本發(fā)明屬于電力電子領(lǐng)域，更具體地，涉及一種降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是由MOSFET(絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)管，輸入級(jí))和BJT晶體管(雙極型三極管，輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，是中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件，廣泛應(yīng)用于變頻器、照明電路、開關(guān)電源等領(lǐng)域。

IGBT驅(qū)動(dòng)是位于主電路和控制電路之間，用來(lái)對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行處理的中間電路，它的輸入端接入控制電路的控制信號(hào)，而輸出端連接到IGBT柵極。通過(guò)內(nèi)置的一系列電路實(shí)現(xiàn)對(duì)控制信號(hào)的隔離傳輸、電平調(diào)整和功率放大，使得控制電路可對(duì)IGBT的開通和關(guān)斷進(jìn)行控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的各類功能。

驅(qū)動(dòng)電路是連接控制電路和IGBT器件的橋梁，由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合，要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力，所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離。此外，IGBT驅(qū)動(dòng)電路還與IGBT的可靠性緊密相關(guān)，優(yōu)質(zhì)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路能優(yōu)化IGBT開關(guān)特性，減少關(guān)斷時(shí)間和損耗，提高系統(tǒng)效率。常規(guī)的IGBT開環(huán)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)改變柵極電阻Rg的方式控制柵極驅(qū)動(dòng)電流Ig：當(dāng)Rg較小時(shí)，柵極電流較大，此時(shí)IGBT器件的關(guān)斷速度較快，但是由于寄生電感的存在，直流母線上會(huì)產(chǎn)生較大的電壓過(guò)沖現(xiàn)象，嚴(yán)重的可能造成器件的損毀。而當(dāng)Rg較大時(shí)，柵極電流較小，此時(shí)IGBT器件的關(guān)斷速度較慢，關(guān)斷的時(shí)間較長(zhǎng)，根據(jù)IGBT關(guān)斷時(shí)期的波形圖可知在IGBT器件上的電壓和電流交疊時(shí)間也隨之增加，這會(huì)導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗和電磁干擾(EMI)，提高系統(tǒng)整體的功耗，造成發(fā)熱等不良效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中IGBT關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的關(guān)斷損耗和電磁干擾的問(wèn)題。

本發(fā)明提供了一種降低開關(guān)損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路，包括：檢測(cè)模塊，電流驅(qū)動(dòng)模塊，比較模塊和邏輯控制模塊；所述邏輯控制模塊的輸入端用于連接外部的脈寬調(diào)制信號(hào)和數(shù)字位選信號(hào)，所述邏輯控制模塊的反饋端連接所述比較模塊的輸出端，所述電流驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端連接至所述邏輯控制模塊的輸出端，所述電流驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端用于連接IGBT器件的控制端，所述檢測(cè)模塊的輸入端用于連接至IGBT器件的輸出端，所述檢測(cè)模塊的輸出端連接至所述比較模塊的輸入端。

其中，工作時(shí)，邏輯控制模塊從外部接入脈寬調(diào)制信號(hào)控制電流驅(qū)動(dòng)模塊的開關(guān)，進(jìn)而控制IGBT器件的開啟和關(guān)斷；通過(guò)檢測(cè)模塊實(shí)時(shí)采樣IGBT關(guān)斷過(guò)程中的電壓微分值，通過(guò)比較模塊將采集的電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓進(jìn)行比較，輸出控制信號(hào)至邏輯控制模塊；邏輯控制模塊同時(shí)可以輸入數(shù)字位選信號(hào)，兩個(gè)信號(hào)經(jīng)邏輯控制模塊處理后共同控制電流驅(qū)動(dòng)模塊的工作狀態(tài)；電流驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)邏輯控制模塊的輸出在IGBT關(guān)斷過(guò)程中提供大小可控的驅(qū)動(dòng)電流。

