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一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路的制作方法

文檔序號:8383101閱讀:826來源:國知局
一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]手機(jī)充電功能與手機(jī)的使用安全息息相關(guān),電網(wǎng)電壓波動以及用戶的異常操作可能引起充電器輸出浪涌電壓,如果充電過程中浪涌電壓沖擊手機(jī),將造成安全隱患。
[0003]普通手機(jī)充電器的自調(diào)整能力有限,一般只能調(diào)整30KHz (Kilo hertz,千赫茲)到60KHz頻率的電壓波動,而在實(shí)際使用過程中,某些地區(qū)的電網(wǎng)會發(fā)生電壓波動,或者用戶先將充電器接到手機(jī)上,再將充電器插入插座充電等情況。
[0004]上述情況,都可能引起高于60KHz電壓波動,使手機(jī)充電器失去自調(diào)能力而輸出浪涌電壓,比如充電器插入插座的瞬間,會輸出一個持續(xù)20ns (Nano seconds,納秒)左右,峰峰值(Vpp)為30V的浪涌電壓。浪涌電壓進(jìn)入手機(jī),將對手機(jī)造成沖擊,很可能致使手機(jī)損壞或者導(dǎo)致其它不良后果。
[0005]請參閱圖1,其為常規(guī)手機(jī)的充電電路,其包括充電端口 101、電容C0、M0S管MO、二極管D0、電阻RO和PMU (Power Management,電源管理單元)單元102。充電端口 101的輸出端與PMU單元102的第一輸入端連接,所述電容CO的一端連接PMU單元102的第一輸入端,另一端接地。MOS管MO的源極連接PMU單元102的第一輸入端,柵極連接PMU單元102的輸出端,漏極通過二極管DO與電阻RO連接,電阻RO則與電池連接。并且二極管RO的陰極與PMU單元的第二輸入端連接,電池BO的正極與PMU單元102的第二輸入端連接。
[0006]上述手機(jī)的充電電路中,沒有針對浪涌電壓的保護(hù)電路,一旦發(fā)生浪涌,手機(jī)電源輸入、各控制端口以及電池本身都將受到?jīng)_擊。市場上雖然有OVP(over voltageprotect1n,過壓保護(hù))器件,但其反應(yīng)時間為5us左右,不能對浪涌起到有效保護(hù),而且成本較高。
[0007]因而現(xiàn)有手機(jī)的浪涌保護(hù)技術(shù)還有待改進(jìn)和提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,本發(fā)明的目的在于提供一種手一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,能在手機(jī)充電時能消除充電時產(chǎn)生的浪涌電壓,起到浪涌保護(hù)作用。
[0009]為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案:
[0010]一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,與手機(jī)的充電端口、PMU單元和電池連接,所述浪涌保護(hù)電路包括三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容和第二電容;
[0011]所述第一電阻的一端連接充電端口,第一電阻的另一端連接PMU單元的CHARGERDETECT端、三極管的發(fā)射極和第二電容的一端、也通過第一電容接地;所述第二電容的另一端連接三極管的基極、還通過第二電阻連接PMU單元的PMU CONTROL端,三極管的集電極連接二極管的正極,二極管的負(fù)極連接PMU單元的ISENSE端、還通過第三電阻連接電池的正極和PMU單元的VBAT端,電池的負(fù)極接地。
[0012]所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路中,所述第一電阻的阻值為330Ω,第一電容的容值為IuF0
[0013]所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路中,所述三極管為PNP三極管。
[0014]所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路中,所述第二電阻的阻值為10ΚΩ。
[0015]所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路中,所述第三電阻的阻值為0Ω。
[0016]本發(fā)明提供的一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,在手機(jī)充電時,充電電流從充電端口依次流過第一電阻、三極管、二極管、第一電阻再到電池。這樣手機(jī)充電時通過上述兩級保護(hù)電路的保護(hù),有效保護(hù)了手機(jī)的各個端口和電池。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)手機(jī)的充電電路圖。
