率。該截止頻率fc采用下式l算出。fcagm/(Rf'cg'cd)(式l)在此，gm是振蕩逆變器的相互電導(dǎo)，Rf是反饋電阻，cg是輸入電容，cd8是輸出電容。頻率范圍的可變?nèi)缡?所示，截止頻率fc在反饋電阻Rf變大時(shí)在低頻率范圍內(nèi)振蕩；相反地，在反饋電阻Rf變小時(shí)在高頻率范圍內(nèi)振蕩。圖2中，作為開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的截止頻率fc32，當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的截止頻率為fc200時(shí)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)下反饋電阻Rf變大盼瞎況的截止頻率fc32與開(kāi)關(guān)閉合下反饋電阻Rf變小的情況的截止頻率fc200相比較，其頻率低。該截止頻率fc成為振蕩電路輸出的頻率的標(biāo)記。il3Ul述說(shuō)明可知，要在32.768kHz下振蕩時(shí)，例如可以使幵關(guān)SW2斷開(kāi)，使反饋電阻Rf變大，要在200kHz下振蕩時(shí)，可以使開(kāi)關(guān)SW2閉合，使反饋電阻Rf變小。如上所述，mt改變反饋電阻Rf的值，翻多選擇水晶振動(dòng)器具有的高次諧波并容易地實(shí)現(xiàn)切換頻率。再者，圖1的反饋電阻Rfl和Rf2具有實(shí)測(cè)戰(zhàn)反饋電阻Rf和振蕩頻率f^3I51模擬測(cè)定、決定的電阻值。第二實(shí)施方式下面，釆用圖3，說(shuō)明選擇改變反饋電阻Rf的電阻值后水晶振動(dòng)器具有的高次諧波以振蕩的振蕩電路的第二實(shí)膽式。相同的附圖中，與圖1的各部對(duì)應(yīng)部分上具有相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。反饋電阻Rf3是連接在振蕩逆變器2的兩端的、與反饋電阻Rf1和Rf2串聯(lián)連接的反饋電阻。開(kāi)關(guān)SW3^擇是否插入反饋電阻Rf3作為與振蕩逆變器2的兩端串聯(lián)連接的反饋電阻的開(kāi)關(guān)。在該振蕩電路中，fflil開(kāi)關(guān)SW2閉合和斷開(kāi)、以及開(kāi)關(guān)SW3的閉合和斷開(kāi)可以選擇4種反饋電阻的電阻值，從而可以選擇4種振蕩頻率。在容易地設(shè)定反饋電阻的電阻值的情況下，例如，使各開(kāi)關(guān)均斷開(kāi)，或使各開(kāi)關(guān)的任一個(gè)閉合。這種情況下，作為反饋電阻的電阻，可以選擇只有反饋電阻Rf1、反饋電阻Rfl和Rf2、以及反饋電阻Rfl和Rf3的三種，與各個(gè)反饋電阻的電阻值相對(duì)輸出振蕩頻率。再者，圖3說(shuō)明了三個(gè)反饋電阻的情況，但是在此不作為限定，可以是多個(gè)反饋電阻串聯(lián)連接，對(duì)各個(gè)反饋電阻設(shè)置選擇是否插入振蕩逆變器的反饋電阻的開(kāi)關(guān)。M3U^構(gòu)成，采用一個(gè)水晶振動(dòng)器可以得至哆個(gè)振蕩頻率。另外，上述說(shuō)明中，雖然僅說(shuō)明了作為反饋電阻串聯(lián)的情況，但是在此不作為限定，通過(guò)多個(gè)反饋電阻串聯(lián)或并聯(lián)連接，對(duì)各個(gè)反饋電阻設(shè)置選擇是否插入振蕩逆變器的反饋電阻的開(kāi)關(guān)，由開(kāi)關(guān)的閉合/斷開(kāi)可改變與振蕩逆變器相對(duì)的反饋電阻的電阻值，以采用一個(gè)水晶振動(dòng)器可以獲得多個(gè)振蕩頻率。第三實(shí)施方式下面，說(shuō)明采用一個(gè)水晶振動(dòng)器可以得到多個(gè)振蕩頻率的振蕩電路的第三實(shí)施方式。第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，通過(guò)使得反饋電阻的電阻值可變化，可采用一個(gè)水晶振動(dòng)器獲得多個(gè)振蕩頻率。對(duì)此，第三實(shí)施方式中，m改變振蕩逆變器的相互電導(dǎo)gm即通過(guò)使得振蕩逆變器的電流驅(qū)動(dòng)能力可變化，釆用一個(gè)水晶振動(dòng)默尋至哆個(gè)振蕩頻率。