專利名稱：一種dc/dc變換器同步整流電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及DC/DC變換器，尤其涉及一種DC/DC變換器的同步整流電路。
背景技術(shù)：
同步整流是實現(xiàn)高功率密度DC/DC變換器的關(guān)鍵技術(shù)，在變換器的副邊采用同步整流MOS晶體管(MOSFET)來代替肖特基(Schottky)二極管進行整流，能夠大大降低導(dǎo)通損耗。但是同步整流MOS晶體管門極需要對應(yīng)的驅(qū)動電路要求較高，由于MOS晶體管柵極氧化層是由極薄的SiO2層構(gòu)成，若柵源電壓Vgs(包括負偏壓)超過其最大柵源擊穿電壓，則器件可能永久失效。因此同步整流管的驅(qū)動多采用箝位驅(qū)動電路來抑制過高的驅(qū)動電壓以保證同步整流管的可靠工作。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中單端正激控制的直接驅(qū)動電路的示意圖。由驅(qū)動繞組提供的電壓變化范圍比較大，正負方向都極有可能超過Q4的柵源額定耐壓，所以需要箝位限壓。
申請?zhí)枮?00510101274.0的中國發(fā)明專利中揭示了另一種具有正向反向箝位驅(qū)動電路的改進方案。如圖2所示，該電路雖然將同步整流管Q4驅(qū)動電壓箝位到正電平Vp和地電平。但該電路有一個缺陷為了使同步整流管Q4完全導(dǎo)通，變壓器繞組W3的正向驅(qū)動電壓必須較高，相應(yīng)地，繞組W3負向驅(qū)動電壓也非常高，再加上變壓器漏感的影響，驅(qū)動波形不可避免有一定的尖峰電壓，負向箝位MOS管Q6的柵源電壓很有可能超過其額定耐壓，導(dǎo)致負向箝位管Q6損壞，進而導(dǎo)致同步整流管Q4損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提出一種DC/DC變換器的同步整流電路，防止負向箝位器件損壞。
本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決一種DC/DC變換器的同步整流電路，包括整流管、續(xù)流管和負向箝位驅(qū)動電路，所述負向箝位驅(qū)動電路包括受控于所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組的負向箝位器件，所述負向箝位器件用于對整流管和/或續(xù)流管放電并將整流管和/或續(xù)流管箝位到一低電平，其特征在于負向箝位驅(qū)動電路包括電容，所述電容一端與所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組電聯(lián)接，另一端與所述負向箝位器件的控制端相連。
本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案進一步予以解決還包括第一電阻，所述電容通過第一電阻與所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組相連。
還包括第二電阻，所述第二電阻并聯(lián)在電容的兩端。
還包括用于對整流管和/或續(xù)流管充電并將整流管和/或續(xù)流管箝位到一高電平的正向箝位電路，所述正向箝位電路包括正向箝位開關(guān)管、穩(wěn)壓源，所述正向箝位開關(guān)管的漏極與變壓器副邊繞組電聯(lián)接，柵極與穩(wěn)壓源正極相連，源極與所述整流管和/或續(xù)流管的控制端相連。
所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組、續(xù)流管驅(qū)動繞組、整流管驅(qū)動繞組；所述整流管是第一NMOS晶體管，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管，所述負向箝位器件是PMOS晶體管；所述第一NMOS晶體管的柵極與整流管驅(qū)動繞組的同名端電聯(lián)接，源極與整流管驅(qū)動繞組的異名端相連，漏極與第二NMOS晶體管的漏極相連；所述PMOS晶體管的柵極通過電容與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端電聯(lián)接，源極與第二NMOS晶體管的柵極相連，漏極與穩(wěn)壓源的負極、第二NMOS晶體管的源極和副邊主繞組的異名端相連；所述正向箝位開關(guān)管的源極與所述第二NMOS晶體管的柵極相連，漏極通過第一二極管與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端相連。
