電磁感應(yīng)裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電磁感應(yīng)裝置，其可增大與電樞線圈交鏈的磁通量。在本發(fā)明的電磁感應(yīng)裝置中，在平行于永磁鐵(23、27)的磁化方向的面內(nèi)，磁場間隙(24)的中心線(II)和永磁鐵列(22)之間的間隙截面面積(a1)與磁場間隙(24)的中心線(II)和永磁鐵列(26)之間的間隙截面面積(a2)的比具有與永磁鐵列(22)的截面面積(A1)和永磁鐵列(26)的截面面積(A2)的比基本相同的關(guān)系。優(yōu)選間隙(24)的截面面積(a1+a2)為永磁鐵列(22)的截面面積(A1)和永磁鐵列(26)的截面面積(A2)的平均值的1.2倍以上2.0倍以下。
【專利說明】
電磁感應(yīng)裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種電磁感應(yīng)裝置，特別是設(shè)及一種作為電動(dòng)機(jī)或發(fā)電機(jī)而使用的電 磁感應(yīng)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 為了提高電動(dòng)機(jī)或發(fā)電機(jī)的磁場，有被稱為海爾貝克陣列的永磁鐵的排列方法。 如果為永磁鐵的N極和S極交互地配置的結(jié)構(gòu)，磁場產(chǎn)生于磁鐵陣列的頂側(cè)和底側(cè)運(yùn)兩側(cè)， 無法有效地使用磁場。對此，在海爾貝克陣列的場合，由于將永磁鐵的磁極一邊旋轉(zhuǎn)90° 一邊排列，故磁鐵陣列的一側(cè)的磁場較弱，磁鐵陣列的另一側(cè)，運(yùn)一部分的磁場變強(qiáng)，能在 永磁鐵的陣列的一側(cè)產(chǎn)生較強(qiáng)的磁場。人們提出了，在W海爾貝克陣列的兩列永磁鐵陣列 (雙層海爾貝克陣列）之間，配置有電樞線圈的永磁鐵旋轉(zhuǎn)電機(jī)（參照專利文獻(xiàn)1)、線性電 動(dòng)機(jī)（參照專利文獻(xiàn)2)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn) 陽0化]專利文獻(xiàn)1 :JP特開2009-201343號公報(bào)
[0006] 專利文獻(xiàn)2 :JP特開2010-154688號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的課題
[0008] 在使用了永磁鐵雙層海爾貝克陣列磁場的無鐵忍電動(dòng)機(jī)、無鐵忍發(fā)電機(jī)的場合， 希望盡可能地?cái)U(kuò)大與電樞線圈交鏈的磁通，在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)的場合，無法使交鏈磁通最優(yōu)化， 期望進(jìn)一步地?cái)U(kuò)大。
[0009] 本發(fā)明的主要的目的在于提供一種電磁感應(yīng)裝置，該電磁感應(yīng)裝置能提高與電樞 線圈交鏈的磁通。
[0010] 解決課題用的技術(shù)方案
[0011] 本發(fā)明提供一種電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，包括：
[0012] 第1永磁鐵列和第2永磁鐵列，該第1永磁鐵列和第2永磁鐵列相互面對地配置， 其中，上述第1永磁鐵列具有多個(gè)第1永磁鐵，該多個(gè)第1永磁鐵沿規(guī)定方向在每2 31的整 數(shù)等分發(fā)生磁極的方向改變，按照在上述第2永磁鐵列側(cè)的磁場增強(qiáng)、與上述第2永磁鐵列 側(cè)相反一側(cè)的磁場減弱的方式，沿上述規(guī)定方向配置，上述第2永磁鐵列具有多個(gè)第2永磁 鐵，該多個(gè)第2永磁鐵沿上述規(guī)定方向在每2 π的整數(shù)等分發(fā)生磁極的方向改變，按照在上 述第1永磁鐵列側(cè)的磁場增強(qiáng)、與上述第1永磁鐵列側(cè)相反一側(cè)的磁場減弱的方式，沿上述 規(guī)定方向配置；
[0013] 電樞線圈，該電樞線圈配置于面對的上述第1永磁鐵列和上述第2永磁鐵列之間 的磁場間隙中，
[0014] 在平行于上述第1永磁鐵和上述第2永磁鐵的磁化方向的面內(nèi)，上述磁場間隙的 中屯、線和上述第1永磁鐵列之間的間隙截面面積與上述磁場間隙的中屯、線和上述第2永磁 鐵列之間的間隙截面面積的比具有與上述第1永磁鐵列的截面面積和上述第2永磁鐵列的 截面面積的比基本相同的關(guān)系。
[0015] 本發(fā)明的電磁感應(yīng)裝置可增大與電樞線圈交鏈的磁通量。
【附圖說明】
[0016] 圖1為表示使用等價(jià)磁路方法的雙層海爾貝克陣列磁場的截面圖；
[0017] 圖2為表示說明圖1等價(jià)磁路；
[0018] 圖3為表示雙層海爾貝克陣列磁場的截面圖；
[0019] 圖4為表示間隙長度與交鏈磁通的關(guān)系表示圖；
[0020] 圖5為表示間隙長度與交鏈磁通的關(guān)系表示圖；
[0021] 圖6為表示說明本發(fā)明的優(yōu)選第1實(shí)施方式的圓筒型Ξ相直線同步電動(dòng)機(jī)100的 示意性主視圖； 陽02引 圖7為表示圖6的A-A線截面圖；
[0023] 圖8為表示圖6的B-B線截面圖；
[0024] 圖9為表示圖6的C-C線截面圖；
[0025] 圖10為表示說明本發(fā)明的優(yōu)選第2實(shí)施方式的Ξ相同步發(fā)電機(jī)200的示意性主 視圖； 陽0%] 圖11 (A)為表示平行磁化方向的截面中的Ξ相同步發(fā)電機(jī)200的大致截面圖，圖 11度）為表示電樞線圈的配線的示意圖；
[0027] 圖12為表示圖11(A)的V-V線截面圖，為具有單層磁場的發(fā)電機(jī)的示意圖；
[0028] 圖13為表示圖10~圖12所示的發(fā)電機(jī)的變形例，為具有多層磁場的發(fā)電機(jī)的示 意圖；
