專利名稱：電子電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及逆變器電路(inverter circuit)、變換器電路(converter circuit)等的電子電路。
背景技術(shù)：
MOSFET (Metal — Oxide — Semiconductor Field Effect Transistor :金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)作為逆變器電路、變換器電路等的電子電路的開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用。在MOSFET中寄生有作為雙極性器件的PN結(jié)二極管(體二極管)。在使用MOSFET的電子電路中，當(dāng)電流流過(guò)寄生于MOSFET的PN結(jié)二極管(體二極管)時(shí)，器件特性有可能惡化。具體地講，當(dāng)電流流過(guò)PN結(jié)二極管時(shí)，在MOSFET中存在結(jié)晶缺陷部的情況下，電子和空穴在結(jié)晶 缺陷部進(jìn)行再結(jié)合，結(jié)晶缺陷部有可能擴(kuò)大。特別是，由以SiC為主的半導(dǎo)體材料制作的SiCMOSFET中，當(dāng)電流流過(guò)PN結(jié)二極管時(shí)，產(chǎn)生正向惡化。更具體地講，已知在SiC半導(dǎo)體結(jié)晶中存在被稱為基面位錯(cuò)(BH)Basal Plane Dislocation)的結(jié)晶缺陷。BH)中的結(jié)晶結(jié)構(gòu)與其它部分的結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同，該結(jié)晶的能帶隙比SiC半導(dǎo)體本來(lái)的能帶隙更小。因此，BH)易于成為電子和空穴的再結(jié)合中心。因此，當(dāng)正向電流流過(guò)PN結(jié)部時(shí),BH)擴(kuò)大,成為面缺陷(堆垛層錯(cuò)(stacking fault))。由此，SiCMOSFET的導(dǎo)通電阻增大。因此，為了防止電流流過(guò)PN結(jié)二極管，建議將工作電壓比PN結(jié)二極管低的肖特基勢(shì)魚(yú)二極管(Schottky Barrier Diode)與PN結(jié)二極管并聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2006 - 310790號(hào)公報(bào)
但是，在采用了并聯(lián)連接肖特基勢(shì)壘二極管的電路結(jié)構(gòu)的情況下，也產(chǎn)生電流流過(guò)PN結(jié)二極管的現(xiàn)象。本申請(qǐng)的發(fā)明者發(fā)現(xiàn)了該現(xiàn)象起因于通過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管的電流路徑的寄生電感而發(fā)生。即，當(dāng)電流流過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，由通過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管的電流路徑的寄生電感而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。當(dāng)該反電動(dòng)勢(shì)達(dá)到與肖特基勢(shì)壘二極管并聯(lián)連接的PN結(jié)二極管的正向起始電壓時(shí)，電流流過(guò)該P(yáng)N結(jié)二極管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種能抑制電流流過(guò)雙極性器件的電子電路。該發(fā)明提供一種電子電路，其包含雙極性器件；與所述雙極性器件并聯(lián)地連接的單極性器件；與所述雙極性器件及單極性器件連接的輸出線。而且，所述單極性器件和所述輸出線之間的電感比所述雙極性器件和所述輸出線之間的電感小。本發(fā)明中上述的、或者進(jìn)一步的其它目的、特征及效果通過(guò)參照附圖進(jìn)行如下敘述的實(shí)施方式的說(shuō)明變得更加清楚。


圖I是表示涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的逆變器電路的電氣電路圖；圖2是表示圖I的模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖解的平面 圖3是表示圖2的封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖解的側(cè)面 圖4是表示涉及本發(fā)明第二實(shí)施方式的逆變器電路的電氣電路 圖5是表示涉及本發(fā)明第三實(shí)施方式的逆變器電路的電氣電路 圖6是表示涉及本發(fā)明第四實(shí)施方式的逆變器電路的電氣電路 圖7是表示涉及本發(fā)明第五實(shí)施方式的變換器電路的電氣電路 圖8是表示涉及本發(fā)明第六實(shí)施方式的變換器電路的電氣電路圖。
具體實(shí)施方式

該發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種包含雙極性器件、與所述雙極性器件并聯(lián)地連接的單極性器件、以及與所述雙極性器件及單極性器件連接的輸出線的電子電路。所述單極性器件和所述輸出線之間的電感比所述雙極性器件和所述輸出線之間的電感小。雙極性器件也可以是PN結(jié)二極管。另外，單極性器件也可以是肖特基勢(shì)壘二極管。雙極性器件和輸出線的連接方式也可以是下面的第一連接方式或第二連接方式的任一種。在第一連接方式中，雙極性器件通過(guò)連接線與單極性器件連接，單極性器件通過(guò)其它的連接線與輸出線連接。在第二連接方式中，雙極性器件不與單極性器件連接，而與輸出線連接。即，雙極性器件及單極性器件通過(guò)個(gè)別的連接線分別與輸出線連接。在第一連接方式中，存在基于雙極性器件和單極性器件之間的連接線而產(chǎn)生的電感，且存在基于單極性器件和輸出線之間的連接線而產(chǎn)生的電感。因此，單極性器件和輸出線之間的電感比雙極性器件和輸出線之間的電感小。在第一連接方式中，當(dāng)電流流過(guò)單極性器件時(shí)，通過(guò)單極性器件和輸出線之間的電感，產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，由于雙極性器件與單極性器件連接，所以與單極性器件的工作電壓(在肖特基勢(shì)壘二極管中，為正向起始電壓)相當(dāng)?shù)碾妷褐蛔饔迷陔p極性器件。由于雙極性器件的工作電壓比單極性器件的工作電壓低，所以電流不會(huì)流過(guò)雙極性器件。因此，即使雙極性器件中存在結(jié)晶缺陷部，也能抑制結(jié)晶缺陷部的擴(kuò)大。在第二連接方式中，當(dāng)電流流過(guò)單極性器件時(shí)，通過(guò)基于單極性器件和輸出線之間的連接線而產(chǎn)生的電感，也產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，由于基于單極性器件和輸出線之間的連接線而產(chǎn)生的電感比雙極性器件和輸出線之間的電感小，所以通過(guò)單極性器件和輸出線之間的較小的電感而產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被雙極性器件和輸出線之間的較大的電感吸收。因此，電流不會(huì)流過(guò)雙極性器件。因此，即使雙極性器件中存在結(jié)晶缺陷部，也能抑制結(jié)晶缺陷部擴(kuò)大。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述雙極性器件是由以SiC主的半導(dǎo)體材料制作的SiC半導(dǎo)體器件。在SiC半導(dǎo)體器件中，由于存在被稱為基面位錯(cuò)(BH) :Basal PlaneDislocation)的結(jié)晶缺陷，所以當(dāng)正向電流流過(guò)PN結(jié)部時(shí)，BH)擴(kuò)大，成為面缺陷。該結(jié)構(gòu)中，在電流流過(guò)單極性器件的情況下，能抑制電流流過(guò)作為雙極性器件的SiC半導(dǎo)體器件(PN結(jié)部)。由此，能抑制存在于SiC半導(dǎo)體器件中的BH)擴(kuò)大。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，基于所述單極性器件和所述輸出線之間的電感而產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)為2. OV以上?？梢哉J(rèn)為雙極性器件的工作電壓(例如PN結(jié)二極管的正向起始電壓)為2. OV程度。因此，在基于單極性器件和輸出線之間的電感而產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)不足2. OV時(shí)，電流原本就不會(huì)流過(guò)雙極性器件。因此，在基于單極性器件和輸出線之間的電感而產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)為2. OV以上的情況下，能得到基于本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性的效果。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述雙極性器件包含PN結(jié)二極管，所述單極性器件包含肖特基勢(shì)壘二極管。當(dāng)電流流過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，基于肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電感而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。在上述的第一連接方式中，由于PN結(jié)二極管與肖特基勢(shì)壘二極管連接，所以只有與肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓相當(dāng)?shù)碾妷翰抛饔糜赑N結(jié)二極管。由于PN結(jié)二極管的正向起始電壓比肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓低，所以電流不會(huì)流過(guò)PN結(jié)
二極管。在上述第二連接方式中，肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電感比PN結(jié)二極管和輸出線之間的電感小。因此，基于肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電 感而產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被PN結(jié)二極管和輸出線之間的電感吸收。因此，電流不會(huì)流過(guò)PN結(jié)二極管。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，還包含將所述PN結(jié)二極管的陽(yáng)極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件，所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線連接。連接金屬部件也可以是導(dǎo)線、帶或框。當(dāng)電流流過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，基于肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電感而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，由于PN結(jié)二極管的陽(yáng)極通過(guò)連接金屬部件與肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極連接，所以只有與肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓相當(dāng)?shù)碾妷翰抛饔糜赑N結(jié)二極管。由于肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓比PN結(jié)二極管的正向起始電壓低，所以電流不會(huì)
