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一種電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路的制作方法_3

文檔序號:10319351閱讀:來源:國知局
]高電位端和低電位端分別與電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)連接,可導(dǎo)通和可關(guān)斷的開關(guān)管20。
[0060]第一控制端⑶NI和第二控制端⑶N2分別與開關(guān)管20的控制端和電磁繼電器線圈的第一端連接,控制開關(guān)管20先于電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)導(dǎo)通或遲于電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)斷開進(jìn)而減弱電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通或斷開瞬間所產(chǎn)生的電弧火花的控制單元30。
[0061]作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例,開關(guān)管20的高電位端接電磁繼電器K的靜觸點(diǎn)2,開關(guān)管20的低電位端和負(fù)載1的第一端共接于電磁繼電器K的動觸點(diǎn)I。
[0062]作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例,控制單元30包括電阻R、電容C、二極管D和開關(guān)S。電阻R的第一端為控制單元30的第一控制端CONl,二極管D的負(fù)極為控制單元30的第二控制端C0N2;電阻R的第二端和二極管D的正極共接于電容C的第一端,電容C的第二端接地,開關(guān)S的第一端和第二端分別接二極管D的負(fù)極和地;電磁繼電器線圈的第二端、電磁繼電器K的靜觸點(diǎn)2和開關(guān)管20的高電位端共接于正電源VCC。
[0063]作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例,開關(guān)管20可以為三極管、場效應(yīng)管、可控硅、半導(dǎo)體無觸點(diǎn)開關(guān)、電子管無觸點(diǎn)開關(guān)、磁放大器式無觸點(diǎn)開關(guān)、離子管式無觸點(diǎn)開關(guān)等。在本實(shí)施例中,開關(guān)管20采用PNP型三極管Q,PNP型三極管Q的發(fā)射極為開關(guān)管20的高電位端,PNP型三極管Q的集電極為開關(guān)管20的低電位端,PNP型三極管Q的基極為開關(guān)管20的控制端。
[0064]作為本實(shí)用新型的一實(shí)施例,電磁繼電器K可以是直流電磁繼電器、交流電磁繼電器、磁保持繼電器等。
[0065]以下結(jié)合工作原理,對該實(shí)施例作進(jìn)一步解釋:
[0066]當(dāng)開關(guān)S閉合時,三極管Q與電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)均將導(dǎo)通,但由于電磁繼電器線圈的電流不能突變,且電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)間有機(jī)械行程,因此電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)的導(dǎo)通時間滯后于三極管Q的導(dǎo)通時間,即三極管Q的發(fā)射極和集電極先于電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)導(dǎo)通,這樣,在電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)導(dǎo)通時,兩觸點(diǎn)間的電壓僅為三極管Q的發(fā)射極和集電極之間的導(dǎo)通壓降(通常小于0.3V),因此,電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通的瞬間,兩觸點(diǎn)間的電壓不會發(fā)生突變,從而大大減少了電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通瞬間所產(chǎn)生的電弧火花。
[0067]當(dāng)開關(guān)S斷開時,電磁繼電器K的線圈會立即斷電,即電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)會立即斷開;同時,由于開關(guān)S斷開,三極管Q的基極將通過電阻R向電容C充電,此時三極管Q依然導(dǎo)通,直到電容C的電壓被充滿而致三極管Q的基極電流為零為止,這樣,在電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)斷開時,兩觸點(diǎn)間的電壓為三極管Q集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通壓降,因此,電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)在斷開的瞬間,兩觸點(diǎn)間的電壓不會發(fā)生突變,從而大大減少了電磁繼電器K的兩個觸點(diǎn)在斷開瞬間所產(chǎn)生的電弧火花。
[0068]在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,所述電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路包括電磁繼電器、開關(guān)管和控制單元,所述開關(guān)管的高電位端和低電位端分別接所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn),通過控制單元控制所述開關(guān)管和所述電磁繼電器,使所述開關(guān)管先于所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)導(dǎo)通或遲于所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)斷開,進(jìn)而使所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通或斷開瞬間兩觸點(diǎn)間的電壓不會發(fā)生突變,從而減弱電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通或斷開瞬間所產(chǎn)生的電弧火花,達(dá)到延長電磁繼電器壽命的目的。