[0029] 圖14為表示圖10~圖12所示的發(fā)電機(jī)的變形例，為表示具有平行磁化方向的截 面為長方形的永磁鐵的發(fā)電機(jī)的示意圖；
[0030] 圖15為表示圖14的V-V線截面圖，為具有單層磁場的發(fā)電機(jī)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0032] 關(guān)于磁極W 90度逐次旋轉(zhuǎn)排列而構(gòu)成的雙層海爾貝克陣列磁場，使用等價(jià)磁路 得到磁極間隙中央的平均磁通密度。在雙層海爾貝克陣列磁場中，永磁鐵列外側(cè)的磁通密 度變得極低。另外，永磁鐵的比導(dǎo)磁率幾乎與空氣相同。如果不使用鐵等強(qiáng)磁性材料，則不 會(huì)發(fā)生磁通集中所致的磁飽和的情況。因此能得到等價(jià)磁路中必須要求的磁通密度。
[0033] 圖1是表示使用等價(jià)磁路的雙層海爾貝克陣列磁場10的截面圖。雙層海爾貝克 陣列磁場10具有：永磁鐵列12,該永磁鐵列12 W海爾貝克方式排列，將永磁鐵13的磁極 向第1直線方向W 90度逐次旋轉(zhuǎn)而得到；永磁鐵列16,該永磁鐵列16 W海爾貝克方式排 列，將永磁鐵17的磁極向與第1直線平行的第2直線方向W 90度逐次旋轉(zhuǎn)而得到。
[0034] 在永磁鐵列12中，按照永磁鐵列16 -側(cè)的磁場增強(qiáng)，與永磁鐵列16相反一側(cè)的 磁場減弱的方式配置永磁鐵13。在永磁鐵列16中，按照永磁鐵列12 -側(cè)的磁場增強(qiáng)，與永 磁鐵列12相反一側(cè)的磁場減弱的方式配置永磁鐵17。
[0035] 圖1是與永磁鐵13、17的磁化方向平行的面的截面圖。永磁鐵13、17在與永磁鐵 13、17的磁化方向平行的面（與紙面平行的面）上都呈正方形，具有相同的截面面積。
[0036] 與永磁鐵13、17的磁化方向平行的面（與紙面平行的面）中的永磁鐵13、17的截 面面積的平方根設(shè)為1從而規(guī)格化。由于截面面積的平方根為1，故永磁鐵13、17的截面 面積也為1。另外，永磁鐵13、17在與永磁鐵13、17的磁化方向平行的面上都呈正方形的 形狀，故永磁鐵13、17的一邊的長度為1。永磁鐵陣列12和永磁鐵陣列16之間14的間隔 (間隙長度）設(shè)為a。
[0037] 圖1所示的閉曲線是磁力線。從磁力線形狀可知，每一極距都存在相同的磁通量 路徑，將此磁通量路徑W虛線表示。
[0038] 圖1表示的雙層海爾貝克磁場的等價(jià)磁路的主磁通通過圖1的磁通路徑。另外，因 為磁路對稱于磁極中屯、線XX，故設(shè)及一條線路的磁路按照與每個(gè)磁極線對稱的方式連續(xù)。 現(xiàn)在，按照圖2的方式定義一條磁路。在圖2中，R為永磁鐵13、17的磁阻，S為垂直于磁 極的永磁鐵截面面積，永磁鐵的磁極方向的長度為Im，真空磁導(dǎo)率設(shè)為μ。被表示于下列公 式：
[0039]
W40] 此處，永磁鐵的相對磁導(dǎo)率近似為1。另外，在圖2中，丫為磁鐵的磁極面到縱向 路徑的距離，δ為磁極面到間隙中最接近橫向路徑的距離與間隙長度的比例。Sy為縱向路 徑的截面面積，Sf為間隙中橫向路徑的截面面積，由此有
[0041] 二A二號及故；個(gè)閉合回路的主磁通Φ 1、Φ 2、Φ 3滿足下一個(gè)回路方 已' 么 程式：
[0042]
[0043] Hm:永磁鐵的保持力，1 m:磁極間長度（1 m= 1)。 W44] 根據(jù)似式，α可表示為：
[0045]
[0046] 由 itk，
[0047]
W48] 因此，間隙中屯、線ΥΥ上的NS磁極間的平均磁通密度B?？凳緸橄率剑?br>[0049]
[0050] 此處，氏為永磁鐵的殘留磁通密度。
[0051] 圖3為適用等價(jià)磁路的另一雙層海爾貝克陣列磁場20的截面圖。雙層海爾貝克 陣列磁場20具有：永磁鐵列22,該永磁鐵列22 W海爾貝克方式排列，將永磁鐵23的磁極 沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度而得到；永磁鐵列26,該永磁鐵列26 W海爾貝克方式排列，將永磁 鐵27的磁極沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度而得到。
[0052] 在永磁鐵列22中，按照永磁鐵列26 -側(cè)的磁場增強(qiáng)，與永磁鐵列26相反一側(cè)的 磁場減弱的方式配置永磁鐵23。在永磁鐵列26中，按照永磁鐵陣列22 -側(cè)的磁場增強(qiáng)，與 永磁鐵列22相反一側(cè)的磁場減弱的方式配置永磁鐵27。
[0053] 圖3是平行于永磁鐵23、27的磁化方向的面的截面圖。在平行于永磁鐵23、27的 磁化方向的面中（與紙面平行的面），永磁鐵23、27均為梯形。永磁鐵23和永磁鐵27的數(shù) 量相同。永磁鐵23的數(shù)量和永磁鐵27的數(shù)量，舉例來說如果為64個(gè)，則彼此相鄰的永磁 鐵23之間或者彼此相鄰的永磁鐵27之間會(huì)W接近180度的約174度的角度接合。因此， 永磁鐵23與永磁鐵27可被視為近似正方形。
[0054] 因此，與圖1的場合相同，與永磁鐵23、27的磁化方向平行的面（與紙面平行的 面）中的永磁鐵23、27的截面面積的平方根設(shè)為1 W規(guī)格化。由于截面面積的平方根為1， 故永磁鐵23、27的截面面積也為1。另外，永磁鐵23、27在與永磁鐵23、27的磁化方向平行 的面上均可視為呈近似正方形的形狀，故永磁鐵23、27的一邊的長度也可近似為1。永磁鐵 列22和永磁鐵列26之間的間隔（間隙長度）設(shè)為曰。 陽化日]如圖3所示的那樣，在使用永磁鐵22、26的場合也與圖2的等價(jià)磁路近似，可W直 接套用上述理論，上述永磁鐵列22、26 W海爾貝克方式排列并呈環(huán)狀，將各永磁鐵23、27的 磁極沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度而得到。（但是如下述說明的那樣，基于圖1而評述圖3的電 磁感應(yīng)裝置的場合，優(yōu)選將外側(cè)和內(nèi)側(cè)的永磁鐵陣列22、26各自的永磁鐵量與磁場空隙24 的中屯、線II的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的間隙的體積比一致。）
