專利名稱：磁性材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁性材料，特別是涉及利用旋轉(zhuǎn)對稱性制作材料的磁特性。
在過去的40年中能夠存儲在一個計算機(jī)硬盤中的信息量已經(jīng)上升了107倍，并且在未來的數(shù)十年中看起來還會繼續(xù)以指數(shù)速率上升。今天的常規(guī)磁性材料將不能滿足明天的磁數(shù)據(jù)存儲工業(yè)對磁性能的需求。當(dāng)前正在考慮的一種選擇是納米技術(shù)和量子力學(xué)的最佳協(xié)同作用，以便制成稱為納米磁體的納米量級的磁性粒子。這些納米磁體，由于它們的大小非常小，具有與它們的大塊母材非常不同的磁特性。每個納米磁體都類似于一個人造元素的一個巨大原子，允許巨大原子接著巨大原子地制成新的磁性材料。特別是迅速增長的納米磁學(xué)領(lǐng)域可以提供代替硬盤的先進(jìn)媒體和新一代的高速，低功率，非易失的計算機(jī)存儲芯片。
一個自然地發(fā)生的磁元素或合金的最重要的特性是它的各向異性。這指的是在材料中存在諸優(yōu)先的磁化方向并最終負(fù)責(zé)確定一種磁性材料的行為方式和可以適合它的技術(shù)應(yīng)用。在一個常規(guī)的磁性材料中各向異性來自電子費(fèi)米表面的形狀和對稱性，所以對于具體的元素或合金是固有的，不能輕易地被改變。然而，在納米磁體中，各向異性不僅與母材的能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)而且與納米磁體的形狀有關(guān)。人造磁性材料的最吸引人的特點(diǎn)之一就是能夠通過選擇作為組成部分的納米磁體的形狀，設(shè)計它們的磁特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一個存儲元件包括具有一個為了提供高剩磁和一個適當(dāng)?shù)某C頑磁力而選出的旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體。
根據(jù)本發(fā)明的一個第二個方面，一個傳感器單元包括具有一個旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體，選擇該旋轉(zhuǎn)對稱性是為了使諸納米磁體是超順磁的并且顯示出基本上為零的磁滯，從而使得納米磁體的磁化強(qiáng)度只與所加場的電流值有關(guān)而與場的歷史無關(guān)。
根據(jù)本發(fā)明的一個第三個方面，一個磁邏輯元件包括具有一個旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體，選擇該旋轉(zhuǎn)對稱性是為了使諸納米磁體是超順磁的并且顯示出基本上為零的磁滯，從而使得納米磁體的磁化強(qiáng)度只與所加場的電流值有關(guān)而與場的歷史無關(guān)。
本發(fā)明的器件是用一種技術(shù)如電子束印刷，在一塊基片如一個硅片上形成的人造磁性材料。該器件的大小可以在40-500nm范圍內(nèi)，其厚度可以在3-10nm范圍內(nèi)，可以是三角形或五角形的幾何形狀，它們分別與3級和5級的旋轉(zhuǎn)對稱性相對應(yīng)。然而級別可以更大。母材可以是超透磁合金(Ni80Fe14Mo5)，選擇它是因為下述兩個原因。第一，這種合金固有地幾乎都是各向同性的，所以在納米磁體中的任何各向異性必須來自它們的形狀。第二，超透磁合金和它的無鉬的相關(guān)坡莫合金是工業(yè)和研究中的普遍使用的諸軟磁性合金中的兩種，從而可以作為一個能夠通過納米結(jié)構(gòu)給予一個簡單材料新的和不同的諸特性的有效證明。如下所述，我們能夠簡單地通過改變作為組成部分的諸納米磁體的對稱性制成有一個非常寬廣的范圍的磁特性的人造磁性材料。
