專利名稱：具有作為振蕩回路電容的可調諧的擴散電容的振蕩器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有由至少一個電感及至少一個可調諧的電容組成的振蕩回路的振蕩器，其中可調諧電容由至少一個通過電流的晶體管的擴散電容來實現(xiàn)。
背景技術：
當pn結在導通方向上被驅動時，出現(xiàn)擴散電容。擴散電容這樣地實現(xiàn)，即在導通工作中的pn結被載流子淹沒。其后果是，多數(shù)載流子遷移到反向攙雜的區(qū)域中。它們在那里作為少數(shù)載流子停留一定時間，直到它們復合為止。但直至復合它們又反向遷移一個復合行程，由此出現(xiàn)了空間的電荷的分離。一個工作在導通方向上的、帶有這樣存儲的載流子的pn結體現(xiàn)為一個電容。
僅當通過電流時出現(xiàn)的擴散電容不同于一個pn結的阻擋層電容，后者在pn結阻斷的情況下通過靜態(tài)空間電荷構成。阻擋層電容與被施加的反向電壓及二極管結構相關，即與阻擋層面積、半導體材料及攙雜相關。其電容值典型地在皮可法拉的范圍上及表現(xiàn)為與被施加的反向電壓UR是通過系數(shù)UR-0.5的非線性關系。
迄今通常使用反向并聯(lián)的阻擋層電容，即在阻擋方向上被極化的電容二極管(Kapazittsdioden)使用，或專門培養(yǎng)(生長)的變容二極管來調諧振蕩回路。電容二極管為，對于它可合乎目的地利用阻擋層電容的電壓相關性的二極管。它們體現(xiàn)為可電壓控制的可變電容?，F(xiàn)在使用的基本材料主要是硅，對于特殊的應用也可為砷化鎵。阻擋層電容構成振蕩回路電容的一個組成部分，振蕩回路電容可通過控制電壓被改變。在最大反向電壓時達到最小電容。最大電容則在最小反向電壓時達到。變容二極管原則上是大功率的電容二極管。這里有目的地利用在振蕩回路上用大的高頻(HF)電壓控制時通過非線性的電容特性曲線c＝f(U)產(chǎn)生的失真。所形成的(高次)諧波被濾出并以此方式構成頻率倍增電路。
二極管由于其特殊的電容相對地低具有大的面積。由此需要許多芯片面積及隨著各個元件尺寸的增大襯底上的電容耦合(Verkopplungen)愈來愈嚴重。調諧區(qū)域的尺寸正比于面積，由此隨著調諧區(qū)域的尺寸的增大耦合的危險也上升。隨著頻率的上升襯底變得更具容性，由此也隨著頻率的升高耦合可能性增大。
為了避免該缺點，使用了擴散電容用于振蕩回路調諧。在相同的元件情況時擴散電容在數(shù)值上比阻擋層電容大得多并在幾百皮可法拉至幾百納法拉的數(shù)量級上。
因此使用擴散電容允許減小芯片面積需要量。開始部分所述類型的、用擴散電容工作的振蕩器已由US 6 114 919公知。該文獻公開了由一個電感及一個振蕩回路電容組成的LC網(wǎng)絡，該振蕩回路電容由電路的一個確定節(jié)點(Node 1)與參考電位(Ground)之間的電容總和給出。該總和包括一個連接成放大器支路的晶體管對的擴散電容及在該電路的一個放大器支路的控制晶體管的電容。因此通過控制晶體管的控制電流的改變必然引起通過差分放大器的晶體管的電流的改變，這就使晶體管的工作點移動。由此可能出現(xiàn)不希望的飽和效應、不希望的振蕩幅值的改變及振蕩回路噪音比例的調制。

發(fā)明內容
由該背景出發(fā)，本發(fā)明的任務在于，給出一種振蕩器，其中不具有或僅至少以減小的方式出現(xiàn)所述缺點。
該任務在開始部分所述類型的振蕩器上這樣地解決可調諧的電容具有由設有第一晶體管及第二晶體管的第一差分放大器與設有第三晶體管及第四晶體管的第二差分放大器組成的結構(Anordnung)，其中第一晶體管及第二晶體管的電特性與第三晶體管及第四晶體管的電特性互補，及其中第一晶體管的控制端子與互補的第三晶體管的控制端子彼此相連接，第二晶體管的控制端子與互補的第四晶體管的控制端子彼此相連接，及第一晶體管的第二電流端子與第三晶體管的第二電流端子彼此相連接并且第二晶體管的第二電流端子與第四晶體管的第二電流端子彼此相連接。
