一種設(shè)有增頻孔的單極性振子的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種設(shè)有增頻孔的單極性振子。
【背景技術(shù)】
[0002]天線是一種把高頻電流轉(zhuǎn)化成無線電波發(fā)射到空間，同時可以收集空間無線電波并產(chǎn)生高頻電流的裝置。天線可看作由電容和電感組成的調(diào)諧電路；該調(diào)諧電路在某些頻率點，其容性和感性將相互抵消，電路表現(xiàn)出純阻性，該現(xiàn)象稱之為諧振，而諧振現(xiàn)象對應(yīng)的工作頻點即為諧振頻率點，處于天線諧振頻率點的能量，其輻射特性最強(qiáng)。并將具有諧振特性的天線結(jié)構(gòu)稱作天線振子，并將高頻電流直接激勵的天線結(jié)構(gòu)稱作有源振子，反之稱作無源振子；現(xiàn)有振子中，在根據(jù)實際使用的需要對天線進(jìn)行設(shè)計時，為了使得天線的諧振頻率點滿足設(shè)定要求，需要對天線的輸入阻抗進(jìn)行調(diào)整，通過調(diào)整后的振子以及普通振子依然不能滿足目前通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，目前通信標(biāo)準(zhǔn)越來越高，對振子的要求也越來越高，目前的振子的增益、方向性、前后比均需要獲得突破。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種高增益、方向性好的設(shè)有增頻孔的單極性振子。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的具體方案如下:一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，包括有通過饋電線連接的上下對稱的兩個輻射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設(shè)置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側(cè)壁、從第一側(cè)壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側(cè)壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁平行設(shè)置的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁的頂端向第一側(cè)壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個振子片的第二側(cè)壁之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂。
[0005]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為
0.5mm-lmm0
[0006]優(yōu)選的，所述圓角的半徑為Imm0
[0007]優(yōu)選的，所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口，所述缺口的角度為60° -80°。
[0008]優(yōu)選的，所述缺口的角度為70°。
[0009]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁的寬度為1.5cm-2cm。
[0010]優(yōu)選的，所述第一斜壁的自由端設(shè)有第一隔離部。
[0011]優(yōu)選的，所述第三斜壁的自由端設(shè)有第三隔離部。
[0012]優(yōu)選的，所述第一隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
[0013]優(yōu)選的，所述第三隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
[0014]優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁靠近另一振子片的一側(cè)并列設(shè)有至少一個的半圓形的增頻缺孔。
[0015]優(yōu)選的，所述增頻缺孔數(shù)量為5-8個。
[0016]優(yōu)選的，所述增頻缺孔的直徑為0.5mm-lmm。
[0017]優(yōu)選的，所述第二斜壁的底部設(shè)有第二隔離部。
[0018]優(yōu)選的，所述第二隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
[0019]優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離另一振子片的一側(cè)并列延伸出至少一個隔離桿。
[0020]優(yōu)選的，所述隔離桿數(shù)量為三根，所述三根隔離桿的長度從下往上依次遞減。
[0021]優(yōu)選的，所述最長的隔離桿長度為10mm。
[0022]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁設(shè)有復(fù)數(shù)個第一矩形過孔，所述兩個并排的第一矩形過孔為一組；
[0023]優(yōu)選的，每組并列排列；所述每組第一矩形過孔之間設(shè)有第二矩形過孔，所述第二矩形過孔內(nèi)填充有二氧化硅半導(dǎo)體。
[0024]優(yōu)選的，所述第二矩形過孔的長度為2mm-5mm。
[0025]本實用新型的有益效果為:通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過不斷試驗和參數(shù)調(diào)整下，實現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，單個輻射單元最低頻點前后比大于30dB，頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB;并且具有較高的單元增益，依測得數(shù)據(jù)，從方向圖中可以看出，其最低頻點增益大于9.37dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。
【附圖說明】
[0026]圖1是本實用新型的正視圖；
[0027]圖2是圖1的局部放大圖；
[0028]圖3是在頻率為820MHZ時前后比的實驗數(shù)據(jù)圖；
[0029]圖4是在頻率為850MHZ時前后比的實驗數(shù)據(jù)圖；
[0030]圖5是在頻率為960MHZ時前后比的實驗數(shù)據(jù)圖；
[0031]圖6是在頻率為820MHZ時表示增益的方向圖；
[0032]圖7是在頻率為850MHZ時表示增益的方向圖；
[0033]圖8是在頻率為960MHZ時表示增益的方向圖；
[0034]圖1至圖8中的附圖標(biāo)記說明:
[0035]1-第一側(cè)壁；11-第一矩形過孔；12-第二矩形過孔；
[0036]2-第一斜臂；21_第一隔離部；
[0037]3-第二斜臂；31_第二隔離部；
[0038]4-第二側(cè)壁；41_隔離桿；42_增頻缺孔；
[0039]5-第三斜壁；51_第三隔離部；
[0040]6-饋電臂；61_饋電線；
[0041]7-缺口。
【具體實施方式】
[0042]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，并不是把本實用新型的實施范圍局限于此。
[0043]如圖1至圖8所示，本實施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，包括有通過饋電線61連接的上下對稱的兩個輻射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設(shè)置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側(cè)壁1、從第一側(cè)壁I的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂2、從第一側(cè)壁I的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂3，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁I平行設(shè)置的第二側(cè)壁4 ;所述第二側(cè)壁4的頂端向第一側(cè)壁I方向斜向上延伸有第三斜壁5，所述兩個振子片的第二側(cè)壁4之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂6 ;通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過不斷試驗和參數(shù)調(diào)整下，最終確定了此結(jié)構(gòu)，在820MHZ至960MHZ均表現(xiàn)出優(yōu)良的通信性能，具體的，單個輻射單元最低頻點前后比大于30dB，頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB ;低頻點增益大于9.37dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dB1如圖3至圖8的實驗數(shù)據(jù)所述，在820MHZ至960MHZ實現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，其中，在820MHZ時，如圖3，其頻帶內(nèi)前后比為31.225dB ；在850MHZ時，如圖4，其頻帶內(nèi)前后比為33.635dB ;在960MHZ時，如圖5，其頻帶內(nèi)前后比為34.135dB ;而在增益方面，我們通過方向數(shù)據(jù)圖來分析增益性能可知，在820MHZ時，如圖6，其增益為9.3521dB ;在8501^2時，如圖7，其增益為9.72IdB ;在960MHZ時，如圖8，其增益為 10.121dBo
[0044]本實施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第一側(cè)壁I與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為0.所述圓角能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果，通過實驗測得，其半徑為0.時，能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果。
[0045]本實施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述圓角的半徑為Imm ;優(yōu)選的，當(dāng)所述圓角的半徑為Imm時，其能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果，通過實驗測得，其增益效果最大。
[0046]本實施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口7，所述缺口 7的角度為60° -80° ;所述缺口