流過(guò)PN結(jié)二極管。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，還包含將所述PN結(jié)二極管的陰極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件，所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極與所述輸出線連接。當(dāng)電流流過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，基于肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電感而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，由于PN結(jié)二極管的陰極通過(guò)連接金屬部件與肖特基勢(shì)壘二極管的陰極連接，所以只有與肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓相當(dāng)?shù)碾妷翰抛饔糜赑N結(jié)二極管。由于肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓比PN結(jié)二極管的正向起始電壓低，所以電流不會(huì)
流過(guò)PN結(jié)二極管。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述PN結(jié)二極管與開(kāi)關(guān)器件反并聯(lián)連接。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述開(kāi)關(guān)器件為M0SFET，所述PN結(jié)二極管內(nèi)置于所述MOSFET中。在該結(jié)構(gòu)中，由于能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于MOSFET的PN結(jié)二極管，所以能抑制MOSFET的正向惡化。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，還包含將所述MOSFET的源極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件，所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線連接。當(dāng)電流流過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，基于肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電感而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，由于MOSFET的源極通過(guò)連接金屬部件與肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極連接，所以只有與肖特基勢(shì)壘二極管的工作電壓相當(dāng)?shù)碾妷翰抛饔糜趦?nèi)置于MOSFET的PN結(jié)二極管。由于肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓比PN結(jié)二極管的正向起始電壓低，所以電流不會(huì)流過(guò)PN結(jié)二極管。由此，能抑制MOSFET的正向惡化。也可以還包含將所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件。另外，也可以連續(xù)地連接將所述MOSFET的源極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極進(jìn)行連接的所述連接金屬部件和將所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線進(jìn)行連接的所述連接金屬部件。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，還包含將所述MOSFET的漏極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件，所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極與所述輸出線連接。當(dāng)電流流過(guò)肖特基勢(shì)壘二極管時(shí)，基于肖特基勢(shì)壘二極管和輸出線之間的電感而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，由于MOSFET的漏極通過(guò)連接金屬部件與肖特基勢(shì)壘二極管的陰極連接，所以只有與肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓相當(dāng)?shù)碾妷翰抛饔糜趦?nèi)置于MOSFET的PN結(jié)二極管。由于肖特基勢(shì)壘二極管的正向起始電壓比PN結(jié)二極管的正向起始電壓低，所以，電流不會(huì)流過(guò)PN結(jié)二極管。由此，能抑制MOSFET的正向惡化。 在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述連接金屬部件包含導(dǎo)線。作為連接金屬部件的其它例子，可以列舉出帶以及框。導(dǎo)線是線狀連接部件，帶是帶狀連接部件。它們是通常均具有撓性的金屬部件?？蚴菗闲圆畹陌鍫罱饘俨考?。下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。圖I是表示涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的逆變器電路I的電氣電路圖。逆變器電路I包含第一模塊2和第二模塊3。第一模塊2具備第一電源端子41、第二電源端子43、兩個(gè)柵極端子44、45、輸出端子42。第二模塊3具備第一電源端子46、第二電源端子48、兩個(gè)柵極端子49、50、輸出端子47。各模塊2、3的第一電源端子41、46經(jīng)由第一輸出線17與電源15 (直流電源)的正極端子連接。在各模塊2、3的輸出端子42、47之間，經(jīng)由第二輸出線18連接感應(yīng)性負(fù)載16。各模塊2、3的第二電源端子43、48經(jīng)由第三輸出線19與電源15的負(fù)極端子連接。在各模塊2、3的柵極端子44、45，49、50連接未圖示的控制單元。第一模塊2包含高側(cè)的第一 M0SFET11和與其串聯(lián)連接的低側(cè)的第二 M0SFET12。M0SFET11、12分別內(nèi)置有第一 PN結(jié)二極管(體二極管)Ila及第二 PN結(jié)二極管12a。這些PN結(jié)二極管11a、12a為雙極性器件。各PN結(jié)二極管11a、12a的陽(yáng)極與對(duì)應(yīng)的M0SFET11、12的源極電連接，其陰極與對(duì)應(yīng)的M0SFET11、12的漏極電連接。在M0SFET11U2中分別并聯(lián)地連接有作為單極性器件的第一肖特基勢(shì)壘二極管21及第二肖特基勢(shì)壘二極管22。即，在作為雙極性器件的PN結(jié)二極管11a、12a中并聯(lián)地連接有作為單極性器件的肖特基勢(shì)壘二極管21、22。第一 M0SFET11的漏極與第一模塊2的第一電源端子41連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極與第一M0SFET11的漏極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陰極)連接。第一M0SFET11的源極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件31，與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極經(jīng)由其它的連接金屬部件32與第一模塊2的輸出端子42連接。即，第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極經(jīng)由連接金屬部件32與第二輸出線18連接。在連接金屬部件31、32中分別寄生有電感LI、L2 (LI > O、L2 > O)。因此，第一PN結(jié)二極管IIa和第二輸出線18之間的電感(LI + L2)比第一肖特基勢(shì)壘二極管21和第二輸出線18之間的電感L2大。第二 M0SFET12的漏極與第一模塊2的輸出端子42連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極與第二 M0SFET12的漏極(第二 PN結(jié)二極管12a的陰極)連接。第二 M0SFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件33，與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極經(jīng)由連接金屬部件34，與第一模塊2的第二電源端子43連接。即，第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極經(jīng)由連接金屬部件34與第三輸出線19連接。在連接金屬部件33、34中分別寄生有電感L3、L4 (L3 > O、L4 > O)。因此，第二PN結(jié)二極管12a和第三輸出線19之間的電感(L3 + L4)比第二肖特基勢(shì)壘二極管22和第三輸出線19之間的電感L4大。第二模塊3包含高側(cè)的第三M0SFET13和與其串聯(lián)地連接的低側(cè)的第四M0SFET14。 M0SFET13U4分別內(nèi)置有第三及第四PN結(jié)二極管(體二極管)13a、14a。這些PN結(jié)二極管13a、14a為雙極性器件。各PN結(jié)二極管13a、14a的陽(yáng)極與對(duì)應(yīng)的M0SFET13U4的源極電連接，其陰極與對(duì)應(yīng)的M0SFET13U4的漏極電連接。在M0SFET13U4中分別并聯(lián)地連接有第三及第四肖特基勢(shì)壘二極管23、24。S卩，在作為雙極性器件的PN結(jié)二極管13a、14a中并聯(lián)地連接有作為單極性器件的肖特基勢(shì)壘二極管23、24。第三M0SFET13的漏極與第二模塊3的第一電源端子46連接。第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極與第三M0SFET13的漏極(第三PN結(jié)二極管13a的陰極)連接。第三M0SFET13的源極(第三PN結(jié)二極管13a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件35，與第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陽(yáng)極連接。