[0056] 間隙長度a為0. 25、0. 5、1. 0、1. 5、2. 0的場合，將直線YY上的y方向磁通密度By 的磁極間平均值B。、丫 W及δ作為參數(shù)代入（4)，將求得的BJ直W表1表示，
[0057] 【表1】
[0058]
[0059] 表1中，丫 = 0. 25, δ = 0. 25是選擇幾何中屯、作為磁路的路徑的場合。另外，丫 = 0.10, δ =0.25是將B。與Bw誤差最小化的值，Bi是根據(jù)二維有限元分析磁場解析的 解析值，為By的極距間平均值。在運(yùn)里，如果假設(shè)磁距間的磁通密度為呈正弦波狀分布，貝U 其磁通密度平均值BgvT為B。、的|/./$倍。Βτ與B…的誤差在丫 =0. 20, δ =0. 22為 最小的情況。 W60] 如圖1所示的那樣，雙層海爾貝克陣列磁場10具有：永磁鐵列12,該永磁鐵列12 W海爾貝克方式排列，將永磁鐵13的磁極向第1直線方向90度逐次旋轉(zhuǎn)而得到；永磁鐵列 16,該永磁鐵列16 W海爾貝克方式排列，將永磁鐵17的磁極向與第1直線平行的第2直線 方向90度逐次旋轉(zhuǎn)而得到，永磁鐵13和永磁鐵17具有正方形的形狀，具有相同的截面面 積。W及如圖3所示的那樣，雙層海爾貝克陣列磁場20具有：永磁鐵列22,該永磁鐵列22 W海爾貝克方式排列，將永磁鐵23的磁極沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度而得到；永磁鐵列26,該 永磁鐵列26 W海爾貝克方式排列，將永磁鐵27的磁極沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度而得到，永 磁鐵23和永磁鐵27具有近似正方形的形狀，具有相同的截面面積，如上述那樣，間隙中屯、 線ΥΥ上的NS磁極間的平均磁通密度Bwi為：
[0061]
陽06引其中，氏為永磁鐵的殘留磁通密度，而α為：
[0063]
[0064] 配置于雙層海爾貝克陣列磁場的間隙中的電樞線圈交鏈磁通量Φ如果W每個(gè)極 距的磁路截面面積為S，線圈應(yīng)數(shù)為Ν，則為： 陽0 化]Φ = NSBav Τ (6)
[0066] 間隙中配置的電樞線圈如果按照極距寬填滿間隙的方式制作，則可得到最大的應(yīng) 數(shù)，故在平行磁化方向的面中的永磁鐵的截面面積的平方根為1 ;永磁鐵為正方形的場合， 正方形邊長為1 ;永磁鐵為大致正方形，能近似為正方形的場合，近似的正方形的邊長為1 的場合，此時(shí)，S與磁場的深度1 (向正方形截面直行的方向的永磁鐵的長度）成比例，N與 間隙長度a成比例。Wk為比例定數(shù)，如果
[0067] N = ka (7) W側(cè)則，
[0069] S = 21 (8)
[0070] 將式（7)、式（8)代入式化），則交鏈磁通量Φ可由下述式表示。
[0071] Φ = IklaBav- - 2 ^/2 ktaaB, ( 9 ) 陽07引另一方面，如上述那樣，式巧）中丫 = 0. 20、δ = 0. 22時(shí)，式（4)的BwT成為表 示實(shí)際的磁極距間平均磁通密度的計(jì)算式。因此，實(shí)際的交鏈磁通可W由丫 =0.20、δ = 0. 22時(shí)的式（9)計(jì)算出來。此處，由于式中k和1為規(guī)定的定數(shù)，故
[0073]
[0074] 所定義的函數(shù)f (a)達(dá)到最大的間隙長度a值如果存在的話，則若用該間隙長度構(gòu) 成雙層海爾貝克陣列磁場，可W得到最大的交鏈磁通量。
[007引如果將函數(shù)f (a)圖形化，則變?yōu)閳D4的情況。由于存在最大值，故如果通過
[0076]
[0077] 求曰，則a = 1. 2。旨P，若為下述間隙長度，則相對于規(guī)定的應(yīng)數(shù)，可獲得最大的交 鏈磁通，即，在平行于磁化方向的面內(nèi)的永磁鐵的截面面積的平方根的1. 2倍；永磁鐵為正 方形的場合，為正方形邊長的1. 2倍；永磁鐵為大致正方形，能近似為正方形的場合，近似 正方形的一邊的長度的1.2倍。
[0078] 由于海爾貝克陣列磁場與電樞線圈為相對運(yùn)動(dòng)的關(guān)系，為了不讓磁場的永磁鐵與 電樞線圈接觸，實(shí)際上在將電樞線圈配制在磁場間隙中的場合需要留有一定程度的空間。 另外，電樞線圈是將電線卷繞在電線梭子上并且將卷好的電線通過模型而固定形成的。因 此線圈的厚度并非全部由導(dǎo)體填滿，如果永磁鐵的正方形截面的一邊長度為1厘米，則在 磁場與線圈導(dǎo)體間，面對磁場的面上存在約1毫米的非導(dǎo)電體。
[0079] 在該場合，將平行磁化方向的面內(nèi)的永磁鐵的截面面積的平方根設(shè)為1 ;在永磁 鐵為正方形的場合，正方形邊長為1 ;永磁鐵為大致正方形，能近似為正方形的場合，近似 的正方形的邊長為1的場合，此時(shí)，磁場的間隙中所配置的電樞線圈的應(yīng)數(shù)N與式（7)的場 合相同，由
[0080] N = k(a-〇. 2) (11)
[0081] 表示。因此，使交鏈磁通最大化的間隙長度為，使由
[0082]
[0083] 定義的函數(shù)g(a)為最大化的間隙長度。
[0084] 將函數(shù)g(a)圖形化，即為圖5。由于存在最大值，如果通過 陽0化]
[0086] 求a,則a = 1. 5。目P，若為下述的間隙長度，則相對于規(guī)定的應(yīng)數(shù)，可獲得最大的 交鏈磁通，即，在平行于磁化方向的面內(nèi)的永磁鐵的截面面積的平方根的1. 5倍；永磁鐵為 正方形的場合，為正方形邊長的1. 5倍；永磁鐵為大致正方形，可近似為正方形的場合，為 近似正方形的一邊的長度的1. 5倍。
[0087] 按照運(yùn)種方式，若將雙層海爾貝克陣列磁場的間隙長度設(shè)為下述值，則在電樞線 圈中可得到最大的交鏈磁通量。目P，平行磁化方向的面內(nèi)的永磁鐵的截面面積的平方根的 1. 2~1. 5倍；永磁鐵為正方形的場合，設(shè)定為正方形邊長的1. 2~1. 5倍；永磁鐵基本為 正方形、可近似為正方形的場合，設(shè)定為近似正方形的邊長的1. 2~1. 5倍。
