一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及太陽能微逆產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)微逆產(chǎn)品及反激開關(guān)電路中，由于主變壓漏感的存在，開關(guān)管工作過程中，當(dāng)開關(guān)管截止時，由于變壓器漏感會產(chǎn)生高壓尖峰電壓，此尖峰電壓會對主開關(guān)管產(chǎn)生損壞，因此設(shè)計者必須對此做出保護策略，常用的有加RC吸收電路，RCD吸收電路等，通過主開關(guān)管截止時，高壓尖峰電壓通過RC或者RCD電路瞬間泄放，保護主開關(guān)管不會尖峰所損壞。
[0003]由于瞬間需要通過RC或者RCD電路對尖峰高壓泄放，必然對產(chǎn)品的效率產(chǎn)生一定的影響，并這個影響和主變壓器的漏感關(guān)系很大，為盡量減少漏感產(chǎn)生的影響，對變壓器的制作工藝有嚴(yán)格要求。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題，是針對上述存在的技術(shù)不足，提供了一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路，采用了主副開關(guān)管與泄放電容的技術(shù)設(shè)計，解決了傳統(tǒng)微逆產(chǎn)品效率較低的技術(shù)問題，達(dá)到了對尖峰高壓有效的吸收并對效率有一定的提升的技術(shù)效果；采用電容吸收高壓尖峰電壓的技術(shù)方法，解決了尖峰電壓會對主開關(guān)管產(chǎn)生損壞的技術(shù)問題，達(dá)到了對微逆變中的主開關(guān)管有較好的安全穩(wěn)定保護作用的技術(shù)效果。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是:包括開關(guān)支路、微型逆變器和第二開關(guān)管；開關(guān)支路包括泄放電容與第一開關(guān)管；微型逆變器的輸入端為主變壓器，主變壓器的初級等效為漏感和勵磁電感，漏感的一端與勵磁電感的一端連接；勵磁電感的另一端連接泄放電容的一端，泄放電容的另一端連接在第二開關(guān)管的漏極，第二開關(guān)管的源極接地；第一開關(guān)管與開關(guān)支路并聯(lián)，第一開關(guān)管的源極接地；漏感的另一端接有太陽能直流電；
[0006]第一開關(guān)管漏極和柵極之間并聯(lián)有第一保護電容與第一二極管，第一二極管的陽極連接在第一開關(guān)管的漏極上，第一二極管的陰極連接在第一開關(guān)管的源極上；
[0007]第二開關(guān)管漏極和柵極之間并聯(lián)有第二保護電容與第二二極管，第二二極管的陰極連接在第二開關(guān)管的漏極上，第二二極管的陽極連接在第二開關(guān)管的源極上；
[0008]進一步優(yōu)化本技術(shù)方案，所述的第一開關(guān)管為N型M0SFET管IRFS4321TRL型號；第二開關(guān)管為P型M0SFET管SI7115DN型號；
[0009]進一步優(yōu)化本技術(shù)方案，所述的泄放電容為多個無極性高壓電容并聯(lián)；
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點:1、采用多個無極性高壓電容并聯(lián)作為泄放電容，為降低串聯(lián)等效電容及增加容量；2、采用IRFS4321TRL M0S管，有極強的大電流和大功率處理能力且開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低，特別適應(yīng)于本實用新型；3、采用S17115DN型號MOS管，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挕岱€(wěn)定性好等優(yōu)點。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型工作電路圖；
[0012]圖2是本實用新型控制工作流程圖。
[0013]圖中，1、開關(guān)支路；2、微型逆變器；3、第二開關(guān)管；4、泄放電容；5、第一開關(guān)管；6、漏感；7、勵磁電感；8、第一保護電容；9、第二保護電容；10、第一二極管；11、第二二極管；12、主變壓器；13、太陽能直流電。
【具體實施方式】
[0014]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面結(jié)合【具體實施方式】并參照附圖，對本實用新型進一步詳細(xì)說明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本實用新型的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本實用新型的概念。
[0015]【具體實施方式】一:如圖1-2所示，包括開關(guān)支路1、微型逆變器2和第二開關(guān)管3(Q2);開關(guān)支路1包括泄放電容4與第一開關(guān)管5(Q1);微型逆變器2的輸入端安裝有主變壓器12，主變壓器12的初級等效為漏感6 (Lleakage)和勵磁電感7 (Lm)，漏感6的一端與勵磁電感7的一端連接；勵磁電感7的另一端連接泄放電容4的一端，泄放電容4的另一端連接在第二開關(guān)管3的漏極，第二開關(guān)管3的源極接地；第一開關(guān)管5與開關(guān)支路1并聯(lián)，第一開關(guān)管5的源極接地；漏感6的另一端接有太陽能直流電13 ;
