專利名稱：可控硅過零觸發(fā)調(diào)功器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可控硅應(yīng)用技術(shù)，特別涉及到一種可控硅過零觸發(fā)調(diào)功器。
現(xiàn)有可控硅調(diào)功器以改變可控硅在設(shè)定周期內(nèi)的導(dǎo)通周波數(shù)來調(diào)節(jié)負(fù)載功率，其輸出為間隔的正弦波群。在設(shè)定周期內(nèi)功率波動(dòng)大。輸出功率調(diào)小時(shí)，出現(xiàn)波動(dòng)，不夠穩(wěn)定。
本實(shí)用新型用于調(diào)節(jié)單相或三相電阻性負(fù)載功率。取代傳統(tǒng)調(diào)壓器用于調(diào)節(jié)電爐、烘箱、注塑機(jī)加熱裝置的功率。負(fù)載功率0～100％線性可調(diào)，輸出功率穩(wěn)定。
過零觸發(fā)調(diào)功器由振蕩器、記憶電路、過零檢測(cè)電路、觸發(fā)控制電路及可控硅組成。交流電源頻率為f，振蕩器可輸出0～2f信號(hào)。每一振蕩周期、記憶電路置位一次。過零檢測(cè)電路在電源電壓過零時(shí)發(fā)出信號(hào)。觸發(fā)控制電路在電源電壓過零且記憶電路置位即向可控硅送觸發(fā)脈沖并清記憶電路?？煽毓鑼?dǎo)通，負(fù)載得到一個(gè)完整的半波電壓。負(fù)載得到的電壓半波數(shù)與振蕩周期數(shù)相對(duì)應(yīng)。負(fù)載上得到間隔均勻的電壓半波序列。負(fù)載功率0～100％線性可調(diào)，輸出功率穩(wěn)定。
附圖－1，單相過零觸發(fā)調(diào)功器電路圖。
附圖－2，三相過零觸發(fā)調(diào)功器電路圖。
附圖－3，單相過零觸發(fā)調(diào)功器電路圖。
實(shí)施例1單相過零觸發(fā)調(diào)功器，參見附

圖1，線性電位器W，三極管T1，T2，T3，R3，R4，C2組成一脈沖蕩器。振蕩頻率可從0H2線性調(diào)至100Hz。脈沖振蕩器輸出數(shù)十微秒正脈沖，通過D8向C3充電。當(dāng)交流電壓過零時(shí)，C3上電荷經(jīng)T4，D5，R2放電。由于T4，T5構(gòu)成正反饋，迅速飽和導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖經(jīng)脈沖變壓器至雙向可控硅控制極，負(fù)載得到一個(gè)完整半波電壓。R1，C4，R5組成一個(gè)阻容移相網(wǎng)絡(luò)，提供一個(gè)很小的相位移，觸發(fā)脈沖延遲數(shù)百微秒發(fā)出，保證雙向可控硅可靠導(dǎo)通，每一振蕩周期負(fù)載上得到一個(gè)完整半波電壓。
實(shí)施例2三相過零觸發(fā)調(diào)功器。參見附圖2。
振蕩器由T1，T2，T3等組成。輸出的正脈沖同時(shí)對(duì)電容C5，C6，C7充電。每相設(shè)有過零檢測(cè)電路，記憶電路，和觸發(fā)控制電路，如A相電壓過零，C5上電荷經(jīng)T4，R2放電，T4，T5構(gòu)成正反饋，迅速飽和導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖經(jīng)變壓器至雙向可控硅控制極。每一振蕩周期各相負(fù)載得到一個(gè)完整半波電壓。每個(gè)過零檢測(cè)電路設(shè)有阻容移相網(wǎng)絡(luò)，提供一個(gè)很小相移，保證雙向可控硅可靠導(dǎo)通。
實(shí)施例3單相過零觸發(fā)調(diào)功器。參見附圖3。
振蕩器、過零檢測(cè)電路與例1類似。IC1，IC2為D觸發(fā)器，連成移位寄存器。振蕩器輸出脈沖上升沿使IC1輸出端變高。過零檢測(cè)信號(hào)上升沿又使IC2輸出變高。IC1復(fù)位，T3管導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖送至控制極。雙向可控硅導(dǎo)通。R5，C2組成延時(shí)網(wǎng)絡(luò)，數(shù)百微秒后IC2復(fù)位。每一振蕩周期負(fù)載得到一個(gè)完整半波電壓。
本實(shí)用新型適用于溫度控制器，作為功率放大環(huán)節(jié)，具有線性輸入輸出特性，滯后小。
權(quán)利要求1.可控硅過零觸發(fā)調(diào)功器由過零觸發(fā)線路，占空比可調(diào)振蕩器和可控硅組成，改變可控硅在設(shè)定周期內(nèi)的導(dǎo)通周波數(shù)來調(diào)節(jié)輸出功率，其輸出為間隔出現(xiàn)的正弦波群，本實(shí)用新型的特征是可控硅過零觸發(fā)調(diào)功器，由頻率可調(diào)振蕩器，記憶電路，過零檢測(cè)電路，觸發(fā)控制電路及可控硅組成；每振蕩一次，記憶電路置位一次，觸發(fā)控制電路的交流電壓過零且記憶電路置位時(shí)，清記憶電路，向可控硅發(fā)觸發(fā)脈沖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)功器，其特征是過零檢測(cè)電路設(shè)有移相網(wǎng)絡(luò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)功器，其特征是記憶電路由電容器或觸發(fā)器構(gòu)成。
專利摘要可控硅過零觸發(fā)調(diào)功器，用于調(diào)節(jié)單相或三相電爐、烘箱、注塑機(jī)加熱裝置的功率。調(diào)功器由振蕩器、記憶電路、過零檢測(cè)電路、觸發(fā)控制電路及可控硅組成。每一振周期負(fù)載得到一個(gè)完整半波電壓。本實(shí)用新型電路簡(jiǎn)單，無射頻干擾，功率因數(shù)為1。能0—100％無級(jí)平滑調(diào)節(jié)負(fù)載功率，功率穩(wěn)定，無抖動(dòng)，無射頻干擾，單相調(diào)功器控制電路功耗＜0.5W。
文檔編號(hào)H02M5/257GK2042257SQ8820893
公開日1989年8月2日 申請(qǐng)日期1988年7月25日 優(yōu)先權(quán)日1988年7月25日
發(fā)明者蔣俊華 申請(qǐng)人:蔣俊華