[008引進(jìn)一步地，相對于圖1的空隙為直線狀，磁場空隙24為彎曲狀，在向該空隙中插入 外形為立方體的線圈并形成電樞的場合，線圈的角沒有與磁場20接觸，另外，即使在接觸 的場合，線圈與該磁場之間也有間隙。
[0089] 由此，若將雙層海爾貝克陣列磁場的間隙長度設(shè)為下述值，則在電樞線圈中可得 到最大的交鏈磁通量。目P，平行磁化方向的面內(nèi)的永磁鐵的截面面積的平方根的1. 2~2. 0 倍；永磁鐵為正方形的場合，設(shè)定為正方形邊長的1. 2~2. 0倍；永磁鐵為大致正方形，可 近似為正方形的場合，設(shè)定為近似正方形的邊長的1. 2~2. 0倍，
[0090] 但是，也如圖3所示的那樣，如果使用圓形的永磁鐵陣列，則在環(huán)狀的磁場空隙24 的中屯、線II的外側(cè)的空隙與內(nèi)側(cè)的空隙中，外側(cè)的空隙的截面面積（如果考慮到深度則為 體積）較大。另一方面，在圖1中，空隙的中屯、線YY的上半部分的空隙和下半部分的空隙 的截面面積相同。因此，基于圖1而評述圖3的電磁感應(yīng)裝置的場合，優(yōu)選將外側(cè)和內(nèi)側(cè)的 永磁鐵陣列22、26各自的永磁鐵量與磁場空隙24的中屯、線II的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的間隙的體積 比一致。
[0091] 具體來說，在本發(fā)明的電磁感應(yīng)裝置中，在圖3所示的平行永磁鐵23、27的磁化方 向的面（與紙面平行的面）內(nèi)，磁場間隙24的中屯、線II和永磁鐵列22之間的間隙截面面 積曰1與磁場間隙24的中屯、線II和永磁鐵列26之間的間隙截面面積曰2的比具有與永磁鐵 列22的截面面積Ai和永磁鐵列26的截面面積A 2的比基本相同的關(guān)系。
[0092] 在該場合，優(yōu)選磁場間隙24的截面面積（曰1+曰2)為永磁鐵列22的截面面積Ai和 永磁鐵列26的截面面積A2的平均值的1. 2倍W上2. 0倍W下。 陽09引（第1實(shí)施例）
[0094] 本發(fā)明適合的第1實(shí)施例為圓筒型Ξ相線性同步電動(dòng)機(jī)，圖6為表示說明本發(fā)明 的優(yōu)選第1實(shí)施方式的圓筒型Ξ相直線同步電動(dòng)機(jī)100的大致主視圖，圖7為表示圖6的 A-A線截面圖，圖8為表示圖6的B-B線截面圖，圖9為表示圖6的C-C截面圖。 陽0巧]圓筒型Ξ相線性同步電動(dòng)機(jī)100具有：圓筒狀的定子105 ;可動(dòng)子107,該可動(dòng)子 107可在定子105軸向移動(dòng)，且呈具備缺口的圓筒狀；驅(qū)動(dòng)裝置109,該驅(qū)動(dòng)裝置109向可動(dòng) 子107供給來自外部電源108的電力。
[0096] 定子105具有：外側(cè)永磁鐵列111，其作為第1永磁鐵列，其中，按照環(huán)狀的永磁 鐵112的磁極，在包含其中屯、軸的截面上，W近似90度逐次旋轉(zhuǎn)的方式，使永磁鐵112鄰接 地形成；內(nèi)側(cè)永磁鐵列115,其作為第2永磁鐵列，其中，按照環(huán)狀的永磁鐵116的磁極，在 包含其中屯、軸的截面上，W近似90度逐次旋轉(zhuǎn)的方式，使永磁鐵116鄰接地形成；外側(cè)管 113,其作為第1環(huán)狀固定部件，其內(nèi)側(cè)內(nèi)面上固定有第1永磁鐵111 ;內(nèi)側(cè)管117,其作為第 2環(huán)狀固定部件，其外側(cè)面上固定有內(nèi)側(cè)永磁鐵列115 ;固定板123,為了不干設(shè)可動(dòng)子107， 具有缺口，固定外側(cè)管113與內(nèi)側(cè)管117。
[0097] 進(jìn)一步地，在固定子105中，在外側(cè)管113的外側(cè)上部和外側(cè)下部，通過導(dǎo)桿支撐 構(gòu)件21U213安裝有導(dǎo)桿121。在導(dǎo)桿121的表面上，在從導(dǎo)桿支撐構(gòu)件211側(cè)的端部到該 導(dǎo)桿支撐構(gòu)件211的范圍內(nèi)，分為上下兩段地固定電極203、205、207、209，從各電極引出的 導(dǎo)線141被捆綁，并經(jīng)由設(shè)置于導(dǎo)桿支撐構(gòu)件211上的導(dǎo)出路143導(dǎo)入驅(qū)動(dòng)裝置109。 陽09引可動(dòng)子107具有：卷繞有立項(xiàng)線圈131的卷繞環(huán)133 ;輸出環(huán)137,該輸出環(huán)137固 定于卷繞環(huán)133的兩端，具有缺口部；缺口固定板139,該缺口固定板139固定輸出環(huán)137 的缺口部；線性絕緣管135,該線性絕緣管135安裝于輸出環(huán)137的端部，沿導(dǎo)桿121導(dǎo)向 卷繞環(huán)133。線性絕緣管135具有滑動(dòng)電極201，該滑動(dòng)電極201與設(shè)置于導(dǎo)桿121的表面 上的電極203、205、207、209接觸。一端與Ξ項(xiàng)線圈131連接的導(dǎo)線141，通過設(shè)置于輸出 環(huán)137和線性絕緣管135上的導(dǎo)出路143,與滑動(dòng)電極201連接。由此，Ξ項(xiàng)線圈131通過 固定子105側(cè)的電極203、205、207、209，與驅(qū)動(dòng)裝置109電連接。在此，在各電極203、205、 207、209分別中，驅(qū)動(dòng)裝置109所產(chǎn)生的與Ξ相交流電壓相對應(yīng)的Ξ相交流電流U相、V相、 W相W及中性點(diǎn)電流，Ξ相線圈131被激勵(lì)，通過規(guī)定的推力，可動(dòng)子107沿軸向移動(dòng)。