第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陽(yáng)極經(jīng)由其它的連接金屬部件36，與第二模塊3的輸出端子47連接。即，第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陽(yáng)極經(jīng)由連接金屬部件36，與第二輸出線18連接。在連接金屬部件35、36中分別寄生有電感L5、L6 (L5 > O、L6 > O)。因此，第三PN結(jié)二極管13a和第二輸出線18之間的電感(L5 + L6)比第三肖特基勢(shì)壘二極管23和第二輸出線18之間的電感L6大。第四M0SFET14的漏極與第二模塊3的輸出端子47連接。第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極與第四M0SFET14的漏極(第四PN結(jié)二極管14a的陰極)連接。第四M0SFET14的源極(第四PN結(jié)二極管14a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件37，與第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陽(yáng)極連接。第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陽(yáng)極經(jīng)由連接金屬部件38，與第二模塊3的第二電源端子48連接。即，第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陽(yáng)極經(jīng)由連接金屬部件38，與第三輸出線19連接。在連接金屬部件37、38中分別寄生有電感L7、L8 (L7 > O、L8 > O)。因此，第四PN結(jié)二極管14a和第三輸出線19之間的電感(L7 + L8)比第四肖特基勢(shì)壘二極管24和第三輸出線19之間的電感L8大。第一 第四M0SFET11 14是例如以化合物半導(dǎo)體的一例即SiC (碳化硅)為半導(dǎo)體材料使用的SiC器件。各肖特基勢(shì)壘二極管21 24的正向起始電壓Vfl比各PN結(jié)二極管Ila 14a的正向起始電壓Vf2低。各PN結(jié)二極管Ila 14a的正向起始電壓Vf2例如為2. OV。另一方面，各肖特基勢(shì)壘二極管21 24的正向起始電壓Vfl例如為I. 0V。圖2是表示圖I的模塊2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖解的平面圖。另外，圖3是表示圖2的封裝4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖解的側(cè)面圖。模塊2包含絕緣性基板8 ;固定于絕緣性基板8上的兩個(gè)封裝4、5 ;固定于絕緣性基板8的一個(gè)表面且收容兩個(gè)封裝4、5的殼體(圖示略)。在平面視圖中，絕緣性基板8形成矩形。在平面視圖中，各封裝4、5形成大致矩形。兩個(gè)封裝4、5沿著絕緣性基板8的長(zhǎng)度方向并排配置。參照?qǐng)D2及圖3，一個(gè)封裝4包含壓料墊51、柵極用引線52、源極用引線53、第一M0SFET11、第一肖特基勢(shì)壘二極管21、密封它們的模制樹(shù)脂57。在平面視圖中，壓料墊51為T字形，具有矩形的主體部和從主體部一邊的大致中央突出的引線部。引線部的前端部從模制樹(shù)脂57突出。柵極用引線52和源極用引線53夾持壓料墊51的引線部，并且與壓料墊51的引線部平行地配置。柵極用引線52和源極用引線53的各一端部從模制樹(shù)脂57突出。壓料墊51、柵極用引線52及源極用引線53例如由銅或鋁的板狀體構(gòu)成。 在壓料墊51的主體部的表面，沿著其一邊并排配置有第一 M0SFET11和第一肖特基勢(shì)壘二極管21。第一 M0SFET11和第一肖特基勢(shì)壘二極管21與壓料墊51的一表面管芯焊接。第一 M0SFET11在與壓料墊相對(duì)的表面具有漏電極11D，該漏電極IId由導(dǎo)電性焊料與壓料墊51接合。第一 M0SFET11在與壓料墊51相反側(cè)的表面具有源電極Ils及柵電極11G。第一肖特基勢(shì)壘二極管21在與壓料墊51相對(duì)的表面具有陰極電極21κ，該陰極電極21κ由導(dǎo)電性焊料與壓料墊51接合。第一肖特基勢(shì)壘二極管21在與壓料墊51相反側(cè)的表面具有陽(yáng)極電極21α。第一 M0SFET11的柵電極I Ie通過(guò)接合線(連接金屬部件)39與柵極用引線52電連接。另外，第一 M0SFET11的源電極IIs通過(guò)接合線(連接金屬部件)31與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極電極21α電連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極電極21Α通過(guò)接合線(連接金屬部件)32與源極用引線53電連接。用于將第一 M0SFET11的源電極Ils與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極電極21Α連接的線接合和將第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極電極21α與源極用引線53連接的線接合也可以通過(guò)針腳式接合法進(jìn)行。即，也可以通過(guò)以第一 M0SFET11的源電極Ils及源極用引線53中的一個(gè)為起點(diǎn)、以它們的另一個(gè)為終點(diǎn)、以第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極電極214為中繼點(diǎn)的針腳式接合，進(jìn)行它們的連接。接合線31、32、39是例如以Al、Au、Cu等為主要成分的導(dǎo)線。參照?qǐng)D2，另一個(gè)封裝5包含壓料墊54、柵極用引線55、源極用引線56、第二M0SFET12、第二肖特基勢(shì)壘二極管22、密封它們的模制樹(shù)脂58。在平面視圖中，壓料墊54為T字形，具有矩形的主體部和從主體部的一邊的大致中央突出的引線部。引線部的前端部從模制樹(shù)脂58突出。柵極用引線55和源極用引線56夾持壓料墊54的引線部，并且與壓料墊54的引線部平行地配置。柵極用引線55和源極用引線56的各一端部從模制樹(shù)脂58突出。壓料墊54、柵極用引線55及源極用引線56例如由銅或鋁的板狀體構(gòu)成。在壓料墊54的主體部的表面，沿著其一邊并排配置有第二 M0SFET12和第二肖特基勢(shì)壘二極管22。第二 M0SFET12和第二肖特基勢(shì)壘二極管22與壓料墊54的一表面管芯焊接。第二 M0SFET12在與壓料墊54相對(duì)的表面具有漏電極，該漏電極由導(dǎo)電性焊料與壓料墊54接合。第二 M0SFET12在與壓料墊54相反側(cè)的表面具有源電極12s及柵電極12e。第二肖特基勢(shì)壘二極管22在與壓料墊54相對(duì) 的表面具有陰極電極，該陰極電極由導(dǎo)電性焊料與壓料墊54接合。第二肖特基勢(shì)壘二極管22在與壓料墊54相反側(cè)的表面具有陽(yáng)極電極22a。第二 M0SFET12的柵電極12e通過(guò)接合線(連接金屬部件)40與柵極用引線55電連接。另外，第二 M0SFET12的源電極12S通過(guò)接合線(連接金屬部件)33與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極電極22a電連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極電極22A通過(guò)接合線(連接金屬部件)34與源極用引線56電連接。用于將第二 M0SFET12的源電極12s與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極電極22k連接的線接合和將第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極電極22a與源極用引線56連接的線接合也可以通過(guò)針腳式接合法進(jìn)行。即，也可以通過(guò)以第二 M0SFET11的源電極123及源極用引線56中的一個(gè)為起點(diǎn)、以它們的另一個(gè)為終點(diǎn)、以第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極電極22a為中繼點(diǎn)的針腳式接合，進(jìn)行它們的連接。接合線33、34、40是例如以Al、Au、Cu等為主成分的導(dǎo)線。在平面視圖中，封裝4的源極用引線56和封裝5的壓料墊54的引線部通過(guò)U字形的帶狀金屬圖案59電連接。該金屬圖案59例如由銅或鋁的薄膜布線構(gòu)成，并且形成于絕緣性基板8的表面。封裝4的柵極用引線52與柵極端子44連接。柵極端子44被引出到模塊2的殼體外側(cè)。封裝4的壓料墊51的引線部與第一電源端子41連接。第一電源端子41被引出到模塊2的殼體外側(cè)。在第一電源端子41連接電源15。金屬圖案59與輸出端子42連接。輸出端子42被引出到模塊2的殼體外側(cè)。封裝5的柵極用引線55與柵極端子45連接。柵極端子45被引出到模塊2的殼體外側(cè)。封裝5的源極用引線56與第二電源端子43連接。第二電源端子43被引出到模塊2的殼體外側(cè)。第二電源端子43接地(與電源15的負(fù)極連接)。由于第二模塊3的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也與第一模塊2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相同，因此，省略其說(shuō)明。返回圖I，在這樣的逆變器電路I中，例如，第一 M0SFET11和第四MOSFET14被導(dǎo)通。之后，通過(guò)這些M0SFET11U2被關(guān)斷，使所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)經(jīng)過(guò)規(guī)定的死區(qū)時(shí)間(dead time)期間時(shí)，這次第二 M0SFET12和第三M0SFET13被導(dǎo)通。之后，通過(guò)這些M0SFET12U3被關(guān)斷，使所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)經(jīng)過(guò)規(guī)定的死區(qū)時(shí)間期間時(shí)，第一 M0SFET11和第四M0SFET14再次被導(dǎo)通。通過(guò)反復(fù)這種動(dòng)作，負(fù)載16被交流驅(qū)動(dòng)。在第一 M0SFET11和第四M0SFET14被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、第一 M0SFET11、連接金屬部件31、連接金屬部件32、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、第四M0SFET14、連接金屬部件37及連接金屬部件38，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流向箭頭A所示的方向。從該狀態(tài)，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所具有的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭A所示的方向的電流)。因此,在連接金屬線34、第二肖特基勢(shì)壘二極管22、負(fù)載16、連接金屬線36及第三肖特基勢(shì)壘二極管23中，電流從連接金屬線34流向第三肖特基勢(shì)魚(yú)二極管23的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線34及連接金屬線36。