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使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構的制作方法

文檔序號:10336583閱讀:651來源:國知局
使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型系有關于一種電纜線結(jié)構,尤指一種使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構。
【背景技術】
[0002]電磁干擾(Electro Magnetic Interference ,EU)一直是電纜通訊傳輸系統(tǒng)中必須解決的課題,即當傳輸線電纜中的金屬導線進行電信號傳輸時,便會輻射出電磁干擾以及拾取由其他電子設備上所產(chǎn)生的電磁干擾。尤其是現(xiàn)代高速傳輸規(guī)格與介面的盛行,使得傳輸線電纜在傳輸這類高速的高頻信號時面臨更高的電磁干擾挑戰(zhàn)。例如HDMI 1.3傳輸速度的規(guī)格是10.2Gbps,這種高頻信號傳輸對于電磁干擾相當敏感,且多種高頻信號間很容易產(chǎn)生串音(Cross Talk)。
[0003]先前同軸電線電纜傳輸線結(jié)構是由同軸線、遮蔽材料、金屬編織網(wǎng)及塑膠外皮所形成,其中遮蔽材料通常是由銅箔或鋁箔所制成,而塑膠外皮則是使用聚乙烯(PE)或聚氯乙烯(PVC)所制成的。然而,上述以銅箔或鋁箔所制成的金屬遮蔽材料對超高頻(> 1GHz)的信號所產(chǎn)生的雜訊并無抑制效果,且成對的信號線易產(chǎn)生串音,影響信號的傳輸品質(zhì)。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題在于,針對現(xiàn)有技術的不足提供一種使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構,其具有超高頻雜訊抑制功能,且能有效降低串音的發(fā)生。
[0005]本實用新型其中一實施例所提供的一種使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構,其包括:一信號與電力傳輸單元以及絕緣保護單元。所述信號與電力傳輸單元包括一第一傳輸線組件,所述第一傳輸線組件包括多個第一傳輸線及多個分別環(huán)繞包覆多個所述第一傳輸線的第一絕緣包覆層。所述絕緣保護單元包括一環(huán)繞包覆所述信號與電力傳輸單元的外層金屬編織層、一環(huán)繞包覆所述外層金屬編織層的外層屏蔽層、以及一環(huán)繞包覆所述外層屏蔽層的外層絕緣保護層。其中,所述外層屏蔽層由外層不導電膠體及外層納米材料混合所組成,用以抑制超過一預定高頻傳輸信號時所產(chǎn)生的高頻雜訊及串音干擾。
[0006]根據(jù)本實用新型的一實施方式,所述外層不導電膠體為硅膠或環(huán)氧樹脂,且所述外層納米材料為納米石墨、納米石墨稀、納米碳球、納米氮化硼、納米氮化娃、或納米氮化鋁,且所述第一預定高頻大于10GHz。
[0007]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,多個所述第一傳輸線包括至少一信號傳輸線及至少一電力傳輸線。
[0008]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,所述信號與電力傳輸單元包括一環(huán)繞包覆所述第一傳輸線組件的第一內(nèi)層金屬編織層、一環(huán)繞包覆所述第一內(nèi)層金屬編織層的第一內(nèi)層屏蔽層、以及一環(huán)繞包覆所述第一內(nèi)層屏蔽層的第一內(nèi)層絕緣保護層。
[0009]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,所述第一內(nèi)層屏蔽層由第一內(nèi)層不導電膠體及第一內(nèi)層納米材料混合所組成,用以抑制超過一第二預定高頻傳輸信號時所產(chǎn)生的高頻雜訊及串首干擾。
[0010]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,所述第一內(nèi)層不導電膠體為硅膠或環(huán)氧樹脂,且所述第一內(nèi)層納米材料為納米石墨、納米石墨稀、納米碳球、納米氮化硼、納米氮化娃、或納米氮化鋁,且所述第二預定高頻大于10GHZ。
[0011]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,所述信號與電力傳輸單元包括一第二傳輸線組件,所述第二傳輸線組件包括多個第二傳輸線及多個分別環(huán)繞包覆多個所述第二傳輸線的第二絕緣包覆層,且所述信號與電力傳輸單元包括一環(huán)繞包覆所述第二傳輸線組件的第二內(nèi)層金屬編織層、一環(huán)繞包覆所述第二內(nèi)層金屬編織層的第二內(nèi)層屏蔽層、以及一環(huán)繞包覆所述第二內(nèi)層屏蔽層的第二內(nèi)層絕緣保護層。
