大功率mosfet逆變半橋器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及感應(yīng)加熱電源技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大功率MOSFET逆變半橋器件。
【背景技術(shù)】
[0002]大功率MOSFET逆變半橋器件應(yīng)用于頻率為50KHZ-2MHZ以M0S管為開關(guān)器件的串聯(lián)型感應(yīng)加熱電源中，串聯(lián)型感應(yīng)加熱電源的逆變側(cè)要求直流供電電源為低內(nèi)阻電壓源，功率器件的阻容吸收電路要求引線電感小，結(jié)構(gòu)緊湊，雜散電感小。但現(xiàn)有電源結(jié)構(gòu)的逆變器輸入輸出距離較遠，阻容吸收用絞線連接到M0S管，造成其雜散電感較大，影響器件工作，且多管并聯(lián)實現(xiàn)大功率輸出也很困難。因此，提高逆變半橋器件的散熱性能，以及降低其雜散電感，成為人們亟待解決的技術(shù)問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實用新型旨在提出一種大功率MOSFET逆變半橋器件，以可提高逆變半橋器件的散熱性能，且降低其雜散電感。
[0004]為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]—種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括底板，間隔設(shè)置于所述底板上的兩塊水冷板，以及對稱設(shè)置在兩塊水冷板上的兩組M0S管、二極管和阻容吸收器件，兩組M0S管、二極管和阻容吸收器件的供電端均連接于所處水冷板上，兩塊水冷板分別電連接于外部直流電源的正、負極，相對于所述M0S管、二極管和阻容吸收器件在兩塊水冷板的另一側(cè)端面上分別設(shè)有冷卻銅管。
[0006]進一步的，在兩塊水冷板間連接設(shè)有高頻濾波電容。
[0007]進一步的，所述冷卻銅管為具有多個折彎的蛇形。
[0008]進一步的，在所述水冷板上設(shè)有凹槽，所述冷卻銅管嵌裝于所述凹槽內(nèi)。
[0009]進一步的，于所述冷卻銅管的同側(cè)，在水冷板上連接設(shè)有散熱翅片。
[〇〇1〇] 進一步的，所述水冷板為銅板。
[〇〇11] 相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型具有以下優(yōu)勢:
[0012](1)本實用新型所述的大功率MOSFET逆變半橋器件將水冷板連接于直流供電電源的正、負極，使水冷板作為直流電源的正負極板，同時也將M0S管、二極管和阻容吸收器件安裝在水冷板上，由此水冷板既作為導(dǎo)電極板，又作為功率器件的散熱器，一方面可省去現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，另一方面由于水冷板的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，使得雜散電感降低，而冷卻銅管的設(shè)置也使水冷板的散熱性能得到提高，從而可保證大功率MOSFET逆變半橋器件的高效工作。
[0013](2)設(shè)置高頻濾波電容可使直流電源的工作電壓更平穩(wěn)，以保證直流側(cè)的電壓源特性，便于實現(xiàn)逆變半橋的大功率化。
[0014](3)冷卻銅管為蛇形布置及嵌設(shè)于水冷板中可提高水冷板的散熱效果。
[0015](4)設(shè)置散熱翅片可在水冷的基礎(chǔ)上進一步提高水冷板的散熱效果。
【附圖說明】
[0016]構(gòu)成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
[0017]圖1為本實用新型實施例所述的大功率MOSFET逆變半橋器件的結(jié)構(gòu)簡圖；
[0018]圖2為本實用新型實施例所述的大功率MOSFET逆變半橋器件去除連接板后的俯視圖；
[0019]附圖標記說明:
[0020]1-電容，2-高頻濾波電容，3-電阻片，4-二極管，5-連接板，6-M0S管，7-冷卻銅管，8-水冷板，9-M0S管脈沖線，10-底板，11-驅(qū)動板，12-絕緣柱。
【具體實施方式】
[0021]需要說明的是，在不沖突的情況下，本實用新型中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0022]下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本實用新型。
[0023]本實施例涉及一種大功率MOSFET逆變半橋器件，如圖1和圖2中所示，其包括底板10，底板10為鋁材制成，在底板10上間隔設(shè)置有兩塊水冷板8，兩塊水冷板8可為銅板并對稱布置，在兩塊水冷板8上還對稱設(shè)置有兩組MOS管6、二極管4和由電阻片3和電容I組成的阻容吸收器件，兩組MOS管6、二極管4和阻容吸收器件的供電端均連接于所處的水冷板8上，兩塊水冷板8則分別電連接于外部直流電源的正、負極，而相對于MOS管6、二極管4和阻容吸收器件在兩塊水冷板8的另一側(cè)端面上也分別設(shè)有冷卻銅管7。
