用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，IR2110芯片U1的VDD引腳連接+5V邏輯電壓，Vss引腳通過(guò)電容C6連接+5V邏輯電壓，Ho引腳通過(guò)電阻Rg1連接MOSFET管Q1，Lo引腳通過(guò)電阻Rg2連接MOSFET管Q2，COM引腳接地，Vcc引腳連接+15V電壓，Vcc引腳通過(guò)電容C4連接COM引腳后接地，VB引腳通過(guò)自舉二極管D1連接+15V電壓，VB引腳通過(guò)自舉電容C1連接MOSFET管Q1和MOSFET管Q2的連接公共端，自舉電容C1兩端并聯(lián)自舉電容C2，Vs引腳通過(guò)電容C3連接MOSFET管Q1和MOSFET管Q2的連接公共端，電容C3兩端并聯(lián)穩(wěn)壓管D2，Vs引腳、電容C3和穩(wěn)壓管D2的連接公共端連接電阻R4后接地，電路簡(jiǎn)單，成本低，可靠性高，能夠吸收高頻毛刺干擾電壓，加速M(fèi)OSFET關(guān)斷，縮短了開(kāi)關(guān)時(shí)間，減少了開(kāi)關(guān)損耗。
【專利說(shuō)明】
用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種IR2110驅(qū)動(dòng)電路，特別涉及一種用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，屬于安全檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，我國(guó)機(jī)電產(chǎn)品進(jìn)出口批次、數(shù)額逐年增加，社會(huì)對(duì)安全項(xiàng)目重視程度日益提高，特別是機(jī)電設(shè)備結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，功能越來(lái)越強(qiáng)大，自動(dòng)化程度越來(lái)越高，各地出入境檢驗(yàn)檢疫機(jī)構(gòu)在進(jìn)口機(jī)電設(shè)備安全監(jiān)管工作中存在的人員數(shù)量不足、檢驗(yàn)技術(shù)落后、檢測(cè)設(shè)備不精的弱點(diǎn)也隨之凸顯。為了加強(qiáng)機(jī)電設(shè)備安全指標(biāo)檢測(cè)技術(shù)研究，研制開(kāi)發(fā)了一種便攜式機(jī)電設(shè)備安全指標(biāo)綜合測(cè)試儀器，為提高適應(yīng)能力，將其內(nèi)部的電源模塊設(shè)計(jì)直流電源與220V交流市電的雙重供電模式，以滿足不同環(huán)境的檢測(cè)需要。但是，按照GB5226.1-2008標(biāo)準(zhǔn)要求，絕緣電阻檢測(cè)時(shí)需要在電源進(jìn)線與可觸及的金屬外殼之間施加直流500V測(cè)試電壓。因此，系統(tǒng)內(nèi)部必須設(shè)有能夠產(chǎn)生不同高壓的直流高壓穩(wěn)壓電源，在直流高壓穩(wěn)壓電源形成過(guò)程中，需要由C8051F020單片機(jī)的PWM模塊產(chǎn)生30?50KHz的高頻脈沖信號(hào)，經(jīng)集成驅(qū)動(dòng)芯片IR2110控制MOSFET實(shí)現(xiàn)單向全橋直流逆變，而MOSFET是電壓控制型器件，其輸入阻抗高，由于各極之間存在寄生電容，在其開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電路必須能對(duì)其寄生電容網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行快速充放電。但是，現(xiàn)用的驅(qū)動(dòng)芯片IR2110的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)控制MOSFET開(kāi)通關(guān)斷時(shí)，會(huì)出現(xiàn)高頻毛刺干擾信號(hào)，影響電源輸出的穩(wěn)定性，且MOSFET開(kāi)通關(guān)斷有一定的延時(shí)，延長(zhǎng)了開(kāi)關(guān)的時(shí)間，一定程度上增加了開(kāi)關(guān)的損耗，增加了設(shè)備的運(yùn)行成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]根據(jù)以上現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型要解決的問(wèn)題是:提供一種可以克服上述缺陷，電路簡(jiǎn)單，成本低，實(shí)用性和可靠性高，能夠吸收高頻毛刺干擾電壓，加速M(fèi)OSFET關(guān)斷，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)損耗的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，包括IR2110芯片Ul，IR2110芯片Ul的HIN引腳連接P麗信號(hào)模塊，其特征在于:IR2110芯片Ul的VDD引腳連接+5V邏輯電壓，IR2110芯片Ul的Vss引腳通過(guò)電容C6連接+5V邏輯電壓，IR2110芯片Ul的Ho引腳通過(guò)電阻Rgl連接MOSFET管Ql的柵極，IR2110芯片Ul的Lo引腳通過(guò)電阻Rg2連接MOSFET管Q2的柵極，MOSFET管Q2的源極接地，IR2110芯片Ul的COM引腳接地，IR2110芯片Ul的Vcc引腳連接+15V電壓，Vcc引腳通過(guò)電容C4連接COM引腳后接地，IR2110芯片Ul的VB引腳通過(guò)自舉二極管Dl連接+15V電壓，IR2110芯片Ul的VB引腳通過(guò)自舉電容Cl連接MOSFET管Ql源極和MOSFET管Q2漏極的連接公共端，自舉電容Cl兩端并聯(lián)自舉電容C2，IR2110芯片Ul的Vs引腳通過(guò)電容C3連接MOSFET管Ql源極和MOSFET管Q2漏極的連接公共端，電容C3兩端并聯(lián)穩(wěn)壓管D2，Vs引腳、電容C3和穩(wěn)壓管D2的連接公共端連接電阻R4后接地。
