專(zhuān)利名稱(chēng)：靈活動(dòng)態(tài)范圍的放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放大器領(lǐng)域。本發(fā)明特別涉及放大裝置以及包^^種放大^a 的無(wú)線收發(fā)器和無(wú)線電傳^a。
背景技術(shù)：
翻寸頻低噪聲放大器(LNA)中，噪聲和線性度是兩個(gè)重要的因素。然而， 它們不能被很容易i艦行組合。高增益放大器能夠具有低噪聲，但是將犧牲線
性度，而低增益放大器具有更好的線性度但是具有更多噪聲。放大器的噪聲和 線性度性能能夠通過(guò)動(dòng)態(tài)范圍來(lái)量化，其是噪聲所限制的劇氐可檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度
與由于非線性的緣故而將發(fā)生ldB壓縮的最高信號(hào)5艘之比。
在無(wú)線通信領(lǐng)域，例如移動(dòng)電話，根據(jù)與網(wǎng)絡(luò)的無(wú)線接入點(diǎn)相關(guān)的無(wú)線終 端的位置，存在著對(duì)低噪聲放大器的不同需要。例如，如果無(wú)線終端遠(yuǎn)離無(wú)線 接入點(diǎn)，則重要的是，噪聲盡可能低以便能夠接收弱信號(hào)。如果另一方面，來(lái) 自其他無(wú)線終端的干擾信號(hào)很強(qiáng)，則線性度應(yīng)該高以便避免接收器的退敏
(desensitatiorO或卩HS。
從而感興趣的是提供這樣的低噪聲放大裝置，其能夠根據(jù)情 皿擇性地提 供好的統(tǒng)性度或低噪聲和高增益。這正變得日益重要，不但因?yàn)榭梢詳嘭倒模?而且因?yàn)椴粩嗟亟档同F(xiàn)代半導(dǎo)體工藝的電源電壓，導(dǎo)致很難得到涵蓋全部這些 情況的足夠高的動(dòng)態(tài)范圍。
傳統(tǒng)上這已經(jīng)Mi^頓通過(guò)在輸出端接入(switchin)不同電阻性負(fù)載實(shí)現(xiàn) 的簡(jiǎn)單可控增益衰減而得以解決。然而，于是動(dòng)態(tài)范圍性能下降。
在無(wú)線收發(fā)器中在獲得高動(dòng)態(tài)范圍與浪費(fèi)功率之間存在折衷。在低電源電 壓下獲得高動(dòng)態(tài)范圍尤其困難。
因此需要提供一種改進(jìn)的低噪聲放大裝置，其能夠根據(jù)情況提供好的線性 度或低噪聲和高增益。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及實(shí)現(xiàn)在放大裝置中選擇性掛共高增益和低噪聲^i子的緣性度。 本發(fā)明一個(gè)目的是提供一種放大裝置，其會(huì),選擇性地Hf共好的線性度或 低噪聲和高增益。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，鄉(xiāng)過(guò)一種放大體來(lái)實(shí)現(xiàn)，臓放大體包括:
第一晶體管，具有連接到用于接收輸入信號(hào)的第一部分(first half)的第一 輸入信號(hào)源的源極，連接到偏置電位的柵極，和連接到提供輸出信號(hào)的第一部 分的第一信號(hào)輸出端的漏極，
第一可斷(breakable)分支(branch),連接在第一晶體管的源極與漏極之 間并且包括第二晶體管，
第三晶體管，具有連接到用于接收輸入信號(hào)的第二部分(second half)的第 二輸入信號(hào)源的源極，連接到偏置電位的柵極，和連接至腿供輸出信號(hào)的第二 部分的第二信號(hào)輸出端的漏極，
第二可斷分支，連接在第三晶體管的源極與漏極之間并且包括第四晶體管，
第三可斷分支，包,接在第一晶體管的源極與第三晶體管的柵極之間的 第一電容器和第一開(kāi)關(guān)，以及
第四可斷分支，包 g接在第三晶體管的源極與第一晶體管的柵極之間的 第二電容器和第二開(kāi)關(guān)，
其中所述第一和第二開(kāi)關(guān)被安排來(lái)接收第一轉(zhuǎn)換信號(hào)(switching signal)以 用于提供放大裝置的電容性交叉耦合操作模式，并且當(dāng)選擇放大裝置的非交叉 耦合共柵極操作模式時(shí)，第一和第二可斷分支被安排來(lái)接收第二轉(zhuǎn)換信號(hào)以用 于將第二晶體管與第一晶體管并聯(lián)連接并且用于將第四晶體管和第三晶體管并 聯(lián)連接。
