一種基于移相處理的寬脈沖觸發(fā)式大功率觸發(fā)升壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種升壓電路，具體是指一種基于移相處理的寬脈沖觸發(fā)式大功率觸發(fā)升壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們生活水平和電器產(chǎn)品性能的不斷提高，人們對觸發(fā)升壓電路的要求也越來越高。在生產(chǎn)中人們越來越注重生產(chǎn)效率，很多生產(chǎn)工序都使用機械化。然而由于傳統(tǒng)的觸發(fā)升壓電路的設(shè)計水平不高，不能滿足一些大功率生產(chǎn)設(shè)備的需求，從而影響到生產(chǎn)效率。如何使電路能夠穩(wěn)定的輸出更大的功率，是人們所急需解決的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服傳統(tǒng)觸發(fā)升壓電路不能滿足一些大功率生產(chǎn)設(shè)備需求的缺陷，提供一種基于移相處理的寬脈沖觸發(fā)式大功率觸發(fā)升壓電路。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種基于移相處理的寬脈沖觸發(fā)式大功率觸發(fā)升壓電路，其由整流濾波電路與該整流濾波電路相連接的觸發(fā)電路，與觸發(fā)電路相連接的升壓電路，與升壓電路相連接的移相處理電路，與移相處理電路相連接的兩級低通濾波放大電路，以及設(shè)置在升壓電路和移相處理電路之間的寬脈沖觸發(fā)電路組成。
[0005]進一步的，所述的寬脈沖觸發(fā)電路由三極管VT7，三極管VT8，單向晶閘管D9，場效應(yīng)管M0S1，N極順次經(jīng)二極管D7和二極管D8后與三極管VT7的發(fā)射極相連接、P極則順次經(jīng)二極管D6和電阻R21后與三極管VT7的集電極相連接的穩(wěn)壓二極管D5，一端與穩(wěn)壓二極管D5的N極相連接、另一端則經(jīng)電阻R20后與穩(wěn)壓二極管D5的P極相連接的電位器R19，負(fù)極分別與穩(wěn)壓二極管D5的P極以及升壓電路相連接、正極則與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接的極性電容C17，一端與三極管VT7的基極相連接、另一端則接地的電阻R22，一端與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接、另一端則與單向晶閘管D9的N極相連接的電阻R23，以及一端與單向晶閘管D9的P極相連接、另一端則與移相處理電路相連接的電阻R24組成；所述場效應(yīng)管MOSl的柵極分別與極性電容C17的正極以及三極管VT7的集電極相連接、其漏極則與三極管VT7的基極相連接、而其源極則與單向晶閘管D9的控制極相連接；所述三極管VT8的基極與穩(wěn)壓二極管D5的P極相連接、其集電極則與場效應(yīng)管MOSl的柵極相連接、其發(fā)射極接地；所述電位器R19的滑動端則與穩(wěn)壓二極管D5的N極相連接。
[0006]所述的移相處理電路由移相芯片Ul，三極管VT4，三極管VT3，一端與移相芯片Ul的VCC+管腳相連接、另一端與移相芯片Ul的INl管腳相連接的電阻R10，負(fù)極經(jīng)電阻Rll后與移相芯片Ul的INl管腳相連接、正極與移相芯片Ul的IN2管腳相連接的極性電容C10，正極經(jīng)電阻R9后與移相芯片Ul的NC管腳相連接、負(fù)極與三極管VT3的集電極相連接的極性電容C8，正極與移相芯片Ul的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的極性電容C9，一端與移相芯片Ul的OUT管腳相連接、另一端與三極管VT4的集電極相連接的電位器R8，P極與移相芯片Ul的OFFl管腳相連接、N極與三極管VT3的基極相連接的二極管D3，以及P極與移相芯片Ul的0FF2管腳相連接、N極與三極管VT4的發(fā)射極相連接的二極管D4組成；所述移相芯片Ul的VCC+管腳與升壓電路相連接、VCC-管腳接地、OUT管腳與電位器R8的滑動端相連接，三極管VT3的發(fā)射極與三極管VT4的基極相連接，三極管VT4的集電極經(jīng)電阻R24后與單向晶閘管D9的P極相連接，電容ClO的負(fù)極與兩級低通濾波放大電路相連接。
[0007]所述的整流濾波電路由整流電路和濾波電路組成。所述的整流電路包括:橋式整流器U，熔斷器FU，電阻R1，以及極性電容Cl ;熔斷器FU和電阻Rl分別串接在橋式整流器U的兩個輸入極上、其正極輸出端經(jīng)極性電容Cl后接地、負(fù)極輸出端則與濾波電路輸入端相連。
