專利名稱：一種主回路電解電容倒扣電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電氣設(shè)備的保護(hù)電路，尤其是一種主回路電解電容倒扣電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模塊以其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于變頻器、交流電機(jī)、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域，尤其是在變 頻器的驅(qū)動(dòng)控制上。眾所周知，變頻器中的IGBT模塊在開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)由于尖峰電壓的產(chǎn)生，會(huì)對(duì)變頻器內(nèi)有耐壓要求的相關(guān)器件，包括壽命、損壞率及控制電路的供電電源穩(wěn)定性造成很大影響，而尖峰電壓與主回路的線電感，特別是主回路的電解電容與IGBT模塊P、N端的線電感的大小有密切關(guān)系；因此，變頻器內(nèi)部器件的連接方式構(gòu)成了影響線路電感大小的重要因素之一，從而影響了 IGBT模塊的穩(wěn)定性；另外，采用額外增加成本的方式來(lái)減小線路電感，更會(huì)增加產(chǎn)品成本費(fèi)用，不具有較強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)性和實(shí)效性。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種簡(jiǎn)單、基于抑制尖峰電壓的主回路電解電容倒扣電路。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種主回路電解電容倒扣電路，它包括主回路電解電容、IGBT模塊，所述的主回路電解電容的P端和N端分別連接IGBT模塊的P端和N端，所述的主回路電解電容倒扣在IGBT模塊上端的連接銅材上。優(yōu)選地，所述的連接線材包括電解電容的電連接銅板、IGBT模塊的電連接銅板、IGBT模塊的電連接銅管。優(yōu)選地，所述的電解電容的電連接銅板緊湊的靠近IGBT模塊的P端和N端。優(yōu)選地，所述的電解電容的電連接銅板連接于IGBT模塊的電連接銅板。優(yōu)選地，所述的IGBT模塊的電連接銅板嵌入連接IGBT模塊的電連接銅管。優(yōu)選地，所述的IGBT模塊的電連接銅管連接IGBT模塊。由于選用了上述方案，本實(shí)用新型的主回路電解電容倒扣電路將主回路電解電容倒扣在IGBT模塊上端的的連接銅材上，并緊湊的靠近IGBT模塊的P端和N端，縮小了整個(gè)電路有效回路的面積，使得主回路電解電容與IGBT模塊之間連接線線長(zhǎng)減小，從而減小了其間的線電感，以達(dá)到抑制IGBT模塊在開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓的目的，避免大的過(guò)電壓沖擊及由此引發(fā)的其他問(wèn)題；另外，連接方式簡(jiǎn)單可靠，在保證設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上有效的減少了產(chǎn)品的成本費(fèi)用。

[0012]圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本 實(shí)用新型實(shí)施例的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖I和圖2所示，本實(shí)施例的主回路電解電容倒扣電路，它包括主回路電解電容I和IGBT模塊2，所述的主回路電解電容I上的電容P端3和N端4分別倒扣在電容的P端3連接的銅板5和N端4連接的銅板6上，所述的電容的P端3連接銅板5和N端4連接銅板6分別連接P極保險(xiǎn)7和N極保險(xiǎn)8，所述的P極保險(xiǎn)7和N極保險(xiǎn)8分別連接IGBT模塊2的P端13接銅板9和N端14接銅板10，所述的P端13接銅板9和N端14接銅板10分別嵌入連接P端13接銅管11和N端14接銅管12，所述P端13接銅管11和N端14接銅管12分別連接IGBT模塊2上的P端13和N端14。為縮小整個(gè)電路有效回路的面積和線路長(zhǎng)度，所述的電解電容I設(shè)置在IGBT模塊2的上端，并緊湊的靠近IGBT模塊2上的P端13和N端14，使得電解電容I上的電容P端3和N端4到IGBT模塊2上的P端13和N端14的線長(zhǎng)減小，從而達(dá)到減小電解電容I的電容P端3和N端4到IGBT模塊2上的P端13和N端14連接的線電感。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種主回路電解電容倒扣電路，它包括主回路電解電容、IGBT模塊、連接銅板，所述的主回路電解電容的P端和N端分別連接IGBT模塊的P端和N端，其特征在于所述的主回路電解電容倒扣在IGBT模塊上端的電解電容處的銅板上。
2.如權(quán)利要求I所述的主回路電解電容倒扣電路，其特征在于所述的連接線材包括電解電容的電連接銅板、IGBT模塊的電連接銅板、IGBT模塊的電連接銅管。
3.如權(quán)利要求2所述的主回路電解電容倒扣電路，其特征在于所述的電解電容的電連接銅板緊湊的靠近IGBT模塊的P端和N端。
4.如權(quán)利要求3所述的主回路電解電容倒扣電路，其特征在于所述的電解電容的電連接銅板連接于IGBT模塊的電連接銅板上。
5.如權(quán)利要求4所述的主回路電解電容倒扣電路，其特征在于所述的IGBT模塊的電連接銅板嵌入連接IGBT模塊的電連接銅管。
6.如權(quán)利要求4所述的主回路電解電容倒扣電路，其特征在于所述的IGBT模塊的電連接銅管連接IGBT模塊。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，尤其是一種主回路電解電容倒扣電路。它包括主回路電解電容、IGBT模塊、連接銅板，所述的主回路電解電容的P端和N端通過(guò)銅板分別連接IGBT模塊的P端和N端。本實(shí)用新型的主回路電解電容倒扣電路將主回路電解電容倒扣在IGBT模塊上端的電容處的銅板上，并緊湊的靠近IGBT模塊的P端和N端，縮小了整個(gè)電路有效回路的面積，使得主回路電解電容與IGBT模塊之間連接線線長(zhǎng)減小，從而減小了其間的線電感，以達(dá)到抑制IGBT模塊在開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓的目的，避免大的過(guò)電壓沖擊及由此引發(fā)的其他問(wèn)題。
文檔編號(hào)H02M1/32GK202586733SQ20122008422
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月8日
發(fā)明者朱延?xùn)| 申請(qǐng)人:朱延?xùn)|