一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，具有這樣的特征，包括：接口波導管，所述接口波導管的頭端設有接口法蘭，所述接口法蘭的端面設有至少一個環(huán)狀槽；所述環(huán)狀密封槽的直徑大于所述楔形環(huán)狀槽的直徑；一所述環(huán)狀槽內設有絕緣體填裝材料；對接波導管，所述對接波導管的頭端設有對接法蘭，所述對接法蘭的端面平整；擋塵網(wǎng)，所述擋塵網(wǎng)設于所述對接法蘭的端面與所述接口法蘭的端面之間；所述對接法蘭與所述接口法蘭通過若干緊固件相固定。使用本發(fā)明的降低饋管中傳輸損耗的裝置，能夠有效避免波導管傳輸過程中對接法蘭接口處產(chǎn)生電磁波的衍射和泄露，防止傳輸功率出現(xiàn)損耗，進而保證波導管傳輸效率以及傳輸安全性。
【專利說明】
一種降低饋管中傳輸損耗的裝置
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及高頻傳輸技術領域，具體是涉及一種降低饋管中傳輸損耗的裝置。
【背景技術】
[0002] 波導管是常用的高頻傳輸、功率傳輸工具，但是因為常用在非真空密封狀態(tài)，所以 當傳輸?shù)母哳l非常高或者傳輸?shù)念l率波長為厘米或毫米時，很容易在對接法蘭接口處產(chǎn)生 電磁波的衍射和泄露，導致傳輸?shù)墓β食霈F(xiàn)損耗。
[0003] 同時，從法蘭接口處泄露的電磁波也容易引起人身事故或其他影響到正常電磁波 工作的事故。
[0004] 此外，傳統(tǒng)的接口法蘭也容易因為水或灰塵等雜質的滲入等原因，能引起更大的 功率損耗或者波導管燒毀等嚴重事故。
[0005] 本發(fā)明正是針對波導管傳輸過程中可能發(fā)生的電磁功率損耗和電磁波泄露所做 的改進處理。

【發(fā)明內容】

[0006] 針對現(xiàn)有技術中存在的上述問題，現(xiàn)提供一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，旨在 有效避免波導管傳輸過程中對接法蘭接口處產(chǎn)生電磁波的衍射和泄露，防止傳輸功率出現(xiàn) 損耗，進而保證波導管傳輸效率以及傳輸安全性。
[0007] 具體技術方案如下：
[0008] -種降低饋管中傳輸損耗的裝置，具有這樣的特征，包括：
[0009] 接口波導管，所述接口波導管的頭端設有接口法蘭，所述接口法蘭的端面設有至 少一個環(huán)狀槽；
[0010] 所述環(huán)狀密封槽的直徑大于所述楔形環(huán)狀槽的直徑；
[0011] 一所述環(huán)狀槽內設有絕緣體填裝材料；
[0012] 對接波導管，所述對接波導管的頭端設有對接法蘭，所述對接法蘭的端面平整；
[0013] 擋塵網(wǎng)，所述擋塵網(wǎng)設于所述對接法蘭的端面與所述接口法蘭的端面之間；
[0014] 所述對接法蘭的端面與所述接口法蘭的端面相抵，使所述接口波導管與所述對接 波導管同軸對接；
[0015] 所述對接法蘭與所述接口法蘭通過若干緊固件相固定。
[0016] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述接口法蘭的端面可設有同心 的第一環(huán)狀槽以及第二環(huán)狀槽，其中所述第一環(huán)狀槽的直徑大于所述第二環(huán)狀槽的直徑。
[0017] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述第一環(huán)狀槽內設有所述絕緣 體填裝材料。
[0018] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述第一環(huán)狀槽的深度為λ/4的整 數(shù)倍，其中λ為所述接口波導管中的饋管中的高頻的波長。
[0019] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述楔形環(huán)狀槽的直徑與所述接 口波導管的內徑差為λ/4的整數(shù)倍。
[0020] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述第一環(huán)狀槽的直徑與所述第 二環(huán)狀槽的直徑差為λ/4的整數(shù)倍。
