專(zhuān)利名稱(chēng)：電源轉(zhuǎn)換器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的權(quán)利要求享有1999年9月6提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)NO.11-251051的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的整個(gè)內(nèi)容在此引為參考。
本發(fā)明涉及一種運(yùn)用高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的電源轉(zhuǎn)換器裝置，包括一個(gè)抑制浪涌電壓的緩沖器電路，特別涉及一種緩沖器電路的線路結(jié)構(gòu)。
近年來(lái)，在高速開(kāi)關(guān)方面作為電源轉(zhuǎn)換器或者電源逆變器的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件有顯著的進(jìn)展。例如，GCT(柵傳遞晶閘管)是一種高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的電流門(mén)觸發(fā)器，IGBT(絕緣柵雙極晶體三極管)、IEGT(注入加強(qiáng)柵晶體管)是高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的電壓門(mén)觸發(fā)器類(lèi)。這些能夠?qū)?-6KV的電壓和3-4KA的電流進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，已經(jīng)得到了發(fā)展并實(shí)際應(yīng)用。而且，因?yàn)榘雽?dǎo)體開(kāi)關(guān)器件在其關(guān)閉時(shí)dv/dt阻抗已經(jīng)得到了提高，所以緩沖器電路力圖做得尺寸更小，損耗更低。


圖1表示傳統(tǒng)的采用GTO為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的NPC(中性點(diǎn)箝位)逆變器的電路圖。緩沖器電路2a，3a，4a和5a分別連接到GTO開(kāi)關(guān)器件2，3，4和5。各個(gè)緩沖器電路2a-5a抑制在開(kāi)關(guān)控制GTO開(kāi)關(guān)器件2-5時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓，每個(gè)緩沖器電路2a-5a包括一個(gè)電容器，一個(gè)二極管和一個(gè)電阻。
近年來(lái)，隨著高性能GCT、IGBT和IEGT投入使用，緊縮的緩沖器電路或電容器逐漸與直流電源連用。這些高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件在性能上可以在1-2微秒將上千安培的電流切斷為0。在切斷大電流時(shí)，產(chǎn)生了由線路電感和電流上升率(dI/dt)的乘積表示的浪涌電壓。如果浪涌電壓峰值或電壓上升率(dV/dt)高于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的壓容量，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件就可能永久性破壞。因此，浪涌電壓小于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的壓容量是重要的。
然而，在采用高速半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的大容量類(lèi)型電源轉(zhuǎn)換器中，由于任一個(gè)充電和放電緩沖器電路或緊縮的緩沖器電路是與各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件相連，電源轉(zhuǎn)換器尺寸變大且費(fèi)用增高。由此，需要配置一種裝置，通過(guò)唯一的緊縮的緩沖器電路按采用小耐壓容量的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的電源轉(zhuǎn)換器的相同方式聯(lián)接到直流電源。也就是說(shuō)，需要配置毋須將緩沖器電路附在各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的一種抑制浪涌電壓的裝置。
由此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種電源轉(zhuǎn)換器裝置，該裝置可以降低在開(kāi)關(guān)控制半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓，并且保護(hù)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件免遭浪涌電壓的損壞。
本發(fā)明提供一個(gè)電源轉(zhuǎn)換器裝置，包括一個(gè)直流電源，一個(gè)半導(dǎo)體堆，與直流電源并聯(lián)，還具有多個(gè)半導(dǎo)體器件和使半導(dǎo)體器件冷卻的冷卻裝置，半導(dǎo)體器件和冷卻裝置堆疊且相壓置，與直流電源并聯(lián)的緩沖器電路，有一個(gè)電容器和二極管的串聯(lián)電路，和與二極管并聯(lián)的電阻器，電容器的一端配置為緊鄰半導(dǎo)體堆，以使由電流流入端點(diǎn)產(chǎn)生的磁通量抵消由電流流入半導(dǎo)體堆引起的磁通量。