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線34時(shí)，基于寄生在連接金屬線34的電感L4而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第二 PN結(jié)二極管12a。這是因?yàn)?，第?PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極通過(guò)連接金屬線33與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極連接。與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘诙?PN結(jié)二極管12a。S卩，不會(huì)對(duì)第二 PN結(jié)二極管12a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第二 PN結(jié)二極管12a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線36時(shí),基于寄生在連接金屬線36的電感L6而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第三PN結(jié)二極管13a。這是因?yàn)?，第三PN結(jié)二極管13a的陽(yáng)極通過(guò)連接金屬線35與第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陽(yáng)極連接。與第三肖特基勢(shì)壘二極管23的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘谌齈N結(jié)二極管13a。S卩，不會(huì)對(duì)第三PN結(jié)二極管13a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第三PN結(jié)二極管13a。 在第二 M0SFET12和第三M0SFET13被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、第三M0SFET13、連接金屬部件35、連接金屬部件36、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、第二 M0SFET12、連接金屬部件33及連接金屬部件34，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流向箭頭B所示的方向。在該狀態(tài)下，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所具有的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭B所示的方向的電流)。因此,在連接金屬線38、第四肖特基勢(shì)壘二極管24、負(fù)載16、連接金屬線32及第一肖特基勢(shì)壘二極管21中，電流從連接金屬線38流向第一肖特基勢(shì)壘二極管21的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線38及連接金屬線32。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線38時(shí)，基于寄生在連接金屬線38的電感L8而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第四PN結(jié)二極管14a。這是因?yàn)?，第四PN結(jié)二極管14a的陽(yáng)極通過(guò)連接金屬線37與第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陽(yáng)極連接。與第四肖特基勢(shì)壘二極管24的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘谒腜N結(jié)二極管14a。S卩，不會(huì)對(duì)第四PN結(jié)二極管14a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第四PN結(jié)二極管14a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線32時(shí),基于寄生在連接金屬線32的電感L2而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第一 PN結(jié)二極管11a。這是因?yàn)椋谝?PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極通過(guò)連接金屬線31與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極連接。與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘谝?PN結(jié)二極管11a。S卩，不會(huì)對(duì)第一 PN結(jié)二極管I Ia施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第一PN結(jié)二極管11a。這樣，在該第一實(shí)施方式中，在死區(qū)時(shí)間期間，能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于MOSFET11 14的PN結(jié)二極管Ila 14a。由此，能抑制M0SFET11 14的正向惡化。圖4是表示涉及本發(fā)明第二實(shí)施方式的逆變器電路IA的電氣電路圖。圖4中，對(duì)圖I各部的對(duì)應(yīng)部分，標(biāo)注與圖I相同的參照符號(hào)。
在上述的第一實(shí)施方式中，如圖3所示的封裝4，在各封裝中，M0SFET11 14的漏電極和肖特基勢(shì)壘二極管21 24的陰極電極，與壓料墊接合。與此相對(duì)，在第二實(shí)施方式中，在各封裝中，MOSFET11 14的源電極和肖特基勢(shì)壘二極管21 24的陽(yáng)極電極，與壓料墊接合。因此，在各封裝中，在M0SFET11 14的壓料墊的相反側(cè)的表面形成有漏電極，在肖特基勢(shì)壘二極管21 24的壓料墊的相反側(cè)的表面形成有陰極電極。參照?qǐng)D4，第一 M0SFET11的源極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)及第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極，與第一模塊2A的輸出端子42連接。第一 M0SFET11的漏極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陰極)通過(guò)寄生有電感LI的連接金屬部件31A，與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極通過(guò)寄生有電感L2的連接金屬部件32A，與第一模塊2A的第一電源端子41連接。即，第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極經(jīng)由寄生有電感L2的連接金屬部件32A，與第一輸出線17連接。第二 MOSFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)及第二肖特基勢(shì)壘二極管22 的陽(yáng)極，與第一模塊2A的第二電源端子43連接。第二 M0SFET12的漏極(第二 PN結(jié)二極管12a的陰極)通過(guò)寄生有電感L3的連接金屬部件33A，與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極通過(guò)寄生有電感L4的連接金屬部件34A，與第一模塊2A的輸出端子42連接。即，第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極經(jīng)由寄生有電感L4的連接金屬部件34A，與第二輸出線18連接。第三M0SFET13的源極(第三PN結(jié)二極管13a的陽(yáng)極)及第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陽(yáng)極，與第二模塊3A的輸出端子47連接。第三M0SFET13的漏極(第三PN結(jié)二極管13a的陰極)通過(guò)寄生有電感L5的連接金屬部件35A，與第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極連接。第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極通過(guò)寄生有電感L6的連接金屬部件36A，與第二模塊3A的第一電源端子46連接。即，第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極經(jīng)由寄生有電感L6的連接金屬部件36A，與第一輸出線17連接。第四M0SFET14的源極(第四PN結(jié)二極管14a的陽(yáng)極)及第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陽(yáng)極，與第二模塊3A的第二電源端子48連接。第四M0SFET14的漏極(第四PN結(jié)二極管14a的陰極)通過(guò)寄生有電感L7的連接金屬部件37A，與第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極連接。第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極通過(guò)寄生有電感L8的連接金屬部件38A，與第二模塊3A的輸出端子47連接。即，第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極經(jīng)由寄生有電感L8的連接金屬部件38A，與第二輸出線18連接。另外，為了方便，表不電感的參照符號(hào)設(shè)為與第一實(shí)施方式相同，但并不意味著連接金屬部件31A 38A的電感分別與第一實(shí)施方式中的連接金屬部件31 38的電感相等。在第一 M0SFET11和第四M0SFET14被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、連接金屬部件32A、連接金屬部件31A、第一 M0SFET11、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、連接金屬部件38A、連接金屬部件37A及第四M0SFET14，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16，電流流向箭頭A所示的方向。從該狀態(tài)，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所具有的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭A所示的方向的電流)。因此，在第二肖特基勢(shì)壘二極管22、連接金屬線34A、負(fù)載16、第三肖特基勢(shì)壘二極管23及連接金屬線36A，電流從第二肖特基勢(shì)壘二極管22流向連接金屬線36A的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線34A及連接金屬線36A。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線34A時(shí)，基于寄生在連接金屬線34A的電感L4而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第二 PN結(jié)二極管12a。