電源緩啟動(dòng)裝置和電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及通信的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電源緩啟動(dòng)裝置和電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在常用的電源中，開關(guān)電源是很普及的，一般可以滿足任何設(shè)計(jì)要求。這種電源很經(jīng)濟(jì)，但在工業(yè)設(shè)計(jì)中也存在一些問題。這就是很多開關(guān)電源(特別是大功率開關(guān)電源)，都存在一個(gè)固有的缺點(diǎn):在加電瞬間要汲取一個(gè)較大的電流。這個(gè)浪涌電流可能達(dá)到電源靜態(tài)工作電流的10倍?100倍。由此，至少有可能產(chǎn)生兩個(gè)方面的問題。第一，如果直流電源不能供給足夠的啟動(dòng)電流，開關(guān)電源可能進(jìn)入一種鎖定狀態(tài)而無法啟動(dòng)；第二，這種浪涌電流可能造成輸入電源電壓的降低，足以引起使用同一輸入電源的其它動(dòng)力設(shè)備瞬間掉電。
[0003]目前，現(xiàn)有的保護(hù)裝置，不能夠較好地抑制浪涌電流，并且工作電流過小，恢復(fù)時(shí)間過長，發(fā)熱過大，因此，如何設(shè)計(jì)一種能夠有效抑制在電源接通時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流的保護(hù)裝置是業(yè)界亟待解決的技術(shù)問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種電源緩啟動(dòng)裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，保護(hù)裝置不能夠較好地抑制浪涌電流，并且工作電流過小，恢復(fù)時(shí)間過長，發(fā)熱過大等缺陷。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種電源緩啟動(dòng)裝置，包括殼體、若干導(dǎo)針、PCB板以及在導(dǎo)通后用于抑制電源接通時(shí)所產(chǎn)生的浪涌電流的NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor，N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管，所述殼體具有一頂端開口的凹腔，所述PCB板和所述NMOS管由上至下順序疊放在所述凹腔的底面上；若干所述導(dǎo)針的一端與所述PCB板連接，另一端由所述凹腔的該開口處伸出；所述NMOS管與所述凹腔的底面之間設(shè)置有使兩者固定的導(dǎo)熱膠層，所述導(dǎo)熱膠層至少覆蓋所述NMOS管的底面。
[0006]進(jìn)一步地，所述匪OS管的側(cè)壁上設(shè)置有所述導(dǎo)熱膠層，所述導(dǎo)熱膠層延伸至所述凹腔的底面上。
[0007]進(jìn)一步地，所述導(dǎo)熱膠層為導(dǎo)熱雙面膠，所述NMOS管通過所述導(dǎo)熱雙面膠粘接在所述凹腔底面上。
[0008]進(jìn)一步地，所述PCB板和所述NMOS管通過灌封膠灌封在所述殼體的所述凹腔內(nèi)。
[0009]進(jìn)一步地，所述灌封膠為具有抗振動(dòng)能力和抗沖擊能力的環(huán)氧樹脂灌封膠。
[0010]進(jìn)一步地，所述殼體為銷合金殼體。
[0011]進(jìn)一步地，所述殼體為方形，所述殼體的頂面具有第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向，所述電源緩啟動(dòng)裝置包括三組分別平行于所述第二方向且在所述第一方向上相間設(shè)置的導(dǎo)針組，每組所述導(dǎo)針組均包括間隔設(shè)置的兩個(gè)所述導(dǎo)針。
[0012]進(jìn)一步地，在殼體頂面的所述第一方向上，所述殼體頂面的其中一個(gè)側(cè)邊與每組所述導(dǎo)針組中靠近該側(cè)邊的各所述導(dǎo)針之間距離相等，另一側(cè)邊上位于該側(cè)邊兩端的所述導(dǎo)針組中靠近該側(cè)邊的各所述導(dǎo)針與該側(cè)邊之間距離小于位于該側(cè)邊中間的所述導(dǎo)針組中靠近該側(cè)邊的所述導(dǎo)針與該側(cè)邊之間距離。