[0016]第一開關(guān)管5漏極和柵極之間并聯(lián)有第一保護電容8(C1)與第一二極管10 (D1)，第一二極管10的陽極連接在第一開關(guān)管5的漏極上，第一二極管10的陰極連接在第一開關(guān)管5的源極上；
[0017]第二開關(guān)管3漏極和柵極之間并聯(lián)有第二保護電容9 (C2)與第二二極管11(D2)，第二二極管11的陰極連接在第二開關(guān)管3的漏極上，第二二極管11的陽極連接在第二開關(guān)管3的源極上；
[0018]第一開關(guān)管5為N型M0SFET管IRFS4321TRL型號；第二開關(guān)管3為P型M0SFET管SI7115DN型號；所述的泄放電容4為多個無極性高壓電容并聯(lián)；
[0019]圖1中，TX1為主變壓器12，第一開關(guān)管5為N型M0SFET，第二開關(guān)管3為P型MOSFET, Cdamp為泄放電容4，Lleakage為等效漏感6，PV+為太陽能直流電13輸入端，可以看出，第一開關(guān)管5與第二開關(guān)管3組成兩個開關(guān)支路，通過控制泄放電容4的充放電，也就是儲存與釋放電能的過程，完成對尖峰高壓有效的吸收并對逆變效率又作出一定的提升，而采用IRFS4321TRL M0S管，有極強的大電流和大功率處理能力且開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低，特別適應(yīng)于本實用新型；
[0020]圖2解釋了本電路的工作過程，當(dāng)主第一開關(guān)管5打開時，第二開關(guān)管3截止，勵磁電感儲能7，當(dāng)主第一開關(guān)管5截止時，第二開關(guān)管3導(dǎo)通，此時由于漏感6產(chǎn)生的高壓尖峰通過泄放電容4吸收并存儲，并在下一個工作過程，控制泄放電容4，使存儲在其中的能量對次級的放出，完成對效率的提升和主第一開關(guān)管5的保護。
[0021]應(yīng)當(dāng)理解的是，本實用新型的上述【具體實施方式】僅僅用于示例性說明或解釋本實用新型的原理，而不構(gòu)成對本實用新型的限制。因此，在不偏離本實用新型的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。此外，本實用新型所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。
【主權(quán)項】
1.一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路，其特征在于:包括開關(guān)支路(1)、微型逆變器(2)和第二開關(guān)管(3);開關(guān)支路(1)包括泄放電容(4)和第一開關(guān)管(5);微型逆變器(2)的輸入端安裝有主變壓器(12)，主變壓器(12)的初級等效為漏感(6)和勵磁電感(7)，漏感(6)的一端與勵磁電感(7)的一端連接；勵磁電感(7)的另一端連接泄放電容(4)的一端，泄放電容(4)的另一端連接在第二開關(guān)管(3)的漏極，第二開關(guān)管(3)的源極接地；第一開關(guān)管(5)與開關(guān)支路(1)并聯(lián)，第一開關(guān)管(5)的源極接地；漏感(6)的另一端接有太陽能直流電(13); 第一開關(guān)管(5)漏極和柵極之間并聯(lián)有第一保護電容(8)與第一二極管(10)，第一二極管(10)的陽極連接在第一開關(guān)管(5)的漏極上，第一二極管(10)的陰極連接在第一開關(guān)管(5)的源極上； 第二開關(guān)管(3)漏極和柵極之間并聯(lián)有第二保護電容(9)與第二二極管(11)，第二二極管(11)的陰極連接在第二開關(guān)管(3)的漏極上，第二二極管(11)的陽極連接在第二開關(guān)管(3)的源極上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路，其特征在于:第一開關(guān)管(5)為N型MOSFET管IRFS4321TRL型號；第二開關(guān)管(3)為P型MOSFET管SI7115DN型號。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路，其特征在于:泄放電容(4)為多個無極性高壓電容并聯(lián)。
【專利摘要】本實用新型涉及太陽能微逆產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型太陽能微型逆變器尖峰吸收及效率提升電路，本實用新型采用了主副開關(guān)管與泄放電容的技術(shù)設(shè)計，解決了傳統(tǒng)微逆產(chǎn)品效率較低的技術(shù)問題，達(dá)到了對尖峰高壓有效的吸收并對效率有一定的提升的技術(shù)效果；采用電容吸收高壓尖峰電壓的技術(shù)方法，解決了尖峰電壓會對主開關(guān)管產(chǎn)生損壞的技術(shù)問題，達(dá)到了對微逆變中的主開關(guān)管有較好的安全穩(wěn)定保護作用的技術(shù)效果。
【IPC分類】H02M1/32, H02M7/537
【公開號】CN205004945
【申請?zhí)枴緾N201520748437
【發(fā)明人】劉衛(wèi)華, 惠紅林
【申請人】深圳英利新能源有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年9月24日