本發(fā)明通過(guò)采樣電壓微分值信號(hào)與參考數(shù)值進(jìn)行比較，進(jìn)而控制電流驅(qū)動(dòng)模塊的開啟和關(guān)閉數(shù)目，可用于降低IGBT器件的關(guān)斷功率損耗，避免因關(guān)斷導(dǎo)致的電流電壓過(guò)沖燒毀器件，與常規(guī)的開環(huán)模式IGBT驅(qū)動(dòng)方案不同的是，本方案使用電壓微分值作為反饋量，保證整體反饋回路的低延遲(<20ns)，實(shí)現(xiàn)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)閉環(huán)控制，可以精確控制驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓和電流，在不增大IGBT關(guān)斷過(guò)沖電壓的同時(shí)加快關(guān)斷速度，信號(hào)延遲較小，可保證IGBT器件在短暫的關(guān)斷時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)模塊的反饋回路正常工作。本發(fā)明適用性較強(qiáng)，可驅(qū)動(dòng)多種電力電子開關(guān)器件。

更進(jìn)一步地，所述檢測(cè)模塊包括：電阻R和電容C；電容C的一端作為所述檢測(cè)模塊的輸入端，所述電容C的另一端作為所述檢測(cè)模塊的輸出端，所述電阻R的一端連接至所述電容C的另一端，所述電阻R的另一端接地。

更進(jìn)一步地，當(dāng)比較模塊的輸入電壓微分值大于預(yù)設(shè)的電壓參考值時(shí)，比較模塊輸出使能信號(hào)至邏輯控制模塊觸發(fā)反饋，由邏輯控制模塊對(duì)電流驅(qū)動(dòng)的輸出電流進(jìn)行控制，減小反向驅(qū)動(dòng)電流的大小以達(dá)到控制電壓過(guò)沖的目的。

更進(jìn)一步地，預(yù)設(shè)的電壓參考值在0～Vdd之間，通常為Vdd/2，Vdd為電源電壓。

更進(jìn)一步地，所述電流驅(qū)動(dòng)模塊包括：n個(gè)正向充電電流單元和m個(gè)反向放電電流單元，正向充電電流單元用于為IGBT柵極提供正向充電電流；反向放電電流單元用于為IGBT柵極提供反向放電電流；m、n均為正整數(shù)，且m小于n。

更進(jìn)一步地，所述電流驅(qū)動(dòng)模塊包括：n個(gè)反向放電電流驅(qū)動(dòng)單元，用于為IGBT柵極提供反向放電電流；n為正整數(shù)。

本發(fā)明還提供了一種降低開關(guān)損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)方法，包括下述步驟：

(1)實(shí)時(shí)采集IGBT關(guān)斷過(guò)程中的電壓微分值；

(2)將采集的電壓微分值與預(yù)設(shè)的參考電壓進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果輸出；

(3)將比較結(jié)果與數(shù)字位選信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算后控制電流驅(qū)動(dòng)模塊的工作狀態(tài)，并在IGBT關(guān)斷過(guò)程中提供大小可控的驅(qū)動(dòng)電流。

在本發(fā)明中，將IGBT器件關(guān)斷過(guò)程分為三個(gè)階段進(jìn)行控制：第一個(gè)階段使用大柵極電流(電流驅(qū)動(dòng)滿載電流的70％以上)加快IGBT器件的關(guān)斷速度。第二階段兩方案則略有不同，當(dāng)檢測(cè)到電壓微分值超過(guò)比較模塊所設(shè)定的參考值時(shí)，對(duì)于方案一，邏輯控制模塊將控制電流驅(qū)動(dòng)模塊開啟a個(gè)正向電流驅(qū)動(dòng)單元(其中a≤n，由數(shù)字位選信號(hào)控制)，降低電壓過(guò)充的尖峰，根據(jù)設(shè)定的數(shù)字位選信號(hào)不同輸入的充電電流也不同，甚至可能在短時(shí)間內(nèi)對(duì)器件柵極進(jìn)行充電，因此n要比m大；對(duì)于方案二，邏輯控制模塊將控制電流驅(qū)動(dòng)模塊關(guān)閉a個(gè)電流驅(qū)動(dòng)單元，減緩器件的關(guān)斷。第三階段，當(dāng)檢測(cè)到的電壓微分值小于預(yù)設(shè)參考值時(shí)，經(jīng)過(guò)一段反饋回路固有延遲之后電壓尖峰已過(guò)，關(guān)閉正向電流驅(qū)動(dòng)單元，繼續(xù)使用大電流進(jìn)行放電，從而加快關(guān)斷速度，減小開關(guān)損耗。

