峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及一種電路結(jié)構(gòu)，尤其是一種峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，具體地說是用于電流模DC-DC變換器峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，屬于電流模DC-DC變換器的技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]DC-DC變換器根據(jù)所采用的反饋方式可以分為電壓模和電流模兩種類型。其中，電壓反饋控制是開關(guān)電源最基本的一種控制技術(shù)，屬于單環(huán)反饋控制方式。電壓反饋控制只通過一個(gè)電壓反饋信號(hào)實(shí)現(xiàn)整個(gè)電路的負(fù)反饋，整個(gè)控制電路中只有一個(gè)反饋環(huán)路，是一種單環(huán)控制系統(tǒng)。電流控制可以分為平均電流和峰值電流反饋控制，由于平均電流反饋控制電流放大器在開關(guān)頻率處的增益有最大限制，而且雙閉環(huán)放大器帶寬、增益等參數(shù)設(shè)計(jì)調(diào)試復(fù)雜，因此在實(shí)際中很少采用。通常所說的電流反饋控制都是只峰值電流反饋控制。DC-DC變換器中的峰值電流電路能夠避免整個(gè)電路電流過大造成的損壞，但是相應(yīng)峰值電流電路一般會(huì)設(shè)計(jì)一個(gè)固定的峰值電流限制，但一般峰值電流電流限制較整個(gè)電路正常工作時(shí)的最大負(fù)載電流都要大很多。而開關(guān)管導(dǎo)通電阻以及整個(gè)變換器功耗散熱等一般都按照實(shí)際工作負(fù)載電流來考慮。但當(dāng)變換器工作在異常狀況，例如短路時(shí)，會(huì)長時(shí)候保持在最大峰值電流工作，則會(huì)導(dǎo)致變換器的損壞，影響變換器的正常使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本申請(qǐng)的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便，確保變換器的使用安全，降低變換器的使用成本，安全可靠。
[0004]按照本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，所述峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的輸出端與第三MOS管的柵極端相連，第三MOS管的源極端與運(yùn)算放大器的反相端相連后通過第一電阻接地，第三MOS管的漏極端分別與第一 MOS管的漏極端、第一 MOS管的柵極端及第二 MOS管的柵極端相連；第一 MOS管與第二 MOS管的源極端對(duì)應(yīng)相連后與電源IDC相連，電源IDC對(duì)應(yīng)于與第二 MOS管源極端相連的另一端與第二 MOS管的漏極端相連；第二 MOS管的漏極端通過第二電阻接地。
[0005]所述運(yùn)算放大器的同相端為反饋電壓輸入端FB。所述第一 MOS管、第二 MOS管及第三MOS管均為P型MOS管。
[0006]本申請(qǐng)的優(yōu)點(diǎn):運(yùn)算放大器與第三MOS管M3對(duì)應(yīng)相連后形成電壓跟隨器，運(yùn)算放大器的同相端接受負(fù)載反饋電壓VFB，第三MOS管M3的漏極端與第一 MOS管Ml的漏極端、第一 MOS管Ml的柵極端及第二 MOS管M2的柵極端相連，負(fù)載反饋電壓VFB產(chǎn)生的電流Il通過第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2鏡像后得到電流12，并與電源IDC對(duì)應(yīng)配合后產(chǎn)生電壓Vcalmp ;所述電壓Vcalmp與峰值電流電路中的采樣電流呈線性變化關(guān)系，因此通過峰值電流電路輸出電壓與電壓Vcalmp比較后能夠控制PWM比較器輸出的翻轉(zhuǎn)，能夠控制整個(gè)DC-DC變換器的使用狀態(tài)，避免DC-DC變換器驅(qū)動(dòng)負(fù)載長時(shí)間工作于最大峰值電流狀態(tài)，確保DC-DC變換器的使用安全，降低了 DC-DC變換器的使用成本，延長使用壽命，安全可靠。
【附圖說明】
[0007]圖1為本申請(qǐng)的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步說明。
[0009]如圖1所示:為了能夠?qū)Ψ逯惦娏麟娐份敵鲭妷鹤詣?dòng)調(diào)節(jié)，本申請(qǐng)包括運(yùn)算放大器1，所述運(yùn)算放大器I的輸出端與第三MOS管M3的柵極端相連，運(yùn)算放大器I的反相端與第三MOS管M3的源極端相連，運(yùn)算放大器I的同相端形成反饋電壓輸入端FB ;運(yùn)算放大器I與第三MOS管M3連接后形成電壓跟隨器。第三MOS管M3的源極端通過第一電阻Rl接地，第三MOS管M3的漏極端與第一 MOS管Ml的漏極端、第一 MOS管Ml的柵極端及第二MOS管M2的柵極端相連。第一 MOS管Ml的柵極端與第二 MOS管M2的柵極端相連，從而第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2間形成鏡像源。第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2的源極端對(duì)應(yīng)相連，并與電源IDC的一端相連，電源IDC對(duì)應(yīng)于與第二 MOS管M2源極端相連的另一端與第二 MOS管M2的漏極端相連，第二 MOS管M2的漏極端與電源IDC相交于Y點(diǎn)，并通過第二電阻R2接地。第一 MOS管M1、第二 MOS管M2及第三MOS管M3均為P型MOS管。電源IDC可以為電流源或者電壓源。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其特征是:包括運(yùn)算放大器(1)，所述運(yùn)算放大器(I)的輸出端與第三MOS管(M3)的柵極端相連，第三MOS管(M3)的源極端與運(yùn)算放大器(I)的反相端相連后通過第一電阻(Rl)接地，第三MOS管(M3)的漏極端分別與第一 MOS管(Ml)的漏極端、第一 MOS管(Ml)的柵極端及第二 MOS管(M2)的柵極端相連；第一 MOS管(Ml)與第二 MOS管(M2)的源極端對(duì)應(yīng)相連后與電源IDC相連，電源IDC對(duì)應(yīng)于與第二 MOS管(M2)源極端相連的另一端與第二 MOS管(M2)的漏極端相連；第二 MOS管(M2)的漏極端通過第二電阻(R2)接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其特征是:所述運(yùn)算放大器(I)的同相端為反饋電壓輸入端FB。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其特征是:所述第一 MOS管(Ml)、第二 MOS管(M2)及第三MOS管(M3)均為P型MOS管。
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及一種峰值電流電路輸出電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的輸出端與第三MOS管的柵極端相連，第三MOS管的源極端與運(yùn)算放大器的反相端相連后通過第一電阻接地，第三MOS管的漏極端分別與第一MOS管的漏極端、第一MOS管的柵極端及第二MOS管的柵極端相連；第一MOS管與第二MOS管的源極端對(duì)應(yīng)相連后與電源IDC相連，電源IDC對(duì)應(yīng)于與第二MOS管源極端相連的另一端與第二MOS管的漏極端相連；第二MOS管的漏極端通過第二電阻接地。本申請(qǐng)結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便，確保變換器的使用安全，延長變換器的使用壽命，降低變換器的使用成本，安全可靠。
【IPC分類】H02M3/156
【公開號(hào)】CN104993700
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510413777
【發(fā)明人】何利偉
【申請(qǐng)人】南京星霸科技有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請(qǐng)日】2015年7月9日