現(xiàn)在我們將參照所附諸圖描述與本發(fā)明有關(guān)的諸例子，其中

圖1表示一些人造磁性材料的掃描電子顯微鏡圖；圖2表示不同大小，厚度和幾何形狀的納米磁體的剩磁環(huán)；圖3表示一個超順磁三角形納米磁體的剩磁環(huán)；圖4表示實驗測得的矯頑磁力與納米磁體大小的函數(shù)關(guān)系；圖5表示實驗測得的在不同的納米磁體內(nèi)的各向異性場；圖6畫出了對于圖5的不同的納米磁體表示為一個各向異性場(A)和每個納米磁體的一個各向異性能量(B)的主要的各向異性項；圖7表示磁化率與納米磁體大小和對稱性的函數(shù)關(guān)系；圖8表示一個用作一個磁場傳感器或邏輯單元的超順磁納米磁體的一個簡略的安排。
我們能夠根據(jù)本發(fā)明用一個標(biāo)準(zhǔn)的基于發(fā)射的電子束印刷過程形成諸器件。我們用單晶硅作為樣本基片。在每個納米磁體之間的間隔總是至少等于納米磁體的直徑，并且對于最小的結(jié)構(gòu)該間隔大到直徑的三倍。納米磁體的表面粗糙性小于0.5nm，微結(jié)構(gòu)顯示出諸5nm的隨機(jī)定向顆粒。為了防止氧化每個納米磁體的頂部表面被一個5nm厚的金膜覆蓋。我們發(fā)現(xiàn)在尺寸小到50nm的結(jié)構(gòu)中仍然保持著幾何形狀的完整性。圖1表示一些結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖。
為了確定這些不同的人造材料的磁特性，我們用一種已知的高靈敏度的磁光方法測量它們的磁滯環(huán)(M-H環(huán))。當(dāng)一個激光點(diǎn)(大小≈5μm)在表面上方移動直到被聚焦在人造材料的諸地區(qū)中的一個的頂部上時在一個光學(xué)顯微鏡下觀察硅表面。對反射的激光束進(jìn)行極化分析，以便讀取縱向克爾效應(yīng)，該反射的激光束作為一個位于光入射平面中的磁化強(qiáng)度分量的探針。然后當(dāng)在樣本的平面上加上一個強(qiáng)度高到1000 Oe的27Hz的交變磁場時記錄下這個磁化強(qiáng)度。所有的測量都是在室溫下進(jìn)行的。
圖2和3表示從不同大小，厚度和幾何形狀的納米磁體測得的一些剩磁環(huán)。我們立即可以看到這些剩磁環(huán)彼此之間是非常不同的，并與從常規(guī)的非構(gòu)造材料得到的剩磁環(huán)十分不同。在這個圖中顯示的諸樣本包含的工藝應(yīng)用的變化是相當(dāng)大的。圖2B所示的已知的小矩形能夠適合于制造一種代替硬盤的人造媒體這里所用的納米磁體原理上能夠達(dá)到超過100千兆比特/英寸2的數(shù)據(jù)存儲密度，即比今天技術(shù)發(fā)展水平的常規(guī)媒體大10倍。圖2D中的已知的較大矩形能夠很好地適用于磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)，一個正在顯露出來的對半導(dǎo)體存儲器的代替物一個用這種大小的磁單元的存儲芯片能夠提供1千兆比特的非易失的高速存儲器。令人驚奇的是由三角形和五角形的納米磁體顯示出廣闊范圍的磁特性。圖2E中的三角形，它有高的剩磁和低的矯頑磁力，能夠用作一個存儲器單元，而圖2F的五角形和圖3的超順磁三角形能夠制成一個非常好的高靈敏度的磁場傳感器或硬盤讀取頭，它有一個3000的有效相對導(dǎo)磁率和零磁滯。這些不同的應(yīng)用是改變構(gòu)成人造材料的納米磁體的大小，厚度，最重要的是對稱性的直接結(jié)果。
為了對這種重要效應(yīng)進(jìn)行定量，我們已經(jīng)從磁滯環(huán)測量了矯頑磁力作為納米磁體的大小，厚度和對稱性級別的函數(shù)。矯頑磁力是為了將磁化強(qiáng)度減小到零(即磁滯環(huán)有一個兩倍于矯頑磁力的中央寬度)必須加上的場的度量，并且也是一個外場能夠如何容易地反轉(zhuǎn)一個納米磁體的磁化方向的度量。這是一個評估一種給定的磁性材料對于技術(shù)應(yīng)用的適合性的關(guān)鍵參數(shù)。圖4表示這些結(jié)果，其中為了能夠比較不同的幾何形狀，我們用納米磁體面積的平方根表示納米磁體的大小。我們已經(jīng)證實了這些實驗結(jié)果中某些對于第二組樣本的可重復(fù)性。