根據(jù)本發(fā)明，因此可變電容由兩個相互連接的差分放大器組成。差分放大器的交錯連接易于改變并基本上取決于應用情況及要求。在所有情況下其基本結構是相同的。每個差分放大器通過變化的電流分布/控制來體現(xiàn)電容，該電容總是由串聯(lián)連接的擴散電容組成。通過彼此互補的晶體管(對于雙極性晶體管的PNP及NPN或對于場效應晶體管的n溝道及p溝道)級聯(lián)連接可這樣設計電路的參數(shù)，即控制電流(或在場效應晶體管的情況下為控制信號)幾乎被補償并電容對振蕩器放大支路的偏置/工作點實際無影響?；パa晶體管級聯(lián)連接布置的另一優(yōu)點在于，控制電流被雙重地利用，即例如在一個PNP差分放大器及在隨后的一個NPN差分放大器中被雙重利用。由此減小了電流損耗，該損耗作為僅當流過電流時才出現(xiàn)的擴散電容的后果是必需的。
本發(fā)明的另一優(yōu)點在于，對電源電位的干擾不是直接的，而僅作為厄雷(Early)電壓傳遞到電容上，由此該干擾的影響通常是很小的。
對于厄雷效應可理解為在常規(guī)放大器工作中集電極與發(fā)射極之間反向電壓增大情況下集電極電流的稍微增大。該厄雷效應公知地基于通過阻擋層的增長的基極寬度調制(Basisbreiten-Modulation)。阻擋層及由此基極與發(fā)射極之間的電阻將隨集電極與發(fā)射極之間電壓的增長而加大。它涉及一個微小的效應。它是由隨著基極-集電極結上反向電壓的增大而增大的基極-集電極空間電荷區(qū)引起的，它使有效基極寬度減小及使基極中少數(shù)載流子濃度的分布斜率增大。因為該濃度正比于集電極電流IC，因此IC升高。
有利的是，電感及可調諧的電容彼此并聯(lián)地連接。
起到電容作用的例如為雙極性二極管的基極-發(fā)射極的及基極-集電極的擴散電容?；谠撾娐方Y構電荷在諧振狀態(tài)下在電感與電容之間來回振動，而在此情況下在饋電線中不會出現(xiàn)相對而言大的電荷運動，這也使電流損耗減小。
有利的還在于，由第一差分放大器及第二差分放大器組成的結構被串聯(lián)連接在第一直流電流源及第二直流電流源之間，其中第一直流電流源將一個可變強度的直流電流饋入到該結構中及第二直流電流源由該結構抽出一個可變強度的直流電流。
直流電流源調制(modulieren)這些電容及由此允許擴散電阻的控制。在此情況下特別有利的是，該控制與振蕩器的去阻尼無關地進行。
此外有利的是，由第一直流電流源及第二直流電流源提供的電流的電流強度相等。
通過差分放大器結構的該構型，由第二直流電流源取出的電流為由從第一直流電流源輸入它的電流。作為其結果是盡可能避免了在直流電流源的控制電流與流過電感和電容之間的振蕩回路電流之間的、不希望的相互作用。
優(yōu)選的還在于，第一直流電流源與第一晶體管及第二晶體管的第一電流端子相連接，及第二直流電流源與第三晶體管及第四晶體管的第一電流端子相連接。
通過該構型使由直流電流源提供的電流根據(jù)晶體管的相應控制交替地分配到兩個差分放大器之一的每兩個晶體管上，這也就使控制電流與振蕩回路電流的、不希望的相互作用減到最小，該振蕩回路電流可能在電流通過基極(Basen)時出現(xiàn)。
另一優(yōu)選構型的特征在于雙極性晶體管被用作第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管，其中每個單個的晶體管的基極分別被用作控制端子，每個單個的晶體管的發(fā)射極端子分別被用作第一電流端子及每個單個的晶體管的集電極被用作第二電流端子。
一個變換的構型的特征在于場效應晶體管被用作第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管，其中每個單個的晶體管的柵極端子被用作控制端子，及每個單個的晶體管的源極端子或每個單個的晶體管的漏極端子被用作第一電流端子及每個單個的晶體管的漏極端子或源極端子被用作第二電流端子。