更進(jìn)一步地，當(dāng)電壓微分值大于預(yù)設(shè)參考值時(shí)，比較器輸出的使能信號(hào)使得邏輯控制模塊開啟正向充電電流驅(qū)動(dòng)單元來(lái)減小IGBT器件柵極的放電電流，減緩IGBT器件兩端電壓上升的趨勢(shì)，降低電壓過(guò)沖；當(dāng)電壓微分值再次小于預(yù)設(shè)參考值時(shí)，反饋回路關(guān)閉，此時(shí)正向驅(qū)動(dòng)電流模塊也隨之關(guān)閉，器件繼續(xù)使用大電流放電，實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷。

更進(jìn)一步地，預(yù)設(shè)的電壓參考值在0～電源電壓(Vdd)之間，通?？稍O(shè)為Vdd/2，設(shè)定得越小反饋進(jìn)入得越早，設(shè)定的越大反饋進(jìn)入得越晚。

在本發(fā)明中，設(shè)計(jì)各個(gè)模塊的時(shí)，通過(guò)挑選芯片代工廠制程工藝庫(kù)中給出的溝道寬長(zhǎng)小的晶體管(不同工藝庫(kù)的晶體管參數(shù)不同)，并對(duì)電路延時(shí)進(jìn)行了仿真模擬，在可實(shí)現(xiàn)電路功能的同時(shí)嚴(yán)格控制整個(gè)反饋回路的延遲在20ns以下。

通過(guò)本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于引入了反饋控制，能夠在不增大電壓過(guò)沖的同時(shí)增快器件關(guān)斷速度，減少器件關(guān)斷損耗?？傮w延遲低于20ns，確保整體反饋回路可在短暫的IGBT器件關(guān)斷過(guò)程中生效。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路的原理框圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中電壓微分值檢測(cè)模塊的具體電路圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中電流驅(qū)動(dòng)模塊的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中電流驅(qū)動(dòng)模塊的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中比較模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中邏輯控制和保護(hù)模塊的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中邏輯控制和保護(hù)模塊的另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的降低關(guān)閉損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路中理論工作波形示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

為了解決傳統(tǒng)開環(huán)驅(qū)動(dòng)電路無(wú)法同時(shí)兼顧關(guān)斷損耗和關(guān)斷時(shí)電壓過(guò)沖的問(wèn)題，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一套閉環(huán)控制的IGBT驅(qū)動(dòng)方案，通過(guò)實(shí)時(shí)采樣IGBT器件的電壓微分值，再經(jīng)控制模塊對(duì)柵極電流驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行閉環(huán)控制。本發(fā)明提供的降低開關(guān)損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路，可在IGBT關(guān)斷動(dòng)態(tài)過(guò)程中對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電流的控制實(shí)現(xiàn)降低關(guān)斷損耗的目的。

本發(fā)明提供的降低開關(guān)損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路包括：檢測(cè)模塊，電流驅(qū)動(dòng)模塊，比較模塊和邏輯控制模塊；邏輯控制模塊的輸入端用于連接外部的脈寬調(diào)制信號(hào)和數(shù)字位選信號(hào)，邏輯控制模塊的反饋端連接比較模塊的輸出端，電流驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端連接至邏輯控制模塊的輸出端，電流驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端用于連接IGBT器件的控制端，檢測(cè)模塊的輸入端用于連接至IGBT器件的輸出端，檢測(cè)模塊的輸出端連接至比較模塊的輸入端。

邏輯控制模塊從外部接入脈寬調(diào)制信號(hào)(PWM)控制電流驅(qū)動(dòng)模塊的開關(guān)，進(jìn)而控制IGBT器件的開啟和關(guān)斷；使用檢測(cè)模塊實(shí)時(shí)采樣IGBT關(guān)斷過(guò)程中的電壓微分值，通過(guò)比較模塊將采集的電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓進(jìn)行比較，輸出控制信號(hào)至邏輯控制模塊。邏輯控制模塊同時(shí)可以輸入數(shù)字位選信號(hào)，兩個(gè)信號(hào)經(jīng)邏輯控制模塊處理后共同控制電流驅(qū)動(dòng)模塊的工作狀態(tài)。電流驅(qū)動(dòng)模塊則可根據(jù)邏輯控制模塊的輸出在IGBT關(guān)斷過(guò)程中提供大小可控的驅(qū)動(dòng)電流。