[0021] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述接口法蘭的端面可設有一第 三環(huán)狀槽。
[0022] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述第三環(huán)狀槽內設有所述絕緣 體填裝材料。
[0023] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述第三環(huán)狀槽的深度為^ / 士， 其中，ε為所述密封絕緣材料的介電常數(shù)，λ為所述接口波導管中的饋管中的高頻的波長。
[0024] 上述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其中，所述第三環(huán)狀槽的直徑與所述接 口波導管的內徑差為λ/4的整數(shù)倍。
[0025]上述技術方案的積極效果是：
[0026]降低饋管中傳輸損耗的裝置通過設置開設于接口法蘭的端面的至少一個環(huán)狀槽， 并且在一環(huán)狀槽內設置絕緣體填裝材料，從而實現(xiàn)密封。同時，由于設有環(huán)狀槽，從而有效 的避免高頻功率在波導管中傳輸時產(chǎn)生的功率損耗和高頻泄露，尤其是在波導管和波導管 連接處的損耗和泄露。同時，本發(fā)明除了能減少高頻功率在傳輸中的損耗外，還能減少因為 高頻泄露，尤其是超高頻率的泄露而引起的人員誤傷或者損壞周邊儀器設備。
【附圖說明】
[0027] 圖1為本發(fā)明的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的一種實施例的結構示意圖。
[0028] 圖2為本發(fā)明的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的另一種實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0029] 為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，以下實 施例結合附圖1至圖2對本發(fā)明提供的技術方案作具體闡述。
[0030] 圖1為本發(fā)明的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的一種實施例的結構示意圖。圖2 為本發(fā)明的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的另一種實施例的結構示意圖。請參照圖1至 圖2所示，示出了一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，具有這樣的特征，包括:接口波導管1、接 口法蘭2、對接波導管3、對接法蘭4以及擋塵網(wǎng)5。
[0031] 具體的，所述接口波導管1的頭端設有接口法蘭2,所述接口法蘭2的端面設有至少 一個環(huán)狀槽21。一所述環(huán)狀槽21內設有絕緣體填裝材料22。所述對接波導管3的頭端設有對 接法蘭4,所述對接法蘭4的端面平整。所述擋塵網(wǎng)5設于所述對接法蘭4的端面與所述接口 法蘭2的端面之間。所述對接法蘭4的端面與所述接口法蘭2的端面相抵，使所述接口波導管 1與所述對接波導管3同軸對接。所述對接法蘭4與所述接口法蘭2通過若干緊固件相固定。
[0032] 通過上述設置，所述環(huán)狀槽能有效的避免高頻功率在所述接口波導管以及所述對 接波導管中傳輸時產(chǎn)生的功率損耗和高頻泄露，尤其是在所述接口波導管和所述對接波導 管連接處，即所述接口法蘭和所述對接法蘭的端面之間的損耗和泄露。同時，通過設置所述 絕緣填裝材料，能過有效防止水或者灰塵等雜質通過所述接口法蘭與所述對接法蘭的連接 處進入所述接口波導管與所述對接波導管中。通過設置所述擋塵網(wǎng)則能夠防止進入到波導 管內的灰塵等雜質的進一步擴散。