所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組和續(xù)流管驅(qū)動繞組；所述整流管是第一NMOS晶體管，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管，所述負向箝位器件是PMOS晶體管；所述第一NMOS晶體管的漏極與副邊主繞組的異名端相連，源極與第二NMOS晶體管的源極、PMOS晶體管的漏極、穩(wěn)壓源的負極相連，柵極與副邊主繞組的同名端電聯(lián)接；所述PMOS晶體管的柵極通過電容與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端電聯(lián)接，源極與第二NMOS晶體管的柵極相連，所述正向箝位開關(guān)管的源極與所述第二NMOS晶體管的柵極相連，漏極通過第二二極管與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端相連。
所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組、續(xù)流管驅(qū)動繞組；所述整流管是第一NMOS晶體管，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管，所述負向箝位器件是二極管；所述第一NMOS晶體管的柵極與副邊主繞組的同名端電聯(lián)接，漏極與副邊主繞組的異名端相連，源極與第二NMOS晶體管的源極、二極管的陽極和穩(wěn)壓源的負極相連；所述二極管的陰極與正向箝位開關(guān)管的漏極、電容相連，所述正向箝位開關(guān)管的源極與所述第二NMOS晶體管的柵極相連，漏極通過電容與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端電聯(lián)接。
所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組、續(xù)流管驅(qū)動繞組；所述整流管是第一NMOS晶體管，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管，所述負向箝位器件是二極管；所述第一NMOS晶體管的柵極與副邊主繞組的同名端電聯(lián)接，漏極與副邊主繞組的異名端相連，源極與第二NMOS晶體管的源極、二極管的陽極相連；所述二極管的陰極與第二NMOS晶體管的柵極、電容相連，所述電容與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端電聯(lián)接。
所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組、續(xù)流管驅(qū)動繞組、整流管驅(qū)動繞組；所述整流管是第一NMOS晶體管，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管，所述負向箝位器件是PMOS晶體管；所述第二NMOS晶體管的柵極與續(xù)流管驅(qū)動繞組的異名端電聯(lián)接，源極與副邊主繞組的異名端相連，漏極與第一NMOS晶體管的漏極相連；所述正向箝位開關(guān)管的源極與所述第一NMOS晶體管的柵極相連，漏極通過第一二極管與整流管驅(qū)動繞組的同名端相連；所述PMOS晶體管的柵極通過電容與整流管驅(qū)動繞組的同名端電聯(lián)接，源極與第一NMOS晶體管的柵極相連，漏極與穩(wěn)壓源的負極、第一NMOS晶體管的源極和整流管驅(qū)動繞組的異名端相連。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果是由于現(xiàn)有DC/DC變換器的變壓器副邊繞組驅(qū)動電壓一般是一個不對稱的正負向電平，負向值一般比正向值大很多，容易使負向箝位管器件超過最大耐受能力而損壞，本發(fā)明在負向箝位驅(qū)動電路設(shè)置了電容，其一端與變壓器副邊繞組電聯(lián)接，其另一端與負向箝位器件的控制端相連。這樣可限制負向箝位器件上的電壓或電流，避免燒毀負向箝位器件，從而保證電路的正常工作。具體地，針對采用PMOS晶體管作為負向箝位器件的情況，電容可將繞組電壓移相為上下伏秒平衡的驅(qū)動電平，大大減小了負向電壓值，能有效防止PMOS晶體管的柵源電壓超標，防止作為負向箝位器件的PMOS晶體管損壞；針對采用二極管作為負向箝位器件的情況，電容可以增大二極管所處回路的阻抗，避免形成很大的環(huán)流，防止燒毀作為負向箝位器件的二極管。
本發(fā)明將上述電容通過第一電阻與所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組相連，利用第一電阻吸收一部分尖峰電壓，再通過負向箝位器件，進一步保護負向箝位器件，進一步克服現(xiàn)有技術(shù)負向箝位器件容易損壞的缺陷。