在lMil式l，即使M3i振蕩逆變器的相互電導(dǎo)gm的變化，也使得截止頻率fc變化。例如，M式l，相互電導(dǎo)gm變大時(shí)，截止頻率fc變大；相反的，相互電導(dǎo)gm變小時(shí)，截止頻率fc變小。為此，通過(guò)使得振蕩逆變器的相互電導(dǎo)gm可變化，可以使得振蕩頻率可變化，從而采用一個(gè)水晶振動(dòng)器肖,獲得多個(gè)振蕩頻率。第三實(shí)施方式中，圖1或圖3的振蕩電路中，使得振蕩逆變器2變?yōu)槿鐖D4(a)所示的振蕩逆變器21。該振蕩逆變器21在相互電導(dǎo)gm肖的多可變化的方面上、與圖1或圖3的振蕩電路中的振蕩逆變器2不同。圖1或圖3中，振蕩逆變器2在振蕩電路中連接的連接點(diǎn)為連接點(diǎn)A和連接點(diǎn)B，圖4(a)的振蕩逆變器21在該連接點(diǎn)A和連接點(diǎn)B上連接。另外，圖4(a)的振蕩逆變器21中，用于選擇、轉(zhuǎn)換相互電導(dǎo)gm的選擇信號(hào)EN從外部輸入。圖4(a)的振蕩逆變器21，il31i^卜部輸入的選擇信號(hào)EN是高電平或低電平，從被設(shè)定的2個(gè)值中選擇一個(gè)值作為振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)gm的值。再者，在該第三實(shí)施方式中，沒(méi)有使得反饋電阻的電阻值可變化，例如，圖1中，在不具有反饋電阻Rf2和開(kāi)關(guān)SW2的振蕩電路中，可以用圖4(a)的振蕩逆變器21置換振蕩逆變器2。下面，采用圖4(b)說(shuō)明圖4(a)的振蕩逆變器21中作為一個(gè)例子的電路構(gòu)成。此后，以電源電路的電源電位為VDD、接地電位為VSS進(jìn)行說(shuō)明。該電源電路是沒(méi)有圖示出的電源電路。另外，對(duì)于振蕩逆變器21，以從連接點(diǎn)A輸入的信號(hào)為輸入信號(hào)A、從連接點(diǎn)B輸出的信號(hào)為輸出信號(hào)B進(jìn)行i兌明。輸入信號(hào)A輸入到P溝道MOS晶體管PIO、P溝道MOS晶體管Pl1、N溝道MOS晶體管NIO以及N溝道MOS晶體管Nll中的各個(gè)柵極中。P溝道MOS晶體管P10中，漏極連接N溝道MOS晶體管N10的漏極，源M31接電源電路VDD。從該P(yáng)溝道MOS晶體管P10的漏極和N溝道MOS晶體管N10的漏極的連接點(diǎn)輸出輸出信號(hào)B。另外，N溝道MOS晶體管N10中源極接地。P溝道MOS晶體管P10和N溝道MOS晶體管N10對(duì)輸入信號(hào)A起到逆變器的功能，向輸出端子B輸出反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)A后的信號(hào)。此后，由該P(yáng)溝道MOS晶體管P10和N溝道MOS晶體管N10構(gòu)成的逆變器成為第一逆變器電路。選擇信號(hào)EN連接N溝道MOS晶體管N12的柵極。另外，選擇信號(hào)ENffiiii!變器31連接P溝道MOS晶體管P12的柵極。P溝道MOS晶體管P12的源，腿接電源電路，N溝道MOS晶體管N12的源極接地。P溝道MOS晶體管Pl1中，源極連接P溝道MOS晶體管P12的漏極，漏極連接輸出端子B。N溝道MOS晶體管Nll中，源豐腿接N溝道MOS晶體管N12的漏極，漏極連接輸出端子B。此后，將P溝道MOS晶體管Pll的漏極和輸出端子B的連接點(diǎn)、以及N溝道MOS晶體管Nll的漏極和輸出端子B的連接點(diǎn)作為連接點(diǎn)C進(jìn)行i兌明。下面，說(shuō)明圖4(b)中振蕩逆變器21的動(dòng)作。首先，選擇信號(hào)EN是高電平時(shí)，N溝道MOS晶體管N12在柵極中輸入高電平并閉合。另外，由于N溝道MOS晶體管N12的源極接地，所以漏極和接地點(diǎn)被導(dǎo)通，該漏極的電位大劍氐至接地電壓VSS。另外，選擇信號(hào)EN是高電平時(shí)，P溝道MOS晶體管P12由于ii^變器31所以在柵極中輸入低電平并閉合。為此，P溝道MOS晶體管P12的漏極和源極成為導(dǎo)通的狀態(tài)。該選擇信號(hào)EN是高電平時(shí)，在輸入信號(hào)A中被輸入高電平時(shí)，通過(guò)第一逆變器電路輸出反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)A后的低電平。