放大裝置有效地被提供在無(wú)線收發(fā)器以及無(wú)線電傳^置中，例如無(wú)線接 入點(diǎn)或無(wú)線終端。
在這里術(shù)語(yǔ)柵極、源極和漏極旨在涵蓋等同的術(shù)語(yǔ)，如基極、劍抖及和集 電極。
本發(fā)明具有下面的優(yōu)點(diǎn)。其提供了一種裝置，所述，能夠選擇性地提供 高增益和低噪聲或好的統(tǒng)性度。其能夠在低電源電壓下并且在不降低動(dòng)態(tài)范圍 的情況下實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。兩種操作模式的組合實(shí)際上改進(jìn)放大裝置的有效動(dòng)態(tài)范圍。
應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是當(dāng)說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)"包括泡含"特指所陳述的特征或 組件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、組件或其組合的存在鵬加。


現(xiàn)在將根據(jù)所公開(kāi)的附圖來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的放大裝置的電路圖， 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的放大裝置的電路圖，
圖3示意性地示出兩個(gè)無(wú)線電傳i^置，彼ji:hffi信的一個(gè)基站和一個(gè)移動(dòng) 臺(tái)，其中每一個(gè)都包括根據(jù)本發(fā)明的放^S，以及 圖4示出蜂窩電話形式的無(wú)線終端的前視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種放大裝置，其能夠被有利地用于無(wú)線通信，這是因?yàn)槠涮?供好的線性度或低噪聲和高線性，所感興趣的是其用于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)中的不同通信 情形中。
本發(fā)明從而涉及^f共一種放大裝置，其能夠被操作在兩種結(jié)構(gòu)之間進(jìn)行轉(zhuǎn) 換，以便提供更好的統(tǒng)性度或低噪聲和高增益。有利地，該放大裝置是射頻低 噪聲放大裝置。
圖1中的電路圖中示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的這種放大裝置io。放 大裝置10包括第一對(duì)晶體管，包括第一晶體管Ml和第二晶體管M2。這里第 一晶體管M1的漏極連接到提供輸出信號(hào)的第一部分的第一信號(hào)輸出端O。第 一晶體管M1的漏極SI過(guò)第一輸出阻抗Z01連接到信號(hào)地，在本實(shí)施例中第 一輸出P服是電感。第一晶體管Ml的柵極被安排來(lái)接收偏置電位，在該第一 實(shí)施例中這是fflil經(jīng)由第一偏置電阻器RBl將柵極連接到偏置電位VB來(lái)實(shí)現(xiàn) 的。第一晶體管M1的源極連接至U第一輸入信號(hào)源IN+的第一端，從中其接收輸 入信號(hào)的第一部分。第一輸入信號(hào)源IN+的第二端連接到信號(hào)地。提供與該輸 入信號(hào)源IN+并聯(lián)的第一輸入電阻ZI1，在該實(shí)施例中其是電感器。提供與第一 晶體管M1并聯(lián)的第一可斷分支B1，其連接在第一晶體管M1的源極與漏極之 間。分支B1包括第二晶體管M2并且將該第二晶體管M2的漏極連接到第一晶
7體管的漏極并且將第二晶體管M2的源，皿接到第一晶體管Ml的源極。在該 實(shí)施例中，第二晶體管M2的柵極^1過(guò)第一偏置電阻器RB1形式的偏置P且抗 而連接到偏置電位VB。