本發(fā)明通過將第二電阻并聯(lián)在電容的兩端，可以對上述電容的波形進行調(diào)節(jié)，微調(diào)負向箝位器件的驅(qū)動控制電壓。


圖1是現(xiàn)有帶正向箝位驅(qū)動電路的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖2是現(xiàn)有的帶正、反向箝位驅(qū)動電路的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖3是本發(fā)明具體實施方式
一的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖4是DC/DC變換器的變壓器副邊驅(qū)動繞組電壓波形圖；圖5是現(xiàn)有的同步整流電路的負向箝位開關(guān)管柵源電壓波形圖；圖6是本發(fā)明具體實施方式
一的負向箝位開關(guān)管柵源電壓波形圖；圖7是本發(fā)明具體實施方式
一的負向箝位開關(guān)管漏源電壓波形圖；圖8是本發(fā)明具體實施方式
一的續(xù)流開關(guān)管驅(qū)動電壓波形圖；圖9是本發(fā)明具體實施方式
二的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖10是本發(fā)明具體實施方式
三的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖11是本發(fā)明具體實施方式
四的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖12是本發(fā)明具體實施方式
五的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖；圖13是本發(fā)明具體實施方式
六的同步整流電路結(jié)構(gòu)原理圖。
具體實施例方式
以下通過具體實施方式
并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步詳細的描述。
具體實施方式
一如圖3所示，變壓器T1包括兩個串聯(lián)連接的副邊繞組作為副邊主繞組的第二繞組W2和作為副邊續(xù)流管驅(qū)動繞組的第三繞組W3。第二繞組W2的異名端(圖中各繞組標點的端記為“同名端”，相對一端記為“異名端”。下同)與第三繞組W3的同名端相連。整流開關(guān)管Q3的漏極與第二繞組W2的異名端相連，其柵極通過第三電阻R1與第二繞組W2的同名端相連，其源極與續(xù)流開關(guān)管Q4的源極相連。續(xù)流開關(guān)管Q4的漏極與變壓器T1副邊第二繞組W2的同名端相連。第一二極管D1的陽極與變壓器T1副邊第三繞組W3的異名端相連，其陰極與正向箝位開關(guān)管Q5的漏極相連。正向箝位開關(guān)管Q5為N溝道MOS管，其源極與續(xù)流開關(guān)管Q4的控制端即其柵極相連，其柵極與穩(wěn)壓源Vp的正極相連。穩(wěn)壓源Vp的負極與續(xù)流開關(guān)管Q4的源極相連。負向箝位開關(guān)管Q6為P溝道MOS管，其源極與續(xù)流開關(guān)管Q4的柵極相連，負向箝位開關(guān)管Q6的控制端即柵極連接該電容C3的一端，該電容C3的另一端通過第一電阻R2與變壓器T1副邊第三繞組W3的異名端相連。所述電容C3的容量范圍與需要驅(qū)動的續(xù)流開關(guān)管Q4的特性有關(guān)，取值范圍可從皮法級到微法級。
上述電路中，正向箝位驅(qū)動電路包括正向箝位開關(guān)管Q5、第一二極管D1和穩(wěn)壓源Vp，正向箝位電路負責為續(xù)流開關(guān)管Q4充電并將續(xù)流開關(guān)管Q4箝位到一高電平；反向箝位驅(qū)動電路包括反向箝位開關(guān)管Q6、第一電阻R2和電容C3，反向箝位驅(qū)動電路負責為續(xù)流開關(guān)管Q4反向放電，并將開關(guān)管的柵極箝位到地電平。顯然，正向箝位驅(qū)動電路和反向箝位驅(qū)動電路也可改成為對整流開關(guān)管Q3箝位。
本發(fā)明具體實施方式