這是因?yàn)椋诙?PN結(jié)二極管12a的陰極通過(guò)連接金屬線33A與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極連接。與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘诙?PN結(jié)二極管12a。S卩，不對(duì)第二 PN結(jié)二極管12a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第二 PN結(jié)二極管12a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線36A時(shí),基于寄生在連接金屬線36A的電感L6而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第三PN結(jié)二極管13a。這是因?yàn)椋谌齈N結(jié)二極管13a的陰極通過(guò)連接金屬線35A與第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極連接。與第三肖特基勢(shì)壘二極管23的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘谌齈N結(jié)二極管13a。BP,不對(duì)第三PN結(jié)二極管13a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第三 PN結(jié)二極管13a。在第二 M0SFET12和第三M0SFET13被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、連接金屬部件36A、連接金屬部件35A、第三M0SFET13、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、連接金屬部件34A、連接金屬部件33A及第二 M0SFET12，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流向箭頭B所示的方向。在該狀態(tài)下，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所具有的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭B所示的方向的電流)。因此，在第四肖特基勢(shì)壘二極管24、連接金屬線38A、負(fù)載16、第一肖特基勢(shì)壘二極管21及連接金屬線32A，電流從第四肖特基勢(shì)壘二極管24流向連接金屬線32A的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線38A及連接金屬線32A。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線38A時(shí)，基于寄生在連接金屬線38A的電感L8而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第四PN結(jié)二極管14a。這是因?yàn)?，第四PN結(jié)二極管14a的陰極通過(guò)連接金屬線37A與第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極連接。與第四肖特基勢(shì)壘二極管24的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘谒腜N結(jié)二極管14a。S卩，不對(duì)第四PN結(jié)二極管14a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第四PN結(jié)二極管14a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線32A時(shí),基于寄生在連接金屬線32A的電感L2而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第一 PN結(jié)二極管11a。這是因?yàn)?，第?PN結(jié)二極管Ila的陰極通過(guò)連接金屬線31A與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極連接。與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘谝?PN結(jié)二極管11a。即，不對(duì)第一 PN結(jié)二極管Ila施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第一 PN結(jié)二極管11a。這樣，即使在該第二實(shí)施方式中，也與第一實(shí)施方式一樣，在死區(qū)時(shí)間期間，能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于M0SFET11 14的PN結(jié)二極管Ila 14a。由此，能抑制M0SFET11 14的正向惡化。圖5是表示涉及本發(fā)明的第三實(shí)施方式的逆變器電路IB的電氣電路圖。在圖5中，對(duì)圖I各部的對(duì)應(yīng)部分，標(biāo)注與圖I相同的參照符號(hào)。
在上述的第一實(shí)施方式中，各M0SFET11 14的源極(PN結(jié)二極管Ila 14a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件31、33、35、37，與對(duì)應(yīng)的肖特基勢(shì)壘二極管21 24的陽(yáng)極連接。與此相對(duì)，在第三實(shí)施方式中，各M0SFET11 14的源極(PN結(jié)二極管Ila 14a的陽(yáng)極)經(jīng)由分別寄生有電感L1、L3、L5、L7的連接金屬部件31B、33B、35B、37B，與輸出線連接。但是，為了方便，只將表示電感的參照符號(hào)設(shè)為與第一實(shí)施方式相同，并不意味著連接金屬部件31B 38B的電感分別與第一實(shí)施方式中的連接金屬部件31 38的電感相等。當(dāng)對(duì)具體的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，第一M0SFET11的源極(第一PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件31B，與第一模塊2B的輸出端子42連 接。S卩，第一 M0SFET11的源極(第
一PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件31B，與第二輸出線18連接。第二 M0SFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件33B，與第一模塊2B的第二電源端子43連接。S卩，第二 M0SFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件33B，與第三輸出線19連接。第三M0SFET13的源極(第三PN結(jié)二極管13a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件35B，與第二模塊3B的輸出端子47連接。S卩，第三M0SFET13的源極(第三PN結(jié)二極管13a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件35B，與第二輸出線18連接。第四M0SFET14的源極(第四PN結(jié)二極管14a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件37B，與第二模塊3B的第二電源端子48連接。S卩，第四M0SFET14的源極(第四PN結(jié)二極管14a的陽(yáng)極)經(jīng)由連接金屬部件37B，與第三輸出線19連接。與第一實(shí)施方式一樣，第一及第三肖特基勢(shì)壘二極管21、23的陽(yáng)極經(jīng)由分別寄生有電感L2、L6的連接金屬部件32B、36B，與第二輸出線18連接。與第一實(shí)施方式一樣，第二及第四肖特基勢(shì)壘二極管22、24的陽(yáng)極經(jīng)由分別寄生有電感L4、L8的連接金屬部件34B、38B，與第三輸出線19連接。在第三實(shí)施方式中，分別寄生于連接金屬部件31B、33B、35B、37B的電感LI、L3、L5、L7比分別寄生于連接金屬部件32B、34B、36B、38B的電感L2、L4、L6、L8大。即，LI >L2、L3 > L4、L5 > L6及L7 > L8的關(guān)系成立。例如，在連接金屬部件31B 38B為接合線的情況下，通過(guò)調(diào)節(jié)接合線的長(zhǎng)度、接合線的直徑、接合線的線圈角度等，能調(diào)節(jié)電感LI L8o接合線越長(zhǎng)、接合線的直徑越小、或者接合線的線圈角度越大，電感變得越大。在第一 M0SFET11和第四M0SFET14被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、第一 M0SFET11、連接金屬部件31B、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、第四M0SFET14及連接金屬部件37B，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流向箭頭A所示的方向。從該狀態(tài)下，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所含有的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭A所示的方向的電流)。因此,在連接金屬線34B、第二肖特基勢(shì)壘二極管22、負(fù)載16、連接金屬線36B及第三肖特基勢(shì)壘二極管23，電流從連接金屬線34B流向第三肖特基勢(shì)壘二極管23的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線34B及連接金屬線36B。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線34B時(shí)，基于寄生在連接金屬線34B的電感L4而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L4產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線33B。但是，由于寄生于連接金屬線33B的電感L3比電感L4大，所以基于該反電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的能量被電感L3吸收。因此，不會(huì)對(duì)第二 PN結(jié)二極管12a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第二 PN結(jié)二極管12a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線36B時(shí),基于寄生在連接金屬線36B的電感L6而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L6產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線35B。但是，由于寄生于連接金屬線35B的電感L5比電感L6大，所以，該反電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的能量被電感L5吸收。