低噪聲放大裝置10還包括第二對(duì)晶體管，包括第三和第四晶體管M3和 M4。這里第三晶體管M3的漏極連接到提供輸出信號(hào)的第二部分的第二信號(hào)輸 出端O-。第三晶體管M3的漏極M31第二輸出P鵬Z02連接到信號(hào)地，在該 實(shí)施例中第二輸出卩鵬是電感。第三晶體管M3的柵極艦第二偏置電阻器RB2 連接到偏置電位VB并且第三晶體管M3的源極連接到第二輸入信號(hào)源IN-的第 一端，從中其接收輸入信號(hào)的第二部分。第二輸入信號(hào)源IN-的第二立驢接至瞻 號(hào)地。提供與斑俞入信號(hào)源IN-并聯(lián)的第二輸入KftZI2，在該實(shí)施例中其也是 電感器。提供與第三晶體管M3并聯(lián)的第二可斷分支B2，其連接在第三晶體管 M3的源極與漏極之間。分支B2包括第四晶體管M4并且將該第四晶體管M4 的漏極連接到第三晶體管M3的漏極并將第四晶體管M4的源極連接至U第三晶 體管M3的源極。第四晶體管M4被安排來(lái)接收偏置電位，在i亥第一實(shí)施例中 這艦il^由第二偏置電阻器RB2形式的偏置阻抗將柵極連接到偏置電位VB 來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一和第二偏置電阻器RB1和RB2的電阻應(yīng)該是相等的。并且第一和 第二輸出阻抗ZOl和Z02的電感應(yīng)該是相等的。第一和第二輸入阻抗ZI1和 ZI2的電感也應(yīng)該是相等的。
禾艮據(jù)本發(fā)明，此外在第一晶體管M1的源極與第三晶體管M3的柵極之間 提供第三可斷分支B3。該第三分支B3包括第一電容器Cl和第一開(kāi)關(guān)SW1 。 在該實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)SW1被提供為晶體管，OT極和漏極連接在第三分支 B3中并且該晶體管SW1的柵極連接至i傑一轉(zhuǎn)換信號(hào)C—SW。此外在第三晶體 管M3的源極與第一晶體管Ml的柵極之間樹(shù)共第四可斷分支B4。 i織四分支 B4包括第二電容器C2和第二開(kāi)關(guān)SW2。在該實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)SW2也被 提供為晶體管，其源極和漏極連接在第四分支B4中并且該晶體管SW2的柵極 連接到第一轉(zhuǎn)換信號(hào)C—SW。
根據(jù)該第一實(shí)施例，第一分支B1還包括被liJ共為晶體管的第三開(kāi)關(guān)SW3， 其源極和漏極連接在第一分支B1中并且該晶體管SW3的柵極連接妾U第二轉(zhuǎn)換 信號(hào)TR—SW。這里開(kāi)關(guān)SW3的源極面對(duì)第一晶體管Ml的源極，而漏極面對(duì) 第一晶體管Ml的漏極。最后，第二分支B2包括第四開(kāi)關(guān)SW4，在該實(shí)施例中它被^f共為晶體管， 極和漏極連接在第二分支B2中并且該晶體管SW4 的柵極自接到第二轉(zhuǎn)換信號(hào)TR_SW。這里開(kāi)關(guān)SW4的源極面對(duì)第三晶體管 M3的源極，而漏極面對(duì)第三晶體管M3的漏極。
在該實(shí)施例中，晶體管M1、 M2、 M3和M4以及開(kāi)關(guān)SW1、 SW2、 SW3 和SW4全者敞提供為MOSFET晶體管。
能夠看到，根據(jù)i亥第一實(shí)施例的放大裝置10被提供為差分放大器，其放大 通過(guò)輸入源極IN+和IN-提供的輸入信號(hào)，以用于M輸出端O和O-掛共經(jīng)放 大的輸出信號(hào)。在i織一實(shí)施例中，第1瞎四晶體管M2和M4接鵬動(dòng)信 號(hào)(activating signal),該信號(hào)在這里為偏置電位VB。此外開(kāi)關(guān)SW1、 SW2、 SW3和SW4 $^共該，在兩個(gè)不同放大模式之間的轉(zhuǎn)換電容性交叉耦合操 作模式和標(biāo)準(zhǔn)共柵極操作模式。進(jìn)行這種轉(zhuǎn)換以便獲得好的線性特性或低噪聲 和高增益。
當(dāng)希望獲得好的線性特性時(shí)，通過(guò)施加第一轉(zhuǎn)換信號(hào)C—SW的低電壓電平 來(lái)截止(open)第一和第二開(kāi)關(guān)SW1和SW2，同時(shí)通過(guò)施加第二轉(zhuǎn)換信號(hào) TR—SW的高電壓電平來(lái)導(dǎo)通(close)第三和第四開(kāi)關(guān)SW3和SW4。那么第三 和第四分支B3和B4斷幵并Ji人而第一和第二電容器Cl和C2對(duì)操作沒(méi)有影響。 由于這種轉(zhuǎn)換，第二和第四晶體管M2和M4與第一和第三晶體管Ml和M3并 聯(lián)連接，從而獲得放大裝置10的標(biāo)準(zhǔn)共柵極結(jié)構(gòu)，這樹(shù)共所希望的統(tǒng)性特性。