另外，輸入信號(hào)A中輸入高電平時(shí)，在P溝道MOS晶體管Pll的柵極中輸入高電平，P溝道MOS晶體管Pll斷開(kāi)，使得P溝道MOS晶體管Pll的源極和漏極成為非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，輸入信號(hào)A中輸入高電平時(shí)，在N溝道MOS晶體管Nll的柵極中輸入高電平，N溝道MOS晶體管Nll閉合，使得N溝道MOS晶體管Nll的源極和漏極成為導(dǎo)通狀態(tài)。在此，選擇信號(hào)EN成為高電平，N溝道MOS晶體管N12的漏極接地。為此，N溝道MOS晶體管Nl1的源極艦N溝道MOS晶體管N12接地。為此，連接點(diǎn)C的電位ffl31第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管N10和N溝道MOS晶體管Nll的兩個(gè)N溝道MOS晶體管輸出低電平。該選擇信號(hào)EN為高電平時(shí)，相反地，輸入信號(hào)A中輸入低電平時(shí)，第一逆變器電路，輸出反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)A后的高電平。另外，輸入信號(hào)A中輸入低電平時(shí)，在P溝道MOS晶體管Pll的柵極中輸入低電平，P溝道MOS晶體管Pll閉合，使得P溝道MOS晶體管Pll的源極和漏極成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，輸入信號(hào)A中輸入低電平時(shí)，N溝道MOS晶體管Nll在柵極中輸入低電平，N溝道MOS晶體管Nll斷開(kāi)。為此，使得N溝道MOS晶體管Nil的源極和漏極成為非導(dǎo)通狀態(tài)。從而，連接點(diǎn)C的電位通過(guò)第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管P10和P溝道MOS晶體管Pll的兩個(gè)P溝道MOS晶體管輸出高電平。另一方面，選擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，N溝道MOS晶體管N12在柵極中輸入低電平并斷開(kāi)。由此，N溝道MOS晶體管Nll成為源極與接地點(diǎn)切開(kāi)的浮動(dòng)狀態(tài)。另外，選擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，P溝道MOS晶體管P12M3i^變器31在柵極中輸入高電平并斷開(kāi)。由此，P溝道M0S晶體管P11成為源極與電源電路切開(kāi)的浮動(dòng)狀態(tài)。該選擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，N溝道MOS晶體管Nll和P溝道MOS晶體管Pll由于N溝道MOS晶體管N12和P溝道MOS晶體管P12斷開(kāi)，因此不動(dòng)作。為lth^擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，在輸入信號(hào)A中輸入高電平時(shí)，艦第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管NIO的一個(gè)N溝道MOS晶體管輸出低電平。另外，選擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，在輸入信號(hào)A中輸入低電平時(shí)，Jlil第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管PIO的一個(gè)P溝道MOS晶體管輸出高電平。參照?qǐng)D4(c)歸納說(shuō)明i^振蕩逆變器21的動(dòng)作。再者，在此，說(shuō)明P溝道MOS晶體管P10和P11、以及N溝道MOS晶體管N10和N11中的M尺寸相同的情況。再者，基于一個(gè)P溝道MOS晶體管的高電平輸出電流或其相互電導(dǎo)為gmH，另外，基于一個(gè)N溝道MOS晶體管的低電平的輸出電流或其相互電導(dǎo)為gmL。這樣，例如，基于2個(gè)P溝道MOS晶體管的高電平的相互電導(dǎo)為2gmH。另外，例如，基于2個(gè)N溝道MOS晶體管的低電平的相互電導(dǎo)為2gmL。