因此，不會(huì)對(duì)第三PN結(jié)二極管13a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第三PN結(jié)二極管13a。在第二 M0SFET12和第三M0SFET13被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、第三M0SFET13、連接金屬部件35B、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、第二 M0SFET12及連接金屬部件33B，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流向箭頭B所示的方向。從該狀態(tài)，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所包含的電 感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭B所示的方向的電流)。因此,在連接金屬線38B、第四肖特基勢(shì)壘二極管24、負(fù)載16、連接金屬線32B及第一肖特基勢(shì)壘二極管21，電流從連接金屬線38B流向第一肖特基勢(shì)壘二極管21的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線38B及連接金屬線32B。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線38B時(shí)，基于寄生在連接金屬線38B的電感L8而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L8產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線37B。但是，由于寄生于連接金屬線37B的電感L7比電感L8大，所以該反電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的能量被電感L7吸收。因此，不會(huì)對(duì)第四PN結(jié)二極管14a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第四PN結(jié)二極管14a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線32B時(shí),基于寄生在連接金屬線32B的電感L2而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L2產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線31B。但是，由于寄生于連接金屬線31B的電感LI比電感L2大，所以，該反電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的能量被電感LI吸收。因此，不會(huì)對(duì)第一 PN結(jié)二極管Ila施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第一PN結(jié)二極管11a。這樣，即使在該第三實(shí)施方式中，也與第一實(shí)施方式一樣，在死區(qū)時(shí)間期間，能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于M0SFET11 14的PN結(jié)二極管Ila 14a。由此，能抑制M0SFET11 14的正向惡化。圖6是表示涉及本發(fā)明的第四實(shí)施方式的逆變器電路IC的電氣電路圖。圖6中，對(duì)圖I各部的對(duì)應(yīng)部分，標(biāo)注與圖I相同的參照符號(hào)。在上述的第一實(shí)施方式中，如圖3所示的封裝4，在各封裝中，M0SFET11 14的漏電極和肖特基勢(shì)壘二極管21 24的陰極電極，與壓料墊接合。與此相對(duì)，在第四實(shí)施方式中，在各封裝中，MOSFET11 14的源電極和肖特基勢(shì)壘二極管21 24的陽(yáng)極電極，與壓料墊接合。因此，在各封裝中，在M0SFET11 14的壓料墊的相反側(cè)的表面形成有漏電極，在肖特基勢(shì)壘二極管21 24的壓料墊的相反側(cè)的表面形成有陰極電極。參照?qǐng)D6，第一 M0SFET11的源極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)及第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極，與第一模塊2C的輸出端子42連接。第一 M0SFET11的漏極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陰極)經(jīng)由寄生有電感LI的連接金屬部件31C，與第一模塊2C的第一電源端子41連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極經(jīng)由寄生有電感L2的連接金屬部件32C，與第一模塊2C的第一電源端子41連接。S卩，第一 PN結(jié)二極管Ila的陰極經(jīng)由連接金屬部件31C與第一輸出線17連接，第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極經(jīng)由連接金屬部件32C與第一輸出線17連接。第二 M0SFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)及第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極，與第一模塊2C的第二電源端子43連接。第二 M0SFET12的漏極(第二 PN結(jié)二極管12a的陰極)通過(guò)寄生有電感L3的連接金屬部件33C，與第一模塊2C的輸出端子42連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極通過(guò)寄生有電感L4的連接金屬部件34C，與第一模塊2C的輸出端子42連接。即，第二 PN結(jié)二極管12a的陰極經(jīng)由連接金屬部件33C與第二輸出線18連接，第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極經(jīng)由連接金屬部件34C與第二輸出線18連接。第三M0SFET13的源極(第三PN結(jié)二極管13a的陽(yáng)極)及第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陽(yáng)極，與第二模塊3C的輸出端子47連接。第三M0SFET13的漏極(第三PN結(jié)二極管13a的陰極)通過(guò)寄生有電感L5的連接金屬部件35C，與第二模塊3C的第一電源端子46連接。 第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極通過(guò)寄生有電感L6的連接金屬部件36C，與第二模塊3C的第一電源端子46連接。S卩，第三PN結(jié)二極管13a的陰極經(jīng)由連接金屬部件35C與第一輸出線17連接，第三肖特基勢(shì)壘二極管23的陰極經(jīng)由連接金屬部件36C與第一輸出線17連接。第四M0SFET14的源極(第四PN結(jié)二極管14a的陽(yáng)極)及第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陽(yáng)極，與第二模塊3C的第二電源端子48連接。第四M0SFET14的漏極(第四PN結(jié)二極管14a的陰極)通過(guò)寄生有電感L7的連接金屬部件37C，與第二模塊3C的輸出端子47連接。第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極通過(guò)寄生有電感L8的連接金屬部件38C，與第二模塊3C的輸出端子42連接。即，第四PN結(jié)二極管14a的陰極經(jīng)由連接金屬部件37C與第二輸出線18連接，第四肖特基勢(shì)壘二極管24的陰極經(jīng)由連接金屬部件38C與第二輸出線18連接。另外，為了方便，表不電感的參照符號(hào)設(shè)為與第一實(shí)施方式相同，但并不意味著連接金屬部件31C 38C的電感分別與第一實(shí)施方式中的連接金屬部件31 38的電感相等。在該第四實(shí)施方式中，分別寄生于連接金屬部件31C、33C、35C、37C的電感LI、L3、L5、L7比分別寄生于連接金屬部件32C、34C、36C、38C的電感L2、L4、L6、L8大。即，LI >L2、L3 > L4、L5 > L6及L7 > L8的關(guān)系成立。例如，在連接金屬部件31C 38C為接合線的情況下，通過(guò)調(diào)節(jié)接合線的長(zhǎng)度、接合線的直徑、接合線的線圈角度等，能調(diào)節(jié)電感LI L8。在第一 M0SFET11和第四M0SFET14被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、連接金屬部件31C、第一 M0SFET11、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、連接金屬部件37C及第四M0SFET14，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流向箭頭A所示的方向。從該狀態(tài)，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所包含的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭A所示的方向的電流)。因此，在第二肖特基勢(shì)壘二極管22、連接金屬線34C、負(fù)載16、第三肖特基勢(shì)壘二極管23及連接金屬線36C，電流從第二肖特基勢(shì)壘二極管22流向連接金屬線36C的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線34C及連接金屬線36C。
當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線34C時(shí)，基于寄生在連接金屬線34C的電感L4而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L4產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線33C。但是，由于寄生于連接金屬線33C的電感L3比電感L4大，所以，該反電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的能量被電感L3吸收。因此，不會(huì)對(duì)第