[0024]本實施例中各水冷板8上的MOS管6、二極管4和阻容吸收器件通過連接片和連接板5相連，兩塊水冷板8與外部直流電源的正、負極的電連接，使得兩塊水冷板8分別稱為直流供電電源的導(dǎo)電正、負極，而在底板10的兩側(cè)經(jīng)由絕緣柱12還設(shè)置有驅(qū)動板11，兩塊水冷板8上的MOS管脈沖線9分別與各側(cè)的驅(qū)動板11相連接。
[0025]本實施例中為使直流電源的工作電壓更平穩(wěn)，以保證直流側(cè)的電壓源特性，便于實現(xiàn)逆變半橋的大功率化，在兩塊水冷板8之間連接設(shè)有多個高頻濾波電容2。設(shè)置于各水冷板8上的冷卻銅管7也呈具有多個折彎的蛇形布置，以增大冷卻銅管7和水冷板8之間的接觸面積，提高水冷板8的冷卻效果。而為進一步提高水冷板8的散熱能力，本實施例中還可在水冷板8上設(shè)置圖中未示出的凹槽，并使冷卻銅管7嵌裝于所述的凹槽內(nèi)。冷卻銅管7于凹槽內(nèi)的嵌裝也可便于冷卻銅管7在水冷板8上的設(shè)置。
[0026]本實施例中為增強水冷板8的散熱能力，在設(shè)置冷卻銅管7的基礎(chǔ)上，還可在水冷管8上固連散熱翅片，散熱翅片可由鋁型材制得，并采用膠接的形式連接于水冷板8的端面上。當然從提升水冷板8散熱效果的角度出發(fā)，除了使冷卻銅管7設(shè)計呈蛇形布置，本實施例中還可在水冷板8的兩端分別設(shè)置冷卻銅管分流管和冷卻銅管回流管，并于水冷板8上分別對應(yīng)于MOS管6、二極管4和電阻片3的部位設(shè)置冷卻銅管分支。由此可避免因冷卻水的升溫，而導(dǎo)致下游的器件得不到較好的冷卻。
[0027]本大功率MOSFET逆變半橋器件，通過將水冷板8連接于直流供電電源的正、負極，使水冷板8作為直流電源的正負極板，同時也將MOS管6、二極管4和阻容吸收器件安裝在水冷板8上，由此水冷板8既作為導(dǎo)電極板，又作為功率器件的散熱器，一方面可省去現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的直流供電電源極板，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，另一方面由于水冷板8的面積很大，導(dǎo)電性能優(yōu)異，也使得雜散電感降低，而冷卻銅管7的設(shè)置也使水冷板8的散熱性能得到提高，從而可保證大功率MOSFET逆變半橋器件的高效工作。
[0028]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括底板，間隔設(shè)置于所述底板上的兩塊水冷板，以及對稱設(shè)置在兩塊水冷板上的兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件，兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件的供電端均連接于所處水冷板上，兩塊水冷板分別電連接于外部直流電源的正、負極，其特征在于:相對于所述MOS管、二極管和阻容吸收器件在兩塊水冷板的另一側(cè)端面上分別設(shè)有冷卻銅管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于:在兩塊水冷板間連接設(shè)有高頻濾波電容。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于:所述冷卻銅管為具有多個折彎的蛇形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于:在所述水冷板上設(shè)有凹槽，所述冷卻銅管嵌裝于所述凹槽內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于:于所述冷卻銅管的同側(cè)，在水冷板上連接設(shè)有散熱翅片。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率MOSFET逆變半橋器件，其特征在于:所述水冷板為銅板。
【專利摘要】本實用新型提供了一種大功率MOSFET逆變半橋器件，包括底板，間隔設(shè)置于所述底板上的兩塊水冷板，以及對稱設(shè)置在兩塊水冷板上的兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件，兩組MOS管、二極管和阻容吸收器件的供電端均連接于所處水冷板上，兩塊水冷板分別電連接于外部直流電源的正、負極，相對于所述MOS管、二極管和阻容吸收器件在兩塊水冷板的另一側(cè)端面上分別設(shè)有冷卻銅管。本實用新型所述的大功率MOSFET逆變半橋器件可提高逆變半橋器件的散熱性能，且降低其雜散電感。
【IPC分類】H05K7/20, H02M7/00
【公開號】CN205051593
【申請?zhí)枴緾N201520807192
【發(fā)明人】閆穎, 武敏智, 李亞斌, 高勝利, 王玉杰
【申請人】保定四方三伊電氣有限公司
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年10月16日