[0099] 外側(cè)永磁鐵陣列111的永磁鐵112數(shù)量與內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的永磁鐵116的數(shù) 量相同。外側(cè)永磁鐵陣列111的永磁鐵112中沿徑向磁化的永磁鐵112的磁極方向、與永 磁鐵陣列115的永磁鐵116中沿徑向磁化的永磁鐵116的磁極方向相同，配置于同一半徑 上的永磁鐵的磁極方向彼此相同。外側(cè)永磁鐵陣列111的永磁鐵112中沿軸向磁化的永磁 鐵112的磁極方向、與內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的永磁鐵116中沿軸向磁化的永磁鐵116的磁 極方向相反，配置于同一半徑上的永磁鐵的磁極方向相反。
[0100] 在外側(cè)永磁鐵陣列111中，由于永磁鐵112的磁極一邊沿軸向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一 邊排列，故陣列一側(cè)（本實(shí)施例的外側(cè)）的磁場較弱，在該陣列的另一側(cè)（在本實(shí)施例中為 內(nèi)側(cè)，內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115側(cè)），該部分的磁場變得較強(qiáng)，能在外側(cè)永磁鐵陣列111的一側(cè) (本實(shí)施方式中的內(nèi)側(cè)）產(chǎn)生強(qiáng)磁場。在內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115中，由于永磁鐵116的磁極一 邊沿軸向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排列，故陣列一側(cè)（本實(shí)施例的內(nèi)側(cè)）的磁場較弱，在該陣 列的另一側(cè)（在本實(shí)施例中為外側(cè)，外側(cè)永磁鐵陣列111側(cè)），該部分的磁場變得較強(qiáng)，能在 內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的一側(cè)（本實(shí)施方式中的外側(cè)）產(chǎn)生強(qiáng)磁場。 陽101] 由于按照運(yùn)種方式構(gòu)成外側(cè)永磁鐵陣列111和內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115,故外側(cè)永磁 鐵陣列111和內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115之間的空間的磁場變強(qiáng)，另一方面，外側(cè)永磁鐵陣列111 的外側(cè)和內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的內(nèi)側(cè)幾乎無法磁漏。而且，外側(cè)永磁鐵列111和內(nèi)側(cè)永磁 鐵列115之間的空隙中的半徑方向非常多地分布磁通。半徑方向非常多地分布磁通的該空 隙中配置有Ξ項(xiàng)線圈131，由于磁通的大部分與Ξ項(xiàng)線圈131直角交鏈，故可高效地將驅(qū)動(dòng) 裝置109所供給的電力轉(zhuǎn)換為推力。按照運(yùn)種方式，由于配置有Ξ項(xiàng)線圈131的區(qū)域的磁 場增強(qiáng)，故即使不在Ξ項(xiàng)線圈131中使用鐵忍，Ξ項(xiàng)線圈131也能較強(qiáng)地被激勵(lì)，能W較大 的推力將可動(dòng)子107向軸向移動(dòng)。而且，由于不使用鐵忍，就可消除或減少鑲齒效應(yīng)。
[0102] 外側(cè)永磁鐵陣列111按照下述方式構(gòu)成，該方式為，堆迭徑向與厚度方向磁化的 截面為近似正方形的環(huán)狀永磁鐵112。另外，內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115按照下述方式構(gòu)成，該方 式為，堆迭徑向與厚度方向磁化的截面為大致正方形的環(huán)狀永磁鐵116。外側(cè)永磁鐵陣列 Ill所構(gòu)成的外側(cè)圓筒磁場和內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115所構(gòu)成的內(nèi)側(cè)圓筒磁場，構(gòu)成雙層海爾 貝克陣列磁場。外側(cè)圓筒磁場與內(nèi)側(cè)圓筒磁場各自的圓筒磁場的中屯、軸互相重疊。外側(cè)圓 筒磁場的內(nèi)面和上述內(nèi)側(cè)圓筒磁場的外面之間為磁場空隙。而且，在與永磁鐵112、116的 磁化方向平行的面（與C-C截面平行）內(nèi)，上述磁場空隙的中屯、線和外側(cè)永磁鐵陣列111之 間的空隙截面面積、與磁場空隙的中屯、線和內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115之間的空隙截面面積的比 有下述關(guān)系，該關(guān)系為外側(cè)永磁鐵陣列111的截面面積和內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的截面面積 的比基本相同。該面積比的關(guān)系引用了圖3,與上述關(guān)系相同。另外，優(yōu)選磁場空隙的截面 面積為外側(cè)永磁鐵陣列111的截面面積與內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的截面面積的平均值的1. 2 W上2.0倍W下。
