專利名稱：電源過流保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電源過流保護(hù)電路，特別涉及一種不會(huì)間歇性的重新啟動(dòng)的電源過流保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
在電源系統(tǒng)中，往往會(huì)出現(xiàn)電源負(fù)載異常的情況，比如電流突然變得過大，負(fù)載功率增加很多等。對(duì)于大部分額定功率的電源來(lái)講，如果過流的時(shí)候沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)，就有可能損壞電源，同時(shí)可能引起負(fù)載溫度過高，進(jìn)而引起火災(zāi)等。目前的過流保護(hù)電路基本上都是對(duì)電流進(jìn)行限制；或者暫時(shí)關(guān)閉電源，電源處于間歇性的啟動(dòng)狀態(tài)，不但消耗功率， 而且影響電源壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有過流保護(hù)電路的上述缺點(diǎn)，申請(qǐng)人經(jīng)過研究改進(jìn)，提供另一種電源過流保護(hù)電路。當(dāng)負(fù)載電流超出要求保護(hù)的電流大小時(shí)，電源立即關(guān)斷輸出，只有將引起過流的條件去除時(shí)電源才重新開通工作，其間電源不會(huì)間歇性的啟動(dòng)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種電源過流保護(hù)電路，包括一個(gè)PMOS晶體管，所述PMOS晶體管的漏極連接第一信號(hào)輸入端，所述PMOS晶體管的源極串聯(lián)第五電阻后連接第一信號(hào)輸出端，所述PMOS晶體管的柵極串聯(lián)第三電阻后連接運(yùn)算放大器的輸出端；第一電阻的兩端分別與PMOS晶體管的漏極及源極連接；第二電阻的兩端分別與PMOS晶體管的漏極及柵極連接；第四電阻的一端連接運(yùn)算放大器的同相端，另一端連接第一信號(hào)輸出端；第七電阻的一端連接運(yùn)算放大器的反相端，另一端連接第一信號(hào)輸出端；第六電阻的一端連接運(yùn)算放大器的同相端，另一端連接第二信號(hào)輸入端以及第二信號(hào)輸出端；第八電阻的一端連接運(yùn)算放大器的反相端， 另一端連接第二信號(hào)輸入端以及第二信號(hào)輸出端；過流監(jiān)測(cè)電阻的兩端分別與第一信號(hào)輸出端以及第二信號(hào)輸出端連接。其進(jìn)一步的技術(shù)方案為所述第六電阻的阻值小于所述第八電阻的阻值。本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是本實(shí)用新型電源過流保護(hù)電路可以很準(zhǔn)確地設(shè)定過流點(diǎn)；輸出過流后，電源立即切斷輸出，不會(huì)間歇性的重新啟動(dòng)；過流保護(hù)后，電源功率消耗很小，不會(huì)引起其他元件發(fā)熱。

圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做進(jìn)一步說(shuō)明。[0011]如圖1所示，本實(shí)用新型主要包含一個(gè)P溝道的MOSFET Q1，一個(gè)運(yùn)算放大器Al， 一個(gè)過流監(jiān)測(cè)電阻R-LOAD以及若干起輔助作用的電阻元件。具體的電路結(jié)構(gòu)為PM0S晶體管Ql的漏極連接信號(hào)輸入端Vin+，源極串聯(lián)電阻 R5后連接信號(hào)輸出端Vout+，柵極串聯(lián)電阻R3后連接運(yùn)算放大器Al的輸出端。電阻Rl的兩端分別與PMOS晶體管Ql的漏極及源極連接。電阻R2的兩端分別與PMOS晶體管Ql的漏極及柵極連接。電阻R4的一端連接運(yùn)算放大器Al的同相端，另一端連接信號(hào)輸出端Vout+。 電阻R7的一端連接運(yùn)算放大器Al的反相端，另一端連接信號(hào)輸出端Vout+。電阻R6的一端連接運(yùn)算放大器Al的同相端，另一端連接信號(hào)輸入端Vin-以及信號(hào)輸出端Vout-。電阻R8 的一端連接運(yùn)算放大器Al的反相端，另一端連接信號(hào)輸入端Vin-以及信號(hào)輸出端Vout-。 