[0006]用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)自舉電容Cl并聯(lián)自舉電容C2來(lái)吸收高頻毛刺干擾電壓，通過(guò)電容C3、穩(wěn)壓二極管D2和電阻R4形成5V反向電壓，用于加速M(fèi)OSFET關(guān)斷，電容C4和電容C6分別作為供電電源和邏輯電源的濾波電容，電路簡(jiǎn)單，成本低，可靠性高，能夠大大縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)用性高。
[0007]進(jìn)一步的優(yōu)選，自舉電容Cl采用1.0yF的鉭電容，自舉電容C2采用0.1yF的瓷片電容。
[0008]進(jìn)一步的優(yōu)選，自舉二極管Dl采用FR207快恢復(fù)二極管。
[0009]進(jìn)一步的優(yōu)選，電容C6和電容C4采用1yF的電解電容。
[0010]本實(shí)用新型所具有的有益效果是:
[0011]本實(shí)用新型所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，可靠性高，通過(guò)自舉電容Cl和自舉電容C2的并聯(lián)，能夠吸收高頻毛刺干擾電壓，通過(guò)電容C3、穩(wěn)壓二極管D2和電阻R4形成5V反向電壓，加速M(fèi)OSFET關(guān)斷，縮短了開(kāi)關(guān)時(shí)間，減少了開(kāi)關(guān)損耗，具有較強(qiáng)的實(shí)用性。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖；
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例做進(jìn)一步描述:
[0014]如圖1所示，本實(shí)用新型所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，包括IR2110芯片U1JR2110芯片Ul的HIN引腳連接PffM信號(hào)模塊，其特征在于:IR2110芯片Ul的VDD引腳連接+5V邏輯電壓，IR2110芯片Ul的Vss引腳通過(guò)電容C6連接+5V邏輯電壓，IR2110芯片Ul的Ho引腳通過(guò)電阻Rgl連接MOSFET管Ql的柵極，IR2110芯片Ul的Lo引腳通過(guò)電阻Rg2連接MOSFET管Q2的柵極，MOSFET管Q2的源極接地，IR2110芯片Ul的COM引腳接地，IR2110芯片Ul的Vcc引腳連接+15V電壓，Vcc引腳通過(guò)電容C4連接COM引腳后接地，IR2110芯片Ul的VB引腳通過(guò)自舉二極管Dl連接+15V電壓，IR2110芯片Ul的VB引腳通過(guò)自舉電容Cl連接MOSFET管Ql源極和MOSFET管Q2漏極的連接公共端，自舉電容Cl兩端并聯(lián)自舉電容C2，IR2110芯片Ul的Vs引腳通過(guò)電容C3連接MOSFET管Ql源極和MOSFET管Q2漏極的連接公共端，電容C3兩端并聯(lián)穩(wěn)壓管D2，Vs引腳、電容C3和穩(wěn)壓管D2的連接公共端連接電阻R4后接地。
[0015]其中，所述的自舉電容Cl采用1.0yF的鉭電容，自舉電容C2采用0.1yF的瓷片電容，自舉二極管Dl采用FR207快恢復(fù)二極管，電容C6和電容C4采用1yF的電解電容。
[0016]本實(shí)用新型所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單，成本低，可靠性高，能夠吸收高頻毛刺干擾電壓，加速M(fèi)OSFET關(guān)斷，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)損耗，具有較強(qiáng)的實(shí)用性。
[0017]本實(shí)用新型并不僅限于上述【具體實(shí)施方式】，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，包括IR2110芯片U1，IR2110芯片Ul的HIN引腳連接PffM信號(hào)模塊，其特征在于:IR2110芯片Ul的VDD引腳連接+5V邏輯電壓，IR2110芯片Ul的Vss引腳通過(guò)電容C6連接+5V邏輯電壓，IR2110芯片Ul的Ho引腳通過(guò)電阻Rgl連接MOSFET管Ql的柵極，IR2110芯片Ul的Lo引腳通過(guò)電阻Rg2連接MOSFET管Q2的柵極，MOSFET管Q2的源極接地，IR2110芯片Ul的COM引腳接地，IR2110芯片Ul的Vcc引腳連接+15V電壓，Vcc引腳通過(guò)電容C4連接COM引腳后接地，IR2110芯片Ul的VB引腳通過(guò)自舉二極管Dl連接+15V電壓，IR2110芯片Ul的VB引腳通過(guò)自舉電容Cl連接MOSFET管Ql源極和MOSFET管Q2漏極的連接公共端，自舉電容Cl兩端并聯(lián)自舉電容C2，IR2110芯片Ul的Vs引腳通過(guò)電容C3連接MOSFET管Ql源極和MOSFET管Q2漏極的連接公共端，電容C3兩端并聯(lián)穩(wěn)壓管D2，Vs引腳、電容C3和穩(wěn)壓管D2的連接公共端連接電阻R4后接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的自舉電容Cl采用1.0yF的鉭電容，自舉電容C2采用0.1yF的瓷片電容。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的自舉二極管Dl采用FR207快恢復(fù)二極管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于機(jī)電設(shè)備安全檢測(cè)儀直流電源的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的電容C6和電容C4采用1yF的電解電容。
【文檔編號(hào)】H02M1/088GK205670743SQ201620643690
【公開(kāi)日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年6月18日
【發(fā)明人】車立志, 劉倩婧
【申請(qǐng)人】車立志