場效應晶體管的特征是在芯片上更小的位置占有量。
另一優(yōu)選構型的特征在于設有一個負電阻，它使振蕩回路去阻尼及與調節(jié)擴散電容的值的控制電流去耦合。
該負電阻又給振蕩回路帶來通過反射或通過歐姆電阻引起的損耗。與控制電流的去耦合可防止控制電流與流過放大支路的電流的、不希望的相互作用。
有利的是，該電感與該電容并聯(lián)地連接在第一電源電位與負電阻之間。
該構型也是一種用于控制電流與放大電流去耦合的措施，并減小振蕩回路與控制電流之間不希望的相互作用。
有利的是，至少一個晶體管的控制端子與至少一個晶體管的第二電流端子相連接。
通過該構型使一個晶體管的擴散電容-在雙極性晶體管的情況下為基極-發(fā)射極電容-短路，這就使基極-集電極擴散電容的值下降。但它作為優(yōu)點表現(xiàn)在由此使保留的調諧電容-在雙極性晶體管的情況下為基極-發(fā)射極擴散電容-的品質因數(shù)提高。
另一優(yōu)選構型的特征在于電感至少被分成一個第一部分電感(Teilinduktivitt)及一個第二部分電感。
該措施改善了偏置、即振蕩器工作點的調節(jié)。
有利的還在于，負電阻作為具有一個第五晶體管、一個第六晶體管及一個恒流源的第三差分放大器來實現(xiàn)，其中第五晶體管的第二電流端子及第六晶體管的控制端子連接到第一部分電感，及第六晶體管的第二電流端子及第五晶體管的控制端子通過一個電容連接到第二部分電感，及恒流源連接在第五晶體管及第六晶體管的第一電流端子與第二電源電位之間。
因此這種負電阻形式的去阻尼電路表示為具有一個差分晶體管對的集電極及基極的電容交叉耦合的交流電流源，它同相地向振蕩回路輸入能量并由此補充振蕩回路的阻尼損耗。
另一優(yōu)選構型的特征在于設有另一電容，它被連接在第五晶體管及第六晶體管的第二電流端子之間及由此與振蕩回路電感并聯(lián)地連接。
通過該分立的、與控制電流無關的電容可保證振蕩器的快速起振。
優(yōu)選補充地，設有一個歐姆電阻，它被連接在第一電源電位與由電感及可調諧電容構成的并聯(lián)電路之間。
通過該歐姆電阻可調節(jié)振蕩器的工作點。
另一優(yōu)選構型的特征在于一個第一串聯(lián)電路及一個第二串聯(lián)電路各由兩個電阻組成，其中第一串聯(lián)電路將第一晶體管及第三晶體管的第二電流端子彼此相連接，及由兩個電阻構成的第二串聯(lián)電路將第二晶體管及第四晶體管的第二電流端子彼此相連接。
借助這些串聯(lián)電路可使可變電容的調諧范圍對于相應的應用場合被優(yōu)化。
在此優(yōu)選的是，第一串聯(lián)電路的中間抽頭與第一晶體管及第三晶體管的控制端子相連接，及第二串聯(lián)電路的中間抽頭與第二晶體管及第四晶體管的控制端子相連接。
通過這些措施，例如在雙極性晶體管的情況下以上所述的基極-集電極電容的短接可用簡單的電路技術方法來實現(xiàn)。
其它的優(yōu)點可從說明部分及附圖中得到。
可以理解，以上所述及下面還要描述的特征不僅可用各個給出的組合而且也能以其它的組合或單獨地使用，而不會脫離本發(fā)明的范圍。


本發(fā)明的實施例被表示在附圖中及在以下的說明中詳細地描述。
附圖以概要的形式表示；圖1根據(jù)本發(fā)明的具有雙極性晶體管網(wǎng)絡形式的可調諧電容的振蕩器的第一實施例；圖2由場效應晶體管網(wǎng)絡實現(xiàn)的可調諧電容的一個變換構型；圖3根據(jù)本發(fā)明的振蕩器10的另一實施例；及圖4一個可調諧電容14的另一構型。
具體實施例方式