結(jié)合附圖，參考以下詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明更為完善的價(jià)值和許多附加的優(yōu)點(diǎn)將更容易得到，這一點(diǎn)變得更加能夠理解。
圖1是說(shuō)明采用GTO的傳統(tǒng)三階NPC逆變器裝置的主電路電路圖。
圖2是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的三階NPC逆變器裝置的主電路電路圖。
圖3是第一實(shí)施例半導(dǎo)體堆的結(jié)構(gòu)主示圖。
圖4是第一實(shí)施例半導(dǎo)體堆的透視圖。
圖5是第一實(shí)施例中性點(diǎn)匯流排的透視圖。
圖6是第一實(shí)施例NPC逆變器裝置的U相電路的電流流向的電路圖。
圖7是對(duì)第一實(shí)施例的NPC逆變器裝置的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件施加浪涌電壓的波形圖。
圖8是第一實(shí)施例NPC逆變器裝置的二極管瞬態(tài)“開(kāi)”電壓的波形圖。
圖9是第二實(shí)施例的NPC逆變器的半導(dǎo)體堆的結(jié)構(gòu)主示圖。
根據(jù)圖示的實(shí)施例，下面將對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
(第一實(shí)施例)結(jié)合圖2-8，將對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例采用IEGT的三階NPC逆變器裝置進(jìn)行說(shuō)明。
如圖2所示，第一實(shí)施例中NPC逆變器裝置的主電路包括一個(gè)具有平滑電容器1a和1b的直流電源，U相電路，V相電路以及W相電路。電容器1a接在直流電源正極與中性點(diǎn)間。電容器1b接在直流電源負(fù)極與中性點(diǎn)間。各個(gè)U，V和W相電路都與直流電源相連，且形式相同。U相電路包括半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6，7，8，9，第一與第二聯(lián)接二極管10和11，兩個(gè)緩沖器電路12。各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9包括一個(gè)IEGT和一個(gè)與IEGT反向并聯(lián)的二極管。各個(gè)緩沖器電路12分別聯(lián)接在正極與中性點(diǎn)之間，以及負(fù)極和中性點(diǎn)間也各有一個(gè)。每個(gè)緩沖器電路12包括一個(gè)緩沖器電容器12a，緩沖器二極管12b和放電電阻器12c。
下面將對(duì)安裝上述主電路的半導(dǎo)體堆18進(jìn)行說(shuō)明。
通常，主電路采取空氣冷卻或水冷卻。
圖3和圖4給出了包括圖2所述的U相電路的一個(gè)半導(dǎo)體堆18水冷卻的情況。圖4給出了水冷卻的冷卻管31。
如圖3和圖4，第一和第二聯(lián)接二極管10和11相互串聯(lián)，中間隔一個(gè)中性點(diǎn)匯流排14C，都置于半導(dǎo)體堆18的中部。即匯流排14C與第一和第二聯(lián)接二極管10和11的中性點(diǎn)聯(lián)接。圖3中，中性點(diǎn)的右側(cè)是直流電源的正極，中性點(diǎn)的左側(cè)是直流電源的負(fù)極。第一聯(lián)接二極管10，絕緣隔離件16，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6和7，以及為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6，7冷卻的散熱片13都置于半導(dǎo)體堆18的正極側(cè)。同樣第二聯(lián)接二極管11，絕緣隔離件16，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件8和9，以及為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件8，9冷卻的散熱片13都置于半導(dǎo)體堆18的負(fù)極側(cè)。
半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6-9，聯(lián)接二極管10和11，散熱片13，和絕緣隔離件16都堆置并以一定壓力互相壓疊。
按上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體堆18與直流電源和緩沖器電路12聯(lián)接。
每個(gè)緩沖器電容器12a的外殼12a1都由黃銅或類(lèi)似材料構(gòu)成形成端點(diǎn)。外殼12a1置于緊鄰半導(dǎo)體堆18，這樣由電流流入外殼12a1(終端)產(chǎn)生的磁通量抵消由電流流入半導(dǎo)體堆18產(chǎn)生的磁通量，而且外殼12a1直接與散熱片13相連。緩沖器電容器12a的各另一端分為六個(gè)端點(diǎn)并包括一個(gè)與如圖4中的12a1相絕緣的絕緣子12a2。各個(gè)端點(diǎn)聯(lián)接到緩沖器二級(jí)管12b的端點(diǎn)(正極或負(fù)極)。緩沖器二極管12b的另一端點(diǎn)是中性點(diǎn)，直接聯(lián)接到冷卻緩沖器二極管12b的散熱片17。即散熱片17與中性點(diǎn)聯(lián)接。
