技術(shù)總結(jié)
一種基于小電容的單相靜止無功發(fā)生器電路拓?fù)洌↖GBT晶體管T1~T4、直流電容XC,IGBT晶體管T1~T4分別反向并聯(lián)有二極管D1~D4。IGBT晶體管T1與IGBT晶體管T2串聯(lián),構(gòu)成第一橋臂,串聯(lián)的連接點(diǎn)為a;IGBT晶體管T3與IGBT晶體管T4串聯(lián),構(gòu)成第二橋臂,串聯(lián)的連接點(diǎn)為b。第一橋臂、第二橋臂分別與直流電容XC并聯(lián);連接點(diǎn)a、連接點(diǎn)b分別與單向電網(wǎng)的火線L和零線N相連,連接點(diǎn)a與火線L之間連接有限流電抗器XL。本實(shí)用新型一種基于小電容的單相靜止無功發(fā)生器電路拓?fù)?,包括電路結(jié)構(gòu)和控制方式,它采用IGBT控制且易擴(kuò)展,能夠補(bǔ)充三相STATCOM在補(bǔ)償容量方面的不足,并能達(dá)到優(yōu)化無功控制效果的目的。
技術(shù)研發(fā)人員:魏業(yè)文;劉國(guó)特;王輝;程江洲;黃悅?cè)A
受保護(hù)的技術(shù)使用者:三峽大學(xué)
文檔號(hào)碼:201620736219
技術(shù)研發(fā)日:2016.07.13
技術(shù)公布日:2016.12.14