圖1詳細地表示一個振蕩器10，它具有由至少一個電感12，12a及至少一個可調諧電容14組成的振蕩回路，其中可調諧電容14由至少一個通過電流的晶體管的擴散電容來實現(xiàn)。該電感12，12a可以為本領域技術人員所已知的任何一個具有電感特性的元件或網(wǎng)絡。構型可包括具有電感性阻抗的線圈或網(wǎng)絡、如回轉器電路?？烧{諧電容14具有由設有第一晶體管18及第二晶體管20的第一差分放大器16與設有第三晶體管24及第四晶體管26的第二差分放大器22組成的結構。其中這樣地選擇晶體管18，20，24，26，即第一晶體管18及第二晶體管20的電特性是相同類型的并且同時與第三晶體管24及第四晶體管26的電特性互補，后兩者也彼此代表相同類型。這里對于電特性的類型主要理解成雙極性晶體管劃分為NPN和PNP晶體管以及場效應晶體管劃分為N通道溝道及P溝道晶體管。第一晶體管18的控制端子28與互補的第三晶體管24的控制端子30相連接。類似地，第二晶體管20的控制端子32與互補的第四晶體管26的控制端子34相連接。在雙極性晶體管的情況下，如圖1中所示，控制端子28，30，32，34涉及基極端子。在場效應晶體管的情況下控制端子28，30，32，34相應地涉及柵極端子。
此外，第一晶體管18的第二電流端子36與第三晶體管24的第二電流端子38相連接，及第二晶體管20的第二電流端子40與第四晶體管26的第二電流端子42相連接。
電感12，12a與可調諧電容14彼此并聯(lián)地連接。在使用雙極性晶體管作為晶體管18，20，24，26的情況下，例如基極-發(fā)射極擴散電容及基極-集電極擴散電容起到振蕩回路電容的作用。基于該電路結構在諧振狀態(tài)下電荷在電感12與這些電容之間來回地振蕩，而在饋電線44及46中不出現(xiàn)相對大的電荷運動，這些饋電線使振蕩器10與第一電源電位48、例如3伏及與第二電源電位50、例如0伏＝地電位相連接。
在此情況下由第一差分放大器16及第二差分放大器22組成的結構被串聯(lián)連接在第一直流電流源52及第二直流電流源54之間，其中第一直流電流源52將一個可變強度的直流電流饋入到該結構中并且第二直流電流源54由該結構抽出一個可變強度的直流電流。
直流電流源52，54調制這些電容及由此允許振蕩電路電容的控制和由此可控制振蕩器10的頻率?？刂撇糠?6調節(jié)直流電流源52，54的電流。該控制部分56例如可為一個計算機，它根據(jù)通過一個發(fā)送器58的頻率要求改變振蕩器10的頻率。
發(fā)送器58典型地為一個相位調節(jié)環(huán)路(鎖相環(huán)PLL)的一個相位-頻率檢測器(PFD)。一個這樣的PFD58將由振蕩器所提供的頻率與一個參考頻率相比較，并在有偏差時產(chǎn)生一個錯誤信號。無論是振蕩器的頻率還是該參考頻率或者這兩者可在該比較前分別通一個分頻器被分頻。該控制部分由該錯誤信號形成一個控制信號，該控制信號這樣改變振蕩器的頻率，即使得該錯誤信號消失或至少減小。換句話說當所比較的信號的頻率或相位不相同時，該PFD或傳感器58總生成一個錯誤信號。視(必要時被分頻的)振蕩信號的邊沿是否超前或滯后該(必要時被分頻的)參考信號的邊沿而定，PFD和/或控制部分56產(chǎn)生不同符號(上，下)的控制信號。根據(jù)這些控制信號，一個例如被集成在控制部分56中的電荷泵例如對一個電容器充電或者放電，它的電壓通過一個環(huán)路濾波器被平滑并作為控制電壓被提供到振蕩器上。
在控制時由第一直流電流源52及第二直流電流源54提供的電流的電流強度保持相等，由此使從這些差分放大器16，22的結構中被第二直流電流源54取出的電流僅僅為由第一直流電流源52供入它的電流。其結果是，盡可能地避免了在直流電流源52，54的控制電流與流過電感12和電容14之間的振蕩回路電流之間的、不希望的相互作用。
第一直流電流源52與第一晶體管18及第二晶體管20的第一電流端子60，62相連接，而第二直流電流源54與第三晶體管24及第四晶體管26的第一電流端子64，66相連接。通過該連接方式使由直流電流源52，54提供的電流與晶體管18，20，24，26的相應控制相關地交替地分配到兩個差分放大器16，22之一的每兩個晶體管18，20或24，26上，這就使控制電流與振蕩回路電流的、不希望的相互作用減到最小，該振蕩回路電流可能在電流通過控制端子28，32，30，34時出現(xiàn)。