如圖5所示，具有聯(lián)接緩沖器二極管12b并使緩沖器二極管12b冷卻的功能的散熱片17保證了中性點(diǎn)匯流排14C形成一個(gè)NPC逆變器裝置的中性點(diǎn)。如圖3和5，匯流排14C固定在聯(lián)接二極管10和11的正極與負(fù)極間，該聯(lián)接二極管10和11置于半導(dǎo)體堆18的中部形成T狀。T狀匯流排14C的固定面32面積大于散熱片17的固定面33面積。
上面的描述中，雖然匯流排14C形成的是T狀，匯流排還可以形成倒L狀。此時(shí)，聯(lián)接二極管10和11的正極和負(fù)極都連接到L狀匯流排上。只要L狀匯流排的固定面面積大于散熱片17的固定面33的面積的一半，可以取得與T狀匯流排14C相同的效果。
參考圖3和6，在第一實(shí)施例中的半導(dǎo)體堆18中，將對(duì)輸出一個(gè)正電平，一個(gè)中性電平和一個(gè)負(fù)電平的NPC逆變器裝置的電聯(lián)接模式進(jìn)行說(shuō)明。
由于負(fù)電平輸出模式的電流方向僅相反，省去對(duì)負(fù)電平的輸出模式的描述。
圖6中箭頭A表示U相電路的電平的輸出模式。
電流流經(jīng)正極匯流排14P，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件7，和輸出匯流排14U。對(duì)于半導(dǎo)體堆18具有圖3所示的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6和7，電流流經(jīng)正極匯流排14P，散熱片13，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6，散熱片13，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件7，散熱片13，以及圖3中箭頭A所示的輸出匯流排14U。
圖6中箭頭B和C表示U相電路中點(diǎn)電平的輸出模式。
電流流經(jīng)中性點(diǎn)匯流排14C，聯(lián)接二極管10，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件7，輸出匯流排14U，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件8，聯(lián)接二極管11以及中性點(diǎn)匯流排14C。對(duì)具有圖3所示的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件7和聯(lián)接二極管10的半導(dǎo)體堆18，電流流經(jīng)匯流排14C，聯(lián)接二極管10，散熱片13，匯流排15P，散熱片13，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件7，散熱片13，圖3箭頭B所示的輸出匯流排14U，以及進(jìn)一步電流流經(jīng)輸出匯流排14U，散熱片13，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件8，散熱片134，匯流排15N，散熱片13，聯(lián)接二極管11和中性點(diǎn)匯流排14C。
參考圖7，將說(shuō)明浪涌電壓在輸出模式中形成的原因。
電流IL流經(jīng)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6和7都開(kāi)啟，如果半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6的門(mén)電壓Vge如圖7所示在時(shí)刻t1形成了負(fù)偏置，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6關(guān)閉，由此提高了加到半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6的電壓，降低了流入半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6的電流Ic。由電流變化率(-dI/dt)和NPC逆變器裝置主電路的線路電感形成的浪涌電壓施加到半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6。圖7中t2時(shí)刻的浪涌電壓Vs1通過(guò)下面方程式1表示。為抑制浪涌電壓，需要降低線路電感并配置一個(gè)低瞬態(tài)“開(kāi)”電壓的二極管。
(方程式1)Vs1=V0+L*dI/Dt+Vfr圖7中t3時(shí)刻產(chǎn)生的浪涌電壓Vs2由下面的方程式2表示。
(方程式2)
Vs2=V0+L0/C*Ic]]>V0是直流電壓。L0是從平滑電容器1a到緩沖器電路12的線路電感。L是線路電感L1，L2，L3，L4，L5之和，C是緩沖器電容的電容量，Vfr是緩沖器二極管12b的瞬態(tài)“開(kāi)”電壓。
根據(jù)第一實(shí)施例，因?yàn)榫彌_器電容器12a的每個(gè)外殼12a1形成了一個(gè)直接連接到散熱片13的端點(diǎn)，緩沖器電容器12a的端點(diǎn)置為緊鄰半導(dǎo)體堆18，這樣電流流入該端點(diǎn)產(chǎn)生的磁通量抵消了由電流流入半導(dǎo)體堆18產(chǎn)生的磁通量，NPC逆變器裝置的線路電感減到最小，由此抑制施加到半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9的浪涌電壓。結(jié)果就沒(méi)有必要為各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6-9配置一個(gè)緩沖器電路。
