技術(shù)總結(jié)
一種基于小電容的單相靜止無功發(fā)生器電路拓?fù)洌↖GBT晶體管T1～T4、直流電容XC，IGBT晶體管T1～T4分別反向并聯(lián)有二極管D1～D4。IGBT晶體管T1與IGBT晶體管T2串聯(lián)，構(gòu)成第一橋臂，串聯(lián)的連接點(diǎn)為a；IGBT晶體管T3與IGBT晶體管T4串聯(lián)，構(gòu)成第二橋臂，串聯(lián)的連接點(diǎn)為b。第一橋臂、第二橋臂分別與直流電容XC并聯(lián)；連接點(diǎn)a、連接點(diǎn)b分別與單向電網(wǎng)的火線L和零線N相連，連接點(diǎn)a與火線L之間連接有限流電抗器XL。本實(shí)用新型一種基于小電容的單相靜止無功發(fā)生器電路拓?fù)?，包括電路結(jié)構(gòu)和控制方式，它采用IGBT控制且易擴(kuò)展，能夠補(bǔ)充三相STATCOM在補(bǔ)償容量方面的不足，并能達(dá)到優(yōu)化無功控制效果的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：魏業(yè)文;劉國(guó)特;王輝;程江洲;黃悅?cè)A
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三峽大學(xué)
文檔號(hào)碼：201620736219
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.13
技術(shù)公布日：2016.12.14