選擇信號(hào)EN是高電平時(shí)，在輸入信號(hào)A中輸入高電平時(shí)，ffiil第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管N10和N溝道MOS晶體管Nl1的2個(gè)N溝道MOS晶體管輸出低電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)為2gmL。另外，選擇信號(hào)EN是高電平時(shí)，相反地，在輸入信號(hào)A中輸入低電平時(shí)，i!31第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管P10和P溝道MOS晶體管Pl1的2個(gè)P溝道MOS晶體管輸出高電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)為2gmH。另外，選擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，在輸入信號(hào)A中輸入高電平時(shí)，fflil第一逆變器電路的N溝道MOS晶體管N10的1個(gè)N溝道MOS晶體管輸出低電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)為gmL。另外，選擇信號(hào)EN是低電平時(shí)，相反地，在輸入信號(hào)A中輸入低電平時(shí)，M3i第一逆變器電路的P溝道MOS晶體管PIO的1個(gè)P溝道MOS晶體管輸出高電平。因此，這種情況下，振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)為gmH。在圖4(c)表中概括了上述關(guān)系。在圖4(c)中，示出了輸入信號(hào)A和選擇信號(hào)EN分另偽高電平問(wèn)或者低電平[L]的情況下的振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)的值。根據(jù)戰(zhàn)，如圖4(c)中示出，fflii^擇信號(hào)EN為高電平或低電平，能夠使得振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)gm可變化。為此，ffi)l采用可以使得上述說(shuō)明的相互電導(dǎo)gm可變化的振蕩逆變器21，育,使得振蕩頻率可變化，采用一個(gè)水晶振動(dòng)器可得到多個(gè)振蕩頻率。再者，振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)的值，即P溝道MOS晶體管P10至P12以及N溝道MOS晶體管N10至N12中各個(gè)相互電導(dǎo)的值結(jié)合水晶振動(dòng)器具有的高次諧波而被設(shè)定。首先，第三實(shí)施方式中，ffiil^擇信號(hào)EN是高電平或低電平，使得振蕩逆變器21的輸出電流可變化，但是在此不作為限定，只要是振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)gm是可變化的構(gòu)成，就可以4頓任何構(gòu)成。例如，作為振蕩逆變器21，M相互電導(dǎo)gm不同的多個(gè)振蕩逆變器和從相互電導(dǎo)gm不同的多個(gè)振蕩逆變器中選擇一個(gè)振蕩逆變器的開(kāi)關(guān)，振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)gm也可以被選擇為任一個(gè)振蕩逆變器的相互電導(dǎo)gm。再者，所謂相互電導(dǎo)gm不同的多個(gè)振蕩逆變器是振蕩逆變器的尺寸不同的振蕩逆變器。第四實(shí)施方式下面，說(shuō)明采用一個(gè)水晶振動(dòng)器可以得到多個(gè)振蕩頻率的振蕩電路的第四實(shí)施方式。第三實(shí)施方式中，基于選擇信號(hào)EN是高電平或低電平，使得振蕩逆變器21的輸出電流可變化，M使得該振蕩逆變器21的相互電導(dǎo)gm可變化，采用一個(gè)水晶振蕩器得到多個(gè)振蕩頻率。相對(duì)于該第三實(shí)施方式中為固定電壓源，第四實(shí)施方式中采用可變電壓源，ffiil使得振蕩逆變器的相互電導(dǎo)gm可變化，采用一個(gè)水晶振蕩器可以得到多個(gè)振蕩頻率。采用圖5(a)說(shuō)明第三實(shí)施方式中的振蕩逆變器22。