專(zhuān)利名稱(chēng)：一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)，用于降低發(fā)電機(jī)線(xiàn)圈局部 電場(chǎng)集中度，提高線(xiàn)圈的電氣絕緣強(qiáng)度，屬于發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在發(fā)電機(jī)線(xiàn)圈實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，將電磁線(xiàn)、排間絕緣和換位絕緣材料進(jìn)行膠 化成一個(gè)整體的膠化線(xiàn)圈，由于電磁線(xiàn)的換位，在膠化線(xiàn)圈窄面形成了許多換位 凹坑。這些凹坑通常采用一些絕緣材料進(jìn)行填充，這些填充物僅填平了線(xiàn)圈窄面 的表面，膠化線(xiàn)圈仍有很多空隙，內(nèi)電場(chǎng)也不均勻，使得線(xiàn)圈主絕緣局部處于高 電場(chǎng)下，長(zhǎng)期運(yùn)行下會(huì)降低線(xiàn)圈主絕緣電氣強(qiáng)度，同時(shí)也會(huì)增大線(xiàn)圈損耗，使線(xiàn) 圈本身發(fā)熱。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種能均勻發(fā)電機(jī)線(xiàn)圈內(nèi)電場(chǎng)的內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)。 為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是提供了一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi) 屏蔽結(jié)構(gòu)，包括電磁線(xiàn)層，在電磁線(xiàn)層的中部設(shè)有排間絕緣，其特征在于，在電 磁線(xiàn)層的兩側(cè)設(shè)有半導(dǎo)體填充材料層。本實(shí)用新型由于良好的整體形狀和半導(dǎo)體 表面，從而能均勻發(fā)電機(jī)線(xiàn)圈內(nèi)電場(chǎng)，提高線(xiàn)圈整體絕緣性能。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是在發(fā)電機(jī)運(yùn)行過(guò)程中線(xiàn)圈主絕緣處于均勻電場(chǎng)下，增加 主絕緣壽命，降低線(xiàn)圈損耗，為發(fā)電機(jī)的正常運(yùn)行提供保障，適用于高電壓場(chǎng)強(qiáng) 下?lián)Q位填充用，尤其薄主絕緣類(lèi)型。

圖1為本實(shí)用新型提供的一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合實(shí)施例來(lái)具體說(shuō)明本實(shí)用新型。
實(shí)施例
如圖1所示，為本實(shí)用新型提供的一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)的示意圖，由半導(dǎo)體填充材料層l、電磁線(xiàn)層2及排間絕緣層3組成。內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)為半 導(dǎo)體填充材料于電磁線(xiàn)3的換位凹坑面內(nèi)，通過(guò)熱模成型的方式使得半導(dǎo)體材料 熔化成流動(dòng)狀，充分填平換位凹坑，形成一個(gè)整體的膠化線(xiàn)圈，膠化線(xiàn)圈兩面即 兩層半導(dǎo)體填充材料層l。
權(quán)利要求1.一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)，包括電磁線(xiàn)層(2)，在電磁線(xiàn)層(2)的中部設(shè)有排間絕緣(3)，其特征在于，在電磁線(xiàn)層(2)的兩側(cè)設(shè)有半導(dǎo)體填充材料層(1)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種發(fā)電機(jī)定子線(xiàn)圈內(nèi)屏蔽結(jié)構(gòu)，包括電磁線(xiàn)層，在電磁線(xiàn)層的中部設(shè)有排間絕緣，其特征在于，在電磁線(xiàn)層的兩側(cè)設(shè)有半導(dǎo)體填充材料層。本實(shí)用新型由于良好的整體形狀和半導(dǎo)體表面，從而能均勻發(fā)電機(jī)線(xiàn)圈內(nèi)電場(chǎng)，提高線(xiàn)圈整體絕緣性能。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是在發(fā)電機(jī)運(yùn)行過(guò)程中線(xiàn)圈主絕緣處于均勻電場(chǎng)下，增加主絕緣壽命，降低線(xiàn)圈損耗，為發(fā)電機(jī)的正常運(yùn)行提供保障，適用于高電壓場(chǎng)強(qiáng)下?lián)Q位填充用，尤其薄主絕緣類(lèi)型。
文檔編號(hào)H02K3/00GK201365151SQ20082020858
公開(kāi)日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者梅 馮, 松 劉, 朱光華, 王庭山, 剛 鄭 申請(qǐng)人:上海電氣電站設(shè)備有限公司