而且，構(gòu)成緩沖器電路12的線路和元件在尺寸上得到了減小。NPC逆變器裝置的安裝工時(shí)也減低。
在上述NPC逆變器裝置中，緩沖器二極管12b有一個(gè)低瞬態(tài)“開(kāi)”電壓。如圖8所示，在較大變化率(dI/dt)的電流開(kāi)始流入二極管時(shí)形成一個(gè)較大電壓Vfr，即電子散入一片二極管的各個(gè)領(lǐng)域。
如方程式1所示，對(duì)于施加到半導(dǎo)體部件6上的浪涌電壓Vs1，緩沖器二極管12b的瞬態(tài)“開(kāi)”電壓Vfr是一個(gè)重要因素。由此，具有低瞬態(tài)“開(kāi)”電壓的多個(gè)緩沖器二極管12b采用并聯(lián)和串聯(lián)。如果緩沖器二極管串聯(lián)，低電壓阻抗的二極管可以作為緩沖器二極管。通常所知，低電壓阻抗二極管具有異常低瞬態(tài)“開(kāi)”電壓性能。
如果緩沖器二極管相互并聯(lián)，流入緩沖器二極管的電流分到多個(gè)緩沖器二極管中。結(jié)果，圖8所示的瞬態(tài)“開(kāi)”電壓由多個(gè)緩沖器二極管分配。
而且，需要配備為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)部件6-9冷卻用的散熱片13，聯(lián)接二極管10和11，匯流排15P，15N和14U相互緊鄰以降低線路電感。在該實(shí)施例中，絕緣隔離件16插入散熱片13之間。
有兩種方式固定絕緣隔離件16。一種是膠粘固定，另一種是螺釘固定。對(duì)膠粘固定，膠粘強(qiáng)度受冷卻空氣影響可能會(huì)減弱。對(duì)螺釘固定，因?yàn)槁葆斢山^緣體構(gòu)成，螺釘隨著年代久遠(yuǎn)會(huì)松動(dòng)。而且，由于螺釘位置形成孔洞，不導(dǎo)電的可靠性降低。
為避免上述問(wèn)題，匯流排15P，15N和14U的電橋除端點(diǎn)外全都用絕緣體蓋住。例如，采用環(huán)氧絕緣蓋或熱壓縮管。
根據(jù)第一實(shí)施例，由于散熱片13之間的距離以及匯流排15P，15N，14U的長(zhǎng)度降到最低，線路電感得到了降低，由此將在NPC逆變器裝置三階電氣模式下施加到半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的浪涌電壓降到最低。
而且，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9和散熱片13受IEGT和連接二極管10和11產(chǎn)生的熱而膨脹。如圖4所示，半導(dǎo)體堆18由桿柱34以預(yù)定壓力緊固。即由螺桿結(jié)合半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9，連接二極管10和11，以及散熱片13。在受熱膨脹產(chǎn)生的熱應(yīng)力加到半導(dǎo)體堆18的初始?jí)毫η闆r下，總壓力超出了半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9的預(yù)定壓力，由此半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9就會(huì)損壞。為避免這種情況，半導(dǎo)體堆18的一端配置盤(pán)形彈簧30或板簧(未表示)。
在這種結(jié)構(gòu)中，如果與半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9電氣聯(lián)接的匯流排15P，15N和14U是剛性的，就不能取得滿意的彈性效果。因此，匯流排15P，15N和14U各自具有彎曲部分，產(chǎn)生抑制熱膨脹導(dǎo)致的熱應(yīng)力的效果。
為了取得更好的彈性效應(yīng)，對(duì)匯流排進(jìn)行退火，減少熱膨脹導(dǎo)致的不良影響。
即使半導(dǎo)體堆18元件的聯(lián)接形式改變，緩沖器電路12的線路結(jié)構(gòu)可以按第一實(shí)施例的方式構(gòu)成。
(第二實(shí)施例)參考圖9，將對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例的NPC逆變器裝置進(jìn)行說(shuō)明。
在第二實(shí)施例中，散熱片19替代了第一實(shí)施例中的散熱片17。如圖9所示，緩沖器二極管12b的一端聯(lián)接到為冷卻緩沖器二極管12b的散熱片19。散熱片16還冷卻連接二極管10和11。而且，散熱片19同樣作為中性點(diǎn)輸出端的作用，并包括聯(lián)接中性點(diǎn)匯流排14C的孔洞。散熱片19的深度與散熱片13的深度一致以減少線路電感。
根據(jù)第二實(shí)施例，由于緩沖器電容器12a的每個(gè)外殼12a1本身構(gòu)成了一個(gè)直接聯(lián)接到散熱片13的端點(diǎn)，緩沖器電容器12a的各端點(diǎn)置于緊鄰半導(dǎo)體堆18的位置，以使由電流流入端點(diǎn)產(chǎn)生的磁通量抵銷(xiāo)電流流入半導(dǎo)體堆18的磁通量，NPC逆變器裝置的線路電感降為最低，由此抑制了施加到半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9上的浪涌電壓。結(jié)果，不必為每個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件6-9配置緩沖器電路。