[0012]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,所述第二內(nèi)層屏蔽層由第二內(nèi)層不導電膠體及第二內(nèi)層納米材料混合所組成,用以抑制超過一第三預定高頻傳輸信號時所產(chǎn)生的高頻雜訊及串首干擾。
[0013]根據(jù)本實用新型的另一實施方式,所述第二內(nèi)層不導電膠體為硅膠或環(huán)氧樹脂,且所述第二內(nèi)層納米材料為納米石墨、納米石墨稀、納米碳球、納米氮化硼、納米氮化娃、或納米氮化鋁,且所述第三預定高頻大于10GHz。
[0014]本實用新型另外一實施例所提供的一種使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構,其包括:一信號與電力傳輸單元以及一絕緣保護單元。所述絕緣保護單元包括一環(huán)繞包覆所述信號與電力傳輸單元的外層屏蔽層、以及一環(huán)繞包覆所述外層屏蔽層的外層絕緣保護層;其中,所述外層屏蔽層由外層不導電膠體及外層納米材料混合所組成,用以抑制超過一第一預定高頻傳輸信號時所產(chǎn)生的高頻雜訊及串音干擾。
[0015]本實用新型的有益效果可以在于,本實用新型實施例所提供的使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構中的遮蔽材料是包含一用于抑制雜訊的屏蔽層及上下二層絕緣被覆材料,且其可通過“屏蔽層由不導電膠體及納米材料混合所組成”的設計,以達到抑制超尚頻雜訊及防止串首發(fā)生的功效。
[0016]為使能更進一步了解本實用新型的特征及技術內(nèi)容,請參閱以下有關本實用新型的詳細說明與附圖,然而所附圖式僅提供參考與說明用,并非用來對本實用新型加以限制者O
【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構的其中一實施例的剖面示意圖。
[0018]圖2為圖1中A部分的放大示意圖。
[0019]圖3為本實用新型使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構的另外一實施例的剖面示意圖。
[0020]圖4為圖3中B部分的放大示意圖。
[0021]圖5為圖3中C部分的放大示意圖。
[0022]圖6為本實用新型第一傳輸線組件的剖面示意圖。
[0023]圖7為本實用新型第二傳輸線組件的剖面示意圖。
[0024]其中,附圖標記說明如下:
[0025]電纜線結(jié)構S
[0026]信號與電力傳輸單元I第一傳輸線組件11
[0027]第一傳輸線m
[0028]第一絕緣包覆層112
[0029]第一內(nèi)層金屬編織層113
[0030]第一內(nèi)層屏蔽層114
[0031]第一內(nèi)層不導電膠體1141
[0032]第一內(nèi)層納米材料1142
[0033]第一內(nèi)層絕緣保護層115
[0034]第二傳輸線組件12
[0035]第二傳輸線121
[0036]第二絕緣包覆層122
[0037]第二內(nèi)層金屬編織層123
[0038]第二內(nèi)層不導電膠體1231
[0039]第二內(nèi)層納米材料1232
[0040]第二內(nèi)層屏蔽層124
[0041]第二內(nèi)層絕緣保護層125
[0042]絕緣保護單元2外層金屬編織層21
[0043]外層屏蔽層22
[0044]外層不導電膠體2201
[0045]外層納米材料2202
[0046]外層絕緣保護層23
【具體實施方式】
[0047]以下是通過特定的具體實例來說明本實用新型所揭露有關“使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構”的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容了解本實用新型的優(yōu)點與功效。本實用新型可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明書中的各項細節(jié)亦可基于不同觀點與應用,在不悖離本實用新型的精神下進行各種修飾與變更。另外,本實用新型的圖式僅為簡單示意說明,并非依實際尺寸的描繪,先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本實用新型的相關技術內(nèi)容,但所揭示的內(nèi)容并非用以限制本實用新型的技術范疇。
[0048]請參閱圖1及圖6所示,本實用新型其中一實施例提供一種使用納米材料的信號與電力傳輸用電纜線結(jié)構S,其包括:一信號與電力傳輸單元I及一絕緣保護單元2。信號與電力傳輸單元I包括一第一傳輸線組件11,第一傳輸線組件11包括多個第一傳輸線111及多個分別環(huán)繞包覆多個第一傳輸線111的第一絕緣包覆層112。另外,絕緣保護單元2包括一環(huán)繞包覆信號與電力傳輸單元I的外層金屬編織層21、一環(huán)繞包覆外層金屬編織層21的外層屏蔽層22、以及一環(huán)繞包覆外層屏蔽層22的外層絕緣保護層23。
[0049]請參閱圖2
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