從圖4的數(shù)據(jù)可以看到的第一個明顯的特點(diǎn)是2重(2-fold)和4重的對稱性顯示出一類行為，而3重和5重的對稱性顯示出另一類行為2重/4重納米磁體顯示出高的矯頑磁力，它開始時隨著長度的減小而增大；3重/5重納米磁體顯示出低的矯頑磁力，它隨著長度的減小而降低到零。關(guān)于圖4能夠得到的第二觀察是在所有的情形中增加厚度導(dǎo)致矯頑磁力的強(qiáng)烈上升，在非結(jié)構(gòu)磁性薄膜中沒有這種現(xiàn)象。
2重納米磁體的行為是非常簡單明了的，它是由于一種稱為形狀各向異性的已經(jīng)很好了解了的現(xiàn)象產(chǎn)生的。為了使極面的表面面積最小，磁化優(yōu)先發(fā)生在包含納米磁體最長軸的“流線”中。驅(qū)動這種效應(yīng)的場是去磁化場，該去磁化場通過磁體內(nèi)部在諸極面之間經(jīng)過。去磁化場近似地由比t/a度量，其中t是納米磁體的厚度，a是納米磁體的大小，所以我們在圖4A中看到矯頑磁力隨著納米磁體大小的減小而增大。
與此相反，3重，4重和5重的對稱性不那么容易理解。這是因為任何結(jié)構(gòu)的去磁化場都是由一個二級笛卡爾張量描述的，所以只能顯示出單軸(2重)對稱性。因此至少在常規(guī)的意義上，在這些較高級對稱性結(jié)構(gòu)的平面中不存在形狀各向異性。但是，正方形納米磁體顯然在改變磁化方向上經(jīng)受了某些合理的強(qiáng)阻礙，所以必然存在某種各向異性。在三角形磁體中這種各向異性顯然較弱這個事實表示盡管它不是經(jīng)典的形狀各向異性，但是它仍然與納米磁體的形狀相關(guān)聯(lián)。
近來在正方形納米磁體中發(fā)現(xiàn)了一個稱為配置各向異性的特點(diǎn)。這是由于幾乎在所有的納米磁體中都發(fā)生的對均勻磁化的非常微小的偏離引起的。至今我們還不清楚這種新的各向異性對于確定納米磁體的磁特性有何等程度的重要性。為了試驗我們在圖2到4中看到的不同行為是由于配置各向異性引起的假設(shè)，我們已經(jīng)用一種我們稱為調(diào)制場磁-光非等軸法的技術(shù)直接測量納米磁體的各向異性。將一個強(qiáng)靜磁場H(＝350Oe)加到諸納米磁體的平面上并將一個垂直于H的較弱的振蕩磁場Ht(振幅14 Oe)加到諸納米磁體的平面上。由與用于得到圖2和3的磁滯環(huán)相同的磁光技術(shù)記錄磁化強(qiáng)度的由此引起的振蕩振幅，并將該振幅直接與納米磁體中存在的任何各向異性的振幅和對稱性連聯(lián)系起來。我們已經(jīng)實驗測量了大小在50-500nm范圍中厚度為5nm的三角形，正方形和五角形的納米磁體的各向異性，并將結(jié)果表示在圖5中。在這些極座標(biāo)圖中，角度給出在納米磁體內(nèi)的共面方向φ，半徑給出納米磁體的在該方向上的半徑，顏色給出對于一個該大小的納米磁體的實驗測得的量 ，其中Ma是飽和磁化強(qiáng)度(800 emu cm-3)，E(φ)是當(dāng)在方向φ中當(dāng)磁化時納米磁體的平均磁能密度。雖然Ha不是各向異性場的通常的定義，但是我們能夠指出在Ha中的任何振蕩都有與作為基礎(chǔ)的各向異性相同的對稱級，并且它的振幅等于各向異性場的大小。圖5表示來自人造磁性材料的22個不同的樣本(8個是三角形大小，8個是正方形大小，6個是五角形大小)的實驗數(shù)據(jù)，每個實驗數(shù)據(jù)都是在19個或37個不同的方向φ(對于三角形和正方形在0-180°中以10°為步長，對于五角形在0-180°中以5°為步長)上測得的，總共有526個測量數(shù)據(jù)。