當(dāng)希望獲得低噪聲和高增益時(shí)，ffiil施加第一轉(zhuǎn)換信號(hào)C一SW的高電壓電 平來(lái)導(dǎo)通第一和第二開(kāi)關(guān)SW1和SW2，同時(shí)通過(guò)施加第二轉(zhuǎn)換信號(hào)TR—SW的 低電平電壓來(lái)iUhH三和第四開(kāi)關(guān)SW3和SW4。于是第三和第四分支B3和 B4在第一和第三晶體管Ml和M3之間連接并且從而第一和第二電容器Cl和 C2對(duì)放大體10的操作存在影響。因此獲得放大裝置的電容性交叉耦合結(jié)構(gòu)， 其提供所希望的低噪聲和高增益。第三和第四開(kāi)關(guān)SW3和SW4的截止將 ;|^> 有效的組合輸入，從而減小晶體管的大小，這樣能夠在兩種操作模式中實(shí)現(xiàn)良 好的輸入匹配。交叉耦合模式需要與標(biāo)準(zhǔn)共柵極相比較一半的跨導(dǎo)值。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的低噪聲裝置10的電路圖。該第二實(shí)施 例與第一實(shí)施例類(lèi)似。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同在于第一和第二分支Bl 和B2不包括第三和第四開(kāi)關(guān)；而是第二和第四晶體管M2和M4柵極直^^妾收 第二轉(zhuǎn)換信號(hào)。因而用于第二和第四晶體管M2和M4的起動(dòng)信號(hào)這里為第二
9轉(zhuǎn)換信號(hào)TR_SW。
根據(jù)該第二實(shí)施例的裝置以與第一實(shí)施例中的裝置相同的方式進(jìn)行操作以 便獲得相同的最后結(jié)果。
然而，在該第二實(shí)施例中，第二轉(zhuǎn)換信號(hào)TR一SW的高電壓電平對(duì)應(yīng)于偏 置電位VB，以便啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)共柵極操作。這在第一實(shí)施例中不是必要的。
放大裝置的噪聲禾喊性度性能夠通過(guò)動(dòng)態(tài)范圍來(lái)量化，其是噪聲柳蹄啲 劇氐可檢測(cè)信號(hào)纟鵬與由于非線性的緣故而將發(fā)生ldB壓縮的最高信號(hào) 驢之 比。
功率放大體io的上述操作具有多館點(diǎn)。其提供一種裝置，戶;M^s能 夠選擇性地提供高增益和低噪聲或高線性度。其能夠在低電源電壓下并且在不 需要降低動(dòng)態(tài)范圍的情況下實(shí)現(xiàn)。事實(shí)上，動(dòng)態(tài)范圍的覆蓋范圍通過(guò)根據(jù)本發(fā) 明的放大體而得以提高。
在所描述的實(shí)施例中，輸入和輸出阻抗被提供為電感器。應(yīng)該意識(shí)到作為
替代，它們可以是電阻器。第一、第二第三和第四晶體管也纟鵬供為MOSFET 晶體管。應(yīng)該意識(shí)到，它們可以是樹(shù)可類(lèi)型的晶體管，例如JFET和PNP晶體 管。因此，還應(yīng)該意識(shí)到術(shù)語(yǔ)柵極涵蓋等同的術(shù)語(yǔ)基極，術(shù)語(yǔ)漏極涵蓋等同的 術(shù)語(yǔ)集電極并且術(shù)語(yǔ)源極涵蓋等同的術(shù)語(yǔ)發(fā)射極。所使用的開(kāi)關(guān)會(huì)被意識(shí)到采 用MOSFET晶體管的形式。應(yīng)該意識(shí)到它們可以是任何類(lèi)型的晶體管，例如 JFET和PNP晶體管。實(shí)際上開(kāi)關(guān)并不限于晶體管，但是也可以意識(shí)到fflil能夠 根據(jù)轉(zhuǎn)換信號(hào)來(lái)執(zhí)行轉(zhuǎn)換的任何裝置。在第三和第四分支中提供的開(kāi)關(guān)和電容 器的次序不是本發(fā)明的運(yùn)行的關(guān)鍵。同樣，在第一實(shí)施例中在第一和第二分支 中提供開(kāi)關(guān)和晶體管中的次序不是本發(fā)明的運(yùn)行的關(guān)鍵。在所描述的實(shí)施例中， 晶體管Ml到M4己經(jīng)被提供為N型，但是作為代替將設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換為l頓P型也 不是問(wèn)題。在所描述的實(shí)施例中，此外第一和第三晶體管的柵極通過(guò)偏置電阻 器形式的偏置阻抗而連接到偏置電位。應(yīng)該意識(shí)到偏置阻抗也可以例如是電感 器。此外第二和第四晶體管的柵極可以通過(guò)一個(gè)共偏置阻抗而連接到偏置電位 或甚至直接連接到該偏置電位。
