功率變換裝置以及電梯的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種功率變換裝置以及電梯，在逆變器側(cè)也進行同步整流的低損耗化，并且在由于異常而導(dǎo)致在逆變器電路中不能進行同步整流控制且開關(guān)元件為斷開狀態(tài)的情況下，也能夠防止來自感性負載的再生所導(dǎo)致的開關(guān)元件的熱損壞。PWM整流電路以及逆變器電路具有由具有寄生二極管的SiC-MOSFET或者具有寄生二極管的GaN-MOSFET構(gòu)成的開關(guān)元件，在PWM整流電路的開關(guān)元件不連接外部二極管而進行通過使開關(guān)元件接通從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制，在逆變器電路的開關(guān)元件反并聯(lián)連接外部二極管，并且在從感性負載進行再生時進行通過使開關(guān)元件接通從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制。
【專利說明】
功率變換裝置以及電梯
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及功率變換裝置以及使用了該功率變換裝置的電梯。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，在電梯等的可變速驅(qū)動中，通常采用如下方式:通過轉(zhuǎn)換器(pmi整流電路)將來自電源的交流變換為直流后，通過逆變器(逆變器電路)將該直流變換為可變頻的交流，進行電動機驅(qū)動。迄今為止，逆變器的功率半導(dǎo)體開關(guān)元件以使用了硅(Si)的絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor:1GBT)為主流。
[0003]但是，近年來，作為功率半導(dǎo)體的寬禁帶半導(dǎo)體元件，碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等備受關(guān)注。這些材料與Si相比，能帶隙較大，具有約10倍的高擊穿電壓強度，能夠?qū)⒂糜诖_保耐壓的漂移層減薄至1/10左右，所以能夠?qū)崿F(xiàn)功率器件的低接通電阻化。此外，因為是單極型，所以還能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)速度的高速化，可預(yù)期低損耗化。通過功率模塊成為低損耗，從而轉(zhuǎn)換器可以使冷卻器等周邊設(shè)備小形化。進而，MOSFET在漏極-源極間具有pn結(jié)二極管即所謂的寄生二極管的特性，因此能夠是去掉由IGBT構(gòu)成功率變換電路時所需要的外部的二極管的、無外部二極管的結(jié)構(gòu)，功率模塊還可以小形化。
[0004]作為使用了MOSFET的功率變換裝置，在專利文獻1、專利文獻2中記載了如下功率變換裝置:在轉(zhuǎn)換器側(cè)，由MOSFET構(gòu)成開關(guān)元件，并且不連接外部二極管，并且進行同步整流控制；在逆變器側(cè)，由IGBT或者MOSFET構(gòu)成開關(guān)元件，并且反并聯(lián)連接了外部二極管。另夕卜，在逆變器側(cè)，因為反并聯(lián)連接了外部二極管，所以不需要同步整流控制。
[0005]這里，所謂同步整流，是指利用MOSFET所具有的反向?qū)ㄌ匦?，通過使MOSFET的柵極接通，從而通過MOSFET而并非寄生二極管來流通回流電流等向源極-漏極方向的電流的方法。由此，不再需要反并聯(lián)連接外部二極管，并且與寄生二極管單體相比，能夠抑制導(dǎo)通損耗。
[0006]專利文獻1: JP特開2010-017061號公報
[0007]專利文獻2: JP特開2009-183115號公報
[0008]這里，圖1中示出SiC-M0SFET、SiC-肖特基勢皇二極管(ShotkeyBarrier D1de:SBD)、寄生二極管的反向?qū)ㄌ匦?。如圖1所示，在小電流Il即低負載區(qū)域中使SiC-MOSFET的柵極接通而導(dǎo)通的同步整流是最低損耗，繼而SiC-SBD為低損耗。而且，若成為大電流12即高負載區(qū)域，則相較于Si C-MOSFET的同步整流，Si C-SBD變?yōu)榈蛽p耗。