[0069]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,與負(fù)載連接,包括電磁繼電器,所述電磁繼電器包括線圈、動觸點(diǎn)和靜觸點(diǎn),其特征在于,所述電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路還包括: 高電位端和低電位端分別與所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)連接,可導(dǎo)通和可關(guān)斷的開關(guān)管; 第一控制端和第二控制端分別與所述開關(guān)管的控制端和所述電磁繼電器線圈的第一端連接,控制所述開關(guān)管先于所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)導(dǎo)通或遲于所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)斷開進(jìn)而減弱所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通或斷開瞬間所產(chǎn)生的電弧火花的控制單元。2.如權(quán)利要求1所述的電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,其特征在于,所述開關(guān)管的高電位端接所述電磁繼電器的動觸點(diǎn),所述開關(guān)管的低電位端和所述負(fù)載的第一端共接于所述電磁繼電器的靜觸點(diǎn)。3.如權(quán)利要求1所述的電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,其特征在于,所述開關(guān)管的高電位端接所述電磁繼電器的靜觸點(diǎn),所述開關(guān)管的低電位端和所述負(fù)載的第一端共接于所述電磁繼電器的動觸點(diǎn)。4.如權(quán)利要求2所述的電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,其特征在于,所述控制單元包括電阻R、電容C、二極管D和開關(guān)S; 所述電阻R的第一端為所述控制單元的第一控制端,所述二極管D的負(fù)極為所述控制單元的第二控制端;所述電阻R的第二端和所述二極管D的正極共接于所述電容C的第一端,所述電容C的第二端接地,所述開關(guān)S的第一端和 第二端分別接所述二極管D的負(fù)極和地; 所述電磁繼電器線圈的第二端、所述電磁繼電器的動觸點(diǎn)和所述開關(guān)管的高電位端共接于正電源。5.如權(quán)利要求3所述的電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,其特征在于,所述控制單元包括電阻R、電容C、二極管D和開關(guān)S; 所述電阻R的第一端為所述控制單元的第一控制端,所述二極管D的負(fù)極為所述控制單元的第二控制端;所述電阻R的第二端和所述二極管D的正極共接于所述電容C的第一端,所述電容C的第二端接地,所述開關(guān)S的第一端和第二端分別接所述二極管D的負(fù)極和地; 所述電磁繼電器線圈的第二端、所述電磁繼電器的靜觸點(diǎn)和所述開關(guān)管的高電位端共接于正電源。6.如權(quán)利要求1所述的電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,其特征在于,所述開關(guān)管可以為三極管、場效應(yīng)管、可控硅、半導(dǎo)體無觸點(diǎn)開關(guān)、電子管無觸點(diǎn)開關(guān)、磁放大器式無觸點(diǎn)開關(guān)或離子管式無觸點(diǎn)開關(guān)。7.如權(quán)利要求1所述的電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路,其特征在于,所述電磁繼電器可以為直流電磁繼電器、交流電磁繼電器或磁保持繼電器。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及電磁繼電器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中,所述電磁繼電器觸點(diǎn)的電弧消除電路包括電磁繼電器、開關(guān)管和控制單元,所述開關(guān)管的高電位端和低電位端分別接所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn),通過控制單元控制所述開關(guān)管和所述電磁繼電器,使所述開關(guān)管先于所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)導(dǎo)通或遲于所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)斷開,進(jìn)而使所述電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通或斷開瞬間兩觸點(diǎn)間的電壓不會發(fā)生突變,從而減弱電磁繼電器的兩個觸點(diǎn)在導(dǎo)通或斷開瞬間所產(chǎn)生的電弧火花,達(dá)到延長電磁繼電器壽命的目的。
【IPC分類】H01H9/42, H01H9/30
【公開號】CN205230881
【申請?zhí)枴緾N201520899442
【發(fā)明人】劉維洪, 何國田, 杜厚堃, 薛祖福
【申請人】重慶堃洪達(dá)科技有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年11月12日
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