[0033] 圖1為本發(fā)明的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的一種實施例的結構示意圖。如 圖1所示，作為一種較佳的實施例中，所述接口法蘭2的端面可設有同心的第一環(huán)狀槽211以 及第二環(huán)狀槽212,其中所述第一環(huán)狀槽211的直徑大于所述第二環(huán)狀槽212的直徑。
[0034] 同時，在上述實施例中，所述第一環(huán)狀槽211內設有所述絕緣體填裝材料22。
[0035] 進一步的，在上述實施例中，所述第一環(huán)狀槽211的深度為λ/4的整數(shù)倍，其中λ為 所述接口波導管2中的饋管中的高頻的波長。
[0036] 另外，在上述實施例中，所述第一環(huán)狀槽211的直徑與所述接口波導管1的內徑差 為λ/4的整數(shù)倍。
[0037] 同時，在上述實施例中，所述第一環(huán)狀槽211的直徑與所述第二環(huán)狀槽212的直徑 差為λ/4的整數(shù)倍。
[0038] 上述實施例為一種非同軸饋管的波導管，其饋送功率是通過中空饋管把合適頻率 的電磁功率輸送到目的地。通過上述實施例中的各項參數(shù)設置，從而其饋管鏈接通過所述 緊固件把所述接口法蘭和所述對接法蘭進行固定鏈接。饋管中的電磁波在所述接口波導管 和所述對接波導管中傳播時，幾乎不發(fā)生損耗，但在通過所述接口法蘭和所述對接法蘭時， 會發(fā)生額外損耗。電磁波會沿著所述接口法蘭和所述對接法蘭的接觸面從波導管內表面向 所述接口法蘭外衍射，如果沒有所述第第二環(huán)狀槽，電磁波會一直向外衍射并最終泄露到 波導管外面，從而造成額外功率損耗或者電磁波泄露事故，如果有所述第二環(huán)狀槽，且所述 第二環(huán)狀槽的位置距離所述接口波導管的內表面為λ/4時，電磁波就會改變本來向外衍射 方向，進而向所述第二環(huán)狀槽內衍射，因為所述第二環(huán)狀槽槽的設計和電磁波的波長密切 相關，衍射進入所述第二環(huán)狀槽的電磁波在碰到所述第二環(huán)狀槽底部再次向所述第二環(huán)狀 槽的外部衍射時，會和后來衍射進入所述第二環(huán)狀槽的電磁波互相抵消，從而實現(xiàn)阻止電 磁波沿著所述接口法蘭的端面向所述接口法蘭外衍射傳播的目的，進而到底減少額外電磁 功率損耗和電磁波泄露的危險。
[0039] 圖2為本發(fā)明的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置的另一種實施例的結構示意圖。 如圖2所示，作為一種較佳的實施例中，所述接口法蘭2的端面可設有一第三環(huán)狀槽213。
[0040] 同時，在上述實施例中，所述第三環(huán)狀槽213內設有所述絕緣優(yōu)埴奘材料22。
[0041] 進一步的，在上述實施例中，所述第三環(huán)狀槽213的深度為
其中，ε為所述 密封絕緣材料22的介電常數(shù)，λ為所述接口波導管1中的饋管中的高頻的波長。
[0042]同時，在上述實施例中，所述第三環(huán)狀槽213的直徑與所述接口波導管1的內徑差 為λ/4的整數(shù)倍。
[0043]上述實施例為另一種非同軸饋管的波導管，其饋送功率是通過中空饋管把合適頻 率的電磁功率輸送到目的地。通過上述實施例中的各項參數(shù)設置，從而其饋管鏈接通過所 述緊固件把所述接口法蘭和所述對接法蘭進行固定鏈接。饋管中的電磁波在所述接口波導 管和所述對接波導管中傳播時，幾乎不發(fā)生損耗，但在通過所述接口法蘭和所述對接法蘭 時，會發(fā)生額外損耗。電磁波會沿著所述接口法蘭和所述對接法蘭的接觸面從波導管內表 面向所述接口法蘭外衍射，如果沒有所述第三環(huán)狀槽，電磁波會一直向外衍射并最終泄露 到波導管外面，從而造成額外功率損耗或者電磁波泄露事故，如果有所述第三環(huán)狀槽，且所 述第三環(huán)狀槽的位置距離所述接口波導管的內表面為λ/4時，電磁波就會改變本來向外衍 射方向，進而向所述第三環(huán)狀槽內衍射，因為所述第三環(huán)狀槽槽的設計和電磁波的波長密 切相關，衍射進入所述第三環(huán)狀槽的電磁波在碰到所述第三環(huán)狀槽底部再次向所述第三環(huán) 狀槽的外部衍射時，會和后來衍射進入所述第三環(huán)狀槽的電磁波互相抵消，從而實現(xiàn)阻止 電磁波沿著所述接口法蘭的端面向所述接口法蘭外衍射傳播的目的，進而到底減少額外電 磁功率損耗和電磁波泄露的危險。
