一種igbt的保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種IGBT的保護(hù)電路。包括電壓比較器以及光電耦合器Ⅰ，所述電壓比較器的反向輸入端分別經(jīng)電阻Ⅰ連接于IGBT門極、經(jīng)二極管連接于IGBT集電極、經(jīng)電容Ⅱ接地，所述電壓比較器的同向輸入端經(jīng)電阻Ⅵ連接于基準(zhǔn)電壓，電壓比較器的輸出端分別經(jīng)相互串聯(lián)的二極管以及電阻Ⅴ連接于電壓比較器的同向輸入端、經(jīng)電阻Ⅱ連接于電源、經(jīng)電容Ⅰ接地，電源經(jīng)電阻Ⅲ以及電壓比較器的輸出端分別連接于光電耦合器Ⅰ的發(fā)光二極管端，所述光電耦合器Ⅰ的光敏三極管的集電極連接于電源其發(fā)射極連接于IGBT驅(qū)動(dòng)電路。當(dāng)IGBT異常時(shí)快速關(guān)斷IGBT而不通過電源主控板，有效避免了IGBT的損壞，提高了電源的可靠性。
【專利說明】—種IGBT的保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種電源保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在電源產(chǎn)品中，IGBT作為核心部件之一，如果損壞將導(dǎo)致整個(gè)電源無法工作。原來檢測(cè)到IGBT異常時(shí)將信號(hào)傳給控制板，再由控制板處理，環(huán)節(jié)較多，處理速度慢，由于IGBT比較脆弱，發(fā)生異常IOus內(nèi)不及時(shí)關(guān)斷很容易炸管，經(jīng)常發(fā)生控制板還沒來得及處理，但是IGBT已經(jīng)損壞的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明為了克服以上技術(shù)的不足，提供了一種當(dāng)IGBT異常時(shí)快速關(guān)斷IGBT而不通過控制板的IGBT的保護(hù)電路。
[0004]本發(fā)明克服其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
本IGBT的保護(hù)電路，包括電壓比較器以及光電耦合器I，所述電壓比較器的反向輸入端分別經(jīng)電阻I連接于IGBT門極、經(jīng)二極管連接于IGBT集電極、經(jīng)電容II接地，所述電壓比較器的同向輸入端經(jīng)電阻VI連接于基準(zhǔn)電壓，電壓比較器的輸出端分別經(jīng)相互串聯(lián)的二極管以及電阻V連接于電壓比較器的同向輸入端、經(jīng)電阻II連接于電源、經(jīng)電容I接地，電源經(jīng)電阻III以及電壓比較器的輸出端分別連接于光電耦合器I的發(fā)光二極管端，所述光電耦合器I的光敏三極管的集電極連接于電源其發(fā)射極連接于IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)當(dāng)IGBT異常時(shí)將信號(hào)回饋至電源主控板，還包括光電耦合器II，電源經(jīng)電阻IV以及電壓比較器的輸出端經(jīng)二極管分別連接于光電耦合器II的發(fā)光二極管端，所述光電耦合器II的光敏三極管的集電極連接于電源主控板其發(fā)射極連接于電源主控板GND端。
[0006]本發(fā)明的有益效果是:當(dāng)IGBT門極為高電平，IGBT因異常導(dǎo)致壓降過大時(shí)，電壓比較器的反相輸入端電壓高于同相輸入端，輸出端輸出低電平，光電I禹合器I導(dǎo)通，直接關(guān)斷了來自IGBT驅(qū)動(dòng)電路的PWM信號(hào)，從而在IGBT損壞之前就停止了 IGBT的工作。因此當(dāng)IGBT異常時(shí)快速關(guān)斷IGBT而不通過電源主控板，有效避免了 IGBT的損壞，提高了電源的可靠性。
[0007]
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
圖中，1.二極管2.電阻I 3.電壓比較器4.電阻II 5.電阻III 6.光電耦合器I
7.光電耦合器II 8.電阻IV 9.電阻V 10.電容I 11.電容II12.電阻VI。