根據(jù)本發(fā)明，由于NPC逆變器裝置的線路電感降為最低，毋須將緩沖器電路附加到各個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件就可以抑制浪涌電壓。即僅僅通過(guò)將緩沖器電路附加到直流電源，就可以抑制浪涌電壓。
而且，構(gòu)成緩沖器電路的線路和元件在尺寸上得到了降低。NPC逆變器裝置的安裝工時(shí)也減低。
由此，由于浪涌電壓得到了抑制，可以配置一種既經(jīng)濟(jì)又可靠的電源轉(zhuǎn)換器裝置。
根據(jù)以上講述進(jìn)行多種調(diào)整和改變都是可行的。因此，在附加權(quán)項(xiàng)范圍內(nèi)，就可以實(shí)施除這里具體說(shuō)明以外的本發(fā)明。
權(quán)利要求
1．一種電源轉(zhuǎn)換器裝置，其特征在于，包括一個(gè)直流電源；一個(gè)半導(dǎo)體堆，與所述的直流電源并聯(lián)，具有多個(gè)半導(dǎo)體器件和冷卻所述半導(dǎo)體器件的冷卻裝置，所述半導(dǎo)體器件和所述冷卻裝置堆疊并互相壓置；以及一個(gè)緩沖器電路，與所述直流電源并聯(lián)，具有電容器和二極管組成的串聯(lián)電路，和與所述二極管并聯(lián)的電阻器，所述電阻器的一端置為緊鄰所述半導(dǎo)體堆以使由電流流入所述端點(diǎn)產(chǎn)生的磁通量抵消由電流流入所述半導(dǎo)體堆引起的磁通量。
2．如權(quán)利要求1所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述電容器的所述端點(diǎn)由所述電容器外殼構(gòu)成。
3．如權(quán)利要求2所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述外殼聯(lián)接到所述冷卻裝置。
4．如權(quán)利要求2所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述電容器的另一端分為多個(gè)端點(diǎn)。
5．一種能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，包括一個(gè)有正極，負(fù)極和中性點(diǎn)的直流電源；一個(gè)半導(dǎo)體堆，與直流電源并聯(lián)，具有與所述正極耦合的第一冷卻裝置，與所述負(fù)極耦合的第二冷卻裝置，以及多個(gè)半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件和所述第一和第二冷卻裝置堆疊并互相壓置；一個(gè)第一緩沖器電路，聯(lián)接在正極和所述中性點(diǎn)之間，具有第一電容器和第一二極管組成的的第一串聯(lián)電路，以及與所述的第一二極管并聯(lián)的第一電阻器；以及一個(gè)第二緩沖器電路，聯(lián)接到所述負(fù)極和所述中性點(diǎn)之間，具有第二電容器和第二二極管組成的第二串聯(lián)電路，和與所述第二二極管并聯(lián)的第二電阻器，所述第一電容器的一端和所述第二電容器的一端置于緊鄰所述半導(dǎo)體堆以使由電流流入所述第一和第二電容器的所述端點(diǎn)產(chǎn)生的磁通量抵消由電流流入所述半導(dǎo)體堆引起的磁通量。
6．如權(quán)利要求5所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，其中所述第一和第二電容器的所述端點(diǎn)各自相應(yīng)地由所述第一和第二電容器的外殼構(gòu)成。
7．如權(quán)利要求6所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，其中所述第一和第二電容器的所述外殼各自相應(yīng)地連接到所述第一和第二冷卻裝置。
8．如權(quán)利要求5所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，還包括一個(gè)與所述中性點(diǎn)耦合的第三個(gè)冷卻裝置；在所述第一串聯(lián)電路的所述第一二極管側(cè)一端和在所述第二串聯(lián)電路的所述第二二極管側(cè)一端都連接到所述的第三個(gè)冷卻裝置。
9．如權(quán)利要求8所述的能量轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，還包括一個(gè)匯流排，連接到所述中性點(diǎn)，作為所述半導(dǎo)體器件的電極并將所述第三個(gè)冷卻裝置固定在它的固定面上，所述固定面面積等于或大于所述第三個(gè)冷卻裝置的固定面的面積。
全文摘要
電源轉(zhuǎn)換器裝置,包括直流電源,與直流電源并聯(lián)的半導(dǎo)體堆,具有多個(gè)半導(dǎo)體器件和冷卻半導(dǎo)體器件的冷卻裝置,半導(dǎo)體器件和冷卻裝置堆疊并互相壓置,與直流電源并聯(lián)的緩沖器電路,具有電容器和二極管的串聯(lián)電路,和與二極管并聯(lián)的電阻器,電容器的一端置于緊鄰半導(dǎo)體堆以使由電流流入端點(diǎn)產(chǎn)生的磁通量抵消由電流流入半導(dǎo)體堆引起的磁通量。
文檔編號(hào)H02M1/12GK1287404SQ00126368
公開(kāi)日2001年3月14日 申請(qǐng)日期2000年9月6日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月6日
發(fā)明者佐藤和弘, 中嶋亮, 市川耕作 申請(qǐng)人:東芝株式會(huì)社