根據(jù)本發(fā)明的放大裝置可以被提供在無(wú)線接入點(diǎn)(例如基站)中，或J^共 到無(wú)線終端(例如移動(dòng)臺(tái))中，或者二者兼有。圖3示意性地示出包括根據(jù)本 發(fā)明的低噪聲放大體的無(wú)線收發(fā)器14的一種此類(lèi)基站12。無(wú)線收發(fā)器14又連接到天線16以用于在廣域網(wǎng)N中與移動(dòng)臺(tái)18進(jìn)fim信。移動(dòng)臺(tái)可以，窩 電話，如圖4中所示。
當(dāng)移動(dòng)臺(tái)遠(yuǎn)離基站12時(shí)，放大體l鵬作來(lái)根據(jù)電容性交叉耦合結(jié)構(gòu)進(jìn)行 酉己置，而如果存在很多干擾，貝肪文大裝置被操作來(lái)根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)共柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)行配置。
盡管已經(jīng)結(jié)合特定實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但其不意在局限于在此所 闡述的特定形式。更確切地，本發(fā)明的范圍僅由隨后權(quán)利要微行限制。
權(quán)利要求
1、一種放大裝置(10)，包括第一晶體管(M1)，具有連接到用于接收輸入信號(hào)的第一部分的第一輸入信號(hào)源(IN+)的源極，被安排來(lái)接收偏置電位(VB)的柵極，和連接到提供輸出信號(hào)的第一部分的第一信號(hào)輸出端(O+)的漏極，第一可斷分支(B1)，連接在第一晶體管(M1)的源極與漏極之間并且包括第二晶體管(M2)，第三晶體管(M3)，具有連接到用于接收輸入信號(hào)的第二部分的第二輸入信號(hào)源(IN-)的源極，被安排來(lái)接收偏置電位(VB)的柵極，和連接到提供輸出信號(hào)的第二部分的第二信號(hào)輸出端(O-)的漏極，第二可斷分支(B2)，連接在第三晶體管(M3)的源極與漏極之間并且包括第四晶體管(M4)，第三可斷分支(B3)，包括連接在第一晶體管(M1)的源極與第三晶體管(M3)的柵極之間的第一電容器(C1)和第一開(kāi)關(guān)(SW1)，以及第四可斷分支(B4)，包括連接在第三晶體管(M3)的源極與第一晶體管(M1)的柵極之間的第二電容器(C2)和第二開(kāi)關(guān)(SW2)，其中所述第一和第二開(kāi)關(guān)(SW1，SW2)被安排來(lái)接收第一轉(zhuǎn)換信號(hào)(C_SW)以用于提供放大裝置(10)的電容性交叉耦合操作模式，并且所述第一和第二可斷分支(B1，B2)被安排來(lái)接收第二轉(zhuǎn)換信號(hào)(TR_SW)以用于將第二晶體管(M2)與第一晶體管(M1)并聯(lián)連接并且用于將第四晶體管(M4)與第三晶體管(M3)并聯(lián)連接以便提供放大裝置(10)的標(biāo)準(zhǔn)共柵極操作模式。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l的放大，(10)，其中第一可斷分支(Bl)將第二晶 體管(M2)的漏極連接至U第一晶體管(Ml)的漏極并且將第二晶體管(M2) 的源極連接至U第-一晶體管(Ml)的源極，并且第二可斷分支(B2)將第四晶體 管(M4)的漏極連接到第三晶體管(M3)的漏極并且將第四晶體管(M4)的 源極連接到第三晶體管(M3)的源極。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2的放大裝置(10)，其中第一輸入信號(hào)源(IN+) 與第一輸入阻抗(ZIl)并聯(lián)itt接在第一晶體管(Ml)的源極與信號(hào)地之間， 并且第二輸入信號(hào)源(IN-)與第二輸入斷亢(ZI2)并聯(lián)i鵬接在第三晶體管(M3)的源極與信號(hào)地之間。
4、 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的放大裝置(10)，其中第一晶體管(Ml)的漏fM過(guò)第一輸出阻抗(ZOO連接到信號(hào)地，并且第三晶體管(M3)的漏極通 過(guò)第二輸出阻抗(Z02)連接到信號(hào)地。
5、 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的放大裝置，其中第一和第三晶體管(Ml， M3) 的柵禾M31至少一個(gè)偏置阻抗(RB1， RB2)連接到偏置電位(VB)。
