一種白光led器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種白光LED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]白光LED芯片是采用Chip Scale Package (以下簡稱為“CSP”)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的可以直接發(fā)白光的LED芯片，該類芯片具有體積小、發(fā)光角度大、可耐大電流驅(qū)動、制造成本低、方便下游客戶燈具設(shè)計等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]當(dāng)前LED白光芯片的普遍結(jié)構(gòu)特征包括:倒裝芯片結(jié)構(gòu)，電極設(shè)置在底部，正上表面和4個側(cè)面均包覆熒光粉。正上表面和四個側(cè)面的熒光粉層普遍采用Molding和壓合半固化的熒光片工藝來實(shí)現(xiàn)的，正上表面和四個側(cè)面的熒光粉層是相同材料一體成型的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)的白光LED器件在大電流驅(qū)動下芯片上方溫度過高引起熒光膠體出現(xiàn)發(fā)黃、開裂甚至發(fā)黑的現(xiàn)象。公開號為CN 102479785 A的中國專利申請中介紹了一種具有沉積式熒光披覆層的發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制作方法，實(shí)現(xiàn)了薄型化的熒光粉層分布。申請?zhí)枮?01410038643.5的中國專利申請中實(shí)現(xiàn)了熒光粉層與透明封裝膠分離分別封裝，故避免了熒光粉層過厚的問題。目前LED封裝普遍采用硬度偏軟的有機(jī)硅材料，受到外界的機(jī)械強(qiáng)度沖擊后很容易引起遭受到破壞。申請?zhí)枮?01210187387.7的中國專利申請中公開了一種把熒光粉、玻璃粉和漿料添加劑混合，并燒制成玻璃熒光片的封裝方法，可增加封裝后的器件強(qiáng)度。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種白光LED器件，本實(shí)用新型提供的白光LED器件有助于實(shí)現(xiàn)熒光膠層的薄型化，從而避免熒光膠層過厚而引起的可靠性失效問題，而且該白光LED器件具有較強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度。
[0005]本實(shí)用新型為達(dá)到其目的，采用的技術(shù)方案如下:
[0006]—種白光LED器件，包括透明容納件、LED芯片、及用于粘接LED芯片和透明容納件的熒光膠層，所述透明容納件設(shè)有第一容納槽、及由所述第一容納槽的底面凹陷形成的第二容納槽，所述第二容納槽的底面面積小于所述第一容納槽的底面面積，所述熒光膠層設(shè)于所述第二容納槽，所述LED芯片設(shè)于所述第一容納槽，LED芯片、熒光膠層二者相對的表面相粘接。
[0007]進(jìn)一步的，所述透明容納件其材質(zhì)為玻璃、透明陶瓷、高分子透明樹脂材料中一種。
[0008]優(yōu)選的，第二容納槽的深度為20?200 μ m，所述熒光膠層的厚度為20?200 μ m。
[0009]進(jìn)一步的，所述熒光膠層的厚度小于等于第二容納槽深度的30%。
[0010]進(jìn)一步的，第二容納槽的底面面積為LED芯片底面面積的1.0?1.2倍。
[0011]進(jìn)一步的，第一容納槽的底面面積和第二容納槽底面面積的比值大于1，且小于1.2。
[0012]優(yōu)選的，所述LED芯片為倒裝型LED芯片，所述倒裝型LED芯片和所述熒光膠層倒裝粘接。
[0013]優(yōu)選的，所述倒裝型LED芯片包括外延襯底層、生長于所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長于N型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、及生長于N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層，還包括生長于發(fā)光層上表面的P型氮化鎵層、生長于P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，在P型氮化鎵層、P型歐姆接觸層、N型氮化鎵層和N型歐姆接觸層上表面設(shè)置有絕緣層，在對應(yīng)于P型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開設(shè)有第一通孔，在對應(yīng)于N型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開設(shè)有第二通孔，在絕緣層上表面設(shè)有互相分離的P電極鍵合層和N電極鍵合層，所述P電極鍵合層貫穿第一通孔與P型歐姆接觸層電連接，所述N電極鍵合層貫穿第二通孔與N型歐姆接觸層電連接；所述倒裝LED芯片的外延襯底層和所述熒光膠層粘接。
[0014]本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案具有如下有益效果:
[0015]本實(shí)用新型的白光LED器件，其熒光膠層即可作為光轉(zhuǎn)換層，同時也發(fā)揮著粘接LED芯片的作用，通過第二容納槽可很好的控制熒光膠層的厚度，可使熒光膠層厚度變薄，散熱效果更好。另外，和熒光膠層底面接觸的透明容納件類似于在熒光膠層外加的一層透明層，可起到保護(hù)作用，使其抗外界機(jī)械強(qiáng)度增加。
【附圖說明】
[0016]圖1是透明容納件陣列的剖視圖示意圖；
[0017]圖2是多個透明容納件的一種陣列式分布示意圖；
[0018]圖3是制備流程不意圖；
[0019]圖4是切割示意圖；
[0020]圖5是白光LED器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖6是倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明:
[0023]實(shí)施例1
[0024]本實(shí)施例提供一種白光LED器件，其結(jié)構(gòu)示意圖參見圖5。該白光LED器件800包括透明容納件200、LED芯片400、和熒光膠層700。其中，透明容納件200設(shè)有第一容納槽201、第二容納槽202，第二容納槽202為由第一容納槽201的底面凹陷形成，第二容納槽202的底面面積小于第一容納槽201的底面面積，第一容納槽201和第二容納槽202銜接處形成臺階。熒光膠層700設(shè)于第二容納槽202，LED芯片400設(shè)于第一容納槽201，且LED芯片400、熒光膠層700 二者相對的表面互相粘接。其中熒光膠層700采用本技術(shù)領(lǐng)域現(xiàn)有熒光膠經(jīng)加熱固化形成。熒光膠層700可以充當(dāng)光轉(zhuǎn)換層，其亦發(fā)揮著粘接LED芯片400和透明容納件的作用。
[0025]優(yōu)選的，透明容納件200的第二容納槽202的深度優(yōu)選為20?200 μ m，熒光膠層700的厚度優(yōu)選為20?200 μ m。優(yōu)選的，熒光膠層700的厚度小于等于第二容納槽202的深度的30%。
[0026]具體的，第二容納槽202的底面面積可為LED芯片400底面面積的1.0?1.2倍。優(yōu)選的，第一容納槽201的底面面積和第二容納槽202底面面積的比值大于1，且小于1.2。第一容納槽201、第二容納槽202的形狀均可呈長方體形。
[0027]優(yōu)選的，LED芯片400為倒裝型LED芯片，倒裝LED芯片和熒光膠層倒裝粘接，該倒裝型LED芯片可以采用現(xiàn)有的倒裝型LED芯片。作為優(yōu)選的，該倒裝型LED芯片其結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示(下文中所稱的“上表面”均以圖6所示為準(zhǔn))，該倒裝型LED芯片400包括外延襯底層401、生長于所述外延襯底層401上表面的N型氮化鎵層