一的工作原理如下變壓器第三繞組W3的驅(qū)動電壓一般是一個不對稱的正、負向電壓，負向電壓一般比正向電壓大很多，負向電壓容易使負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓超過最大耐壓。當?shù)谌@組W3電壓為上負下正時，通過第一二極管D1、正向箝位開關(guān)管Q5為續(xù)流開關(guān)管Q4的柵極充電，當續(xù)流開關(guān)管Q4柵極電壓達到Vp時，正向箝位開關(guān)管Q5截止，達到正向箝位的作用。此時P溝道負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓為正，負向箝位開關(guān)管Q6截止。當?shù)谌@組W3電壓為上正下負時，負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓為負，負向箝位開關(guān)管Q6導(dǎo)通，將續(xù)流開關(guān)管Q4的柵源電壓箝位到地電平。電容C3串接于第三繞組W3的異名端和負向箝位開關(guān)管Q6的柵極之間，將繞組電壓移相為上下伏秒平衡(即在一個周期內(nèi)電壓波形的正向曲線與負向曲線同時間軸所圍面積相等)的驅(qū)動電壓，從而大大減小了負向電壓，同時第一電阻R2可以吸收一部分負向尖峰電壓，再通過開關(guān)管Q6負向箝位，即可以完全克服現(xiàn)有技術(shù)中負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓容易超標的缺陷。特別地，續(xù)流開關(guān)管Q4的驅(qū)動電壓保持在Vp電壓和地電平之間變化，使得開關(guān)管Q6的漏源電壓最大為-Vp，大大提高了Q6的可靠性，減小了Q6的損耗。使用本電路后，續(xù)流開關(guān)管Q4的驅(qū)動電壓只在Vp、地電平之間變化，減少了負向的驅(qū)動損耗，達到了最佳工作狀態(tài)，提高了DC/DC變換器可靠性和效率。
下面用實驗結(jié)果的波形來對本發(fā)明的效果作進一步說明。從圖4可以看到，DC/DC變換器中變壓器第三繞組W3驅(qū)動電壓波形的負向值很大，而且具有相對大的尖峰。針對如圖2所示的現(xiàn)有同步整流驅(qū)動電路，其所對應(yīng)的負向箝位開關(guān)管的柵源電壓波形參見圖5，其中，電壓波形的負向值很大，這非常容易導(dǎo)致箝位開關(guān)管的柵源電壓超標。而如圖6所示，本發(fā)明在增加了電容C3后，負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓波形上下形成伏秒平衡，比不加電容的波形負向最大值減小了50％以上。這可以大大減少負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓超過額定耐壓值的概率，避免負向箝位開關(guān)管Q6損壞。
如圖7所示，本發(fā)明中負向箝位開關(guān)管Q6的漏源電壓波形嚴格在-Vp和地電平之間變化。這可以大大提高負向箝位開關(guān)管Q6的可靠性，減小了負向箝位開關(guān)管Q6的損耗。如圖8所示，本發(fā)明正、負向箝位后續(xù)流管Q4的驅(qū)動電壓完全在Vp和地電平之間，基本達到了理想的驅(qū)動波形。，減少了續(xù)流管Q4的驅(qū)動損耗。
具體實施方式
二圖9所示為本發(fā)明具體實施方式
一的一種變形，在其基礎(chǔ)上只增加了并聯(lián)連接在電容C3兩端的第二電阻R3，電路其它部分保持不變。該第二電阻R3阻值取較大值，在100KΩ量級，其的作用是調(diào)節(jié)電容C3的波形，微調(diào)負向箝位開關(guān)管Q6的柵源電壓。本實施方式的其它工作原理類同于具體實施方式
一。
具體實施方式
三如圖10，本實施方式在具體實施方式
二的基礎(chǔ)上，將負向箝位開關(guān)管Q6更換為二極管D。其中電容C3一端與第一電阻R2相連，另一端與正向箝位開關(guān)管Q5的漏極以及二極管D的控制端，即其陰極相連，二極管D的陽極與整流開關(guān)管Q3的源極相連。
本實施方式的工作原理與前述方案的不同之處在于第三繞組W3的繞組驅(qū)動電壓經(jīng)電容C3移相后，用二極管D對地箝位，也經(jīng)正向箝位開關(guān)管Q5、穩(wěn)壓源Vp正向穩(wěn)壓，驅(qū)動續(xù)流開關(guān)管Q4。本實施方式的特點是將正、負向箝位電路合并在一條支路上，同樣實現(xiàn)了使續(xù)流開關(guān)管Q4的驅(qū)動電壓在Vp和地電平之間變化，而且將負向箝位開關(guān)管Q6換成二極管D，降低了成本。該電路如果不加電容C則W3繞組、Q3的體二極管、第一電阻R2、二極管D形成了一個回路，該回路的阻抗很小，直接形成很大的環(huán)流，很容易燒毀二極管D。加上電容C后，該回路阻抗明顯增大，不會形成很大電流，避免燒毀作為負向箝位器件的二極管D，從而可以保證電路的正常工作。
具體實施方式
四如圖11，在具體實施方式
三的基礎(chǔ)上再次簡化，去掉了正向箝位電路，即去掉了正向箝位開關(guān)管Q5、穩(wěn)壓源Vp。本實施方式可以應(yīng)用在非常低壓的DC/DC變換器上，續(xù)流開關(guān)管Q4的正向驅(qū)動電壓不高，電路結(jié)構(gòu)非常簡單。
