一種mosfet橋電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及通信技術領域，特別涉及一種MOSFET橋電路。
【背景技術】
[0002]目前業(yè)界使用在PoE上的二極管整流橋電路，存在效率低、輸出功率越大發(fā)熱越高的缺點，無法在大功率的ro設備上使用。隨著通信產品的功能越來越多，產品的功耗也跟著越來越大，如PoE+、PoE++等產品的應用。同時，隨著全球氣候變暖，全球降水量重新分配、冰川和凍土消融、海平面上升等，既危害自然生態(tài)系統的平衡，更威脅人類的生存。MOSFET橋的應用可以大大提高效率、節(jié)約能源、降低溫室效應、緩解全球變暖趨勢。目前PoE設備上使用的橋電路主要有兩種:二極管整流橋堆。和以Linear公司為代表的TOBC器件。二極管整流橋堆只能應用在低功耗的產品上，隨著產品功耗的增加效率越低，發(fā)熱量越大，整流橋堆上的功耗為P (W) = 1.4 (V) ^1ut(A) ? TOBC器件價格昂貴，其電路內部使用升壓方式處理，來驅動8個N-channel M0SFET，原理復雜不易實現，難以大規(guī)模量產使用。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、容易實現，能夠降低功耗和減小發(fā)熱量的MOSFET橋電路。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種MOSFET橋電路，包括:電位提取電路、MOS管驅動電路、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管及第二 NMOS管。
[0005]所述電位提取電路設置有正極電源輸入端口、負極電源輸入端口、高電位提取輸出端口及低電位提取輸出端口。
[0006]所述MOS管驅動電路上設置有高電位輸入端口、低電位輸入端口、第一 PMOS管柵極驅動端口、第一 PMOS管源極驅動端口、第二 PMOS管柵極驅動端口、第二 PMOS管源極驅動端口、第一 NMOS管柵極驅動端口、第一 NMOS管源極驅動端口、第二 NMOS管柵極驅動端口及第二 NMOS管源極驅動端口。
[0007]所述高電位提取輸出端口與所述高電位輸入端口連接；所述低電位提取輸出端口與所述低電位輸入端口連接。
[0008]所述第一 PMOS管柵極驅動端口與所述第一 PMOS管的柵極連接；所述第一 PMOS管源極驅動端口與所述第一 PMOS管的源極連接；所述第二 PMOS管柵極驅動端口與所述第二PMOS管的柵極連接；所述第二 PMOS管源極驅動端口與所述第二 PMOS的源極連接；所述第一 NMOS管柵極驅動端口與所述第一 NMOS管的柵極連接；所述第一 NMOS管源極驅動端口與所述第一 NMOS管的源極連接；所述第二 NMOS管柵極驅動端口與所述第二 NMOS管的柵極連接；所述第二 NMOS管源極驅動端口與所述第二 NMOS管的源極連接。
[0009]所述第一 PMOS管的漏極與所述第二 PMOS管的漏極連接形成PoE電源正極輸出端；所述第一 NMOS管的漏極與所述第二 NMOS管的漏極連接形成PoE電源負極輸出端。
[0010]進一步地，還包括:PoE電源正極輸出端口及PoE電源負極輸出端口 ；
[0011]所述PoE電源正極輸出端口與所述PoE電源正極輸出端連接；所述POE電源負極輸出端口與所述PoE電源負極輸出端連接。
[0012]本發(fā)明提供的MOSFET橋電路，當正極電源輸入端口與PoE供電電源的正極連接，負極電源輸入端口與PoE供電電源的負極連接時，第一 PMOS管和第一 NMOS管打開，PoE電源正極輸出端輸出整流后的PoE電源正極，PoE電源負極輸出端輸出整流后的PoE電源負極。當正極電源輸入端口連接PoE供電電源負極，負極電源輸入端口連接PoE供電電源正極時，第二 PMOS管和第二 NMOS管打開，PoE電源正極輸出端輸出整流后的PoE電源負極，PoE電源負極輸出端輸出整流后的PoE電源正極。本發(fā)明提供的MOSFET橋電路具備以下有益效果:
[0013]1、采用四個MOS管形成MOSFET橋，由于MOS管導通壓降小，避免了采用二極管整流橋時產生的功率耗散失，減小了發(fā)熱量及噪聲。
[0014]2、采用四個MOS管形成MOSFET橋，其本身耗散功率低，因此實現了能量的高效轉化，并且工作電流小于1mA。
[0015]3、本發(fā)明提供幾個簡單的輸入輸出端口(分別為正極電源輸入端口、負極電源輸入端口、PoE電源正極輸出端口及PoE電源負極輸出端口)，結構簡單，可以大規(guī)模量產使用。
[0016]4、完全兼容IEEE802.3af/at/PoE+/PoE++等H)設備，通過MOS管等的器件選型，本發(fā)明甚至能兼容更高功率的設備。
[0017]5、能夠同時兼容RJ45兩對和四對線的應用，即當采用RJ45兩對線(線I和線2，線3和線6)進行供電時，使用一組本發(fā)明電路即可輸出整流后的正負電源；當采用RJ45四對線(線I和線2，線3和線6，線4和線5，線7和線8)進行供電時，使用兩組本發(fā)明電路即可輸出整流后的正負電源。
[0018]6、根據器件的耐壓值，本發(fā)明可以支持最大10V的設備，選擇耐壓值較高的器件，本發(fā)明甚至能支持更高需求的電壓?？梢灾С?500V的Surge電壓?？梢栽?25°C，甚至更高的溫度下工作。本發(fā)明僅采用2個PMOS和2個NM0S，成本低，采用分壓降壓方式驅動MOS管更可靠。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明實施例提供的MOSFET橋電路結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種MOSFET橋電路，包括:電位提取電路3、M0S管驅動電路4、第一 PMOS管5、第二 PMOS管6、第一 NMOS管7及第二 NMOS管8。
[0021]如圖1所示，電位提取電路3設置有正極電源輸入端口 1、負極電源輸入端口 2、高電位提取輸出端口 11及低電位提取輸出端口 12。
[0022]如圖1所示，MOS管驅動電路4上設置有高電位輸入端口 13、低電位輸入端口 14、第一 PMOS管柵極驅動端口 15、第一 PMOS管源極驅動端口 16、第二 PMOS管柵極驅動端口17、第二 PMOS管源極驅動端口 18、第一 NMOS管柵極驅動端口 19、第一 NMOS管源極驅動端口 20、第二 NMOS管柵極驅動端口 21及第二 NMOS管源極驅動端口 22。
[0023]如圖1所示，高電位提取輸出