在本發(fā)明實(shí)施例中，檢測(cè)模塊包括：電阻R和電容C，電容C的一端作為檢測(cè)模塊的輸入端連接至IGBT器件的漏極，電容C的另一端作為檢測(cè)模塊的輸出端，電阻R的一端連接至電容C的另一端，電阻R的另一端接地。電阻R上的電壓數(shù)值即為IGBT器件的電壓微分值。

在本發(fā)明實(shí)施例中，比較模塊在輸入的電壓微分值大于預(yù)設(shè)的電壓參考值時(shí)則輸出使能(enable)信號(hào)至邏輯控制模塊觸發(fā)反饋，由邏輯控制模塊對(duì)電流驅(qū)動(dòng)的輸出電流進(jìn)行控制，減小反向驅(qū)動(dòng)電流的大小以達(dá)到控制電壓過(guò)沖的目的。而當(dāng)采集的電壓小于預(yù)設(shè)的參考電壓時(shí)，比較模塊輸出禁用(disable)信號(hào)至邏輯控制模塊不觸發(fā)反饋，使電流驅(qū)動(dòng)模塊繼續(xù)輸出反向驅(qū)動(dòng)大電流(IGBT器件最大容許電流的70％以上)。比較模塊預(yù)設(shè)參考值可根據(jù)控制的需要進(jìn)行調(diào)整，其值在0～電源電壓(Vdd)之間，通?？稍O(shè)為Vdd/2，設(shè)定得越小反饋觸發(fā)的越早，設(shè)定的越大反饋觸發(fā)的越晚。

在本發(fā)明實(shí)施例中，電流驅(qū)動(dòng)模塊包括：n個(gè)相同的正向充電電流單元和m個(gè)相同的反向放電電流單元，m、n均為正整數(shù)，且n大于m；每個(gè)電流驅(qū)動(dòng)單元為IGBT柵極提供的100mA的正向充電或反向放電電流，且均受邏輯控制模塊的控制。

在本發(fā)明實(shí)施例中，一個(gè)電流驅(qū)動(dòng)單元由MOS管構(gòu)成，MOS管柵極為控制的輸入端而MOS管的飽和電流I_Dsat即是電流驅(qū)動(dòng)單元提供的電流。

而作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，電流驅(qū)動(dòng)模塊包括：n個(gè)相同的反向放電電流驅(qū)動(dòng)單元。

在本發(fā)明實(shí)施例中，邏輯控制模塊設(shè)置有與電流驅(qū)動(dòng)模塊對(duì)應(yīng)的n+m或者n個(gè)輸出端口，分別控制每個(gè)電流驅(qū)動(dòng)單元的工作狀態(tài)，數(shù)字位選信號(hào)控制反饋生效時(shí)開啟或關(guān)閉的電流單元的數(shù)目，進(jìn)而改變反饋時(shí)改變電流的大小。例如若數(shù)字位選信號(hào)的二進(jìn)制數(shù)表示十進(jìn)制的10則反饋生效時(shí)控制10個(gè)電流單元開啟或關(guān)閉。

在本發(fā)明實(shí)施例中，以上所述的各個(gè)模塊都選用工藝庫(kù)中溝道短而窄的晶體管以實(shí)現(xiàn)整體反饋回路的低延時(shí)(工藝庫(kù)由芯片代工廠提供)，使反饋回路的延時(shí)控制在20ns以下，以實(shí)現(xiàn)在IGBT短暫的關(guān)斷時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。

為了更進(jìn)一步的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的降低開關(guān)損耗的IGBT器件驅(qū)動(dòng)電路，下面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明：