[0018]圖2為本發(fā)明手機(jī)充電浪涌保護(hù)電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本發(fā)明提供一種一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確,以下參照附圖并舉實(shí)例對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0020]手機(jī)一包括充電端口 110、PMU單元120、電池BI,請參閱圖2,本發(fā)明的一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路包括:三極管Ql、第一電阻Rl、第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容Cl和第二電容C2。其中,所述PMU單元120包括用于檢測充電器是否插入的CHARGER DETECT端,用于對充電開關(guān)進(jìn)行控制的PMU CONTROL端、用于檢測充電電流的ISENSE端和用于檢測電池輸入電壓的VBAT端。
[0021]所述第一電阻Rl的一端連接充電端口 110,第一電阻Rl的另一端連接PMU單元120的CHARGER DETECT端、三極管Ql的發(fā)射極和第二電容C2的一端、也通過第一電容Cl接地;所述第二電容C2的另一端連接三極管Ql的基極、還通過第二電阻R2連接PMU單元的PMU CONTROL端,三極管Ql的集電極連接二極管Dl的正極,二極管Dl的負(fù)極連接PMU單元的ISENSE端、還通過第三電阻R3連接電池BI的正極和PMU單元的VBAT端,電池BI的負(fù)極接地。
[0022]本實(shí)施例中,所述第一電阻的阻值為330 Ω,第一電容的容值為luF,所述第一電阻和第一電容構(gòu)成低通濾波電路,該低通濾波電路為手機(jī)的第一級保護(hù)電路,主要用于衰減手機(jī)充電時產(chǎn)生的浪涌電壓,從而大幅減少進(jìn)入手機(jī)的浪涌能量。
[0023]具體實(shí)施時,所述三極管Ql為PNP三極管,所述第二電阻R2的阻值為10ΚΩ,所述第三電阻R3的阻值為O Ω。其中,三極管Q1、第二電阻R2、第三電阻R3、二極管D1、第二電容C2構(gòu)成開頭控制電路,當(dāng)加在所述三極管Ql上的電壓仍然存在浪涌能量時,關(guān)斷手機(jī)的充電通路,以達(dá)到保護(hù)后端電路的目的。
[0024]在手機(jī)充電時,該第二電容C2主要用于將浪涌電壓從三極管Ql的集電極耦合到基極,使三極管基極的電壓升高,強(qiáng)制三極管Ql截止,以達(dá)到保護(hù)后端電路的目的。本實(shí)施例中,所述第二電阻R 2主要用于提供三極管Ql的基極的耦合電位,也起到保護(hù)PMU單元120端口的作用。
[0025]在手機(jī)充電時,充電電流從充電端口 110依次流過第一電阻R1、三極管Q1、二極管Dl、第一電阻R2再到電池BI。這樣手機(jī)充電時通過上述兩級保護(hù)電路的保護(hù),有效保護(hù)了手機(jī)的各個端口和電池。
[0026]本發(fā)明只在現(xiàn)有手機(jī)常規(guī)的充電電路上增加了兩個電阻和一個電容,并將MOS管選用電流控制特征的三極管替代,構(gòu)成了一個兩級充電保護(hù)電路,在電路上比較容易實(shí)現(xiàn),而且其成本也比較低。
[0027]可以理解的是,對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變,而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,與手機(jī)的充電端口、PMU單元和電池連接,其特征在于,所述浪涌保護(hù)電路包括三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容和第二電容; 所述第一電阻的一端連接充電端口,第一電阻的另一端連接PMU單元的CHARGERDETECT端、三極管的發(fā)射極和第二電容的一端、也通過第一電容接地;所述第二電容的另一端連接三極管的基極、還通過第二電阻連接PMU單元的PMU CONTROL端,三極管的集電極連接二極管的正極,二極管的負(fù)極連接PMU單元的ISENSE端、還通過第三電阻連接電池的正極和PMU單元的VBAT端,電池的負(fù)極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,其特征在于,所述第一電阻的阻值為330 Ω,第一電容的容值為luF。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,其特征在于,所述三極管為PNP三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,其特征在于,所述第二電阻的阻值為1K Ω 0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,其特征在于,所述第三電阻的阻值為0Ω。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種手機(jī)的浪涌保護(hù)電路,與手機(jī)的充電端口、PMU單元和電池連接,所述浪涌保護(hù)電路包括三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容和第二電容,在手機(jī)充電時,充電電流從充電端口依次流過第一電阻、三極管、二極管、第一電阻再到電池。這樣手機(jī)充電時通過上述兩級保護(hù)電路的保護(hù),有效保護(hù)了手機(jī)的各個端口和電池。
【IPC分類】H02J7-00
【公開號】CN104701946
【申請?zhí)枴緾N201510133362
【發(fā)明人】黎凱華
【申請人】黎凱華
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年3月25日
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