[0103] 在上述的實(shí)施例中，Ξ項(xiàng)線圈131配置于半徑方向非常多地分布磁通的空隙中， 故磁通的大部分與Ξ項(xiàng)線圈131直角交鏈，故可W更少的電流產(chǎn)生較大的推力。在外側(cè)永 磁鐵陣列111中，由于永磁鐵112的磁極一邊沿軸向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排列，外側(cè)永磁 鐵陣列111的外側(cè)的磁場較弱，在外側(cè)永磁鐵陣列111的內(nèi)側(cè)，該部分的磁場變得較強(qiáng)，能 在外側(cè)永磁鐵陣列111的內(nèi)側(cè)產(chǎn)生強(qiáng)磁場。另外，在內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115中，永磁鐵116的 磁極一邊沿軸向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排列，內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的內(nèi)側(cè)的磁場較弱，在內(nèi) 側(cè)永磁鐵陣列115的外側(cè)，該部分的磁場變得較強(qiáng)，能在內(nèi)側(cè)永磁鐵陣列115的外側(cè)產(chǎn)生強(qiáng) 磁場，但是即使不將磁極沿軸向逐次旋轉(zhuǎn)90度，例如逐次旋轉(zhuǎn)45度，按照沿軸向的每2 31 的整數(shù)等分使磁極的方向發(fā)生改變的方式，將多個(gè)第1永磁鐵沿軸向排列，第1永磁鐵的排 列的內(nèi)側(cè)的磁場增強(qiáng)，外側(cè)的磁場減弱，按照沿軸向的每2 31的整數(shù)等分的磁極的方向與 第1永磁鐵的排列相反方向進(jìn)行改變的方式，將多個(gè)第2永磁鐵沿軸向排列，配置在第1永 磁鐵的排列的內(nèi)側(cè)，第2永磁鐵的排列的外側(cè)的磁場增強(qiáng)，內(nèi)側(cè)的磁場減弱。
[0104] (第2實(shí)施例）
[01化]本發(fā)明適合的第2實(shí)施例為Ξ相同步發(fā)電機(jī)。圖10為表示說明本發(fā)明的優(yōu)選第 2實(shí)施方式的Ξ相同步發(fā)電機(jī)200的大致主視圖。圖11(A)為表示平行磁化方向的截面中 的截面圖，圖11度）為表示電樞線圈的配線的示意圖。 陽106] 本實(shí)施例的發(fā)電機(jī)200具有轉(zhuǎn)子250和定子260。在轉(zhuǎn)子250上安裝有軸240,如 果使軸240旋轉(zhuǎn)，則可構(gòu)成發(fā)電機(jī)。轉(zhuǎn)子250具有永磁鐵陣列210、220。定子260具有線圈 陣列230。永磁鐵陣列210、220各自W環(huán)狀構(gòu)成，線圈陣列230也分別W環(huán)狀構(gòu)成。永磁鐵 陣列210、220 W及線圈陣列230按照同屯、圓的方式配置。永磁鐵陣列220設(shè)置在永磁鐵陣 列20的內(nèi)側(cè)。 陽107] 永磁鐵陣列210、220與圖3所示的狀態(tài)相同，分別是將永磁鐵211、221的磁極一 邊逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排列的海爾貝克陣列。 陽10引永磁鐵陣列210的永磁鐵211的數(shù)量與永磁鐵陣列220的永磁鐵221的數(shù)量相同， 外側(cè)永磁鐵陣列210的永磁鐵211中沿徑向磁化的永磁鐵211的磁極方向、與永磁鐵陣列 220的永磁鐵221中沿徑向磁化的永磁鐵221的磁極方向相同，配置于同一半徑上的永磁鐵 的磁極方向彼此相同。永磁鐵陣列210的永磁鐵211中沿周向磁化的永磁鐵211的磁極方 向、與永磁鐵陣列220的永磁鐵221中沿周向磁化的永磁鐵221的磁極方向相反，配置于同 一半徑上的永磁鐵的磁極方向相反。
[0109] 在永磁鐵陣列210中，由于永磁鐵211的磁極一邊沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排 列，故陣列一側(cè)（本實(shí)施例的外側(cè)）的磁場較弱，在該陣列的另一側(cè)（在本實(shí)施例中為內(nèi) 側(cè)），該部分的磁場變得較強(qiáng)，能在永磁鐵211的陣列210的一側(cè)（本實(shí)施方式中的內(nèi)側(cè)） 產(chǎn)生強(qiáng)磁場。另外，在永磁鐵陣列220中，由于永磁鐵221的磁極一邊沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90 度一邊排列，故陣列一側(cè)（本實(shí)施例的內(nèi)側(cè)）的磁場較弱，在該陣列的另一側(cè)（在本實(shí)施例 中為外側(cè)），該部分的磁場變得較強(qiáng)，能在永磁鐵221的陣列220的一側(cè)（本實(shí)施方式中的 外側(cè)）產(chǎn)生強(qiáng)磁場。
[0110] 由于按照運(yùn)種方式構(gòu)成永磁鐵陣列210和永磁鐵陣列220,故永磁鐵陣列210和 永磁鐵陣列220之間的空間的磁場變強(qiáng)，另一方面，在永磁鐵陣列210的外側(cè)和永磁鐵陣列 220的內(nèi)側(cè)，磁場幾乎無法磁漏。而且，由于永磁鐵陣列210和永磁鐵陣列220之間配置有 線圈陣列，故可產(chǎn)生較高的電壓。按照運(yùn)種方式，由于配置有線圈陣列230的區(qū)域的磁場增 強(qiáng)，故即使不在構(gòu)成線圈陣列230的線圈231中使用鐵忍，也產(chǎn)生較高的電壓。而且，由于 不使用鐵忍，就可消除或減少鑲齒效應(yīng)。另外，像圖11度）所示的那樣，線圈陣列230是由 多個(gè)線圈231按照U相-V相-W相的順序纏繞而形成Y接線，產(chǎn)生Ξ相交流。 陽111] 在本實(shí)施例中，在旋轉(zhuǎn)軸240的周圍，永磁鐵211、221按照海爾貝克陣列構(gòu)成，由 內(nèi)外兩組的磁鐵列20U220構(gòu)成雙層海爾貝克陣列磁場。各個(gè)永磁鐵21U221的徑向截面 (與磁化方向平行的面的截面）積約幾乎相等，構(gòu)成外側(cè)磁鐵列210的永磁鐵211的內(nèi)面、 與構(gòu)成內(nèi)側(cè)磁鐵列220的永磁鐵221的外面互相面對。各個(gè)構(gòu)成外側(cè)磁鐵列210的永磁鐵 211和構(gòu)成內(nèi)側(cè)磁鐵列220的永磁鐵221的徑向截面均為梯形，各W 64個(gè)永磁鐵構(gòu)成雙層 海爾貝克陣列磁場。