[0009]另一方面，對于SiC-MOSFET的寄生二極管而言，如圖1所示，因為SiC的能帶隙較大，所以pn 二極管的上升沿電壓變大到3V左右，若電流僅流過寄生二極管，則與使用了同步整流或SiC-SBD的情況相比，變?yōu)閿?shù)倍?數(shù)10倍的損耗。
[0010]因此，如專利文獻I或?qū)＠墨I2的轉(zhuǎn)換器側(cè)那樣，在省略外部的二極管僅采用寄生二極管并且使用同步整流來實現(xiàn)低損耗、小形化的情況下，會產(chǎn)生如下問題:例如若在發(fā)生了由于停電所引起的電源喪失或檢測到異常所導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換器以及逆變器的動作停止等異常的情況下，不能進行同步整流，SiC-MOSFET的柵極變得不能接通，則變?yōu)閮H在寄生二極管流過電流，損耗大幅增加，開關(guān)元件、使用了開關(guān)元件的模塊或芯片等有可能發(fā)生熱損壞。該問題在發(fā)生來自感性負載的再生時尤其顯著。
[0011]這里，若如專利文獻I或?qū)＠墨I2的逆變器側(cè)那樣，不進行同步整流而使用外部二極管，則即使在發(fā)生了異常的情況下，也由于能夠在外部二極管流過回流電流，因此不會產(chǎn)生熱損壞的問題，但是存在沒有異常的狀態(tài)下的動作中損耗增加這樣的問題。另外，在專利文獻I或?qū)＠墨I2中，因為原本針對發(fā)生了異常的情況并未作任何考慮、以及具有能夠省略外部二極管這樣的優(yōu)點，所以在省略外部二極管的同時進行了同步整流，因此并未考慮在逆變器側(cè)連接外部二極管的同時進行同步整流。
[0012]此外，尤其是對于電梯的功率變換裝置而言，若地震發(fā)生時或轎廂極度的搖晃、升降中的轎廂以及電梯門廳的門開閉的異常等電梯異常發(fā)生，則會使PWM整流電路和逆變器電路的全部開關(guān)元件的柵極斷開，使電梯在最近樓層緊急停止。在該情況下，從逆變器電路流過電動機的電流由于再生而回流，在構(gòu)成逆變器電路的開關(guān)元件中的幾個開關(guān)元件中會向源極-漏極方向流動電流。但是，由于異常檢測而導(dǎo)致柵極斷開，因而不能進行需要使柵極接通的同步整流動作。因此，假設(shè)在逆變器側(cè)在開關(guān)元件中使用MOSFET而省略外部二極管來進行了同步整流的情況下，在發(fā)生電梯故障或者異常而進行了緊急停止時，用于從作為感性負載的電動機向逆變器電路流動回流電流的路徑僅是寄生二極管，與通常動作即同步整流動作時相比，會發(fā)生數(shù)倍?數(shù)10倍的損耗，作為二次損傷，開關(guān)元件或使用了開關(guān)元件的模塊有可能發(fā)生熱損壞。在該情況下，恢復(fù)電梯服務(wù)花費時間，存在導(dǎo)致服務(wù)大幅降低這樣的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的課題是提供一種功率變換裝置以及使用了該功率變換裝置的電梯，在采用了SiC-M0SFET、GaN-M0SFET這樣的能帶隙較大的半導(dǎo)體開關(guān)元件的功率變換裝置中，在逆變器側(cè)也進行同步整流的低損耗化，同時即使在由于異常而導(dǎo)致在逆變器電路中不能進行同步整流控制、開關(guān)元件變?yōu)榱藬嚅_狀態(tài)的情況下，也能夠防止由于來自感性負載的再生而導(dǎo)致的開關(guān)元件的熱損壞。
[0014]為了解決上述課題，本發(fā)明的功率變換裝置例如具有將從電源供給的第I交流電變換為直流電的PWM整流電路、和將從所述PffM整流電路供給的直流電變換為第2交流電并提供給感性負載的逆變器電路，其特征在于，所述PWM整流電路以及所述逆變器電路具有由具有寄生二極管的SiC-MOSFET或者具有寄生二極管的GaN-MOSFET構(gòu)成的開關(guān)元件，在所述PffM整流電路的所述開關(guān)元件不連接外部二極管而進行通過使所述開關(guān)元件接通從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制，在所述逆變器電路的所述開關(guān)元件反并聯(lián)連接外部二極管，并且在從所述感性負載進行再生時，進行通過使所述開關(guān)元件接通從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制。