圖1表示通過雙極性晶體管18，20，24，26的擴散電容實現(xiàn)的電容14。在此情況下，每個晶體管18，20，24，26的基極被用作控制端子28，32，30，34。相應地，發(fā)射極被用作第一電流端子60，62，64，66及集電極被用作第二電流端子36，40，38，42。由電感12及電容14組成的振蕩回路通過一個負電阻67去阻尼，該負電阻與調節(jié)擴散電容的值的控制電流去耦合。該負電阻再給振蕩回路帶來通過反射的或通過歐姆電阻引起的損耗。與控制電流的去耦合阻止了控制電流和流入放大支路的電流之間的、不希望的相互作用。其中電感12及電容14并聯(lián)在第一電源電位48與負電阻67之間。
圖2表示由場效應晶體管68，70，72及74的網(wǎng)絡實現(xiàn)的電容14的一個變換構型。在此情況下控制端子28，30，32，34及第一電流端子60，62，64，66以及第二電流端子36，40，38，42具有與圖1中的雙極性晶體管18，20，24，26相同的標號。可以理解，在圖2的情況下控制端子28，30，32，34為柵極端子，而第一電流端子60，62，64，66例如為漏極端子及第二電流端子36，40，38，42例如為源極端子。由于場效應晶體管的高對稱性，漏極端子與源極端子可互換。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明的振蕩器10的另一實施例，其中在圖1及3中相同的標號表示相同的部分。圖3中的主題與圖1中的主題的區(qū)別在于改變的電感12，改變的電容14，一個負電阻67的詳細電路，在電感12與第一電源電位48之間的一個附加電阻78及一個附加的單獨振蕩回路電容80。
電容14的改變在于晶體管18，20，24及26的控制端子28，30，32及34通過附加導線區(qū)段82及84與所屬第二電流端子36，38，40，42的短路連接。通過這種短路連接可減小一個晶體管18，20，24，26的擴散電容、例如一個雙極性晶體管的基極-發(fā)射極電容的值。該構型雖然減小了電容14的總值，但提高了所保留的調諧電容量的品質因數(shù)(Güte)。
電感12的改變在于分離成兩個部分電感86，88，這就改善了偏置，即振蕩器10的工作點的調節(jié)。在此情況下電阻90及92代表電感12的交流阻抗中的歐姆電阻分量。在第一電源電位48與由電感12及可調諧電容14組成的并聯(lián)電路之間的所述電阻78用于調節(jié)振蕩器10的工作點。
圖3還表示用于振蕩回路去耦合的一個負電阻67。根據(jù)圖3的負電阻67具有由一個第五晶體管94及一個第六晶體管96的差分對組成的第三差分放大器，這些晶體管的控制端子98，100通過電容102，104交叉地耦合到第二電流端子106，108、如晶體管94，96的集電極上。第三差分放大器的晶體管94，96由恒流源110供電，該恒流源連接在晶體管94，96的第一電流端子(例如發(fā)射極)112，114與第二電源電位50之間。電壓源116與電阻118，120相連接并確定第三差分放大器的工作點。此外第二電流端子106，108既與電感12的部分電感86，88也與可調諧電容14的控制端子28，30，32，34相連接。因此這樣的負電阻67為一個具有差分放大器的集電極及基極的電容交叉耦合(Kreuz-kopplung)的交流電流源，它同相地向振蕩回路輸入能量及由此補充振蕩回路的阻尼損耗。
連接在第五晶體管94及第六晶體管96的第二電流端子106，108之間并由此與振蕩回路電容14及與電感12并聯(lián)連接的分立電容80與通過可調諧電容14的控制電流無關并保證振蕩器10的快速起振。
