專利名稱：功率柜阻容吸收的獨(dú)立組合硬連接回路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種能提高勵(lì)磁系統(tǒng)功率柜阻容吸收可靠性的連接回路。它能消 耗掉阻容吸收因換向產(chǎn)生的大量熱量，提高功率柜阻容吸收回路的可靠性，保障功率柜的 安全穩(wěn)定運(yùn)行，屬于發(fā)電機(jī)勵(lì)磁回路控制技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在功率柜的設(shè)計(jì)中，為抑制整流回路中可控硅的換向電壓，需在可控硅兩端并聯(lián) 上阻容吸收元件，圖1為現(xiàn)有的功率柜阻容吸收回路連接示意圖，現(xiàn)行的方案是將阻容元 件安裝在功率柜的環(huán)氧板上，然后用導(dǎo)線將可控硅的兩端與串聯(lián)在一起的阻容的兩端并聯(lián) 起來(lái)，圖2為現(xiàn)有的阻容吸收板示意圖。由于功率柜在大電流、高電壓的工況下運(yùn)行，故其柜內(nèi)溫度較高；另外，可控硅換 向時(shí)電容元件高頻率的充放電也會(huì)使得電阻、電容元件產(chǎn)生較多的熱量。阻容吸收元件長(zhǎng) 時(shí)間的工作于高溫環(huán)境下，其使用壽命必然會(huì)縮短，出現(xiàn)損壞的機(jī)率也大大增加；連接阻容 吸收回路的導(dǎo)線也會(huì)因長(zhǎng)期的高溫工作環(huán)境而出現(xiàn)老化、脫落的情況，因此，現(xiàn)行的阻容吸 收回路設(shè)計(jì)使得功率柜存在一定的安全隱患。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于避免阻容吸收元件出現(xiàn)因高溫工作環(huán)境而損壞的工況， 同時(shí)提高阻容回路連接的可靠性，進(jìn)而保證功率柜的穩(wěn)定運(yùn)行。為達(dá)到以上目的，本實(shí)用新型提供一種更加可靠的功率柜阻容吸收的獨(dú)立組合硬 連接回路，包括由串聯(lián)的電阻和電容組成的阻容元件，所述阻容元件與可控硅并聯(lián)連接，其 特征在于所述電阻與電容之間為金屬硬連接。本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型的阻容吸收回路的獨(dú)立組合硬連接回路， 可有效提高阻容元件的散熱性和穩(wěn)定性，保證功率柜和勵(lì)磁系統(tǒng)的安全、可靠運(yùn)行。

圖1為現(xiàn)有的功率柜阻容吸收回路連接示意圖；圖2為現(xiàn)有的阻容吸收板示意圖；圖3為本實(shí)用新型的連接回路的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
長(zhǎng)期的處于高溫工作環(huán)境是阻容吸收元件易出現(xiàn)損壞工況的主要原因之一，因 此，提高阻容吸收元件的散熱性便可有效的保證阻容元件的可靠性和穩(wěn)定性，消除功率柜 的安全隱患。將阻容吸收元件安裝在功率柜的風(fēng)道中，利用風(fēng)機(jī)加速阻容吸收元件周圍環(huán)境的 空氣流動(dòng)是提高阻容元件散熱性的有效手段。但由于阻容吸收板體積較大，不宜安裝于功率柜的風(fēng)道之中。本實(shí)用新型提供了一種更加可靠的阻容吸收獨(dú)立組合硬連接回路，即用 金屬硬連接代替之前的導(dǎo)線連接作為阻容吸收回路的連接載體。相比環(huán)氧板上的導(dǎo)線連接 方式，金屬硬連接更加穩(wěn)定、可靠，不會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)線老化和斷路的工況；而且，相比安裝在環(huán)氧 板上阻容元件只能向板的一側(cè)散熱的方式，金屬硬連接的阻容元件可以向四周散熱，因此 金屬硬連接的阻容吸收元件的散熱性更好；另外，金屬硬連接也使得整個(gè)阻容吸收回路的 體積更小，便于安裝在功率柜的風(fēng)道中，可利用加快空氣流動(dòng)來(lái)大幅提高阻容元件的散熱 效果，消除阻容元件溫度過(guò)高帶來(lái)的安全隱患。
權(quán)利要求一種功率柜阻容吸收的獨(dú)立組合硬連接回路，包括由串聯(lián)的電阻和電容組成的阻容元件，所述阻容元件與可控硅并聯(lián)連接，其特征在于所述電阻與電容之間為金屬硬連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種功率柜阻容吸收的獨(dú)立組合硬連接回路，包括由串聯(lián)的電阻和電容組成的阻容元件，所述阻容元件與可控硅并聯(lián)連接，其特征在于所述電阻與電容之間為金屬硬連接。本實(shí)用新型的阻容吸收回路的獨(dú)立組合硬連接回路，可有效提高阻容元件的散熱性和穩(wěn)定性，保證功率柜和勵(lì)磁系統(tǒng)的安全、可靠運(yùn)行。
文檔編號(hào)H02P9/14GK201758382SQ20102028004
公開(kāi)日2011年3月9日 申請(qǐng)日期2010年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月3日
發(fā)明者何靖, 史玉華, 孫延良, 趙立民, 霍乾濤, 黃衛(wèi)平 申請(qǐng)人:國(guó)電南瑞科技股份有限公司