6、 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的放大裝置(10)，其中第二和第四晶體管(M2， M4)的柵極被安排來(lái)接te動(dòng)信號(hào)(VB; TR—SW)。
7、 根據(jù)權(quán)禾腰求6的放大體(10)，其中起動(dòng)信號(hào)為偏置電位(VB)， 第一分支(Bl)包括第三開(kāi)關(guān)(SW3)并且第二分支(B2)包括第四開(kāi)關(guān)(SW4)， 第三和第四開(kāi)關(guān)(SW3， SW4)被安排來(lái)接收第二轉(zhuǎn)換信號(hào)(TR—SW)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6的放大裝置(10)，其中起動(dòng)信號(hào)為第二轉(zhuǎn)換信號(hào) (TR一SW)，其具有與運(yùn)作以將第二和第四晶體管(M2， M4)與第一和第三晶 體管(Ml, M3)并聯(lián)連接的偏置電位(VB)相對(duì)應(yīng)的電位。
9、 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的放大裝置(IO)，其中晶體管被^f共為MOSFET 晶體管。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一權(quán)利要求的放大裝置(10)，其中晶體管被提 供為JFET晶體管。
11、 根據(jù)權(quán)禾腰求1-8中任一權(quán)利要求的放大裝置(10)，其中晶體管被提 供為雙極晶體管。
12、 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的放大裝置(10)，其中開(kāi)關(guān)以MOSFET晶體 管的形式被提供。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一權(quán)利要求的放大裝置(IO)，其中開(kāi)關(guān)以JFET 晶體管的形式被提供。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一權(quán)利要求的放大體(10)，其中開(kāi)關(guān)以雙 極晶體管的形式被提供。
15、 一種包括至少一種根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一權(quán)利要求的放大裝置(IO) 的無(wú)線收發(fā)器(14)。
16、 一種包括至少一種根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一權(quán)利要求的放大裝置(IO) 的無(wú)線電傳i^置02; 18)。
17、根據(jù)權(quán)利要求16的無(wú)線電傳^a，其中它是無(wú)線接入點(diǎn)(12)。
18、根據(jù)權(quán)利要求16的無(wú)線電傳皿置，其中它是無(wú)線終端(18)。
全文摘要
一種放大裝置(10)包括第一、第二、第三和第四晶體管(M1，M2，M3，M4)。在第一和第三晶體管(M1，M3)中，源極連接到輸入信號(hào)源(IN+，IN-)，柵極連接到偏置電位(VB)并且漏極連接到信號(hào)輸出端(Q+，Q-)。在第一和第三晶體管(M1，M3)的源極與漏極之間分別存在第一和第二分支(B 1，B2)，所述第一和第二分支均包括對(duì)應(yīng)的第二或第四晶體管(M2，M4)。該裝置還包括第三分支(B3)以及第四分支(B4)，所述第三分支包括連接在第一晶體管(M1)源極與第三晶體管(M3)柵極之間的第一電容器(C1)和第一開(kāi)關(guān)(SW1)，所述第四分支包括連接在第三晶體管(M3)源極與第一晶體管(M1)柵極之間的第二電容器(C2)和第二開(kāi)關(guān)(SW2)。
文檔編號(hào)H03F3/45GK101652925SQ200780052114
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2007年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月13日
發(fā)明者H·肖蘭, K·范薩西旺 申請(qǐng)人:艾利森電話股份有限公司