電樞線圈231配置在雙層海爾貝克陣列磁場的間隙中，但是外側(cè)磁鐵 列210和內(nèi)側(cè)磁鐵列220均為64邊形，相鄰的永磁鐵21U221之間的間隙面存在連接角度。 在本實(shí)施例的Ξ相同步發(fā)電機(jī)200中，電樞線圈231的徑向截面的外形為長方形，電樞線圈 231的寬度為從轉(zhuǎn)軸中屯、觀察到的兩個(gè)永磁鐵21U221的角度。另外，電樞線圈231按照絕 緣涂層圓銅線纏繞帶有鱷部的線圈的方式構(gòu)成。構(gòu)成外側(cè)磁鐵列210的永磁鐵211的內(nèi)面 與構(gòu)成內(nèi)側(cè)磁鐵220的永磁鐵221的外面之間，形成磁場間隙。而且，在與永磁鐵21U221 的磁化方向平行的面內(nèi)，上述磁場空隙的中屯、線和外側(cè)磁鐵列210之間的空隙截面面積與 磁場空隙的中屯、線和內(nèi)側(cè)磁鐵列220之間的空隙截面面積的比具有與外側(cè)磁鐵列210的截 面面積和內(nèi)側(cè)磁鐵列220的截面面積的比基本相同的關(guān)系。該面積比的關(guān)系引用了圖3，與 上述關(guān)系相同。另外，優(yōu)選磁場空隙的截面面積為外側(cè)磁鐵列210的截面面積與內(nèi)側(cè)磁鐵 列220的截面面積的平均值的1. 2 W上2. 0倍W下。
[0112] 上述的實(shí)施例中，也可按照下述方式配置，該方式為，在發(fā)電機(jī)200的永磁鐵陣列 210中，由于永磁鐵211的磁極一邊沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排列，陣列的外側(cè)的磁場 較弱，在該陣列的內(nèi)側(cè)，該部分的磁場變得較強(qiáng)，能在永磁鐵211的陣列210的內(nèi)側(cè)產(chǎn)生強(qiáng) 磁場，另外，在永磁鐵陣列220中，永磁鐵221的磁極一邊沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊排 列，陣列的內(nèi)側(cè)的磁場較弱，在該陣列的外側(cè)，該部分的磁場變得較強(qiáng)，在永磁鐵221的陣 列220的外側(cè)產(chǎn)生強(qiáng)磁場，但是即使不將磁極沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度，例如逐次旋轉(zhuǎn)約45 度，按照沿周向的每2 π的整數(shù)等分的磁極的方向發(fā)生改變的方式，將多個(gè)第1永磁鐵沿周 向排列，使得第1永磁鐵的排列的內(nèi)側(cè)的磁場增強(qiáng)，外側(cè)的磁場減弱，按照沿周向的每2 31 的整數(shù)等分的磁極的方向與第1永磁鐵相反方向改變的方式，將多個(gè)第2永磁鐵沿周向排 列，配置在第1永磁鐵的排列的內(nèi)側(cè)，第2永磁鐵的排列的外側(cè)的磁場增強(qiáng)，內(nèi)側(cè)的磁場減 弱。
[0113] 另外，在上述實(shí)施例中，如圖12的截面圖（圖11(A)的V-V線截面圖）所示的那 樣，發(fā)電機(jī)200按照具有一層磁場的方式構(gòu)成，但是，也可像圖13所示的那樣，W具有多層 磁場的發(fā)電機(jī)的方式構(gòu)成，本發(fā)明也可適合各種磁場。另外，也可將如圖12所示的單層磁 場或圖13所示的多層磁場沿上下方向多層設(shè)置，本發(fā)明也可用作多級式磁場的發(fā)電機(jī)。
[0114] (第3實(shí)施例）
[011引本發(fā)明適合的第3實(shí)施例為；相同步發(fā)電機(jī)，其中，將上述第1永磁鐵陣列和上述 第2永磁鐵陣列構(gòu)成旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的磁場的場合，永磁鐵的形狀設(shè)為長方形。下面，基于圖14 和圖15,對本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0116] 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)301具有轉(zhuǎn)子303和定子307。在轉(zhuǎn)子303上安裝有軸，如果使軸旋轉(zhuǎn)， 則可構(gòu)成發(fā)電機(jī)。轉(zhuǎn)子303具有構(gòu)成雙層海爾貝克排列磁場的永磁鐵陣列304、305。定子 307具有線圈陣列308。
[0117] 永磁鐵陣列304、305各自W環(huán)狀構(gòu)成，線圈陣列308也W環(huán)狀構(gòu)成。永磁鐵陣列 304設(shè)置在永磁鐵陣列305的內(nèi)側(cè)。永磁鐵陣列304、305 W及線圈陣列308 W同屯、圓的方 式被配置。
[0118] 構(gòu)成雙層海爾貝克陣列磁場的永磁鐵陣列304、305,像圖14所示的那樣，分別是 將永磁鐵的磁極一邊沿周向逐次旋轉(zhuǎn)約90度一邊呈環(huán)狀排列的"海爾貝克陣列"。永磁 鐵陣列304與永磁鐵陣列305的磁鐵數(shù)量相同。構(gòu)成永磁鐵陣列304的各個(gè)永磁鐵341、 341......在與其磁化方向平行的截面（與紙面平行的面），截面形狀均為長方形。 構(gòu)成永磁鐵陣列5的各個(gè)永磁鐵351、351......的截面形狀也為長方形。
[0119] 具有運(yùn)樣的長方形截面的相同形狀的永磁鐵341由于W相同的角度間隔呈環(huán)狀 地排列，故鄰接的永磁鐵34U341之間有模形空隙。在運(yùn)些模形的空隙中，有填充該間隙的 模形狀的間隔部件343。同樣地，在鄰接的永磁鐵35U351之間也存在模形的空隙，在運(yùn)些 模形的空隙中有填充該間隙的模形狀的間隔部件353。