過流監(jiān)測(cè)電阻R-LOAD的兩端分別與信號(hào)輸出端Vout+以及信號(hào)輸出端Vout-連接。本實(shí)用新型在PMOS晶體管Ql上并聯(lián)了一個(gè)電阻R1，起鎖定作用。在參數(shù)設(shè)置上必須要求電阻R6的阻值要小于電阻R8的阻值。當(dāng)輸出沒有電流(過流監(jiān)測(cè)電阻R-LOAD阻值為無(wú)窮大)時(shí)，電阻R5上的電壓為零，很明顯，V+小于V-，此時(shí)運(yùn)算放大器Al的輸出為低電平，PMOS晶體管Ql開通，電源輸出正常；當(dāng)輸出電流逐漸加大(過流監(jiān)測(cè)電阻R-LOAD阻值逐漸減小)時(shí)，電阻R5上的電壓增加，V-電壓逐漸降低。當(dāng)輸出電流增加到一定值時(shí)，電壓V+開始大于V-，運(yùn)算放大器Al輸出高電平，PMOS晶體管Ql關(guān)斷，電源實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。 此后，由于有微小電流流過電阻R1、電阻R5、過流監(jiān)測(cè)電阻R-L0AD，適當(dāng)調(diào)整各電阻阻值， 可以使運(yùn)算放大器Al的輸出繼續(xù)維持高電平，PMOS晶體管Ql始終處于關(guān)斷狀態(tài)，除非過流監(jiān)測(cè)電阻R-LOAD的阻值增加(輸出電流降低)到設(shè)定值，PMOS晶體管Ql才重新開通。以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型不限于以上實(shí)施例。可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的基本構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電源過流保護(hù)電路，其特征在于包括一個(gè)PMOS晶體管(Q1)，所述PMOS晶體管(Ql)的漏極連接第一信號(hào)輸入端(Vin+)，所述PMOS晶體管(Ql)的源極串聯(lián)第五電阻(R5)后連接第一信號(hào)輸出端(Vout+)，所述PMOS晶體管(Ql)的柵極串聯(lián)第三電阻(R3)后連接運(yùn)算放大器(Al)的輸出端；第一電阻(Rl)的兩端分別與PMOS晶體管(Ql)的漏極及源極連接；第二電阻(R2)的兩端分別與PMOS晶體管(Ql)的漏極及柵極連接；第四電阻(R4)的一端連接運(yùn)算放大器(Al)的同相端，另一端連接第一信號(hào)輸出端(Vout+)；第七電阻(R7)的一端連接運(yùn)算放大器(Al)的反相端，另一端連接第一信號(hào)輸出端(Vout+)；第六電阻(R6)的一端連接運(yùn)算放大器(Al)的同相端，另一端連接第二信號(hào)輸入端(Vin-)以及第二信號(hào)輸出端(Vout-)；第八電阻(R8)的一端連接運(yùn)算放大器(Al)的反相端，另一端連接第二信號(hào)輸入端(Vin-)以及第二信號(hào)輸出端(Vout-);過流監(jiān)測(cè)電阻(R-LOAD)的兩端分別與第一信號(hào)輸出端(Vout+)以及第二信號(hào)輸出端(Vout-)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電源過流保護(hù)電路，其特征在于所述第六電阻(R6)的阻值小于所述第八電阻(R8)的阻值。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種電源過流保護(hù)電路，包括一個(gè)PMOS晶體管，一個(gè)運(yùn)算放大器，一個(gè)過流監(jiān)測(cè)電阻以及多個(gè)輔助電阻元件，所述PMOS晶體管的漏極連接第一信號(hào)輸入端，源極串聯(lián)電阻后連接信號(hào)輸出端，柵極串聯(lián)電阻后連接運(yùn)算放大器的輸出端。本實(shí)用新型電源過流保護(hù)電路可以準(zhǔn)確地設(shè)定過流點(diǎn)；輸出過流后，電源立即切斷輸出，不會(huì)間歇性的重新啟動(dòng)；過流保護(hù)后，電源功率消耗很小，不會(huì)引起其他元件發(fā)熱。
文檔編號(hào)H02H3/08GK202333740SQ201120504758
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者曹加勇 申請(qǐng)人:無(wú)錫市金賽德電子有限公司