[0015]此外，本發(fā)明的電梯的特征在于，具有這種功率變換裝置、構(gòu)成所述感性負載的電動機、和由所述電動機驅(qū)動的轎廂。
[0016]發(fā)明效果
[0017]根據(jù)本發(fā)明，在采用了SiC-M0SFET、GaN-M0SFET這樣的能帶隙較大的半導(dǎo)體開關(guān)元件的功率變換裝置以及使用了該功率變換裝置的電梯中，在逆變器電路的開關(guān)元件連接外部二極管，并且在從感性負載進行再生時進行通過接通開關(guān)元件從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制，所以在逆變器側(cè)也進行同步整流的低損耗化，同時即使在由于異常而導(dǎo)致在逆變器電路中不能進行同步整流控制且開關(guān)元件成為斷開狀態(tài)的情況下，來自感性負載的再生所引起的回流電流會流過外部二極管，所以能夠防止開關(guān)元件的熱損壞。
【附圖說明】
[0018]圖1示出SiC-MOSFET以及SiC-SBD的源極-漏極間電壓與源極電流特性的比較。
[0019]圖2示出本發(fā)明的第I實施例的功率變換裝置的概略構(gòu)成。
[0020]圖3示出SiC-MOSFET以及各種SiC-SBD的源極-漏極間電壓與源極電流特性的比較。
[0021]圖4示出本發(fā)明的第2實施例的功率變換裝置的概略構(gòu)成。
[0022]符號說明
[0023]100…功率變換電路、101."PWM整流電路、102…逆變器電路、103、103a?103f、104、104a ?104f".SiC-M0SFET、105、105a ?105f、106、106a ?106f...SiC-MOSFET 中的MOSFET 部、107、107a ?107f、108、108a ?108f."SiC-MOSFET 中的寄生二極管、109 …平滑電容器、110、IlOa ?IlOf …SiC-SBD、111...電源、112 …切斷裝置、113、113a、113b、113c...電感器、114…感性負載、115…電動機、120…電梯控制裝置、121、122…驅(qū)動電路、123…轉(zhuǎn)換器控制裝置、124…檢測裝置、131…繩索、132…轎廂、133…配重、134a、134b、134c、134d…電梯門廳門、135…轎廂門。
【具體實施方式】
[0024]參考附圖來說明本發(fā)明的實施例。另外，在各圖以及各實施例中，對同一或者類似的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，省略說明。
[0025]【實施例1】
[0026]圖2中示出本發(fā)明的第I實施例的功率變換裝置的概略構(gòu)成。功率變換裝置的功率變換電路100構(gòu)成為包括作為第I變換電路的PWM整流電路(轉(zhuǎn)換器電路)101、平滑電容器109、以及作為第2變換電路的逆變器電路102，PWM整流電路101經(jīng)由切斷裝置112與電源111連接，逆變器電路102與例如電動機等感性負載114連接。在切斷裝置112與PffM整流電路101之間連接有電感器113a?113 c，作為濾波電路。這里，PWM整流電路1I利用由S i C-MOSFET構(gòu)成的半導(dǎo)體開關(guān)元件103a?103f構(gòu)成，未設(shè)置由SiC-SBD構(gòu)成的外部二極管。逆變器電路102通過由SiC-MOSFET構(gòu)成的半導(dǎo)體開關(guān)元件104a?104f、和與半導(dǎo)體開關(guān)元件103a?103f反并聯(lián)連接的由SiC-SBD構(gòu)成的外部二極管IlOa?110f構(gòu)成。SiC-M0SFET103a?103f由 MOSFET 部 105a ?105f 和寄生二極管 107a ?107f 構(gòu)成，SiC-M0SFET104a ?104f 由 MOSFET 部106a?106f和寄生二極管108a?108f構(gòu)成。