[0120] 另外在本實(shí)施例中，長方形截面永磁鐵之間的間隙中也可不配置間隔部件，也可 采用填充有空氣的方式，優(yōu)選像上述那樣夾設(shè)有間隔部件。并不限定間隔部件343、353的 材質(zhì)，比如，可W由侶等的非磁性材料構(gòu)成，進(jìn)而優(yōu)選樹脂等非磁性、非導(dǎo)電性材料即可。 陽121] 并不限定在永磁鐵之間的間隙中夾設(shè)間隔部件的方法，只要在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的完成狀 態(tài)下存在夾設(shè)在永磁鐵之間的間隙中的任意部件，則可采用任何方法。例如，在按照環(huán)狀排 列永磁鐵之后，可W在鄰接的永磁鐵之間的間隙中插入或填充一些材料（不同于磁鐵的材 料）即可。或者，也可按照下述方式配置，該方式為，在預(yù)先W等角度間隔配置的固定的間 隔部件之間，插入永磁鐵。
[0122] 按照上述說明，在制造具有圓形的永磁鐵陣列的電磁感應(yīng)裝置的場合，在與第1 永磁鐵和第2永磁鐵的磁化方向平行的面中，磁場空隙的中屯、線和上述第1永磁鐵列之間 的空隙截面面積與上述磁場空隙的中屯、線和上述第2永磁鐵列之間的空隙截面面積的比 具有與上述第1永磁鐵列的截面面積和上述第2永磁鐵列的截面面積的比基本相同的關(guān) 系，由此，在電樞線圈中能獲得較大的交鏈磁通量。其結(jié)果為，在為發(fā)電機(jī)的場合，W最小的 磁鐵量產(chǎn)生最大的電壓。另外，在為電動(dòng)機(jī)的場合，W最小的磁鐵量產(chǎn)生最大的轉(zhuǎn)矩。另外， 由于可使雙層海爾貝克陣列磁場的永磁鐵數(shù)量最小化，故可降低成本、節(jié)約資源。
[0123] 在上面，說明了本發(fā)明的各種典型的實(shí)施例，但是本發(fā)明并不限于運(yùn)些實(shí)施例。因 此，本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書限定。 陽124] 符號的說明：
[01巧]標(biāo)號112表示永磁鐵； 陽126] 標(biāo)號111表示永磁鐵陣列；
[0127] 標(biāo)號116表示永磁鐵；
[0128] 標(biāo)號115表示永磁鐵陣列； 陽129] 標(biāo)號131表示電樞線圈。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，包括： 第1永磁鐵列和第2永磁鐵列，該第1永磁鐵列和第2永磁鐵列相互面對地配置，其中， 上述第1永磁鐵列具有多個(gè)第1永磁鐵，該多個(gè)第1永磁鐵沿規(guī)定方向在每2 π的整數(shù)等 分發(fā)生磁極的方向改變，按照在上述第2永磁鐵列側(cè)的磁場增強(qiáng)、與上述第2永磁鐵列側(cè)相 反一側(cè)的磁場減弱的方式，沿上述規(guī)定方向配置，上述第2永磁鐵列具有多個(gè)第2永磁鐵， 該多個(gè)第2永磁鐵沿上述規(guī)定方向在每2 π的整數(shù)等分發(fā)生磁極的方向改變，按照在上述 第1永磁鐵列側(cè)的磁場增強(qiáng)、與上述第1永磁鐵列側(cè)相反一側(cè)的磁場減弱的方式，沿上述規(guī) 定方向配置； 電樞線圈，該電樞線圈配置于面對的上述第1永磁鐵列和上述第2永磁鐵列之間的磁 場間隙中， 在平行于上述第1永磁鐵和上述第2永磁鐵的磁化方向的面內(nèi)，上述磁場間隙的中心 線和上述第1永磁鐵列之間的間隙截面面積與上述磁場間隙的中心線和上述第2永磁鐵列 之間的間隙截面面積的比具有與上述第1永磁鐵列的截面面積和上述第2永磁鐵列的截面 面積的比基本相同的關(guān)系。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，上述間隙截面面積為上述第1永 磁鐵列和上述第2永磁鐵列的截面面積的平均值的1. 2倍以上2. 0倍以下。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于， 按照上述多個(gè)第1永磁鐵的磁極方向沿上述規(guī)定的方向以逐次旋轉(zhuǎn)約90度的方式，使 上述多個(gè)第1永磁鐵沿上述規(guī)定的方向排列， 按照上述多個(gè)第2永磁鐵的磁極方向沿上述規(guī)定的方向以逐次旋轉(zhuǎn)約90度的方式，使 上述多個(gè)第2永磁鐵沿上述規(guī)定的方向排列， 上述多個(gè)第1永磁鐵的磁極方向和上述多個(gè)第2永磁鐵的磁極方向，在與上述規(guī)定的 方向所垂直的方向上為相同方向；上述多個(gè)第1永磁鐵的磁極方向和上述多個(gè)第2永磁鐵 的磁極方向，在與上述規(guī)定的方向的磁極的方向?yàn)橄喾捶较颉?. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，上述規(guī)定的方向?yàn)橹本€方 向。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，上述規(guī)定的方向?yàn)橹芟颉?. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，上述電磁感應(yīng)裝 置為電動(dòng)機(jī)或者發(fā)電機(jī)。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，上述第1和第2永磁鐵列按照與 磁極方向所平行的截面為長方形的永磁鐵的方式構(gòu)成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，具有按照夾設(shè)于鄰接的上述永 磁鐵之間的間隙的方式設(shè)置的部件。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁感應(yīng)裝置，其特征在于，夾設(shè)于鄰接的上述永磁鐵之間 的間隙的上述部件由非磁性材料構(gòu)成。
【文檔編號】H02K1/06GK105871085SQ201510024814
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2015年1月19日
【發(fā)明人】橫山修, 橫山修一, 森下明平, 蘆田拓也
【申請人】株式會(huì)社Atec