一種cigs基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別地涉及一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。本發(fā)明公開了一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底，以及沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置在襯底上的背電極層、光吸收層、緩沖層和透明導(dǎo)電層，還包括含碲的半導(dǎo)體膜層，所述含碲的半導(dǎo)體膜層設(shè)置在背電極層與光吸收層之間。本發(fā)明還公開了一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法。本發(fā)明通過(guò)在背電極層與光吸收層之間設(shè)置一層含有碲的半導(dǎo)體膜層，可有效提高薄膜電池的填充因子，從而提高太陽(yáng)能電池的性能，且不會(huì)使其制備工藝控制變復(fù)雜。
【專利說(shuō)明】
一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體地涉及一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球氣候變暖、生態(tài)環(huán)境惡化和常規(guī)能源的短缺，越來(lái)越多的國(guó)家開始大力發(fā)展太陽(yáng)能利用技術(shù)。太陽(yáng)能光伏發(fā)電是零排放的清潔能源，具有安全可靠、無(wú)噪音、無(wú)污染、資源取之不盡、建設(shè)周期短、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，因而備受關(guān)注。銅銦鎵砸(CIGS)是一種直接帶隙的P型半導(dǎo)體材料，其吸收系數(shù)高達(dá)105/cm，2um厚的銅銦鎵砸薄膜就可吸收90%以上的太陽(yáng)光。CIGS薄膜的帶隙從1.04eV到1.67eV范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，可實(shí)現(xiàn)與太陽(yáng)光譜的最佳匹配。銅銦鎵砸薄膜太陽(yáng)電池作為新一代的薄膜電池具有成本低、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)、弱光也能發(fā)電等優(yōu)點(diǎn)，其轉(zhuǎn)換效率在薄膜太陽(yáng)能電池中是最高的，已超過(guò)22%的轉(zhuǎn)化率，因此日本、德國(guó)、美國(guó)等國(guó)家都投入巨資進(jìn)行研究和產(chǎn)業(yè)化。
[0003]傳統(tǒng)的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的基本構(gòu)造如圖1所示，是通過(guò)被稱為Pl刻劃形成的分割槽來(lái)分割沉積在襯底I上的背電極層2，進(jìn)而通過(guò)被稱為P2刻劃以及P3刻劃形成的分割槽來(lái)分割在背電極層2上制膜的CIGS基光吸收層5、緩沖層6、本征氧化鋅膜層7以及透明導(dǎo)電窗口層9，從而串聯(lián)連接多個(gè)電池單元而成的太陽(yáng)能電池組件。
[0004]在制作CIGS基薄膜太陽(yáng)電池的過(guò)程中，當(dāng)采用對(duì)濺射沉積的金屬預(yù)制層經(jīng)砸化熱處理或者先砸化后硫化熱處理形成光吸收層5，或者采用共蒸發(fā)法形成銅銦鎵砸或銅銦鎵砸硫光吸收層5，由于砸的擴(kuò)散反應(yīng)，在背電極層2與光吸收層5之間都會(huì)附帶形成砸化鉬膜層3。由于砸化鉬膜層3具有一定的電阻率，若由于形成的砸化鉬膜層3的厚度較厚這將會(huì)影響到光吸收層5與背電極層2之間的歐姆接觸，會(huì)造成電池的串聯(lián)電阻升高，從而使薄膜電池的填充因子降低。為解決上述問(wèn)題，傳統(tǒng)的做法是通過(guò)控制砸化鉬膜層3的厚度，以此來(lái)降低薄膜電池的串聯(lián)電阻。
