一種u盤端口的保護電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種U盤端口的保護電路，它包括接口電路，所述的接口電路上連接有保護電路，所述的保護電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過電阻R1連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管D1的陰極上，所述的二極管D1的陽極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過壓保護電路。其優(yōu)點是：在U盤的接口電路上連接有保護電路，對U盤進行過流和過壓保護，避免電壓過大或電流過大對U盤內(nèi)部的電子元件造成破壞，提高資料存儲的安全性。
【專利說明】—種U盤端口的保護電路
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及U盤端口的保護領域，更具體的說是涉及一種U盤端口的保護電路?！颈尘凹夹g】
[0002]U盤是一種使用USB接口的無需物理驅(qū)動器的微型高容量移動存儲產(chǎn)品，通過USB接口直接與電腦相連，即插即用。由于它有高容量，便攜，即插即用等優(yōu)點，其使用十分普遍。人們使用U盤存儲文件，在使用過程中，U盤的安全性十分重要。U盤內(nèi)部包括主控芯片、電阻FLASH芯片等電子元件，在插拔的過程中很容易遭受破壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種U盤端口的保護電路，其在U盤的接口電路上連接有保護電路，對U盤進行過流和過壓保護，避免電壓過大或電流過大對U盤內(nèi)部的電子元件造成破壞，提高資料存儲的安全性。
[0004]為解決上述的技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案:
一種U盤端口的保護電路，它包括接口電路，所述的接口電路上連接有保護電路，所述的保護電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過電阻Rl連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管Dl的陰極上，所述的二極管Dl的陽極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過壓保護電路。
[0005]更進一步的技術方案是:
作為優(yōu)選，所述的過壓保護電路包括二極管D3和可控硅VS，所述的三極管的發(fā)射極上通過電阻R3與內(nèi)部電路相連，所述的三極管的發(fā)射極連接在二極管D3的陰極上，所述的二極管D3的陽極與可控硅VS的陰極之間連接有電阻R5，所述的可控硅VS的控制級通過電阻R4連接在二極管D3的陽極上，所述的可控硅VS的陽極連接在內(nèi)部電路上。
[0006]進一步的，所述的電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻。
[0007]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明的三極管及其外圍電路其限流作用，避免電流過大對U盤內(nèi)部電路造成破壞，二極管和可控硅及外圍電路起限壓作用，避免電壓過大對U盤內(nèi)部電路造成破壞，該電路連接在U盤的接口電路上，使得其具有過流和過壓保護功能，對U盤內(nèi)部的資料安全進行保護。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0009]圖1為本發(fā)明的保護電路的電路原理圖?！揪唧w實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。本發(fā)明的實施方式包括但不限于下列實施例。
[0011][實施例]
如圖1所示的一種U盤端口的保護電路，它包括接口電路，所述的接口電路上連接有保護電路，所述的保護電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過電阻Rl連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管Dl的陰極上，所述的二極管Dl的陽極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過壓保護電路。在本發(fā)明中，三極管及其外圍電路構成過壓保護電路，電阻R2起過流檢測作用，使得電阻R2兩端的電壓，即允許流過電阻R2的最大電流和電阻R2的乘積為三極管基極和發(fā)射極之間的電壓，二極管Dl始終處于導通狀態(tài)，當電流大于最大電流時，三極管基極和發(fā)射極之間的電壓大于導通值，三極管飽和導通，三極管發(fā)射極和集電極之間的電壓下降，使二極管Dl截止，從而起到過流保護作用。在三極管的發(fā)射極上連接過壓保護電路，使得該電路即起到過流保護作用又具有過壓保護作用，對U盤內(nèi)部的電子元件進行保護，以增強U盤的安全性。
[0012]所述的過壓保護電路包括二極管D3和可控硅VS，所述的三極管的發(fā)射極上通過電阻R3與內(nèi)部電路相連，所述的三極管的發(fā)射極連接在二極管D3的陰極上，所述的二極管D3的陽極與可控硅VS的陰極之間連接有電阻R5，所述的可控硅VS的控制級通過電阻R4連接在二極管D3的陽極上，所述的可控硅VS的陽極連接在內(nèi)部電路上。過壓保護電路包括二極管D3、可控硅VS，二極管D3起穩(wěn)壓作用，當電壓超過穩(wěn)壓值時，二極管D3擊穿導通，輸出電壓被切斷，起到過壓保護作用。
[0013]為了提高對電路的精度，所述的電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻。電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻，可增強其匹配性，使得對電壓電流檢測的精度高。
[0014]如上所述即為本發(fā)明的實施例。本發(fā)明不局限于上述實施方式，任何人應該得知在本發(fā)明的啟示下做出的結(jié)構變化，凡是與本發(fā)明具有相同或相近的技術方案，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種U盤端口的保護電路，它包括接口電路，其特征在于:所述的接口電路上連接有保護電路，所述的保護電路包括三極管，所述的三極管的集電極通過電阻Rl連接在接口電路上，所述的三極管的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R2，所述的三極管的集電極連接在二極管D2的陽極上，所述的二極管的陰極與三極管的發(fā)射極相連；所述的三極管的基極連接在二極管Dl的陰極上，所述的二極管Dl的陽極與接口電路相連，所述的三極管的發(fā)射極上連接有過壓保護電路。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種U盤端口的保護電路，其特征在于:所述的過壓保護電路包括二極管D3和可控硅VS，所述的三極管的發(fā)射極上通過電阻R3與內(nèi)部電路相連，所述的三極管的發(fā)射極連接在二極管D3的陰極上，所述的二極管D3的陽極與可控硅VS的陰極之間連接有電阻R5，所述的可控硅VS的控制級通過電阻R4連接在二極管D3的陽極上，所述的可控硅VS的陽極連接在內(nèi)部電路上。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種U盤端口的保護電路，其特征在于:所述的電阻R2、電阻R3、電阻R5均為多晶硅電阻。
【文檔編號】H02H9/00GK103730886SQ201310587225
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月21日 優(yōu)先權日:2013年11月21日
【發(fā)明者】黃友華 申請人:成都市宏山科技有限公司