【具體實(shí)施方式】[0009]下面結(jié)合附圖1對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0010]本IGBT的保護(hù)電路，包括電壓比較器3以及光電耦合器I 6，所述電壓比較器3 的反向輸入端分別經(jīng)電阻I 2連接于IGBT門極、經(jīng)二極管I連接于IGBT集電極、經(jīng)電容II 11接地，所述電壓比較器3的同向輸入端經(jīng)電阻VI 12連接于基準(zhǔn)電壓，電壓比較器3的輸 出端分別經(jīng)相互串聯(lián)的二極管I以及電阻V 9連接于電壓比較器3的同向輸入端、經(jīng)電阻 II 4連接于電源、經(jīng)電容I 10接地，電源經(jīng)電阻III 5以及電壓比較器3的輸出端分別連接 于光電稱合器I 6的發(fā)光二極管端,所述光電稱合器I 6的光敏三極管的集電極連接于 電源其發(fā)射極連接于IGBT驅(qū)動(dòng)電路。電路中“VREF”基準(zhǔn)電壓略高于IGBT的導(dǎo)通壓降。當(dāng) IGBT門極為低電平時(shí)，電壓比較器3的反相輸入端低于同相輸入端,其輸出端輸出高電平, 光電耦合器I 6不導(dǎo)通，對(duì)電路沒有任何影響。當(dāng)IGBT門極為高電平時(shí)，IGBT導(dǎo)通，IGBT 集電極C為低電平，電壓比較器3的反相輸入端也低于同相輸入端,輸出端輸出高電平,光 電耦合器I 6不導(dǎo)通，對(duì)電路也沒有任何影響。當(dāng)IGBT門極為高電平，IGBT因異常導(dǎo)致壓 降過大時(shí)，電壓比較器3的反相輸入端電壓高于同相輸入端,輸出端輸出低電平,光電I禹合 器I 6導(dǎo)通，直接關(guān)斷了來自IGBT驅(qū)動(dòng)電路的PWM信號(hào)，該動(dòng)作3us左右就能完成，從而在 IGBT損壞之前就停止了 IGBT的工作。因此當(dāng)IGBT異常時(shí)快速關(guān)斷IGBT而不通過電源主 控板，就像中樞神經(jīng)控制的條件反射，有效避免了 IGBT的損壞，提高了電源的可靠性。
[0011]還包括光電耦合器II 7，電源經(jīng)電阻IV 8以及電壓比較器3的輸出端經(jīng)二極管I 分別連接于光電耦合器II 7的發(fā)光二極管端，所述光電耦合器II 7的光敏三極管的集電 極連接于電源主控板其發(fā)射極連接于電源主控板GND端。IGBT因異常導(dǎo)致壓降過大時(shí)，電 壓比較器3的反相輸入端電壓高于同相輸入端，輸出端輸出低電平，光電I禹合器II 7導(dǎo)通， 將保護(hù)信號(hào)送至電源主控板做進(jìn)一步處理。
【權(quán)利要求】
1.一種IGBT的保護(hù)電路，其特征在于:包括電壓比較器(3)以及光電耦合器I (6)，所 述電壓比較器(3)的反向輸入端分別經(jīng)電阻I (2)連接于IGBT門極、經(jīng)二極管(I)連接于 IGBT集電極、經(jīng)電容II (11)接地，所述電壓比較器(3)的同向輸入端經(jīng)電阻VK12)連接于 基準(zhǔn)電壓，電壓比較器(3)的輸出端分別經(jīng)相互串聯(lián)的二極管(I)以及電阻V (9)連接于電 壓比較器(3 )的同向輸入端、經(jīng)電阻II (4 )連接于電源、經(jīng)電容I (10 )接地，電源經(jīng)電阻III(5)以及電壓比較器(3)的輸出端分別連接于光電耦合器I (6)的發(fā)光二極管端，所述光電 耦合器I (6)的光敏三極管的集電極連接于電源其發(fā)射極連接于IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT的保護(hù)電路，其特征在于:還包括光電耦合器II(7)，電 源經(jīng)電阻IV(S)以及電壓比較器(3)的輸出端經(jīng)二極管(I)分別連接于光電耦合器II (7) 的發(fā)光二極管端，所述光電耦合器II (7)的光敏三極管的集電極連接于電源主控板其發(fā)射 極連接于電源主控板GND端。
【文檔編號(hào)】H02H7/20GK103500989SQ201310471866
【公開日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2013年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月11日
【發(fā)明者】王昌燁, 朱海波 申請(qǐng)人:濟(jì)南諾頓科技有限公司