圖4表示具有各由兩個電阻126，128及130，132組成的一個第一串聯(lián)電路122及一個第二串聯(lián)電路124的可調諧電容14的另一構型。其中第一串聯(lián)電路122將第一晶體管18及第三晶體管24的第二電流端子36，38彼此相連接，及第二串聯(lián)電路124將第二晶體管20及第四晶體管26的第二電流端子40，42彼此相連接。借助這些串聯(lián)電路122，124可使可變電容14的調諧范圍對于相應的應用場合被優(yōu)化。這里在一個構型中，第一串聯(lián)電路122的中間抽頭134與第一晶體管18及第三晶體管24的控制端子28，30相連接，及第二串聯(lián)電路124的中間抽頭136與第二晶體管20及第四晶體管26的控制端子32，34相連接。通過這些措施，例如在雙極性晶體管的情況下以上所述的基極-集電極電容的短路連接可用簡單的電路技術方法來實現(xiàn)。
權利要求
1.具有一個由至少一個電感(12)及至少一個可調諧的電容(14)組成的振蕩回路的振蕩器(10)，其中該可調諧電容(14)通過至少一個通過電流的晶體管的擴散電容來實現(xiàn)，其特征在于該可調諧的電容(14)具有由一個設有一個第一晶體管(18)及一個第二晶體管(20)的第一差分放大器(16)與一個設有一個第三晶體管(24)及一個第四晶體管(26)的第二差分放大器(22)組成的結構，其中該第一晶體管(18)及該第二晶體管(20)的電特性與該第三晶體管(24)及該第四晶體管(26)的電特性互補，及其中該第一晶體管(18)的控制端子(28)與該互補的第三晶體管(24)的控制端子(30)彼此相連接，該第二晶體管(20)的控制端子(32)與該互補的第四晶體管(26)的控制端子(34)彼此相連接，及該第一晶體管(18)的第二電流端子(36)與該第三晶體管(24)的第二電流端子(38)彼此相連接，及該第二晶體管(20)的第二電流端子(40)與該第四晶體管(26)的第二電流端子(42)彼此相連接。
2.根據(jù)權利要求1的振蕩器(10)，其特征在于該電感(12)及該可調諧的電容(14)彼此并聯(lián)地連接。
3.根據(jù)權利要求1或2的振蕩器(10)，其特征在于由該第一差分放大器(16)及該第二差分放大器(22)組成的結構被串聯(lián)連接在一個第一直流電流源(52)及一個第二直流電流源(54)之間，其中該第一直流電流源(52)將一個可變強度的直流電流饋入到該結構中及該第二直流電流源(54)由該結構中抽出一個可變強度的直流電流。
4.根據(jù)權利要求3的振蕩器(10)，其特征在于由該第一直流電流源(52)和該第二直流電流源(54)提供的電流的電流強度相等。
5.根據(jù)權利要求4的振蕩器(10)，其特征在于該第一直流電流源(52)與該第一晶體管(18)的第一電流端子(60)及該第二晶體管(20)的第一電流端子(62)相連接，及該第二直流電流源(54)與該第三晶體管(24)的第一電流端子(64)及該第四晶體管(26)的第一電流端子(66)相連接。
6.根據(jù)以上權利要求中至少一項的振蕩器(10)，其特征在于雙極性晶體管(18，20，24，26)被用作第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管，其中這些晶體管(18，20，24，26)中的每一個的基極各被用作控制端子(28，32，30，34)，這些晶體管(18，20，24，26)中的每一個的發(fā)射極端子各被用作第一電流端子(60，62，64，66)，及這些晶體管(18，20，24，26)中的每一個的集電極各被用作第二電流端子(36，40，38，42)。
7.根據(jù)權利要求1至5中至少一項的振蕩器(10)，其特征在于場效應晶體管(68，70，72，74)被用作第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管，其中這些晶體管中的每一個的柵極端子各被用作控制端子(28，30，32，34)，及這些晶體管中的每一個的源極端子或這些晶體管中的每一個的漏極端子各被用作第一電流端子(60，62，64，66)，及這些晶體管中的每一個的漏極端子或源極端子被用作第二電流端子(36，40，38，42)。
