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高壓固態(tài)軟起動(dòng)器的制作方法

文檔序號(hào):7476628閱讀:222來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:高壓固態(tài)軟起動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及ー種軟起動(dòng)器,具體地說(shuō)是ー種高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,屬于軟起動(dòng)器領(lǐng)域。
背景技術(shù)
軟起動(dòng)器是ー種集電機(jī)軟起動(dòng)、軟停車、輕載節(jié)能和多種保護(hù)功能于一體的新穎電機(jī)控制裝置,國(guó)外稱為Soft Starter。運(yùn)用串接于電源與被控電機(jī)之間的軟起動(dòng)器,控制其內(nèi)部晶閘管的導(dǎo)通角,使電機(jī)輸入電壓從零以預(yù)設(shè)函數(shù)關(guān)系逐漸上升,直至起動(dòng)結(jié)束,賦予電機(jī)全電壓,即為軟起動(dòng),在軟起動(dòng)過程中,電機(jī)起動(dòng)轉(zhuǎn)矩逐漸增加,轉(zhuǎn)速也逐漸增加。高壓軟起動(dòng)器是集控制、光電、電カ電子、高壓技術(shù)等為一體的高技術(shù)產(chǎn)品。當(dāng)前我國(guó)經(jīng)濟(jì)已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)新的發(fā)展階段,大型企業(yè)和大型裝備越來(lái)越多,大·型電機(jī)(5000kff 60000kW)的應(yīng)用越來(lái)越多,大型電機(jī)的起動(dòng)方法也越來(lái)越受到人們的重視。然而,目前的高壓固態(tài)軟起動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格昂貴,體積龐大,一般企業(yè)很難接受,從而使應(yīng)用范圍受到了一定的影響。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述問題,本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了ー種高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)単,采用高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,可以降低起動(dòng)電流,采用較小的供電電網(wǎng),提高用電設(shè)備容量/供電設(shè)備容量的比例,從而節(jié)約總投資和節(jié)約運(yùn)行電耗,成本低,容易被一般消費(fèi)者接受,使用范圍廣。本實(shí)用新型的技術(shù)方案為ー種高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,包括斷路器和軟起動(dòng)柜;所述的軟起動(dòng)柜包括依次相連的網(wǎng)側(cè)真空接觸器、可控硅高壓組件、觸發(fā)電路和低壓控制組件,所述的可控硅高壓組件并聯(lián)有旁路真空接觸器。所述的可控硅高壓組件連接有RC吸收網(wǎng)絡(luò)。所述的斷路器與網(wǎng)側(cè)真空接觸器的進(jìn)線端相連。所述的低壓控制組件設(shè)有微處理器CPU。軟起動(dòng)器使電機(jī)起動(dòng)完畢后,驅(qū)動(dòng)真空旁路接觸器使其閉合。RC吸收網(wǎng)絡(luò)提供瞬間電壓保護(hù)電路,以減少dv/dt沖擊電壓。防止可控硅元件的損壞。觸發(fā)電路提供強(qiáng)觸發(fā)脈沖保證可控硅動(dòng)態(tài)均壓。微處理器CPU是高壓軟起動(dòng)器的核心部件。這個(gè)微處理器控制系統(tǒng)可以對(duì)電機(jī)進(jìn)行起動(dòng)和保護(hù)。CPU對(duì)可控硅進(jìn)行相位角觸發(fā)控制以降低加在電機(jī)上的電壓,使電機(jī)上的電壓和電流平滑的提高電機(jī)的轉(zhuǎn)矩,直到電機(jī)加速到全速運(yùn)行狀態(tài)。這種起動(dòng)方式可以降低電機(jī)的起動(dòng)沖擊電流,減少對(duì)電網(wǎng)和電機(jī)自身的沖擊。同時(shí)也減少對(duì)連在電機(jī)上負(fù)載裝置的機(jī)械沖擊,以延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命,減少故障和停機(jī)。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在干該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,采用高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,可以降低起動(dòng)電流,采用較小的供電電網(wǎng),提高用電設(shè)備容量/供電設(shè)備容量的比例,從而節(jié)約總投資和節(jié)約運(yùn)行電耗,成本低,容易被一般消費(fèi)者接受,使用范圍廣。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步說(shuō)明。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明,應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
實(shí)施例I如圖I所示,ー種高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,包括斷路器和軟起動(dòng)柜;所述的軟起動(dòng)柜包括依次相連的網(wǎng)側(cè)真空接觸器、可控硅高壓組件、觸發(fā)電路和低壓控制組件,所述的可控硅高壓組件并聯(lián)有旁路真空接觸器,所述的可控硅高壓組件還連接有RC吸收網(wǎng)絡(luò)。所述的斷路器與網(wǎng)側(cè)真空接觸器的進(jìn)線端相連。所述的低壓控制組件設(shè)有微處理器CPU。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,其特征在于包括斷路器和軟起動(dòng)柜;所述的軟起動(dòng)柜包括依次相連的網(wǎng)側(cè)真空接觸器、可控硅高壓組件、觸發(fā)電路和低壓控制組件,所述的可控硅高壓組件并聯(lián)有旁路真空接觸器。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,其特征在于所述的可控硅高壓組件連接有RC吸收網(wǎng)絡(luò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,其特征在于所述的斷路器與網(wǎng)側(cè)真空接觸器的進(jìn)線端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,其特征在于所述的低壓控制組件設(shè)有微處理器CPU。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,包括斷路器和軟起動(dòng)柜;所述的軟起動(dòng)柜包括依次相連的網(wǎng)側(cè)真空接觸器、可控硅高壓組件、觸發(fā)電路和低壓控制組件,所述的可控硅高壓組件并聯(lián)有旁路真空接觸器;本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,采用高壓固態(tài)軟起動(dòng)器,可以降低起動(dòng)電流,采用較小的供電電網(wǎng),提高用電設(shè)備容量/供電設(shè)備容量的比例,從而節(jié)約總投資和節(jié)約運(yùn)行電耗,成本低,容易被一般消費(fèi)者接受,使用范圍廣。
文檔編號(hào)H02P1/28GK202503462SQ201220158389
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月16日
發(fā)明者梁長(zhǎng)安 申請(qǐng)人:濰坊長(zhǎng)源電力電子有限公司
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