二PN結(jié)二極管12a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第二 PN結(jié)二極管12a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線36C時(shí),基于寄生在連接金屬線36C的電感L6而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L6產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線35C。但是，由于寄生于連接金屬線35C的電感L5比電感L6大，所以，該反電動(dòng)勢(shì)的能量被電感L5吸收。因此，不會(huì)對(duì)第三PN結(jié)二極管13a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第三PN結(jié)二極管13a。在第二 M0SFET12和第三M0SFET13被導(dǎo)通的情況下，電流從電源15的正極，經(jīng)由第一輸出線17、連接金屬部件35C、第三M0SFET13、第二輸出線18、負(fù)載16、第二輸出線18、連接金屬部件33C及第二 M0SFET12，流向第三輸出線19。該情況下，在負(fù)載16中，電流流 向箭頭B所示的方向。從該狀態(tài)，當(dāng)所有的M0SFET11 14成為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，感應(yīng)性負(fù)載16所包含的電感要維持流向負(fù)載16的電流(流向箭頭B所示的方向的電流)。因此，在第四肖特基勢(shì)壘二極管24、連接金屬線38C、負(fù)載16、第一肖特基勢(shì)壘二極管21及連接金屬線32C，電流從第四肖特基勢(shì)壘二極管24流向連接金屬線32C的方向。由此，電流流過(guò)連接金屬線38C及連接金屬線32C。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線38C時(shí)，基于寄生在連接金屬線38C的電感L8而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L8產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線37C。但是，由于寄生于連接金屬線37C的電感L7比電感L8大，所以，該反電動(dòng)勢(shì)的能量被電感L7吸收。因此，不會(huì)對(duì)第四PN結(jié)二極管14a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第四PN結(jié)二極管14a。同樣，當(dāng)電流流過(guò)連接金屬線32C時(shí),基于寄生在連接金屬線32C的電感L2而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。由電感L2產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)被提供給連接金屬線31C。但是，由于寄生于連接金屬線31C的電感LI比電感L2大，所以，該反電動(dòng)勢(shì)的能量被電感LI吸收。因此，不會(huì)對(duì)第一 PN結(jié)二極管Ila施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第一 PN結(jié)二極管11a。這樣，即使在該第四實(shí)施方式中，也與第一實(shí)施方式一樣，在死區(qū)時(shí)間期間，能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于M0SFET11 14的PN結(jié)二極管Ila 14a。由此，能抑制M0SFET11 14的正向惡化。圖7是表示適用于涉及本發(fā)明第五實(shí)施方式的電子電路的變換器電路101的電氣電路圖。該變換器電路101為降壓用DC - DC變換器電路。變換器電路101包含模塊2、線圈72、電容器73。模塊2與第一實(shí)施方式的第一模塊2具有相同的結(jié)構(gòu)。模塊2的第一電源端子41經(jīng)由第一輸出線17與電源115的正極端子連接。模塊2的第二電源端子43經(jīng)由第三輸出線19與電源115的負(fù)極端子連接。模塊2的輸出端子42經(jīng)由第二輸出線18及線圈72與第一外部端子111連接。模塊2的第二電源端子43經(jīng)由第三輸出線19與第二外部端子112連接。在線圈72與第一外部端子111的連接點(diǎn)和第二電源端子43與第二外部端子112之間的第三輸出線19之間，連接有電容器73。線圈72和電容器73形成平滑電路。在第一外部端子111和第二外部端子112之間，連接有負(fù)載116。模塊2的柵極端子45經(jīng)由電阻71與第三輸出線19連接。在模塊2的柵極端子44連接未圖示的控制單元。模塊2包含高側(cè)的第一 MOSFET11和與其串聯(lián)地連接的低側(cè)的第二 MOSFET12。M0SFET11、12分別內(nèi)置有第一 PN結(jié)二極管(體二極管)Ila及第二 PN結(jié)二極管12a。這些PN結(jié)二極管I la、12a為雙極性器件。在M0SFET11U2中，分別并聯(lián)地連接有作為單極性器件的第一肖特基勢(shì)壘二極管21及第二肖特基勢(shì)壘二極管21。即，在作為雙極性器件的PN結(jié)二極管lla、12a中，并聯(lián)地連接有作為單極性器件的肖特基勢(shì)壘二極管21、22。
第一 M0SFET11的漏極與模塊2的第一輸出端子41連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極與第一 M0SFET11的漏極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陰極)連接。第一 M0SFET11的源極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)經(jīng)由寄生有電感LI的連接金屬部件31，與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極經(jīng)由寄生有電感L2的連接金屬部件32，與模塊2的輸出端子42連接。S卩，第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極經(jīng)由寄生有電感L2的連接金屬部件32，與第二輸出線18連接。第二 M0SFET12的漏極與模塊2的輸出端子42連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極與第二 M0SFET12的漏極(第二 PN結(jié)二極管12a的陰極)連接。第二 M0SFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)經(jīng)由寄生有電感L3的連接金屬部件33，與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極經(jīng)由寄生有電感L4的連接金屬部件34，與模塊2的第二電源端子43連接。S卩，第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極經(jīng)由寄生有電感L4的連接金屬部件34，與第三輸出線19連接。各M0SFET11U2是例如以化合物半導(dǎo)體的一例即SiC (碳化硅)為半導(dǎo)體材料使用的SiC器件。另外，各肖特基勢(shì)壘二極管21、22的正向起始電壓Vf I比各PN結(jié)二極管11a、12a的正向起始電壓Vf2低。各PN結(jié)二極管I la、12a的正向起始電壓Vf2例如為2. 0V。各肖特基勢(shì)壘二極管21、22的正向起始電壓Vfl例如為I. 0V。在這樣的變換器電路101中，以預(yù)先設(shè)定的占空比來(lái)導(dǎo)通關(guān)斷(開(kāi)關(guān))第一Mosfetii0當(dāng)?shù)谝?mosfetii被導(dǎo)通時(shí)，電流從電源115的正極，經(jīng)由第一輸出線17、第一M0SFET11、連接金屬部件31、連接金屬部件32、第二輸出線18及線圈72 (平滑電路)，流向負(fù)載116。由此，在線圈72蓄積能量，并且向負(fù)載116供給電力。當(dāng)?shù)谝?M0SFET11被關(guān)斷時(shí)，線圈72要維持流向第一 M0SFET11的電流，而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。基于該電動(dòng)勢(shì)，通過(guò)連接金屬部件34及第二肖特基勢(shì)壘二極管22，電流流向線圈72，并向負(fù)載116供給電力。通過(guò)反復(fù)進(jìn)行這樣的動(dòng)作，對(duì)負(fù)載116施加比電源115的電壓低的電壓。如上所述，在將第一 M0SFET11從導(dǎo)通切換成關(guān)斷時(shí)，基于由線圈72產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)，電流會(huì)流過(guò)連接金屬部件34。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬部件34時(shí),基于寄生在連接金屬部件34的電感L4而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第二 PN結(jié)二極管12a。這是因?yàn)?，第?PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極通過(guò)連接金屬線33與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極連接。與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘诙?PN結(jié)二極管12a。即，不會(huì)對(duì)第二 PN結(jié)二極管12a施加其正向起始電壓Vf2以上的電壓。由此，電流不會(huì)流過(guò)第二 PN結(jié)二極管12a。這樣，在該第五實(shí)施方式中，在將第一 MOSFETII從導(dǎo)通切換成關(guān)斷時(shí)，能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于第二 M0SFET12的PN結(jié)二極管12a。由此，能抑制M0SFET12的正向惡化。另外，與第三實(shí)施方式的第一模塊2B —樣，也可以通過(guò)連接金屬部件31，將第一MOSFETII的源極與輸出端子42連接，通過(guò)連接金屬部件33，將第二 M0SFET12的源極與第二電源端子43連接。但是，在該情況下，分別寄生于連接金屬部件31、33的電感LI、L3比寄生于連接金屬部件32、34的電感L2、L4大。
另外，在升壓用的DC - DC變換器中也能使用模塊2。在該情況下，在模塊2的端子42、43之間連接電源，在模塊2的端子41、43之間連接由線圈及電容器構(gòu)成的平滑電路。而且，在電容器并聯(lián)地連接負(fù)載。另外，第一 MOSFETII的柵極端子44經(jīng)由電阻而接地。而且，第二 M0SFET12被開(kāi)關(guān)。在這種升壓用的DC — DC變換器中，與上述的降壓用的DC — DC變換器一樣，在關(guān)斷第二 M0SFET12時(shí)，電流不會(huì)流過(guò)第一 MOSFETII的PN結(jié)二極管11a。圖8是表示涉及本發(fā)明第六實(shí)施方式的變換器電路IOlA的電氣電路圖。圖8中，對(duì)圖7各部的對(duì)應(yīng)部分標(biāo)注與圖7相同的參照符號(hào)。該換器電路IOlA與第五實(shí)施方式的變換器電路101相比，模塊2A的結(jié)構(gòu)不同。上述的第五實(shí)施方式中的模塊2的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式中的第一模塊2具有相同的結(jié)構(gòu)。與此相對(duì)，第六實(shí)施方式中的模塊2A的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施方式中的第一模塊2A具有相同的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D8，第一 MOSFETII的源極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陽(yáng)極)及第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陽(yáng)極，與第一模塊2A的輸出端子42連接。