一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于密封磁傳動裝置，具體涉及一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]密封磁傳動裝置是繼填料密封、機(jī)械密封后的又一個解決傳動過程中實(shí)現(xiàn)密封的新型技術(shù)設(shè)備，與以往傳動密封裝置的本質(zhì)區(qū)別是密封磁傳動裝置實(shí)現(xiàn)了零泄漏，在保持恒壓、易燃易爆、有毒有害和污染嚴(yán)重的介質(zhì)工況下被廣泛采用。
[0003]密封磁傳動裝置的工作原理是連接動力源的主動轉(zhuǎn)子總成穿過起密封作用的密封套與另一側(cè)輸出動力的從動轉(zhuǎn)子總成之間借助磁場交互作用傳遞動力，而密封套保證了密封效果。密封磁傳動裝置通常用于栗和攪拌釜上，適用于做密封套的材料首先需要滿足不導(dǎo)磁，電阻大的要求，在此基礎(chǔ)上還需要滿足耐壓要求、便于機(jī)加工要求以及剛性要求，所以目前通常選擇不導(dǎo)磁的不銹鋼或鈦材。工作時金屬密封套的中部磁力線經(jīng)過段有渦流產(chǎn)生，轉(zhuǎn)速高或壓力大也就是密封套較厚時，渦流急劇升高產(chǎn)生大量的熱，所以水冷卻系統(tǒng)已是密封磁傳動裝置的重要組成部分。頂入式釜用密封磁傳動裝置通常將冷卻水從下端引入，從上部排出，借助其流經(jīng)密封套帶走熱量。然而，密封套與主動轉(zhuǎn)子總成之間縫隙狹窄，加之離心力作用，很難保證冷卻水貼靠密封套流動，冷卻效果不好密封套溫升過高影響使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是設(shè)計(jì)一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，解決頂入式釜用密封磁傳動裝置冷卻效果不好密封套升溫過高影響使用的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置包括與動力源連接的主動轉(zhuǎn)子總成、與輸出軸連接的從動轉(zhuǎn)子總成、機(jī)架、位于主動轉(zhuǎn)子總成和從動轉(zhuǎn)子總成之間的密封套，密封套通過下部法蘭與需要密封的容器密封連接保證容器的密封，機(jī)架通過下部法蘭密封定位在容器上，機(jī)架上部法蘭安裝定位動力源部件，機(jī)架下部低于主動轉(zhuǎn)子總成的位置設(shè)有入水口，機(jī)架上部高于磁體的位置設(shè)有出水口，導(dǎo)磁件上與出水口對應(yīng)位置有若干過水口，在機(jī)架內(nèi)壁下部入水口上方接近主動轉(zhuǎn)子總成下端的位置水平安裝有下遮水板，下遮水板內(nèi)圓與密封套保留距離。工作時冷卻水由入水口進(jìn)入后在下遮水板遮擋下更利于其貼靠密封套由下至上通過然后流經(jīng)過水口從出水口排出。實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)當(dāng)下遮水板內(nèi)圓與密封套的距離等于磁體與密封套的距離時，冷卻效果更佳。
[0006]作為進(jìn)一步改進(jìn)，在機(jī)架內(nèi)壁下部與入水口高度相同的位置安裝有下?lián)跛?，擋水板上端接下遮水板，這樣可以阻礙冷卻水隨上部旋轉(zhuǎn)，減少離心力，從而有利于冷卻水進(jìn)入貼近密封套的狹窄縫隙向上通過。
[0007]作為進(jìn)一步改進(jìn)，在導(dǎo)磁件內(nèi)壁上部接近過水口的位置水平安裝有上遮水板，這是為了增加冷卻水流出阻力從而有利于冷卻水保持貼近密封套增加冷卻效果。
[0008]作為進(jìn)一步改進(jìn)，還可以在導(dǎo)磁件內(nèi)壁的上遮水板下方安裝有上壓水板，壓水板傾斜設(shè)計(jì)，其上部比下部在旋轉(zhuǎn)方向上略靠前些，使得壓水板法向在前進(jìn)方向上指向主動轉(zhuǎn)子總成和密封套之間上部出水縫隙，這樣對貼近密封套通過的冷卻水施加壓力可避免或減少貼近密封套表面出現(xiàn)真空或氣膜的可能，從而提高冷卻效果。
[0009]本發(fā)明的有益效果是解決頂入式釜用密封磁傳動裝置冷卻效果不好密封套升溫過高影響使用的問題
【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步詳細(xì)說明，其中:
[0011 ]圖1是一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2是圖1中局部II的放大圖。
[0013]圖3是圖1中局部I的放大圖。
[0014]圖中，1.機(jī)架;2.主動轉(zhuǎn)子總成;21.磁體;22.導(dǎo)磁件;3.密封套;4.從動轉(zhuǎn)子總成；
5.入水口 ；6.出水口 ；7.上遮水板;8.上壓水板;9.下遮水板;10.下?lián)跛濉?br>【具體實(shí)施方式】
