陣列基板與顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括：基底；柵極層，包括柵極組，柵極組陣列排布于基底上，包括交替間隔排列的第一柵極組和第二柵極組，第一柵極組和第二柵極組均包括至少一個(gè)柵極；有源層，設(shè)置于基底和柵極層之間，包括第一溝道組和第二溝道組，第一溝道組對(duì)應(yīng)第一柵極組，第二溝道組對(duì)應(yīng)第二柵極組；遮光層，設(shè)置于基底與有源層之間，包括第一遮光層和第二遮光層，第一遮光層與第二遮光層之間設(shè)置有第一緩沖層，第一遮光層對(duì)應(yīng)第一溝道組，第二遮光層對(duì)應(yīng)第二溝道組。本實(shí)用新型通過交替間隔設(shè)置的兩層遮光層，增大了同一層內(nèi)相鄰遮光層間的距離，避免了將遮光層同層設(shè)置時(shí)相鄰遮光層之間分開困難的問題。
【專利說明】
陣列基板與顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種薄膜晶體管裝置，特別是涉及一種用于有源陣列平面顯示器中具有遮光層的多柵極薄膜晶體管裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(LCD:Liquid Crystal Display)因其體積小、功耗低、無福射等特點(diǎn)已成為目前平板顯示裝置中的主流產(chǎn)品。
[0003]薄膜晶體管是液晶顯示裝置中必不可少的控制器件，薄膜晶體管包括柵極、源極與漏極，薄膜晶體管通常采用非晶硅(a-Si)材料形成。
[0004]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了采用多晶硅(p-Si)材料形成薄膜晶體管的方式。具體的，可形成多晶硅(P-Si)薄膜層，然后對(duì)多晶硅(p-Si)薄膜層進(jìn)行摻雜等工藝，從而形成薄膜晶體管的有源區(qū)、源極區(qū)與漏極區(qū)。研究顯示，采用多晶硅(p-Si)材料形成的薄膜晶體管的性能比采用非晶硅材料形成的薄膜晶體管的性能高100多倍。多晶硅包括高溫多晶硅(HTPS)和低溫多晶硅(LTPS)，其中，采用低溫多晶硅形成的薄膜晶體管具有較高的電子迀移率，還能縮小薄膜晶體管的尺寸，因此廣泛應(yīng)用于液晶顯示裝置中，既實(shí)現(xiàn)了高開口率，又使得相應(yīng)的顯示裝置具有高亮度、低耗電的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]與采用非晶硅材料形成的薄膜晶體管相比，采用低溫多晶硅材料形成的薄膜晶體管工作時(shí)漏電流比較大，而漏電流較大的主要原因是顯示時(shí)背光對(duì)溝道區(qū)進(jìn)行照射，從而產(chǎn)生了較大的光致漏電流。目前主要是通過在溝道區(qū)下面制備一層遮光層來降低漏電流，同時(shí)，薄膜晶體管采用雙柵結(jié)構(gòu)也能從一定程度上降低漏電流。在實(shí)際制備中，對(duì)于主要采用雙柵結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅薄膜晶體管的制備，雙柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的溝道區(qū)下面遮光層分隔開時(shí)(即遮光層被分隔為面積較小的兩塊，且兩塊間隔設(shè)置)，由于遮光層與溝道區(qū)之間的正對(duì)面積相對(duì)減小，所以遮光層的寄生電容減小，這能使最終顯不廣品的良率更尚。
[0006]但隨著液晶顯示裝置越來越往高像素密度發(fā)展，想把薄膜晶體管溝道區(qū)下面的遮光層分開越來越困難，遮光層連在一起時(shí)與柵極線之間的寄生電容過大，影響最終顯示產(chǎn)品的良率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]—方面，本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括:基底;柵極層，包括柵極組，所述柵極組陣列排布于所述基底上，包括交替間隔排列的第一柵極組和第二柵極組，所述第一柵極組和第二柵極組均包括至少一個(gè)柵極;有源層，設(shè)置于所述基底和所述柵極層之間，包括第一溝道組和第二溝道組，所述第一溝道組對(duì)應(yīng)所述第一柵極組，所述第二溝道組對(duì)應(yīng)所述第二柵極組;所述第一溝道組和所述第二溝道組均包括至少一個(gè)溝道;遮光層，設(shè)置于所述基底與所述有源層之間，包括第一遮光層和第二遮光層，所述第一遮光層與所述第二遮光層之間設(shè)置有第一緩沖層，所述第一遮光層對(duì)應(yīng)所述第一溝道組，所述第二遮光層對(duì)應(yīng)所述第二溝道組。
[0008]另一方面，本實(shí)用新型提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一方面提供的陣列基板。
[0009]本實(shí)用新型通過在陣列基板上交替間隔設(shè)置的兩層遮光層，增大了同一層內(nèi)相鄰遮光層間的距離，避免了將遮光層同層設(shè)置時(shí)相鄰遮光層之間分開困難的問題，減小了遮光層與柵極線之間的寄生電容，提高了最終顯示產(chǎn)品的良率。
[0010]為讓本實(shí)用新型的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合【附圖說明】書附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的陣列基板俯視圖；