8.根據(jù)以上權利要求中至少一項的振蕩器(10)，其特征在于設有一個負電阻(67)，它使該振蕩回路去阻尼。
9.根據(jù)權利要求1的振蕩器(10)，其特征在于該電感(12)與該電容(14)并聯(lián)地連接在一個第一電源電位(48)與該負電阻(67)之間。
10.根據(jù)以上權利要求中至少一項的振蕩器(10)，其特征在于這些晶體管(18，20，24，26；68，70，72，74)中的至少一個的控制端子(28，32，30，34)與所述至少一個晶體管(18，20，24，26；68，70，72，74)的該第二電流端子(36，40，38，42)相連接。
11.根據(jù)以上權利要求中至少一項的振蕩器(10)，其特征在于該電感(12)被分成至少一個第一部分電感(86)及至少一個第二部分電感(88)。
12.根據(jù)權利要求8或11的振蕩器(10)，其特征在于該負電阻(67)作為具有一個第五晶體管(94)、一個第六晶體管(96)及一個恒流源(110)的第三差分放大器來實現(xiàn)，其中該第五晶體管(94)的一個第二電流端子(106)及該第六晶體管(96)的一個控制端子(100)連接到該第一部分電感(86)上，及該第六晶體管(96)的一個第二電流端子(108)及該第五晶體管(94)的一個控制端子(98)連接到該第二部分電感(88)上，及該恒流源(110)連接在該第五晶體管(94)及該第六晶體管(96)的第一電流端子(112，114)與一個第二電源電位(50)之間。
13.根據(jù)權利要求12或13的振蕩器(10)，其特征在于設有一個另外的電容(80)，它被連接在該第五晶體管(94)及該第六晶體管(96)的第二電流端子(106，108)之間。
14.根據(jù)權利要求10的振蕩器(10)，其特征在于設有一個歐姆電阻(78)，它被連接在該第一電源電位(48)與由電感(12)及可調諧電容(14)構成的并聯(lián)電路之間。
15.根據(jù)以上權利要求中至少一項的振蕩器(10)，其特征在于一個第一串聯(lián)電路(122)及一個第二串聯(lián)電路(124)各由兩個電阻(126，128)；(130，132)組成，其中該第一串聯(lián)電路(122)將該第一晶體管(18)的第二電流端子(36)和該第三晶體管(24)的第二電流端子(38)彼此相連接，及其中該第二串聯(lián)電路(124)將該第二晶體管(20)的第二電流端子(40)與該第四晶體管(26)的第二電流端子(42)彼此相連接。
16.根據(jù)權利要求16的振蕩器(10)，其特征在于該第一串聯(lián)電路(122)的一個中間抽頭(134)與該第一晶體管(18)的控制端子(28)及該第三晶體管(24)的控制端子(30)相連接，及該第二串聯(lián)電路(124)的一個中間抽頭(136)與該第二晶體管(20)的控制端子(32)及該第四晶體管(26)的控制端子(34)相連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有由至少一個電感及至少一個可調諧的電容組成的振蕩回路的振蕩器，其中可調諧電容由至少一個通過電流的晶體管的擴散電容來實現(xiàn)，其特征在于可調諧的電容具有由設有第一晶體管及第二晶體管的第一差分放大器與設有第三晶體管及第四晶體管的第二差分放大器組成的結構，其中第一晶體管及第二晶體管的電特性與第三晶體管及第四晶體管的電特性互補，及其中第一晶體管的與互補的第三晶體管的控制端子彼此相連接，第二晶體管的與互補的第四晶體管的控制端子彼此相連接，及第一晶體管的與第三晶體管的第二電流端子彼此相連接及第二晶體管的與第四晶體管的第二電流端子彼此相連接。
文檔編號H03B5/00GK1677839SQ20051006379
公開日2005年10月5日 申請日期2005年4月4日 優(yōu)先權日2004年4月2日
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