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三相平衡式單可控硅整流調(diào)壓電路的制作方法

文檔序號:111034閱讀:1982來源:國知局
專利名稱:三相平衡式單可控硅整流調(diào)壓電路的制作方法
本發(fā)明屬于將三相交流電力轉(zhuǎn)變?yōu)榭煽氐闹绷麟娏Φ碾娏煽卣髡{(diào)壓電路。
適用于一般負(fù)載下的三相平衡可控電力變換的可控整流調(diào)壓電路,都至少采用三個(gè)或三個(gè)以上的可控硅元件。
1982年5月公開在中國科學(xué)院“電子科學(xué)”學(xué)刊上的“三相平衡式單可控硅充電電路”,它的基本電路的主回路是由三只整流二極管和一只可控硅及蓄電池組成,其聯(lián)接方法如下三只整流二極管的陽極分別與三相交流電源或三相變壓器次級繞組三個(gè)端頭相連,其陰極共同與可控硅陽極相聯(lián),可控硅的陰極作為此電路的輸出端與蓄電池相連,由于該電路是采用蓄電池的電勢關(guān)斷可控硅,因此它不能用于一般的電阻、電感、電容負(fù)載,而只能局限于蓄電池充電領(lǐng)域。
本發(fā)明的目的在于從整流電路本身取得可控硅的關(guān)斷電壓,使得三相單可控硅調(diào)壓電路既可以適用于蓄電池充電電路,也適用于阻性、感性、容性負(fù)載。
本發(fā)明通過從由電力整流變壓器的二個(gè)次級繞組中的一個(gè)與三個(gè)整流二極管組成的三相半波整流回路取出三相半波整流電壓,接到可控硅的陰極(或陽極),作為可控硅的關(guān)斷電壓來實(shí)現(xiàn)前述目的。
本發(fā)明的主電路包含有一組初級三相輸入繞組,二組次級三相繞組的三相電力整流變壓器,六個(gè)整流二極管,一個(gè)可控硅和負(fù)載等。一組次級繞組的三相出線頭分別與三個(gè)整流二極管陽極(或陰極)相聯(lián),這三個(gè)整流二極管的陰極(或陽極)共同與可控硅陽極(或陰極)相聯(lián),可控硅陰極(或陽極)與負(fù)載相聯(lián),另外一組次級繞組的三相出線頭也分別與三個(gè)整流二極管陽極(或陽極)相聯(lián),這三個(gè)整流二極管的陰極(或陽極)共同與可控硅陰極(或陽極)相聯(lián)。
電力整流變壓器的次級的兩組繞組相位相反,且兩組繞組的輸出電壓之比為二分之一至二之間。
二個(gè)次級繞組與六個(gè)整流二極管分別組成二極三相半波整流回路,其中一組三相半波整流回路通過可控硅向負(fù)載提供負(fù)載電流,另一組三相半波整流回路的作用則是向可控硅提供關(guān)斷電壓。
本發(fā)明的基本電路由以下的實(shí)施例及附圖給出。
圖1示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電路(觸發(fā)電路部分未畫出)。
圖2示出了圖1所示電路的次級繞組(2)和(3)的三相半波整流輸出直流脈動(dòng)電壓波形。
圖3示出了圖1所示電路在可控硅導(dǎo)通角大于最大導(dǎo)通角一半時(shí)的負(fù)載電壓波形。
圖4示出了圖1所示電路在可控硅導(dǎo)通角小于最大導(dǎo)通角一半時(shí)的負(fù)載電壓波形。
下面結(jié)合依據(jù)本發(fā)明的基本電路的具體聯(lián)接方法及工作原理。
圖1示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,它僅示出了與本發(fā)明有關(guān)的主回路,這個(gè)回路包含有一組初級三相輸入繞組(1),二組相位相反的次級三相繞組(2)和(3)的三相電力整流變壓器,六個(gè)整流二極管(4)、(5)、(6)、(7)、(8)、(9),一個(gè)可控硅(10),一個(gè)續(xù)流二(11)及負(fù)載(12)組成。
三相初級繞組(1)與三相交流電源聯(lián)接,次級二組三相繞組(2)和(3)的六個(gè)出線頭連接在一起作為該調(diào)壓電路的第一個(gè)輸出端。該二組三相繞組(2)和(3)被設(shè)計(jì)成相位相反,幅值之比為二分之一至二之間。另外六個(gè)出線頭分別與六個(gè)整流二極管(4)、(5)、(6)、(7)、(8)、(9)相連。從而分別組成二組三相半波整流回路。其中次級繞組(2)的三相出線頭分別與三個(gè)整流二極管(4)、(5)、(6)的陽極相連,這三個(gè)整流二極管的陰極共同與可控硅(10)陽極相連,可控硅(10)陰極作為該調(diào)壓電路的第二個(gè)輸出端。次級繞組(3)的三相出線頭分別與三個(gè)整流二極管(7)、(8)、(9)陽極相連,整流二極管(7)、(8)、(9)的陰極共同與可控硅(10)的陰極相連,該三相半波整流輸出電壓作為可控硅(10)的關(guān)斷電壓。續(xù)流二極管(11)和負(fù)載(12)連接在第一和第二兩個(gè)輸出端之間。
該電路工作情況如下串接在次級繞組(2)的三相半波整流回路中的可控硅(10)在任何一相觸發(fā)導(dǎo)通之后,繞組(3)的三相半波整流回路電壓在等于或小于三分之二π周期內(nèi)都能使可控硅(10)的陰陽二極之間的電壓過零或承受反向電壓而關(guān)斷,從而實(shí)現(xiàn)使用一只可控硅就可輪換控制三相整流輸出電壓。
這個(gè)發(fā)明不只是限于上述的實(shí)施例,而在本發(fā)明的范圍內(nèi),本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以想出許多變體的可行方案。
權(quán)利要求
1.一種三相平衡式單可控硅整流調(diào)壓電路主電路,包含有一組初級三相輸入繞組,二組次級三相繞組的三相電力整流變壓器,六個(gè)整流二極管,一個(gè)可控硅和負(fù)載等。一組次級繞組的三相出線頭分別與三個(gè)整流二極管陽極(或陰極)相聯(lián),這三個(gè)整流二極管的陰極(或陽極)共同與可控硅陽極(或陰極)相聯(lián),可控硅陰極(或陽極)與負(fù)載相聯(lián)。其特征在于另外一組次級繞組的三相出線頭也分別與三個(gè)整流二極管陽極(或陰極)相聯(lián),這三個(gè)整流二極管的陰極(或陽極)共同與可控硅陰極(或陽極)相聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的三相平衡式單可控硅整流調(diào)壓電路,其特征在于次級兩組三相繞組相位相反,且兩組繞組的輸出電壓之比為二分之一至二之間。
專利摘要
一種三相平衡式單可控硅整流調(diào)壓電路。包含有一組初級三相輸入繞組和二組次級三相繞組的三相電力整流變壓器,六個(gè)整流二極管,一個(gè)可控硅和負(fù)載等。它僅使用一只可控硅就實(shí)現(xiàn)了三相交流電力轉(zhuǎn)變?yōu)榭烧{(diào)直流電的任務(wù),從而減少了可控硅的數(shù)量,降低耐壓要求,簡化觸發(fā)電路,增高三相同步水準(zhǔn)??梢杂糜谧栊?、感性及容性負(fù)載。
文檔編號H02M7/155GK87102544SQ87102544
公開日1988年10月19日 申請日期1987年4月4日
發(fā)明者龔秋聲 申請人:航空工業(yè)部南昌飛機(jī)制造公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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