[0005]然而要控制砸化鉬膜層3的厚度，就要通過(guò)改變各個(gè)膜層的沉積參數(shù)、砸化溫度及砸量等的控制，這將使整個(gè)工藝過(guò)程的控制變得更加復(fù)雜，因而使形成性能較佳的薄膜電池變得更加困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明目的在于為解決上述問(wèn)題而提供一種不會(huì)使制備工藝過(guò)程控制變得更復(fù)雜的情況下就可增加薄膜電池的填充因子，從而提高薄膜太陽(yáng)能電池性能的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。
[0007]為此，本發(fā)明公開了一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底，以及沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置在襯底上的背電極層、光吸收層、緩沖層和透明導(dǎo)電層，還包括含碲的半導(dǎo)體膜層，所述含碲的半導(dǎo)體膜層設(shè)置在背電極層與光吸收層之間。
[0008]進(jìn)一步的，所述含碲的半導(dǎo)體膜層還含有砸元素、硫元素或砸硫組合元素。
[0009]進(jìn)一步的，所述含碲的半導(dǎo)體膜層的厚度不大于800nm，優(yōu)選含碲的半導(dǎo)體膜層的厚度不大于400nm，更優(yōu)選含碲的半導(dǎo)體膜層的厚度不大于200nmo
[0010]進(jìn)一步的，所述光吸收層為P型銅銦鎵砸膜層、P型銅銦鎵砸硫膜層、P型銅銦鎵硫膜層、P型銅銦鎵鋁砸膜層、P型銅銦鎵鋁砸硫膜層、P型銅銦鎵鋁硫膜層、P型銅銦砸膜層、P型銅銦砸硫膜層、P型銅銦硫膜層或它們的任一組合中的一種;所述緩沖層為硫化鎘膜層、硫化鋅膜層、砸化鋅膜層、硫砸化鋅膜層、氧化鋅膜層、鋅鎂氧化物膜層、硫化銦膜層、砸化銦膜層、硫砸化銦膜層或它們的任一組合中的一種;所述背電極層為鉬電極層、鈦電極層、鉻電極層、AZO透明導(dǎo)電層或它們的任一組合中的一種;所述透明導(dǎo)電層為銀基透明導(dǎo)電膜層、氧化銦摻雜錫膜層、氧化鋅摻雜鋁膜層、氧化鋅摻雜鎵膜層、氧化鋅摻雜銦膜層、氧化鋅摻雜硼膜層、氧化錫摻雜氟膜層、氧化錫摻碘膜層、氧化錫摻雜銻膜層、石墨烯膜層或它們的任一組合中的一種;所述襯底為鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃、不銹鋼薄板、聚酰亞胺板、鋁薄板或鈦薄板。
[0011]進(jìn)一步的，還包括具有高電阻率的氧化鋅膜層，所述具有高電阻率的氧化鋅膜層設(shè)置在所述緩沖層與透明導(dǎo)電層之間。
[0012]進(jìn)一步的，還包括電介質(zhì)材料層，所述電介質(zhì)材料層設(shè)置在襯底與背電極層之間。
[0013]更進(jìn)一步的，所述電介質(zhì)材料層由氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氮化鈦、氧化鈦、氮氧化鈦、氮氧化錯(cuò)、氧化錯(cuò)、氮化錯(cuò)、氮化鋁、氧化鋁、氧化娃鋁、氮化娃鋁、氮氧化娃鋁、鋅錫氧化物或它們的任意混合物組成，或所述電介質(zhì)材料層為鉬的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層，并且其中包含硅、鋯和鈦中的至少一種元素，或所述襯底為玻璃基板時(shí)，所述電介質(zhì)材料層為含有L1、K中至少一種元素的堿過(guò)濾層，該堿過(guò)濾層還包含S1、A1、0三種元素。
[0014]進(jìn)一步的，所述透明導(dǎo)電層上設(shè)置有一減反射膜層，所述減反射膜層由氟化鎂膜層、氧化硅膜層或由高折射率材料膜層與低折射率材料膜層組合組成。
[0015]本發(fā)明還公開了一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟 SI，準(zhǔn)備襯底；
S2，在襯底上沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次制備背電極層、含碲的半導(dǎo)體膜層、光吸收層、緩沖層和透明導(dǎo)電層。
[0016]進(jìn)一步的，采用濺射沉積或真空蒸鍍沉積來(lái)制備含碲的半導(dǎo)體膜層。
[0017]進(jìn)一步的，采用先濺射后砸化和/或硫化法、共蒸鍍法、真空濺射法或非真空法來(lái)制備光吸收層。