[0015]圖中所示是一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置的一個實(shí)施例。
[0016]在實(shí)施例中，主動轉(zhuǎn)子總成2連接動力源，從動轉(zhuǎn)子總成4連接輸出軸，密封套3通過下部法蘭與需要密封的容器密封連接，機(jī)架1通過下部法蘭密封定位在容器上，機(jī)架1上部法蘭安裝定位動力源部件，機(jī)架1下部低于主動轉(zhuǎn)子總成2的位置設(shè)有入水口 5，機(jī)架1上部高于磁體21的位置設(shè)有出水口 6，導(dǎo)磁件22上與出水口 6對應(yīng)位置圓周均布2個過水口。在機(jī)架1內(nèi)壁下部入水口 5上方接近主動轉(zhuǎn)子總成2下端的位置水平安裝有下遮水板9，其內(nèi)圓與密封套3的距離等于磁體21與密封套3的距離。在機(jī)架1內(nèi)壁下部與入水口 5高度相同的位置安裝有1個下?lián)跛?0，其上端接下遮水板9，擋水板10垂直于機(jī)架1內(nèi)壁向內(nèi)延伸至與下遮水板9平齊。在導(dǎo)磁件22內(nèi)壁上部接近過水口的位置水平安裝有上遮水板7，在導(dǎo)磁件22內(nèi)壁的上遮水板7下方安裝1個上壓水板8，壓水板8為45度傾斜設(shè)計(jì)，上部比下部在旋轉(zhuǎn)方向上靠前，壓水板法向在前進(jìn)方向上指向主動轉(zhuǎn)子總成2和密封套3之間上部出水縫隙。
[0017]需要說明的是本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)專業(yè)技術(shù)為解決所述技術(shù)問題所能預(yù)測到對本實(shí)施例所做的等同替代或明顯變型均在本專利申請保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，包括與動力源連接的主動轉(zhuǎn)子總成(2)、與輸出軸連接的從動轉(zhuǎn)子總成(4)、機(jī)架(1)、位于主動轉(zhuǎn)子總成(2)和從動轉(zhuǎn)子總成(4)之間的密封套(3)，密封套(3)通過下部法蘭與需要密封的容器密封連接保證容器的密封，機(jī)架(1)通過下部法蘭密封定位在容器上，機(jī)架(1)上部法蘭安裝定位動力源部件，機(jī)架(1)下部低于主動轉(zhuǎn)子總成(2)的位置設(shè)有入水口(5)，機(jī)架(1)上部高于磁體(21)的位置設(shè)有出水口(6)，導(dǎo)磁件(22)上與出水口(6)對應(yīng)位置有過水口，其特征在于在機(jī)架(1)內(nèi)壁下部入水口(5)上方接近主動轉(zhuǎn)子總成(2)下端的位置水平安裝有下遮水板(9)，下遮水板(9)內(nèi)圓與密封套(3)保留距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，其特征在于下遮水板(9)內(nèi)圓與密封套(3)的距離等于磁體(21)與密封套(3)的距離。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2之一所述一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，其特征在于在機(jī)架(1)內(nèi)壁下部與入水口(5)高度相同的位置安裝有下?lián)跛?10)，擋水板(10)上端接下遮水板(9) ο4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，其特征在于在導(dǎo)磁件(22)內(nèi)壁上部接近過水口的位置水平安裝有上遮水板(7)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，其特征在于在導(dǎo)磁件(22)內(nèi)壁的上遮水板(7)下方安裝有上壓水板(8)。
【專利摘要】公開了一種冷卻效果好的密封磁傳動裝置，包括與動力源連接的主動轉(zhuǎn)子總成(2)、與輸出軸連接的從動轉(zhuǎn)子總成(4)、機(jī)架(1)、位于主動轉(zhuǎn)子總成(2)和從動轉(zhuǎn)子總成(4)之間的密封套(3)，機(jī)架(1)下部低于主動轉(zhuǎn)子總成(2)的位置設(shè)有入水口(5)，機(jī)架(1)上部高于磁體(21)的位置設(shè)有出水口(6)，導(dǎo)磁件(22)上與出水口(6)對應(yīng)位置有過水口，借助設(shè)置的下遮水板(9)、下?lián)跛?10)等附件，解決頂入式釜用密封磁傳動裝置冷卻效果不好密封套升溫過高影響使用的問題。
【IPC分類】H02K9/19, H02K49/00
【公開號】CN105449979
【申請?zhí)枴緾N201511007809
【發(fā)明人】王洪群, 黃志堅(jiān), 吳亮, 林曉密, 謝明輝, 鄒晨, 周國忠, 虞培清
【申請人】浙江長城減速機(jī)有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年12月24日