一種雪崩光電二極管的封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種雪崩光電二極管的封裝結構。
【背景技術】
[0002]雪崩光電二極管，英文縮寫為APD，是一種具有內增益的光生電流器件，它利用光生載流子在強電場內的定向運動，產生的雪崩效應獲得光電流的增益。雪崩光電二極管結構精密，規(guī)格多種多樣。因此，在使用雪崩光電二極管時，要小心謹慎，針對不同的應用場合，人們應選擇結構、規(guī)格與之相應的雪崩光電二極管，這樣，就不會造成一些不必要的麻煩。

【發(fā)明內容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術中的不足之處，本實用新型旨在提供一種雪崩光電二極管的封裝結構。
[0004]—種雪崩光電二極管的封裝結構，包括APD芯片、鍍膜玻璃光窗、陶瓷管座。所述陶瓷管座上有放置APD芯片的空間；陶瓷管座內設有與APD芯片電性連接的管座NC極、管座APD陰極和管座APD陽極。
[0005]進一步的，陶瓷管座包括陶瓷管座頂層、陶瓷管座中間層、陶瓷管座底層。
[0006]進一步的，管座NC極、管座APD陰極設置在所述陶瓷管座中間層上；管座APD陽極設置在陶瓷管座底層上。
[0007]進一步的，管座APD陰極與所述AH)芯片的芯片光敏面環(huán)形電極電性連接；管座APD陽極與APD芯片的芯片背電極電性連接。
[0008]進一步的，APD芯片與管座APD陰極、管座APD陽極電性連接的材質以及單獨的管座NC極的材質為導電涂料。
[0009]進一步的，陶瓷管座上設有用于層間導電，且分別與管座NC極、管座APD陰極、管座APD陽極相匹配的半圓形導電凹槽。
[0010]本實用新型是一種無引腳芯片載體封裝。本實用新型陶瓷管座底面只有電極接觸而無引腳。本實用新型適合于所有的雪崩光電二極管，使得雪崩光電二極管器件封裝實現(xiàn)小型化。本實用新型在不改變雪崩光電二極管特性的情況下，可使雪崩光電二極管有一個統(tǒng)一的規(guī)格，方便雪崩光電二極管安裝使用，同時也對雪崩光電二極管起保護的作用。
【附圖說明】
[0011]圖I是本實用新型的結構圖；
[0012]圖2是陶瓷管座頂層的結構圖；
[0013]圖3是陶瓷管座中間層的結構圖；
[0014]圖4是陶瓷管座底層的結構圖；
[0015]圖5是APD芯片的立體圖。
[0016]圖中，I-APD芯片；2_鍍膜玻璃光窗；3_陶瓷管座；31_陶瓷管座頂層；32_陶瓷管座中間層；33_陶瓷管座底層；4_管座NC極；5_管座APD陰極；6_管座APD陽極。
【具體實施方式】
[0017]下面結合具體實施例及附圖來進一步詳細說明本實用新型。
[0018]—種如圖I-圖5所不的雪崩光電二極管的封裝結構，包括APD芯片I、鍍膜玻璃光窗2、陶瓷管座3。陶瓷管座3上有放置APD芯片I的空間；陶瓷管座3內設有與APD芯片I電性連接的管座NC極4、管座APD陰極5和管座APD陽極6。陶瓷管座3包括陶瓷管座頂層31、陶瓷管座中間層32、陶瓷管座底層33。管座NC極4、管座APD陰極5設置在陶瓷管座中間層32上；管座APD陽極6設置在陶瓷管座底層33上。管座APD陰極5與APD芯片I的光敏面環(huán)形電極電性連接；管座APD陽極6與APD芯片I的芯片背電極電性連接。APD芯片I與管座APD陰極5、管座APD陽極6電性連接的材質為導電涂料；管座NC極4所用材質為導電涂料。陶瓷管座3上設有用于陶瓷管座頂層31、陶瓷管座中間層32、陶瓷管座底層33層間導電，且分別與管座NC極4、管座APD陰極5、管座APD陽極6相匹配的半圓形導電凹槽。
[0019]以上對本實用新型實施例所提供的技術方案進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本實用新型實施例的原理以及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只適用于幫助理解本實用新型實施例的原理；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本實用新型實施例，在【具體實施方式】以及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。
【主權項】
1.一種雪崩光電二極管的封裝結構，其特征在于，包括APD芯片（I)、鍍膜玻璃光窗(2)、陶瓷管座（3);所述陶瓷管座（3)上有放置所述AH)芯片（I)的空間；所述陶瓷管座(3)內設有與所述APD芯片（I)電性連接的管座NC極（4)、管座APD陰極（5)和管座APD陽極⑶。2.根據(jù)權利要求書I所述的一種雪崩光電二極管的封裝結構，其特征在于：所述陶瓷管座（3)包括陶瓷管座頂層（31)、陶瓷管座中間層（32)、陶瓷管座底層（33)。3.根據(jù)權利要求書2所述的一種雪崩光電二極管的封裝結構，其特征在于：所述管座NC極（4)、管座APD陰極（5)設置在所述陶瓷管座中間層（32)上；所述管座APD陽極（6)設置在所述陶瓷管座底層（33)上。4.根據(jù)權利要求書I所述的一種雪崩光電二極管的封裝結構，其特征在于：所述管座Aro陰極（5)與所述Aro芯片（I)的光敏面環(huán)形電極電性連接；所述管座Aro陽極（6)與所述APD芯片（I)的芯片背電極電性連接。5.根據(jù)權利要求書I或4所述的一種雪崩光電二極管的封裝結構，其特征在于：所述APD芯片（I)與所述管座APD陰極（5)、管座APD陽極（6)電性連接的材質為導電涂料；所述管座NC極（4)所用材質為導電涂料。6.根據(jù)權利要求書I所述的一種雪崩光電二極管的封裝結構，其特征在于：所述陶瓷管座（3)上設有用于層間導電，且分別與所述管座NC極（4)、管座APD陰極（5)、管座APD陽極（6)相匹配的半圓形導電凹槽。
【專利摘要】本實用新型提供一種雪崩光電二極管的封裝結構，包括APD芯片、鍍膜玻璃光窗、陶瓷管座。所述陶瓷管座上有放置APD芯片的空間；陶瓷管座內設有與APD芯片電性連接的管座NC極、管座APD陰極和管座APD陽極。本實用新型在不改變雪崩光電二極管特性的情況下，可使雪崩光電二極管有一個統(tǒng)一的規(guī)格，方便雪崩光電二極管安裝使用，同時也對雪崩光電二極管起保護的作用。
【IPC分類】H01L23/15, H01L23/498
【公開號】CN205159316
【申請?zhí)枴緾N201520623744
【發(fā)明人】葉兵, 艾忠奎, 張大堅
【申請人】重慶航偉光電科技有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年8月17日