從圖5我們可以立即看出在研究的所有納米磁體中存在著強(qiáng)的各向異性場。三角形納米磁體顯示出有6重對稱性的各向異性，正方形納米磁體顯示出有4重對稱性的各向異性，五角形納米磁體具有顯著的10重對稱性的各向異性。因為在磁化中能量總是二次方的，在三角形和五角形結(jié)構(gòu)中發(fā)生倍頻，所以不能支持奇對稱級的出現(xiàn)。
為了得到各向異性場的大小作為納米磁體的大小和對稱性的函數(shù)，我們對圖5的曲線進(jìn)行傅氏分析，并以兩種不同的形式將結(jié)果顯示在圖6中。在圖6A中我們直接畫出了各向異性場，而在圖6B中我們用理論關(guān)系式Ua＝2MsHaV/n2畫出了單個納米磁體的各向異性能量(以kT為單位，其中k是波爾茲曼常數(shù)，T為298K)。在這個公式中Ua是單個納米磁體的各向異性能量(單位為ergs)，Ha是各向異性場(單位為Oe)，n是各向異性的對稱級(對于正方形為4，對于三角形為6，對于五角形為10)，V是納米磁體的體積(單位為cm3)。在我們了解對稱級對諸磁特性的影響時一個重要的因素是由該公式中的n2提供的。這意味著雖然所有的幾何形狀在圖6A中顯示出近似類似的各向異性場，但是它們在圖6B中顯示出非常不同的各向異性能量。
因為一種稱作超順磁性的現(xiàn)象使各向異性能量特別另人感興趣，超順磁性的現(xiàn)象是能夠由納米量級磁體中的kT熱能漲落克服各向異性能量勢壘的過程。作為一個近似的指導(dǎo)，一旦當(dāng)一個勢壘在高度上小于10 kT時在我們的測量時間尺度內(nèi)就能夠克服該勢壘。這意味著一旦當(dāng)各向異性能量小于10 kT時，我們可以預(yù)期矯頑磁力會迅速地下降到零。根據(jù)圖6B，一旦當(dāng)單元的尺寸小于近似150nm時這就會發(fā)生，當(dāng)尺度減小時正方形是最后一個下降的。相反地，一旦當(dāng)各向異性能量大于10 kT時，矯頑磁力應(yīng)該近似地接近各向異性場。這就解釋了在圖4中觀察到的在一方面正方形和另一方面三角形和五角形之間行為上的不同。當(dāng)單元尺度減小時正方形的各向異性場(圖6A)顯示出一個峰值，在正方形矯頑磁力數(shù)據(jù)中(圖4C)直接反映出這個峰值。雖然由于熱激勵，在矯頑磁力數(shù)據(jù)中比在各向異性場中下降到零發(fā)生在稍微大一些的尺度上，但是五角形的各向異性場不顯示出峰值，在矯頑磁力數(shù)據(jù)中(圖4D)也直接反映出這一點(diǎn)。最后，三角形的各向異性場就像正方形一樣確實顯示出一個峰值，但是因為在三角形中各向異性能量較低，所以熱激勵發(fā)生在較大的尺寸上，并且熱激勵防止在矯頑磁力數(shù)據(jù)(圖4B)中看到峰值。這樣我們能夠解釋實驗確定的矯頑磁力數(shù)據(jù)是由于配置各向異性和熱激勵的組合引起的。
具有有限的矯頑磁力(和因此一個存儲功能)的高剩磁材料不是技術(shù)上唯一重要的磁性材料。零剩磁，零矯頑磁力材料也有同樣的重要性，零剩磁，零矯頑磁力材料在磁傳感器和邏輯單元中和在磁化率x成為關(guān)鍵參數(shù)的情形中找到應(yīng)用。x定義為4πM/H，其中M是一個納米磁體的磁化強(qiáng)度，H是所加的磁場。于是x直接正比于磁滯環(huán)的零場斜率如圖2F所示。我們已經(jīng)用我們的磁光實驗(在頻率27Hz下)測得x作為在厚度為恒定的3.7±0.5nm時的納米磁體的大小和對稱性的函數(shù)，并將結(jié)果顯示在圖7中。當(dāng)矯頑磁力為零時x唯一有意義的參數(shù)，所以我們限于討論該情形。為了進(jìn)行比較，我們在圖中也已經(jīng)畫出了從蘭杰文函數(shù)導(dǎo)出的理論磁化率曲線。這是一個統(tǒng)計熱力學(xué)概念，可應(yīng)用于自由空間中的單個大自旋。從圖7可以得到三個觀察結(jié)果。第一，盡管沒有用匹配參數(shù)，但是最小納米磁體的實驗確定的磁化率都與自由空間的蘭杰文模型接近，表明我們的實驗系統(tǒng)受到很好的控制。