[0013]本實(shí)用新型還提供一種電子設(shè)備，包括被保護(hù)裝置，其中，還包括上述的電源緩啟動(dòng)裝置，所述電源緩啟動(dòng)裝置與所述被保護(hù)裝置電性連接。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)對比，本實(shí)用新型提供的電源緩啟動(dòng)裝置，在殼體內(nèi)設(shè)置NMOS管，采用導(dǎo)熱膠層將NMOS管固定在殼體中，這樣，利用NMOS管完全導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電阻小、工作電流大、發(fā)熱小等特性，使得在工作的電源緩啟動(dòng)裝置通過電流時(shí)不易發(fā)熱，提升了電源緩啟動(dòng)裝置的額定電流，從而達(dá)到電源緩啟動(dòng)裝置低直流電阻和高額定電流的要求，并且采用導(dǎo)熱膠層，將NMOS管與殼體緊密結(jié)合在一起，以便于NMOS管的散熱和溫度控制。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)對比，本實(shí)用新型提供的電子設(shè)備，采用電源緩啟動(dòng)裝置，直流電阻低，額定電流高，緩啟動(dòng)電流小，且恢復(fù)時(shí)間快。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電源緩啟動(dòng)裝置的剖視示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電源緩啟動(dòng)裝置的立體示意圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電源緩啟動(dòng)裝置的俯視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0020]以下結(jié)合具體附圖對本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0021]如圖1至圖3所示，為本實(shí)用新型提供的一較佳實(shí)施例。
[0022]本實(shí)施例提供的電源緩啟動(dòng)裝置1，包括殼體11、若干導(dǎo)針12、PCB板13以及在導(dǎo)通后以控制電源接通時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流的NMOS管14，殼體11具有一頂端開口的凹腔15，PCB板13和NMOS管14由上至下順序疊放在凹腔15的底面上，若干導(dǎo)針12的一端與PCB板13連接，另一端由凹腔15的該開口處伸出，NMOS管14與凹腔15的底面之間設(shè)置有使兩者固定的導(dǎo)熱膠層16，導(dǎo)熱膠層16至少覆蓋NMOS管14的底面。
[0023]上述的電源緩啟動(dòng)裝置1，在殼體11內(nèi)設(shè)置NMOS管14，采用導(dǎo)熱膠層16將NMOS管14固定在殼體11中，這樣，利用NMOS管14完全導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電阻小、工作電流大、發(fā)熱小等特性，使得在工作的電源緩啟動(dòng)裝置I通過電流時(shí)不易發(fā)熱，提升了電源緩啟動(dòng)裝置I的額定電流，從而達(dá)到電源緩啟動(dòng)裝置I低直流電阻和高額定電流的要求，并且采用導(dǎo)熱膠層16，將NMOS管14與殼體11緊密結(jié)合在一起，以便于NMOS管14的散熱和對NMOS管14的溫度控制。
[0024]為敘述方便，下文中所稱的“左” “右” “上” “下” “前” “后”與附圖本身的左、右、上、下、前、后方向一致，但并不對本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)起限定作用。
[0025]在本實(shí)施例中，電源緩啟動(dòng)裝置I為實(shí)現(xiàn)抑制電源接通時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流，采用對大功率半導(dǎo)體NMOS管14進(jìn)行全新的電路設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該電源緩啟動(dòng)裝置I包括殼體11、六個(gè)導(dǎo)針12、PCB板13以及大功率半導(dǎo)體NMOS管14，控制NMOS管14導(dǎo)通電阻，從而控制電源接通時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流，利用NMOS管14完全導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電阻小、工作電流大、發(fā)熱小等特性，使得電源緩啟動(dòng)裝置I在工作通過電流時(shí)不易發(fā)熱，提升了電源緩啟動(dòng)裝置I的額定電流，從而達(dá)到電源緩啟動(dòng)裝置I低直流電阻和高額定電流的要求。
[0026]殼體11，大致為方形，其采用金屬材料制成，優(yōu)選鋁合金材料，具有散熱性好等優(yōu)點(diǎn)。殼體11具有一頂端開口的凹腔15，NMOS管14平放在凹腔15的底面上，PCB板13設(shè)置在NMOS管14上方且與NMOS管14