[0044]本實施例提供的降低饋管中傳輸損耗的裝置，通過設置開設于接口法蘭的端面的 至少一個環(huán)狀槽，并且在一環(huán)狀槽內設置絕緣體填裝材料，從而實現(xiàn)密封。同時，由于設有 環(huán)狀槽，從而有效的避免高頻功率在波導管中傳輸時產(chǎn)生的功率損耗和高頻泄露，尤其是 在波導管和波導管連接處的損耗和泄露。同時，本發(fā)明除了能減少高頻功率在傳輸中的損 耗外，還能減少因為高頻泄露，尤其是超高頻率的泄露而引起的人員誤傷或者損壞周邊儀 器設備。
[0045]以上僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的實施方式及保護范圍，對 于本領域技術人員而言，應當能夠意識到凡運用本發(fā)明說明書及圖示內容所作出的等同替 換和顯而易見的變化所得到的方案，均應當包含在本發(fā)明的保護范圍內。
【主權項】
1. 一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，包括： 接口波導管，所述接口波導管的頭端設有接口法蘭，所述接口法蘭的端面設有至少一 個環(huán)狀槽； 一所述環(huán)狀槽內設有絕緣體填裝材料； 對接波導管，所述對接波導管的頭端設有對接法蘭，所述對接法蘭的端面平整； 擋塵網(wǎng)，所述擋塵網(wǎng)設于所述對接法蘭的端面與所述接口法蘭的端面之間； 所述對接法蘭的端面與所述接口法蘭的端面相抵，使所述接口波導管與所述對接波導 管同軸對接； 所述對接法蘭與所述接口法蘭通過若干緊固件相固定。2. 根據(jù)權利要求1所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述接口法蘭 的端面可設有同心的第一環(huán)狀槽以及第二環(huán)狀槽，其中所述第一環(huán)狀槽的直徑大于所述第 二環(huán)狀槽的直徑。3. 根據(jù)權利要求2所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第一環(huán)狀 槽內設有所述絕緣體填裝材料。4. 根據(jù)權利要求2所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第一環(huán)狀 槽的深度為λ/4的整數(shù)倍，其中，λ為所述接口波導管中的饋管中的高頻的波長。5. 根據(jù)權利要求2所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第一環(huán)狀 槽的直徑與所述接口波導管的內徑差為λ/4的整數(shù)倍。6. 根據(jù)權利要求2所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第一環(huán)狀 槽的直徑與所述第二環(huán)狀槽的直徑差為λ/4的整數(shù)倍。7. 根據(jù)權利要求1所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述接口法蘭 的端面可設有一第三環(huán)狀槽。8. 根據(jù)權利要求7所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第三環(huán)狀 槽內設有所述絕緣體填裝材料。9. 根據(jù)權利要求7所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第三環(huán)狀 槽的深度為;L/士，其中，ε為所述密封絕緣材料的介電常數(shù)，λ為所述接口波導管中的饋管 中的高頻的波長。10. 根據(jù)權利要求7所述的一種降低饋管中傳輸損耗的裝置，其特征在于，所述第三環(huán) 狀槽的直徑與所述接口波導管的內徑差為λ/4的整數(shù)倍。
【文檔編號】H01P3/127GK106058403SQ201610399529
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月7日
【發(fā)明人】張紅輝, 張帆, 劉金軍
【申請人】上?？肆旨夹g開發(fā)有限公司