第一 M0SFET11的漏極(第一 PN結(jié)二極管Ila的陰極)通過(guò)寄生有電感LI的連接金屬部件31A，與第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極連接。第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極通過(guò)寄生有電感L2的連接金屬部件32A，與模塊2A的第一電源端子41連接。即，第一肖特基勢(shì)壘二極管21的陰極經(jīng)由寄生有電感L2的連接金屬部件32A，與第一輸出線17連接。第二 M0SFET12的源極(第二 PN結(jié)二極管12a的陽(yáng)極)及第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陽(yáng)極，與模塊2A的第二電源端子43連接。第二 M0SFET12的漏極(第二 PN結(jié)二極管12a的陰極)通過(guò)寄生有電感L3的連接金屬部件33A，與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極連接。第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極通過(guò)寄生有電感L4的連接金屬部件34A，與模塊2A的輸出端子42連接。即，第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極經(jīng)由寄生有電感L4的連接金屬部件34A，與第二輸出線18連接。各M0SFET11、12是例如以化合物半導(dǎo)體的一例即SiC (碳化硅)為半導(dǎo)體材料使用的SiC器件。另外，各肖特基勢(shì)壘二極管21、22的正向起始電壓Vf I比各PN結(jié)二極管11a、12a的正向起始電壓Vf2低。各PN結(jié)二極管I la、12a的正向起始電壓Vf2例如為2. 0V。各肖特基勢(shì)壘二極管21、22的正向起始電壓Vfl例如為I. 0V。模塊2A的柵極端子45經(jīng)由電阻71與第三輸出線19連接。模塊2A的柵極端子44與未圖示的控制單元連接。在這樣的變換器電路101A中，以預(yù)先設(shè)定的占空比導(dǎo)通關(guān)斷(開(kāi)關(guān))第一MOSFETII。當(dāng)?shù)谝籑OSFETII被導(dǎo)通時(shí)，電流從電源115的正極，經(jīng)由第一輸出線17、連接金屬部件32A、連接金屬部件31A、第一 MOSFETII、第二輸出線122及線圈72 (平滑電路)，流向負(fù)載116。由此，在線圈72蓄積能量，并且，向負(fù)載116供給電力。當(dāng)?shù)谝?MOSFETII被關(guān)斷時(shí)，線圈72要維持流向第一 MOSFETII的電流，而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)?；谠撾妱?dòng)勢(shì)，通過(guò)第二肖特基勢(shì)壘二極管22及連接金屬部件34A，電流流向負(fù)載116，并向負(fù)載116供給電力。通過(guò)反復(fù)進(jìn)行這樣的動(dòng)作，對(duì)負(fù)載116施加比電源115的電壓低的電壓。如上所述，當(dāng)將第一 MOSFETII從導(dǎo)通切換成關(guān)斷時(shí)，基于由線圈72產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)，電流會(huì)流過(guò)連接金屬部件34A。當(dāng)電流流過(guò)連接金屬部件34A時(shí),基于寄生在連接金屬部件34A的電感L4而產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。但是，該反電動(dòng)勢(shì)電壓不會(huì)施加于第二 PN結(jié)二極管12a。這是因?yàn)椋诙?PN結(jié)二極管12a的陰極通過(guò)連接金屬線33A與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的陰極連接。與第二肖特基勢(shì)壘二極管22的正向起始電壓Vfl相當(dāng)?shù)碾妷褐皇┘佑诘诙?PN結(jié)二極管12a。即，不會(huì)對(duì)第二 PN結(jié)二極管12a施加其正向起始電壓Vf2以上的電 壓。因此，電流不會(huì)流過(guò)第二 PN結(jié)二極管12a。這樣，即使在該第六實(shí)施方式中，在將第一 MOSFETII從導(dǎo)通切換成關(guān)斷時(shí)，也能抑制電流流過(guò)內(nèi)置于第二 M0SFET12的PN結(jié)二極管12a。由此，能抑制M0SFET12的正向惡化。另外，與第四實(shí)施方式的第一模塊2C —樣，也可以通過(guò)連接金屬部件31A，將第一MOSFETII的漏極與第一電源端子41連接，通過(guò)連接金屬部件33A，將第二M0SFET12的漏極與輸出端子42連接。但是，在該情況下，分別寄生于連接金屬部件31A、33A的電感LI、L3比分別寄生于連接金屬部件32A、34A的電感L2、L4大。另外，也能在升壓用的DC - DC變換器中使用模塊2A。在該情況下，在模塊2A的端子42、43之間連接電源，在模塊2A的端子41、43之間連接由線圈及電容器構(gòu)成的平滑電路。而且，在電容器并聯(lián)地連接負(fù)載。另外，第一 M0SFET11的柵極端子44經(jīng)由電阻而接地。而且，第二 M0SFET12被開(kāi)關(guān)。在這樣的升壓用的DC— DC變換器中，與上述的降壓用的DC - DC變換器一樣，在第二 MOSFET12被關(guān)斷時(shí)，電流不會(huì)流過(guò)第一 M0SFET11的PN結(jié)二極管11a。以上，對(duì)本發(fā)明的六個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也能進(jìn)一步以其它方式實(shí)施。例如，在上述的實(shí)施方式中，各M0SFET11、12，13、14是SiC器件，但也可以是將Si (硅)作為半導(dǎo)體材料使用的Si器件。對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)地說(shuō)明，這些實(shí)施方式只不過(guò)是為了揭示本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容而使用的具體例，本發(fā)明不應(yīng)解釋為限定于這些具體例，本發(fā)明的范圍僅通過(guò)添加的請(qǐng)求范圍限定。本申請(qǐng)對(duì)應(yīng)2010年5月27日在日本國(guó)專利局提出的特愿2010 — 121375號(hào)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)在此引用而編入本申請(qǐng)。
符號(hào)說(shuō)明
1、1A、1B、1C逆變器電路
2、2A、2B、2C模塊2、3A、3B、3C 模塊11 14 MOSFETIla 14a PN結(jié)二極管21 24肖特基勢(shì)壘二極管 31 38、31A 38A、31B 38B、31C 38C 連接金屬部件72線圈。
權(quán)利要求
1.一種電子電路，其中，包含 雙極性器件； 與所述雙極性器件并聯(lián)地連接的單極性器件；以及 與所述雙極性器件及單極性器件連接的輸出線， 所述單極性器件和所述輸出線之間的電感比所述雙極性器件和所述輸出線之間的電感小。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子電路，其中， 所述雙極性器件是由以SiC為主的半導(dǎo)體材料制作的SiC半導(dǎo)體器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電子電路，其中， 由所述單極性器件和所述輸出線之間的電感產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)為2. OV以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的電子電路，其中， 所述雙極性器件包含PN結(jié)二極管，所述單極性器件包含肖特基勢(shì)壘二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子電路，其中， 還包含將所述PN結(jié)二極管的陽(yáng)極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件， 所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子電路，其中， 還包含將所述PN結(jié)二極管的陰極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件， 所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極與所述輸出線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4 6中任一項(xiàng)所述的電子電路，其中， 所述PN結(jié)二極管與開(kāi)關(guān)器件反并聯(lián)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子電路，其中， 所述開(kāi)關(guān)器件為MOSFET，所述PN結(jié)二極管內(nèi)置于所述MOSFET中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子電路，其中， 還包含將所述MOSFET的源極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件， 所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子電路，其中， 還包含將所述MOSFET的漏極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件， 所述肖特基勢(shì)壘二極管的陰極與所述輸出線連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子電路，其中， 還包含將所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線進(jìn)行連接，并且寄生有電感的連接金屬部件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子電路，其中， 連續(xù)地連接將所述MOSFET的源極與所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極進(jìn)行連接的所述連接金屬部件和將所述肖特基勢(shì)壘二極管的陽(yáng)極與所述輸出線進(jìn)行連接的所述連接金屬部件。
13.根據(jù)權(quán)利要求5、6、9、10、11或12所述的電子電路，其中，所述連接金屬部件包含導(dǎo)線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子電路，其包含雙極性器件；與上述雙極性器件并聯(lián)地連接的單極性器件；以及，與上述雙極性器件及單極性器件連接的輸出線。上述單極性器件和上述輸出線之間的電感比上述雙極性器件和上述輸出線之間的電感小。
文檔編號(hào)H02M7/48GK102934348SQ20118002625
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月27日
發(fā)明者奧村啟樹(shù) 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司