[0012]圖2為圖1中沿A-A’線的剖面示意圖；
[0013]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例的陣列基板俯視圖；
[0014]圖4為圖3中沿A-A’線的剖面示意圖；
[0015]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例的陣列基板俯視圖；
[0016]圖6為圖5中沿A-A’線的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下說明本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板。然而，可輕易了解本實(shí)用新型所提供的實(shí)施例僅用于說明以特定方法制作及使用本實(shí)用新型，并非用以局限本實(shí)用新型的范圍。
[0018]實(shí)施例1:
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2，其中圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的陣列基板俯視圖，圖2為圖1中沿A-A’線的剖面示意圖。陣列基板包括基板I，第一遮光層31設(shè)置于基底I上，為間隔設(shè)置的塊狀;第一緩沖層5設(shè)置于第一遮光層31上，覆蓋第一遮光層31;第二遮光層32設(shè)置于第一緩沖層5上，為間隔設(shè)置的塊狀，第二遮光層32穿插于第一遮光層31的間隔中；第二緩沖層7設(shè)置于第二遮光層32上，覆蓋第二遮光層32，第一遮光層31和第二遮光層32在基底I上的垂直投影無交疊;有源層設(shè)置于第二緩沖層7上，有源層包括源極區(qū)26，漏極區(qū)24，第一溝道區(qū)21，第二溝道區(qū)22，溝道連接區(qū)23，其中第一溝道區(qū)21鄰接源極區(qū)26與溝道連接區(qū)23，第二溝道區(qū)22鄰接漏極區(qū)24與溝道連接區(qū)23;柵極絕緣層9，設(shè)置于有源層上;柵極層8設(shè)置于柵極絕緣層9上，其中柵極層8與有源層相對(duì)的部分為柵極。陣列基板上包括薄膜晶體管T，薄膜晶體管T陣列排布于基底I上，每個(gè)薄膜晶體管T包括有源層、源極、漏極、柵極絕緣層9、柵極;其中有源層設(shè)置于基底I和柵極層8之間，包括第一溝道組20a和第二溝道組20b，第一溝道組20a和第二溝道組20b均包括至少一個(gè)溝道區(qū)，其中第一遮光層31對(duì)應(yīng)第一溝道組20a，第二遮光層32對(duì)應(yīng)第二溝道組20b;柵極層8包括柵極組80，柵極組80陣列排布于基底I上，包括交替間隔排列的第一柵極組80a和第二柵極組80b，第一柵極組80a和第二柵極組80b均包括至少一個(gè)柵極。
[0020]基底I可由石英、玻璃或其他透明材料所構(gòu)成。第一緩沖層5為氮化硅或氮化硅與氧化硅。遮光層可由金屬、半導(dǎo)體材料或其他吸光材料所構(gòu)成，優(yōu)選地，制成第一遮光層31與第二遮光層32的材料相同。第二緩沖層7為氧化硅或氮化硅與氧化硅。柵極絕緣層9為氮化硅、氧化硅或氮化硅與氧化硅。
[0021]本實(shí)施例中每個(gè)薄膜晶體管T包含兩個(gè)柵極，分別為第一柵極81和第二柵極82，第一柵極81和第二柵極82通過柵極層8電連接;本實(shí)施例中第一溝道組20a包括一個(gè)第一溝道區(qū)21，第二溝道組20b包括一個(gè)第二溝道區(qū)22，第一柵極組80a包括一個(gè)第一柵極81，第二柵極組80b包括一個(gè)第二柵極82，其中第一溝道組20a對(duì)應(yīng)第一柵極組80a，第二溝道組20b對(duì)應(yīng)第二柵極組80b。
[0022]本實(shí)施例中第一柵極組80a對(duì)應(yīng)的第一溝道組20a在基底I上的垂直投影被第一遮光層31在基底I上的垂直投影覆蓋，第二柵極組80b對(duì)應(yīng)的第二溝道組20b在基底I上的垂直投影被第二遮光層32在基底I上的垂直投影覆蓋，則第一遮光層31完全遮蔽第一溝道組20a，第二遮光層32完全遮蔽第二溝道區(qū)20b，可以防止光照射到第一溝道區(qū)21和第二溝道區(qū)22，避免產(chǎn)生漏電流，提升了薄膜晶體管T的器件穩(wěn)定性。
[0023]本實(shí)用新型中遮光層設(shè)置于基底I與有源層之間，分第一遮光層31和第二遮光層32兩層設(shè)置，第一遮光層31與第二遮光層32在基底I上的投影相互間隔，這種兩層遮光層的設(shè)置方式增加了第一遮光層31內(nèi)第一遮光層塊311與相鄰的第一遮光層塊312之間的間隔距離，不會(huì)出現(xiàn)相鄰遮光層塊分不開的情況，尤其適用于高像素密度產(chǎn)品。
[0024]請(qǐng)參照?qǐng)D3、圖4，不同于圖1、圖2所示的實(shí)施例之處在于第一柵極組80a包括位于同一個(gè)薄膜晶體Tl的第一柵極81和第二柵極82，第二柵極組80b包括位于同一薄膜晶體管T2的第一柵極81和第二柵極82，第一溝道組20a包括位于同一薄膜晶體管Tl的第一溝道區(qū)21和第二溝道區(qū)22，第二溝道組20b包括位于同一薄膜晶體管T2的第一溝道區(qū)21和第二溝道區(qū)22，其中第一溝道組20a對(duì)應(yīng)第一柵極組80a，第二溝道組20b對(duì)應(yīng)第二柵極組80b。