[0027]這里，P麗整流電路101使用了由SiC-MOSFET構(gòu)成的半導(dǎo)體開關(guān)元件103a?103f，但只要是與SiC-MOSFET同樣地，通過如GaN等那樣實現(xiàn)低損耗的寬禁帶半導(dǎo)體來構(gòu)成，并具有在漏極-源極間具有由pn結(jié)構(gòu)成的寄生二極管的器件結(jié)構(gòu)，則不局限于SiC-MOSFETt^b夕卜，逆變器電路102的開關(guān)元件也使用了由SiC-MOSFET構(gòu)成的半導(dǎo)體開關(guān)元件104a?104f，但只要是如GaN等那樣能帶隙較寬、寄生二極管的上升沿電壓與SiC同樣大，則能夠預(yù)期與SiC-MOSFET同樣地防止熱損壞等的效果。因此，作為半導(dǎo)體開關(guān)元件103a?103f、104a?104f，也可以使用由GaN-MOSFET構(gòu)成的半導(dǎo)體開關(guān)元件。
[0028]即，在第i實施例的功率變換裝置中具有:將從電源111供給的第I交流電變換為直流電的PWM整流電路11、和將從PWM整流電路1I供給的直流電變換為第2交流電并提供給感性負載114的逆變器電路102。這里，PffM整流電路101以及逆變器電路102具有由具有寄生二極管的SiC-MOSFET或者具有寄生二極管的GaN-MOSFET構(gòu)成的開關(guān)元件103a?103f、104a?104fo
[0029]這里，在PWM整流電路101的開關(guān)元件103a?103f不連接外部二極管，進行通過使開關(guān)元件103a?103f接通而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗，并且因為能夠省略外部二極管所以能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。
[0030]此外，在逆變器電路102的開關(guān)元件104a?104f反并聯(lián)連接外部二極管I1a?IlOf，并且從感性負載114進行再生時，進行通過使開關(guān)元件104a?104f接通而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制。
[0031]另外，PffM整流電路101和逆變器電路102的同步整流控制，通過由未圖示的控制裝置控制開關(guān)元件103a?103f、104a?104f的柵極的接通/斷開(0N/0FF)來進行。
[0032]通常，若在逆變器電路102中進行同步整流控制，則能夠省略外部二極管I1a?IlOf。但是，在由于異常而導(dǎo)致在逆變器電路102中不能進行同步整流控制，并且開關(guān)元件104a?104f為斷開狀態(tài)的情況下，有可能從感性負載114進行再生。在該情況下，會僅在寄生二極管108a?1Sf流過回流電流，有可能發(fā)生熱損壞。因此，在本實施例中，即使在進行同步整流控制的情況下，也有意追加外部二極管IlOa?IlOf，由此即使發(fā)生那樣的異常的狀態(tài)從而SiC-M0SFET104a?104f的柵極變?yōu)閿嚅_狀態(tài)，漏極-源極間的回流電流也流向SiC-MOSFET的寄生二極管108a?108f和外部二極管IlOa?IlOf的雙方，所以能夠抑制僅流向寄生二極管108a?108f的情況那樣的損耗的大幅增加，并且防止熱損壞。
[0033]此時，對于外部二極管I1a?I1f的特性而言，從防止熱損壞的觀點出發(fā)，優(yōu)選具有與寄生二極管108a?108f相比回流電流會較多地流過外部二極管IlOa?IlOf的特性。此夕卜，如圖3所示的SiC-SBDl那樣，優(yōu)選上升沿電壓小于SiC-M0SFET104a?104f的寄生二極管的上升沿電壓。進一步講，如圖3所示的SiC-SBD2那樣，即使在減少模塊內(nèi)的二極管的芯片數(shù)、實現(xiàn)了模塊的小形化的情況下、或者在使用了導(dǎo)通特性較差的二極管的情況下，也優(yōu)選開關(guān)元件、使用了該開關(guān)元件的模塊的額定電流流動時的寄生二極管的電壓值Vdi為額定電流流動時的外部二極管IlOa?IlOf的電壓值Vsbd以上。例如，相當(dāng)于圖3的SiC-SBD2的額定電流時的電壓值Vsbd2 = Vd i的情況，更優(yōu)選的是，滿足S i C-SBDI的額定電流時的電壓值VsbdKVdi的關(guān)系。若該關(guān)系反轉(zhuǎn)，如圖3所示的SiC-SBD3那樣變?yōu)閂di <Vsbd3，則柵極斷開時流過電流的路徑在寄生二極管106a?106f的一方較多，損耗大幅增加，發(fā)生熱損壞的可能性增高。但是，若與沒有附加外部二極管的情況相比，則能夠降低熱損壞的可能性。另夕卜，外部二極管IlOa?IlOf例示了SiC-SBD的情況，但只要具有所需的特性，也可以采用其他二極管。