圖1為本發(fā)明的原理框圖，包括：檢測(cè)模塊，比較模塊，邏輯控制模塊和電流驅(qū)動(dòng)模塊；檢測(cè)模塊實(shí)時(shí)檢測(cè)IGBT器件的電壓變化獲得電壓微分值，并將其輸入比較模塊中與預(yù)設(shè)的參考值進(jìn)行比較。當(dāng)器件關(guān)斷時(shí)，由于寄生電感等因素，IGBT兩端的電壓會(huì)迅速上升，此時(shí)電壓微分值也會(huì)相應(yīng)的上升，當(dāng)檢測(cè)到的電壓微分值大于比較模塊的預(yù)設(shè)參考值時(shí)，比較模塊就會(huì)向邏輯控制模塊輸出控制信號(hào)，激活反饋回路，而邏輯控制模塊根據(jù)數(shù)字位選信號(hào)和比較模塊的控制信號(hào)控制電流驅(qū)動(dòng)減小柵極放電電流。而當(dāng)器件的電壓微分值小于參考值時(shí)則反饋回路不開啟。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例體用的檢測(cè)模塊的具體電路圖，檢測(cè)模塊包括：電阻R和電容C，電容C的一端作為檢測(cè)模塊的輸入端連接至IGBT器件的漏極，電容C的另一端作為檢測(cè)模塊的輸出端，電阻R的一端連接至電容C的另一端，電阻R的另一端接地。電阻R上的電壓數(shù)值即為IGBT器件的電壓微分值。

圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例(方案一)提供的電流驅(qū)動(dòng)模塊結(jié)構(gòu)圖，電流驅(qū)動(dòng)模塊分為n個(gè)正向充電電流驅(qū)動(dòng)單元和m個(gè)反向放電電流驅(qū)動(dòng)單元，接受邏輯控制模塊的控制。在第一階段，只開啟反向放電電流驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行大電流放電。第二階段，當(dāng)電壓微分值大于預(yù)設(shè)參考值時(shí)，邏輯控制模塊將接受到比較器輸出的使能(enable)信號(hào)，此時(shí)邏輯控制模塊將開啟正向充電電流驅(qū)動(dòng)單元減小柵極放電電流，減緩器件兩端電壓上升的趨勢(shì)，降低電壓過(guò)沖。若電壓上升很快，甚至需要對(duì)柵極進(jìn)行短時(shí)間充電，因此正向充電電流驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)目n應(yīng)比反向放電電流驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)目m要多。第三階段，當(dāng)電壓微分值再次小于比較模塊的預(yù)設(shè)參考值時(shí)，反饋回路關(guān)閉，此時(shí)正向驅(qū)動(dòng)電流模塊也隨之關(guān)閉，器件繼續(xù)使用大電流放電，實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷。

圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例(方案二)提供的電流驅(qū)動(dòng)模塊結(jié)構(gòu)圖，與方案一不同之處在于它省略了正向充電電流驅(qū)動(dòng)單元，在關(guān)斷過(guò)程的第二階段只靠關(guān)閉部分反向放電電流驅(qū)動(dòng)單元減緩器件關(guān)斷時(shí)器件兩端的電壓上升。與方案一相比，方案二的結(jié)構(gòu)更精簡(jiǎn)，控制也更簡(jiǎn)單，但當(dāng)電壓過(guò)沖很大時(shí)方案二無(wú)法通過(guò)對(duì)柵極充電抑制過(guò)沖，因此方案二適用性不如方案一。

圖5為本發(fā)明的比較模塊結(jié)構(gòu)圖，當(dāng)輸入的電壓微分值大于預(yù)設(shè)電壓參考值時(shí)輸出使能(enable)信號(hào)至邏輯控制模塊，否則輸出禁用(disable)信號(hào)。

圖6為本發(fā)明方案一的邏輯控制模塊示意圖，共有3組輸入n+m個(gè)輸出，每個(gè)輸出端口都連接一個(gè)電流驅(qū)動(dòng)單元，實(shí)現(xiàn)柵極電流的精確控制。

圖7為本發(fā)明方案二的邏輯控制模塊示意圖，共有3組輸入n個(gè)輸出。

圖8為本發(fā)明的理論工作波形圖，由于第一階段采用大電流放電，因此器件兩端的電壓比常規(guī)的驅(qū)動(dòng)方案上升更快，而在第二階段開啟正向電流驅(qū)動(dòng)單元減小放電電流，可使電壓過(guò)沖不大于傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方案。在第三階段繼續(xù)采用大電流放電，使器件迅速關(guān)斷。可以看到，采用本方案驅(qū)動(dòng)的IGBT器件在過(guò)沖電壓不增加的情況下減小了關(guān)斷時(shí)間和損耗，解決了以往二者不能同時(shí)兼顧的問(wèn)題。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。