[0008]所述的濾波電路由三極管VT1，P極經(jīng)電阻R3后與三極管VTl的集電極相連接、N極同時與橋式整流器U的負(fù)極輸出端以及觸發(fā)電路相連接的二極管D1，一端與二極管Dl的N極相連接、另一端與三極管VTI的集電極相連的電阻R2，一端與三極管VTl的基極相連接、另一端與觸發(fā)電路相連接的電感LI，以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極與觸發(fā)電路相連接的同時接地的極性電容C2組成。
[0009]所述的觸發(fā)電路包括:電阻R4，電阻R5，三極管VT2，觸發(fā)芯片K，極性電容C4，電阻R6 ;所述三極管VT2的基極經(jīng)電阻R4后與二極管Dl的N極相連接、集電極經(jīng)電阻R5后同時與二極管Dl的N極以及升壓電路相連接、發(fā)射極與觸發(fā)芯片K的VCCl管腳相連接，三極管VT2的基極與觸發(fā)芯片K的RST管腳相連，極性電容C4的負(fù)極經(jīng)電阻R6后分別與觸發(fā)芯片K的SCLK管腳和X2管腳連接、正極與觸發(fā)芯片K的I/O管腳連接；所述觸發(fā)芯片K的Xl管腳與極性電容C2的負(fù)極相連接、VCC2管腳與升壓電路連接，極性電容C4的負(fù)極還與升壓電路相連接；所述三極管VT2的基極還經(jīng)電感LI后與三極管VTl的基極相連接。
[0010]所述的升壓電路由變壓器Tl，設(shè)置在變壓器Tl原邊的原邊電路，以及設(shè)置在變壓器Tl副邊的副邊電路組成；所述的副邊電路由設(shè)置在變壓器Tl副邊的電感線圈L4，一端與該電感線圈L4的非同名端連接、另一端順次經(jīng)極性電容C5和極性電容C6以及極性電容C7后接地的電阻R7，以及P極與電感線圈L4的非同名端連接、N極與極性電容C5和極性電容C6的連接點相連接的晶閘管D2的組成；所述電感線圈L4的同名端則與極性電容C6和C7的連接點相連接；而移相芯片Ul的VCC+管腳則與電感線圈L4的同名端相連接；所述晶閘管D2的N極還與極性電容C17的負(fù)極相連接。
[0011]所述原邊電路則由串接在變壓器Tl原邊的電感線圈L2和電感線圈L3，以及串接在電感線圈L2同名端和非同名端之間的極性電容C3組成；所述電感線圈L3的同名端分別與觸發(fā)芯片K的VCC2管腳和電感線圈L2的非同名端相連接，其非同名端則與極性電容C4的負(fù)極相連接，而電感線圈L2的同名端則與二極管Dl的N極相連接。
[0012]所述兩級低通濾波放大電路由放大器Pl，放大器P2，三極管VT5，三極管VT6，正極與電容ClO的負(fù)極相連接、負(fù)極接地的極性電容C11，一端與放大器Pl的正相輸入端相連接、另一端與電容Cll的正極相連接的電阻R12，正極經(jīng)電阻R13后與放大器Pl反相輸入端相連接、負(fù)極與極性電容C11的負(fù)極相連接的極性電容C12，負(fù)極與放大器PI的輸出端相連接、正極與放大器Pl的反相輸入端相連接的電容C13，負(fù)極與放大器Pl的輸出端相連接、正極與三極管VT5的基極相連接的極性電容C14，一端與三極管VT5的集電極相連接、另一端與三極管VT6的發(fā)射極相連接的電阻R14，正極經(jīng)電阻R15后與三極管VT6的基極相連接、負(fù)極與極性電容C13的負(fù)極相連接的同時接地的極性電容C15，一端與極性電容C15的正極相連接、另一端與放大器P2的反相輸入端相連接的電阻R16，與電阻R16相并聯(lián)的電阻R17，串接在放大器P2的輸出端和反相輸入端之間的極性電容C16，以及串接在放大器P2的正相輸入端和輸出端之間的電阻R18組成；所述三極管VT5的發(fā)射極與極性電容C13的負(fù)極相連接，三極管VT6的集電極與放大器P2的正相輸入端相連接。
[0013]為了達(dá)到更好的使用效果，所述的移相芯片Ul優(yōu)選為LM741集成芯片，所述的觸發(fā)芯片K則優(yōu)選為DS1302集成芯片來實現(xiàn)。
[0014]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0015](I)本發(fā)明采用移相處理電路，其可以讓電路在輸出大功率的同時還能保證高穩(wěn)定性。
[0016](2)本發(fā)明電路電能損耗小，節(jié)約使用成本。
[0017](3)本發(fā)明采用雙觸發(fā)電路進行驅(qū)動，由此則可以使本發(fā)明的脈沖觸發(fā)范圍更寬，從而可以提高本發(fā)明的負(fù)載力。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