第二，與蘭杰文模型的偏差對于正方形對稱性的納米磁體最大。這與具有最強(qiáng)配置各向異性能量的那些納米磁體一致，這意味著包含在一個正方形納米磁體中的大自旋看起來最少類似于自由空間的一個大自旋。正是配置各向異性最終使所有的對稱性隨著尺寸的增加偏離蘭杰文模型。第三，這里測得的磁化率比從同樣形狀和縱橫大小比的但是長度量級大于納米(即微米及微米以上，如大多數(shù)常規(guī)的磁場傳感器中使用的)的磁性粒子得到的磁化率大兩個數(shù)量級。在后一種情形中，磁化率來自疇壁反對內(nèi)部去磁化場的運(yùn)動，它可以非常強(qiáng)。于是我們清楚地證明了納米量級結(jié)構(gòu)的獨(dú)特的作用。
圖4和圖5很好地說明了納米結(jié)構(gòu)實際上確實能夠產(chǎn)生新磁化材料的方式。超透磁合金隨著通常導(dǎo)致2重或4重各向異性的f.c.c.結(jié)晶學(xué)一起發(fā)展起來。但是，圖5A顯示出通常由h.c.p.結(jié)晶學(xué)保留在磁性材料中的6重對稱性。在這種情形中，可以用納米磁體形狀(三角形)的對稱性實現(xiàn)結(jié)晶學(xué)狀態(tài)中的變化。類似地，通常只能在有高各向異性和弱耦合微結(jié)構(gòu)的磁性材料中找到正方形和矩形納米磁體的相對高的矯頑磁力(圖4A和圖4C)。在這種情形中，小心地選擇納米磁體的對稱性能夠在單元中引起一個變化和在微結(jié)構(gòu)中引起一個變化。最后，基本的結(jié)晶學(xué)決定了一個晶格不能具有10重對稱性，所以我們不應(yīng)該預(yù)期找到一個具有10重磁各向異性的自然發(fā)生的結(jié)晶單元或合金。然而，圖5C表示我們已經(jīng)在用納米結(jié)構(gòu)人造地產(chǎn)生它們上取得了成功。在這種情形中，我們已經(jīng)用納米形狀給予結(jié)晶材料一種通常只有準(zhǔn)晶體具有的性能。
圖8簡略地畫出了用一個超順磁納米磁體作為一個傳感器或邏輯單元的一部分的一種可能的安排。一個三層自旋閥門12在兩邊與連接器引線14連接。閥門12包括一個磁性底層16，一個非磁性間隔層18和一個或多個處于超順磁狀態(tài)的作為頂層的納米磁體20。箭頭22指出電流通過閥門12的流動方向，箭頭24指出在磁性底層16中的磁化方向。
作為結(jié)論，我們已經(jīng)確定了納米磁體的形狀的對稱性與它們的磁特性的相關(guān)性并將這種相關(guān)性用在實際的應(yīng)用中。我們發(fā)現(xiàn)對稱性起著一個決定性的作用，允許在一個非常廣闊的范圍內(nèi)對諸磁特性進(jìn)行控制。我們已經(jīng)指出將對稱性與諸磁特性聯(lián)系起來的關(guān)鍵效應(yīng)是配置各向異性。這能提供新的人造磁性材料，在這些人造磁性材料中我們能夠以非常高的精度制作諸磁特性以便適合于特殊的應(yīng)用。
第一個新思想是通過單元的對稱性用配置各向異性制作諸磁特性。至今，技術(shù)界的人們只考慮了矩形，正方形或圓形單元。我們已經(jīng)確定可以用由其它形狀如三角形，五角形和六角形導(dǎo)致的配置各向異性控制單元的諸磁特性。第二個新思想是用納米結(jié)構(gòu)中的超順磁性除去磁滯。在常規(guī)的磁性材料中，超順磁性導(dǎo)致非常高的飽和場，這樣它對磁傳感器沒有用處。然而這里我們指出在納米結(jié)構(gòu)中超順磁特性能夠?qū)е路浅５偷娘柡蛨?數(shù)Oe-請參見圖2F)。這本身就非常適合于傳感器或邏輯單元。然而甚至更有興趣的是這樣一個事實，即超順磁性保證有作為對于一個優(yōu)良傳感器的一個先決條件的接近零的磁滯(請參見圖3)。當(dāng)前使用納米結(jié)構(gòu)作為傳感器所面對的最大問題是這樣一個事實，即一般地當(dāng)器件的側(cè)面尺度減小時磁滯變大。