具體實施方式
五如圖12，在具體實施方式
二的基礎(chǔ)上，變壓器T1副邊增加了一個與第二繞組W2串聯(lián)連接的繞組，即作為整流管驅(qū)動繞組的第四繞組W4，第四繞組W4的異名端與第二繞組W2的同名端相連，第四繞組W4的同名端通過電阻R1與整流開關(guān)管Q3的柵極相連，整流開關(guān)管Q3的源極與第四繞組W4的異名端相連，整流開關(guān)管Q3的漏極與續(xù)流開關(guān)管Q4的漏極相連。本實施方式的工作原理類同于具體實施方式
一，適合于輸出電壓較高的場合。
具體實施方式
六如圖13，具體實施方式
五的基礎(chǔ)上將正、負向箝位電路的作用對象由Q4改為Q3，工作原理類同于實施方式五。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種DC/DC變換器的同步整流電路，包括整流管、續(xù)流管和負向箝位驅(qū)動電路，所述負向箝位驅(qū)動電路包括受控于所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組的負向箝位器件，所述負向箝位器件用于對整流管和/或續(xù)流管放電并將整流管和/或續(xù)流管箝位到一低電平，其特征在于負向箝位驅(qū)動電路包括電容(C3)，所述電容一端與所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組電聯(lián)接，另一端與所述負向箝位器件的控制端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于還包括第一電阻(R2)，所述電容通過第一電阻(R2)與所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于還包括第二電阻(R3)，所述第二電阻(R3)并聯(lián)在電容(C3)的兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于還包括用于對整流管和/或續(xù)流管充電并將整流管和/或續(xù)流管箝位到一高電平的正向箝位電路，所述正向箝位電路包括正向箝位開關(guān)管(Q5)、穩(wěn)壓源(Vp)，所述正向箝位開關(guān)管(Q5)的漏極與變壓器副邊繞組電聯(lián)接，柵極與穩(wěn)壓源(Vp)正極相連，源極與所述整流管和/或續(xù)流管的控制端相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組(W2)、續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)；所述整流管是第一NMOS晶體管(Q3)，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管(Q4)，所述負向箝位器件是二極管(D)；所述第一NMOS晶體管(Q3)的柵極與副邊主繞組(W2)的同名端電聯(lián)接，漏極與副邊主繞組(W2) 的異名端相連，源極與第二NMOS晶體管(Q4)的源極、二極管(D)的陽極相連；所述二極管(D)的陰極與第二NMOS晶體管(Q4)的柵極、電容(C3)相連，所述電容(C3)與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端電聯(lián)接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組(W2)和續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)；所述整流管是第一NMOS晶體管(Q3)，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管(Q4)，所述負向箝位器件是PMOS晶體管(Q6)；所述第一NMOS晶體管(Q3)的漏極與副邊主繞組(W2)的異名端相連，源極與第二NMOS晶體管(Q4)的源極、PMOS晶體管(Q6)的漏極、穩(wěn)壓源(Vp)的負極相連，柵極與副邊主繞組(W2)的同名端電聯(lián)接；所述PMOS晶體管(Q6)的柵極通過電容(C3)與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端電聯(lián)接，源極與第二NMOS晶體管(Q4)的柵極相連；所述正向箝位開關(guān)管(Q5)的源極與所述第二NMOS晶體管(Q4)的柵極相連，漏極通過第一二極管(D1)與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