[0034]此外，如例如檢測到感性負載114的異常的情況等那樣，在檢測到某些異常的情況下，優(yōu)選使PWM整流電路101以及逆變器電路102的開關(guān)元件103a?103f、104a?104f全部斷開。進而，在運轉(zhuǎn)中斷開全部SiC-M0SFET103a?103f、104a?104f的柵極的情況下，優(yōu)選通過切斷裝置102來切斷對PWM整流電路101的供電。這些控制，通過未圖示的控制裝置來進行。
[0035]在該情況下，在PffM整流電路101側(cè)，即使在全部柵極都斷開了的情況下，也只要僅使電感器113a?113c中殘余的電力再生即可，該電感器113a?113c與連接于逆變器電路的感性負載114相比，是較小的值，所以流動的電流也較小，即使由于無二極管從而僅在寄生二極管107a?107e中流動電流，可以認(rèn)為也不會引起熱損壞。
[0036]另一方面，即使在運轉(zhuǎn)中檢測到任何異常而使SiC_M0SFET103a?103f、104a?104f的柵極全部斷開的情況下，逆變器電路102與感性負載114也不切斷。這是因為，為了切斷感性負載114和逆變器電路102，需要能夠在感性負載114的最大電流值下使用的切斷裝置，會導(dǎo)致大形化。因此，逆變器電路102和感性負載114通過不設(shè)置切斷裝置，從而實現(xiàn)小形化。在該情況下，感性負載114具有的電力被再生，通過逆變器電路102的二極管IlOa?IlOf和寄生二極管108a?108f而回流。
[0037]【實施例2】
[0038]圖4中示出本發(fā)明的第2實施例的功率變換裝置以及電梯的概略構(gòu)成。對于與第I實施例相同的部件、部位，記載了同一標(biāo)號。另外，構(gòu)成PWM整流電路101以及逆變器電路102的三相開關(guān)元件，分別使用SiC-M0SFET103、104和SiC-SBDllO來進行了簡化記載，但作為構(gòu)成，與圖2相同。關(guān)于進行同步整流控制，也與第I實施例相同。關(guān)于SiC-M0SFET103、104的內(nèi)部構(gòu)成，分別通過MOSFET部105和寄生二極管107、以及MOSFET部106和寄生二極管108進行了簡化，但其是與第I實施例全部相同的構(gòu)成，能夠得到與通過第I實施例而得到的效果相同的效果。
[0039]在第2實施例中，使用電動機115作為感性負載，在繩索131的兩端，設(shè)置升降機的轎廂132以及配重133，通過將由功率變換電路100變換后的電力提供給電動機115，從而使轎廂132升降。此外，作為控制裝置，電梯控制裝置120具有轉(zhuǎn)換器控制裝置123以及檢測裝置124，通過由轉(zhuǎn)換器控制裝置123得到的控制信號，使用作為控制裝置的驅(qū)動電路121、122，來使SiC-M0SFET103a?103f以及104a?104f的柵極接通/斷開。這里，檢測裝置124是檢測電梯的異常的檢測裝置，對轎廂132的異常、電梯門廳門134a?134d或者轎廂門135的開閉的異常進行檢測，若檢測到異常，則向轉(zhuǎn)換器控制裝置123發(fā)送異常檢測信號，從轉(zhuǎn)換器控制裝置123向驅(qū)動電路121以及122發(fā)送用于使柵極停止的信號，從驅(qū)動電路121以及122向SiC-M0SFET103a?103f以及104a?104f全部供給柵極斷開電壓，PffM整流電路101以及逆變器電路102的所有開關(guān)元件全部被斷開。此時，檢測裝置124也同樣地向切斷裝置112發(fā)送切斷指令，將電源111和PWM整流電路1I切斷。
[0040]檢測裝置124也可以檢測地震作為電梯的異常。對于電梯而言，在地震或電梯的轎廂的異常搖晃等即使系統(tǒng)沒有問題的情況下，也有時為了確保搭乘者的安全而緊急停止。即使在這種情況下，通過應(yīng)用本實施例的構(gòu)成，也能夠防止曾進行正常動作的開關(guān)元件的損壞，并能夠使電梯的通常運轉(zhuǎn)及早恢復(fù)。