該振蕩逆變器22與圖4(a)中的振蕩逆變器21同樣、對(duì)在圖1或圖3中與連接點(diǎn)A和連接點(diǎn)B連接的振蕩逆變器2被置換的振蕩逆變器。該振蕩逆變器22對(duì)應(yīng)于A"卜部輸入的可變電壓設(shè)定信號(hào)Vreg，iM使可變電壓源的電壓變化，使得輸出信號(hào)B可變化。下面，采用圖4(b)說(shuō)明作為振蕩逆變器22的一個(gè)例子的電路構(gòu)成?？勺冸妷涸碫I對(duì)應(yīng)于/妨卜部輸入的可變電壓設(shè)定信號(hào)Vreg，是使電源電壓可變化而輸出的電壓源。可變電壓源V1的一端被設(shè)置、另一端輸出可變電壓。輸入信號(hào)A輸入到P溝道MOS晶體管P20和N溝道MOS晶體管N20中的各個(gè)柵極中，P溝道MOS晶體管P20的源極連接可變電壓源VI的輸出端子，N溝道MOS晶體管N20的源極接地。P溝道MOS晶體管P20中的漏t皿接N溝道MOS晶體管N20的漏極。從該P(yáng)溝道MOS晶體管P20的漏極和N溝道MOS晶體管N20的漏極的連接點(diǎn)輸出輸出信號(hào)B。該P(yáng)溝道MOS晶體管P20和N溝道MOS晶體管N20對(duì)輸入信號(hào)A起到逆變器的功能，從輸出端子B輸出反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)A后的信號(hào)。另外，根據(jù)AA^卜部輸入的可變電壓設(shè)定信號(hào)Vreg，并fflil使得可變電壓源Vl的電壓可變化，向輸出端子B輸出的電流是可變化的。因此，該振蕩逆變器22根據(jù)從外部輸入的可變電壓設(shè)定信號(hào)Vreg、通過(guò)使得可變電壓源V1的輸出電壓可變化、通過(guò)使得向輸出端子B輸出的電流可變化，可以使得振蕩逆變器22的相互電導(dǎo)gm的值可變化，因此采用一個(gè)水晶振蕩器可以得到多個(gè)振蕩頻率。另外，振蕩逆變器22的相互電導(dǎo)gm的值結(jié)合水晶振蕩器具有的高次諧波而被設(shè)定。另外，根據(jù)式1可知，通過(guò)使得輸入電容cg或輸出電容cd可變化，可以使得截止頻率fc可變化。因此，艦^tr入電容cg或輸出電容cd可變化，使振蕩電路的頻率可變化，采用一個(gè)水晶振蕩器可以得至哆個(gè)振蕩頻率。例如也可以這樣，根據(jù)電容cx和執(zhí)行是否向輸入電容cg插入電容cx的電容開(kāi)關(guān)SWX的構(gòu)成，m該電容開(kāi)關(guān)SWX的閉合或斷開(kāi)的控制，選擇控制輸入電容Cg的值是輸入電容Cg或者是輸入電容Cg+電容CX，并選擇振蕩電路的頻率，因此，采用一個(gè)水晶振動(dòng)器可以得至眵個(gè)振蕩頻率。另外，對(duì)于輸出電容cd，也與輸入電容Cg相同，通過(guò)使得其電容的值可變化，采用一個(gè)水晶振蕩器可以得到多個(gè)振蕩頻率。另外，雖然上述說(shuō)明中，就第一至第四實(shí)施方式分別進(jìn)行了單獨(dú)說(shuō)明，但是在此不作為限定，也可以分別組合第一至第四實(shí)施方式而使用。另外，f柳采用戰(zhàn)說(shuō)明的一個(gè)水晶振蕩器得至哆個(gè)振蕩頻率的振蕩電路，倉(cāng),縮短功能測(cè)試需要的時(shí)間。例如，預(yù)先構(gòu)成能夠輸出通常運(yùn)用時(shí)的頻率(例如32.768KHz)和比其快的頻率(例如200KHz)的振蕩電路，在功能測(cè)試中通過(guò)采用快的頻率(例如200KHz)使整個(gè)電路動(dòng)作，可以縮短功能測(cè)試需要的時(shí)間。另外，該水晶振動(dòng)器可以通過(guò)1個(gè)水晶振動(dòng)器獲得多個(gè)振蕩頻率，功能測(cè)試時(shí)Mil使水晶振動(dòng)器在高次諧波動(dòng)作，不但縮短了功能測(cè)試需要的時(shí)間，而且也可以確認(rèn)振蕩電路本身的動(dòng)作。另外，在上述說(shuō)明中，雖然說(shuō)明了基本頻率為32.768KHz、輸出基本頻率和其6倍頻率即200KHz的情況，但是在此不作為限定，M5i;人7jC晶振動(dòng)器具有的任意高次諧波中選擇任意的高次諧波，并在該選擇的高次諧波上使振蕩電路振蕩的構(gòu)成，振蕩電路可以在水晶振蕩器具有的任意高次諧波振蕩。另外，上述說(shuō)明中雖然說(shuō)明了計(jì)時(shí)器中使用振蕩電路的情況，但是根據(jù)本發(fā)明的振蕩電路并不局限于此，振蕩電路也可以適合于任何機(jī)器或裝置。