能夠通過選擇一個適合的形狀(三角形，五角形或圓形)，該形狀允許納米結(jié)構(gòu)變成超順磁性的從而能像一個優(yōu)良的傳感器或邏輯單元那樣的進(jìn)行工作，將配置各向異性設(shè)置在一個低值，使這兩個思想結(jié)合起來。
權(quán)利要求
1.一個存儲單元，它包括有為了提供高剩磁和適當(dāng)?shù)某C頑磁力而選出的轉(zhuǎn)動對稱性的諸納米磁體。
2.一個根據(jù)權(quán)利要求1的存儲單元，它是由一個在一塊基片的表面上形成的一個人造磁性材料制成的。
3.一個根據(jù)權(quán)利要求1或2的存儲單元，它是由超透磁合金(Ni80Fe14Mo5)制成的。
4.一個根據(jù)權(quán)利要求1，2或3的存儲單元，它的大小在每邊40-500nm的范圍內(nèi)并且厚度在3-10nm的范圍內(nèi)。
5.一個根據(jù)權(quán)利要求1，2或3的存儲單元，它有3級或5級的旋轉(zhuǎn)對稱性。
6.一個傳感器單元，它包括具有一個旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體，選擇該旋轉(zhuǎn)對稱性是為了使諸納米磁體是超順磁性的并且顯示出基本上為零的磁滯，從而使得諸納米磁體的磁化強(qiáng)度只與所加場的電流值有關(guān)，而與場的歷史無關(guān)。
7.一個根據(jù)權(quán)利要求6的傳感器單元，它是由一個在一塊基片的表面上形成的一個人造磁性材料制成的。
8.一個根據(jù)權(quán)利要求7或8的傳感器單元，它是由超透磁合金(Ni80Fe14Mo5)制成的。
9.一個根據(jù)權(quán)利要求7，8或9中任何一項的傳感器單元，它的大小在每邊40-500nm的范圍內(nèi)并且厚度在3-10nm的范圍內(nèi)。
10.一個根據(jù)權(quán)利要求6到9中任何一項的傳感器單元，它有3級或5級的旋轉(zhuǎn)對稱性。
11.一個磁邏輯單元，它包括具有一個旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體，選擇該旋轉(zhuǎn)對稱性是為了使諸納米磁體是超順磁性的并且顯示出基本上為零的磁滯，從而使得諸納米磁體的磁化強(qiáng)度只與所加場的電流值有關(guān)，而與場的歷史無關(guān)。
12.一個根據(jù)權(quán)利要求11的邏輯單元，它是由一個在一塊基片的表面上形成的一個人造磁性材料制成的。
13.一個根據(jù)權(quán)利要求11或12的邏輯單元，它是由超透磁合金(Ni80Fe14Mo5)制成的。
14.一個根據(jù)權(quán)利要求11，12或13中任何一項的邏輯單元，它的大小在每邊40-500nm的范圍內(nèi)并且厚度在3-10nm的范圍內(nèi)。
15.一個根據(jù)權(quán)利要求11到14中任何一項的邏輯單元，它有3級或5級的旋轉(zhuǎn)對稱性。
全文摘要
一個存儲單元包括具有一個為了提供高剩磁和一個適當(dāng)?shù)某C頑磁力而選出的旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體。也有一個傳感器單元,它包括具有一個旋轉(zhuǎn)對稱性的諸納米磁體,選擇該旋轉(zhuǎn)對稱性是為了使諸納米磁體是超順磁性的并且顯示出基本上為零的磁滯,從而使得諸納米磁體的磁化強(qiáng)度只與所加場的電流值有關(guān),而與場的歷史無關(guān)。
文檔編號H03K19/168GK1346498SQ0080607
公開日2002年4月24日 申請日期2000年4月7日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月9日
發(fā)明者拉塞爾·考苯, 馬克·沃蘭德 申請人:劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)有限公司