[0025]請(qǐng)參照?qǐng)D5、圖6，不同于上述所示的實(shí)施例之處在于第一柵極組80a包括位于薄膜晶體管Tl的第一柵極81和與薄膜晶體管Tl相鄰的薄膜晶體管T2的第二柵極82，相應(yīng)地第二柵極組80b包括位于薄膜晶體管Tl的第二柵極82和與薄膜晶體管Tl相鄰的薄膜晶體管T2的第一柵極81，第一溝道組20a包括位于薄膜晶體管Tl的第一溝道區(qū)21和與薄膜晶體管Tl相鄰的薄膜晶體管T2的第二溝道區(qū)22，第二溝道組20b包括位于薄膜晶體管Tl的第二溝道區(qū)22和與薄膜晶體管Tl相鄰的薄膜晶體管T2的第一溝道區(qū)21，其中第一溝道組20a對(duì)應(yīng)第一柵極組80a，第二溝道組20b對(duì)應(yīng)第二柵極組80b。
[0026]本實(shí)用新型也適用于單柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，此時(shí)每個(gè)薄膜晶體管包括一個(gè)柵極，第一柵極組包括一個(gè)柵極，第二柵極組包括一個(gè)柵極，第一柵極組與第二柵極組交替間隔設(shè)置。
[0027]實(shí)施例2:
[0028]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例1中的陣列基板。
[0029]通過采用實(shí)施例2中的陣列基板，使顯示裝置的顯示性能得到了進(jìn)一步提高。
[0030]上述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0031]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基底； 柵極層，包括柵極組，所述柵極組陣列排布于所述基底上，包括交替間隔排列的第一柵極組和第二柵極組，所述第一柵極組和所述第二柵極組均包括至少一個(gè)柵極； 有源層，設(shè)置于所述基底和所述柵極層之間，包括第一溝道組和第二溝道組，所述第一溝道組對(duì)應(yīng)所述第一柵極組，所述第二溝道組對(duì)應(yīng)所述第二柵極組，所述第一溝道組和所述第二溝道組均包括至少一個(gè)溝道； 遮光層，設(shè)置于所述基底與所述有源層之間，包括第一遮光層和第二遮光層，所述第一遮光層與所述第二遮光層之間設(shè)置有第一緩沖層，所述第一遮光層對(duì)應(yīng)所述第一溝道組，所述第二遮光層對(duì)應(yīng)所述第二溝道組。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括所述柵極，所述薄膜晶體管陣列排布于所述基底上。3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述薄膜晶體管包括一個(gè)柵極，所述第一柵極組包括一個(gè)柵極，所述第二柵極組包括一個(gè)柵極。4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 每個(gè)所述薄膜晶體管包括兩個(gè)柵極，分別定義為第一柵極和第二柵極； 每個(gè)所述第一柵極組包括一個(gè)所述第一柵極，每個(gè)所述第二柵極組包括一個(gè)所述第二柵極。5.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 每個(gè)所述薄膜晶體管包括兩個(gè)柵極，分別定義為第一柵極和第二柵極； 所述第一柵極組包括位于同一所述薄膜晶體管的第一柵極和第二柵極，所述第二柵極組包括位于同一所述薄膜晶體管的第一柵極和第二柵極。6.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 每個(gè)所述薄膜晶體管包括兩個(gè)柵極，分別定義為第一柵極和第二柵極； 所述第一柵極組包括一個(gè)所述薄膜晶體管的第一柵極和與所述薄膜晶體管相鄰的薄膜晶體管的第二柵極。7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光層和所述第二遮光層在所述基底上的垂直投影無交疊。8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，制成所述第一遮光層與所述第二遮光層的材料相同。9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括第二緩沖層，設(shè)置于所述第二遮光層與所述有源層之間。10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一緩沖層為氮化硅或氮化硅與氧化硅，所述第二緩沖層為氧化硅或氮化硅與氧化硅。11.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括柵極絕緣層，設(shè)置于所述有源層與所述柵極層之間。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任一所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK205657056SQ201620327827
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2016年4月19日 公開號(hào)201620327827.8, CN 201620327827, CN 205657056 U, CN 205657056U, CN-U-205657056, CN201620327827, CN201620327827.8, CN205657056 U, CN205657056U
【發(fā)明人】劉冰萍
【申請(qǐng)人】廈門天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司