以上，雖然參照附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是具體構(gòu)成并不局限于該實(shí)施方式，也包括了不超出本發(fā)明的宗旨范圍的設(shè)計(jì)等。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明適用于采用振蕩電路的電路，特別是需要多個(gè)頻率的電路。權(quán)利要求1.一種振蕩電路，其特征在于，具有振蕩振動(dòng)器；與上述振蕩振動(dòng)器并聯(lián)連接的振蕩逆變器；與上述振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；和與上述振蕩逆變器并聯(lián)連接的電阻值可變的反饋電阻。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩電路，其特征在于所述振蕩電路具有改變，振蕩逆變器的電流驅(qū)動(dòng)能力的振蕩逆變器開(kāi)關(guān)。3、一種振蕩電路，其特征在于，具有振蕩振動(dòng)器；與戰(zhàn)振蕩振動(dòng)器并聯(lián)連接的振蕩逆變器；與戰(zhàn)振蕩逆變器的輸出端子連接的阻尼電阻；與戰(zhàn)振蕩逆變器并聯(lián)連接的反饋電阻；禾口改變J^振蕩逆變器的電流驅(qū)動(dòng)能力的振蕩逆變器開(kāi)關(guān)。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的振蕩電路，其特征在于所述反饋電阻的電阻值是可變的。5、根據(jù)權(quán)利要求l、2或4所述的振蕩電路，其特征在于所述反饋電阻由第一反饋電阻、第二反饋電阻和與，第二反饋電阻并聯(lián)連接的反饋電阻開(kāi)關(guān)構(gòu)成。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的振蕩電路，其特征在于所述第二反饋電阻是多個(gè)反饋電阻，所述反饋電阻開(kāi)關(guān)是多個(gè)反饋電阻開(kāi)關(guān)。7、根據(jù)權(quán)利要求2到6中任一個(gè)所述的振蕩電路，其特征在于所述振蕩逆變器由多個(gè)晶體管構(gòu)成，并根據(jù)所述振蕩逆變器開(kāi)關(guān)的輸入，改變動(dòng)作的晶體管的個(gè)數(shù)。8、根據(jù)權(quán)利要求2到7中任一個(gè)所述的振蕩電路，其特征在于，所述振蕩逆變器具有具有不同的電流驅(qū)動(dòng)能力的多個(gè)振蕩逆變器電路；禾口根據(jù)所述振蕩逆變器開(kāi)關(guān)的輸入，從所述多個(gè)振蕩逆變器電路中選擇一個(gè)振蕩逆變器電路的振蕩逆變器電路選擇開(kāi)關(guān)。9、根據(jù)權(quán)利要求2到8中任一個(gè)所述的振蕩電路，其特征在于，所述振蕩逆變器具有根據(jù)所述振蕩逆變器開(kāi)關(guān)的輸入輸出可變電壓的可變電壓源；禾口以從所述可變電壓源輸入的可變電壓驅(qū)動(dòng)的振蕩逆變器電路。全文摘要本發(fā)明提供一種可以從一個(gè)振蕩振動(dòng)器中獲得多個(gè)振蕩頻率的振蕩電路。振蕩電路設(shè)有振蕩振動(dòng)器、振蕩逆變器、與振蕩逆變器的輸出和輸出端子之間連接的阻尼電阻、與振蕩逆變器的輸入輸出連接的反饋電阻、和改變反饋電阻的電阻值的反饋電阻開(kāi)關(guān)或改變振蕩逆變器的相互電導(dǎo)值的振蕩逆變器開(kāi)關(guān)，因此通過(guò)由反饋電阻開(kāi)關(guān)或振蕩逆變器開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換反饋電阻的電阻值或振蕩逆變器的相互電導(dǎo)值，使得振蕩電路的頻率范圍可變并選擇振蕩振動(dòng)器具有的高次諧波，可以轉(zhuǎn)換振蕩頻率，并可以從一個(gè)振蕩振動(dòng)器獲得多個(gè)振蕩頻率。文檔編號(hào)H03B5/32GK101247107SQ200810092039公開(kāi)日2008年8月20日申請(qǐng)日期2008年2月15日優(yōu)先權(quán)日2007年2月17日發(fā)明者佐藤豐,渡邊考太郎申請(qǐng)人:精工電子有限公司