[0041]以上，對本發(fā)明的實施例進行了說明，但是之前的各實施例所說明的構(gòu)成僅是一例，本發(fā)明在不脫離技術(shù)思想的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)變更。此外，在各個實施例中所說明的構(gòu)成在不相互矛盾的情況下，也可以組合使用。
【主權(quán)項】
1.一種功率變換裝置，具有將從電源供給的第I交流電變換為直流電的HVM整流電路、和將從所述PWM整流電路供給的直流電變換為第2交流電并提供給感性負載的逆變器電路，所述功率變換裝置的特征在于， 所述PffM整流電路以及所述逆變器電路具有由具有寄生二極管的SiC-MOSFET或者具有寄生二極管的GaN-MOSFET構(gòu)成的開關(guān)元件， 在所述PffM整流電路的所述開關(guān)元件不連接外部二極管而進行通過使所述開關(guān)元件接通從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制， 在所述逆變器電路的所述開關(guān)元件反并聯(lián)連接外部二極管，并且在從所述感性負載進行再生時，進行通過使所述開關(guān)元件接通從而使回流電流導(dǎo)通的同步整流控制。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率變換裝置，其特征在于， 在由于異常而導(dǎo)致在所述逆變器電路中不能進行所述同步整流控制且所述開關(guān)元件為斷開狀態(tài)的情況下，與所述寄生二極管相比回流電流較多地流過所述外部二極管。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率變換裝置，其特征在于， 在由于異常而導(dǎo)致在所述逆變器電路中不能進行所述同步整流控制且所述開關(guān)元件為斷開狀態(tài)、且在所述開關(guān)元件流過所述開關(guān)元件的額定電流時，所述寄生二極管的電壓值為所述外部二極管的電壓值以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率變換裝置，其特征在于， 在檢測到所述感性負載的異常的情況下，使所述HVM整流電路以及所述逆變器電路的所述開關(guān)元件全部斷開。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率變換裝置，其特征在于， 在發(fā)生了異常的情況下，使所述PWM整流電路以及所述逆變器電路的所述開關(guān)元件全部斷開，并且切斷從所述電源供給的所述第I交流電。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率變換裝置，其特征在于， 所述感性負載由電動機構(gòu)成。7.—種電梯，其特征在于具有: 權(quán)利要求1?6中任一項的功率變換裝置； 構(gòu)成所述感性負載的電動機;和 通過所述電動機而被升降的轎廂。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電梯，其特征在于具有: 檢測裝置，其對所述電梯的異常進行檢測;和 控制裝置，其在所述檢測裝置檢測到異常的情況下，使所述PWM整流電路以及所述逆變器電路的所述開關(guān)元件全部斷開。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電梯，其特征在于具有: 切斷裝置，該切斷裝置在所述檢測裝置檢測到異常的情況下，切斷從所述電源供給的所述第I交流電。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電梯，其特征在于， 所述檢測裝置對地震、所述轎廂的異常、所述轎廂門或電梯門廳的門的開閉的異常中的任一者進行檢測。
【文檔編號】H02M5/458GK105915069SQ201610096182
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月22日
【發(fā)明人】加藤香, 森和久, 大沼直人, 松本洋平
【申請人】株式會社日立制作所