組(W2)、續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)；所述整流管是第一NMOS晶體管(Q3)，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管(Q4)，所述負向箝位器件是二極管(D)；所述第一NMOS晶體管(Q3)的柵極與副邊主繞組(W2)的同名端電聯(lián)接，漏極與副邊主繞組(W2)的異名端相連，源極與第二NMOS晶體管(Q4)的源極、二極管(D)的陽極和穩(wěn)壓源(Vp)的負極相連；所述二極管(D)的陰極與正向箝位開關(guān)管(Q5)的漏極、電容(C3)相連；所述正向箝位開關(guān)管(Q5)的源極與所述第二NMOS晶體管(Q4)的柵極相連，漏極通過電容(C3)與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端電聯(lián)接。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組(W2)、續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)、整流管驅(qū)動繞組(W4)；所述整流管是第一NMOS晶體管(Q3)，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管(Q4)，所述負向箝位器件是PMOS晶體管(Q6)；所述第一NMOS晶體管(Q3)的柵極與整流管驅(qū)動繞組(W4)的同名端電聯(lián)接，源極與整流管驅(qū)動繞組(W4)的異名端相連，漏極與第二NMOS晶體管(Q4)的漏極相連；所述PMOS晶體管(Q6)的柵極通過電容(C3)與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端電聯(lián)接，源極與第二NMOS晶體管(Q4)的柵極相連，漏極與穩(wěn)壓源(Vp)的負極、第二NMOS晶體管(Q4)的源極和副邊主繞組(W2)的異名端相連；所述正向箝位開關(guān)管(Q5)的源極與所述第二NMOS晶體管(Q4)的柵極相連，漏極通過第一二極管(D1)與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DC/DC變換器的同步整流電路，其特征在于所述DC/DC變換器的變壓器副邊包括串聯(lián)連接的副邊主繞組(W2)、續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)、整流管驅(qū)動繞組(W4)；所述整流管是第一NMOS晶體管(Q3)，所述續(xù)流管是第二NMOS晶體管(Q4)，所述負向箝位器件是PMOS晶體管(Q6)；所述第二NMOS晶體管(Q4)的柵極與續(xù)流管驅(qū)動繞組(W3)的異名端電聯(lián)接，源極與副邊主繞組(W2)的異名端相連，漏極與第一NMOS晶體管(Q3)的漏極相連；所述正向箝位開關(guān)管(Q5)的源極與所述第一NMOS晶體管(Q3)的柵極相連，漏極通過第一二極管(D1)與整流管驅(qū)動繞組(W4)的同名端相連；所述PMOS晶體管(Q6)的柵極通過電容(C3)與整流管驅(qū)動繞組(W4)的同名端電聯(lián)接，源極與第一NMOS晶體管(Q3)的柵極相連，漏極與穩(wěn)壓源(Vp)的負極、第一NMOS晶體管(Q3)的源極和整流管驅(qū)動繞組(W4)的異名端相連。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種DC/DC變換器的同步整流電路，包括整流管、續(xù)流管和負向箝位驅(qū)動電路，所述負向箝位驅(qū)動電路包括受控于所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組的負向箝位器件，所述負向箝位器件用于對整流管和/或續(xù)流管放電并將整流管和/或續(xù)流管箝位到一低電平，負向箝位驅(qū)動電路具有一電容，所述電容一端與所述DC/DC變換器的變壓器副邊繞組電聯(lián)接，另一端與所述負向箝位器件的控制端相連。本發(fā)明通過上述電容的作用，能有效防止負向箝位器件的電壓或電流超標，防止負向箝位器件的損壞。
文檔編號H02M7/217GK101047338SQ200710074269
公開日2007年10月3日 申請日期2007年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月29日
發(fā)明者蔡增威, 鄭玉成, 吳文江 申請人:艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司