帶線損補(bǔ)償?shù)膁c-dc轉(zhuǎn)換器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶線損補(bǔ)償?shù)腄C-DC轉(zhuǎn)換器，包括控制電路和濾波電路、反饋電路、線損補(bǔ)償電路；輸入電壓經(jīng)過控制電路和濾波電路后產(chǎn)生芯片端輸出電壓，經(jīng)過線損電阻后產(chǎn)生負(fù)載端輸出電壓為負(fù)載端供電；芯片端輸出電壓經(jīng)過反饋電阻和補(bǔ)償電阻反饋給控制電路；線損補(bǔ)償電路通過檢測控制電路中的誤差放大器輸出端的電壓得到負(fù)載電流，從補(bǔ)償電阻的反饋端口抽取同負(fù)載電流成比例的補(bǔ)償電流，對負(fù)載端輸出電壓的線損壓降進(jìn)行補(bǔ)償。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)線性的線損補(bǔ)償，補(bǔ)償電壓可與損耗電壓完全一致，使輸出電壓不隨負(fù)載電流變化，保持恒定；補(bǔ)償值可由外接電阻靈活設(shè)定，可應(yīng)用于不同線損電阻的系統(tǒng)。
【專利說明】帶線損補(bǔ)償?shù)腄C-DC轉(zhuǎn)換器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電壓轉(zhuǎn)換器中輸出電壓的線損補(bǔ)償技術(shù)，尤其是一種帶線損補(bǔ)償功能 的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
【背景技術(shù)】
[0002] 如圖1所示，電壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓是通過控制環(huán)路使反饋電壓FB與內(nèi)部基準(zhǔn)電 壓Vkef相等實(shí)現(xiàn)，DC-DC芯片的輸出電壓為：
【權(quán)利要求】
1. 一種帶線損補(bǔ)償?shù)腄C-DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括控制電路和濾波電路、反饋電 路、線損補(bǔ)償電路；輸入電壓經(jīng)過所述控制電路和濾波電路后產(chǎn)生芯片端輸出電壓，所述芯 片端輸出電壓經(jīng)過線損電阻后產(chǎn)生負(fù)載端輸出電壓，所述負(fù)載端輸出電壓為負(fù)載端供電； 同時所述芯片端輸出電壓經(jīng)過反饋電路的反饋電阻和線損補(bǔ)償電路的補(bǔ)償電阻反饋給控 制電路；所述線損補(bǔ)償電路通過檢測控制電路中的誤差放大器輸出端的電壓得到負(fù)載電 流，并從所述補(bǔ)償電阻的反饋端口抽取一個同所述負(fù)載電流成比例的補(bǔ)償電流，補(bǔ)償給控 制電路，對負(fù)載端輸出電壓的線損壓降進(jìn)行補(bǔ)償。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述帶線損補(bǔ)償?shù)腄C-DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述線損補(bǔ)償電路包 括運(yùn)算放大器，運(yùn)算放大器的同向輸入端連接誤差放大器的輸出端電壓，運(yùn)算放大器的反 向輸入端與第一 NMOS管的源極相連，運(yùn)算放大器的輸出端與第一 NMOS管的柵極相連； 第一 PMOS管和第二PMOS管的柵極相連，第二NMOS管和第三NMOS管的柵極相連，第 四NMOS管和第五NMOS管的柵極相連；第一 PMOS管的柵極和漏極相連，第二NMOS管的柵極 和漏極相連，第四NMOS管的柵極和漏極相連；第一 NMOS管、第一 PMOS管的漏極相連，第三 NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管的漏極相連； 第一 PMOS管、第二PMOS管的源極接電源電壓；第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS 管、第五NMOS管的源極接地；第一 NMOS管的源極連接第二電阻后接地； 第一 NMOS管的漏極連接直流電流IDC2 ;第二NMOS管的漏極連接直流電流Isl()p2 ;第五 NMOS管的漏極連接第三電阻后連接所述補(bǔ)償電阻的反饋端口。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述帶線損補(bǔ)償?shù)腄C-DC轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述直流電流Isl()p2與所述控制電路產(chǎn)生的斜坡補(bǔ)償電流Isl()p相等；所述直流電流IDC2與所述控制電路產(chǎn)生的 固定直流電流IDC之比為：IDC :IDC2 = n :1 ;所述第二電阻與所述控制電路中連接在斜坡補(bǔ) 償電流Isl()p輸出端的下拉的第一電阻的電阻類型相同，且第一電阻和第二電阻的阻值之比 為：R1 :R2 = 1 :n ;所述第二NMOS管和第三NMOS管的寬長比之比為：(W/L)2 :(W/L)3 = n : 1 ;所述第四NMOS管和第五NMOS管的寬長比之比為：(W/L)4 : (W/L)5 = 1 :m。
【文檔編號】H02M3/156GK104393759SQ201410765990
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月11日
【發(fā)明者】朱波, 曾紅霞, 范建林, 史訓(xùn)南, 徐義強(qiáng) 申請人:無錫新硅微電子有限公司