[0018]進(jìn)一步的，還包括在緩沖層與透明導(dǎo)電層之間制備一具有高電阻率的氧化鋅膜層。
[0019]進(jìn)一步的，還包括在襯底與背電極層之間制備一電介質(zhì)材料層。
[0020]進(jìn)一步的，還包括在透明導(dǎo)電層上制備一減反射膜層。
[0021]本發(fā)明的有益技術(shù)效果:
本發(fā)明通過(guò)在背電極層與光吸收層之間設(shè)置一層含碲的半導(dǎo)體膜層，可以使光吸收層與背電極之間形成良好的歐姆接觸，降低其接觸電阻，可以提高CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的填充因子，從而提高CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的性能，同時(shí)不會(huì)使制備薄膜電池的整個(gè)工藝過(guò)程控制變得更復(fù)雜;再者，形成的含碲的半導(dǎo)體膜層對(duì)采用金屬刻針進(jìn)行P2和P3的刻劃可以起到很好的潤(rùn)滑作用。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為傳統(tǒng)的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的一個(gè)單元電池結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的一個(gè)單元電池結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的另一個(gè)單元電池結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池組件的一個(gè)區(qū)域的電池結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0024]如圖2和圖3所示，一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底I，以及沿遠(yuǎn)離襯底I的方向依次設(shè)置在襯底I上的背電極層2、含碲的半導(dǎo)體膜層4、光吸收層5、緩沖層6和透明導(dǎo)電層9。
[0025]具體的，含碲的半導(dǎo)體膜層4還含有砸元素、硫元素或砸硫組合元素，其厚度不大于800nm，優(yōu)選不大于400nm，更優(yōu)選不大于200nm，光吸收層5為P型銅銦鎵砸膜層、P型銅銦鎵砸硫膜層、P型銅銦鎵硫膜層、P型銅銦鎵鋁砸膜層、P型銅銦鎵鋁砸硫膜層、P型銅銦鎵鋁硫膜層、P型銅銦砸膜層、P型銅銦砸硫膜層、P型銅銦硫膜層或它們的任一組合中的一種，緩沖層6為硫化鎘膜層、硫化鋅膜層、砸化鋅膜層、硫砸化鋅膜層、氧化鋅膜層、鋅鎂氧化物膜層、硫化銦膜層、砸化銦膜層、硫砸化銦膜層或它們的任一組合中的一種，背電極層2為鉬電極層、鈦電極層、鉻電極層、AZO透明導(dǎo)電層或它們的任一組合中的一種，透明導(dǎo)電層9為銀基透明導(dǎo)電膜層、氧化銦摻雜錫膜層、氧化鋅摻雜鋁膜層、氧化鋅摻雜鎵膜層、氧化鋅摻雜銦膜層、氧化鋅摻雜硼膜層、氧化錫摻雜氟膜層、氧化錫摻碘膜層、氧化錫摻雜銻膜層、石墨烯膜層或它們的任一組合中的一種，襯底I為鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃、不銹鋼薄板、聚酰亞胺板、鋁薄板或鈦薄板。
[0026]進(jìn)一步的，還包括具有高電阻率的氧化鋅膜層8，具有高電阻率的氧化鋅膜層8設(shè)置在所述緩沖層6與透明導(dǎo)電層9之間。具體地，具有高電阻率的氧化鋅膜層8為本征氧化鋅膜層、具有電阻率為0.08 Ω cm至120 Ω cm的摻雜氧化鋅膜層或它們的組合。
[0027]進(jìn)一步的，還包括電介質(zhì)材料層10，所述電介質(zhì)材料層10設(shè)置在襯底I與背電極層2之間，具體的，電介質(zhì)材料層1由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、氧化鈦、氮氧化鈦、氮氧化鋯、氧化鋯、氮化鋯、氮化鋁、氧化鋁、氧化硅鋁、氮化硅鋁、氮氧化硅鋁、鋅錫氧化物或它們的任意混合物組成，當(dāng)然，電介質(zhì)材料層10也可以為鉬的氧化物層、氮化物層或氮氧化物層，并且其中包含硅、鋯和鈦中的至少一種元素，尤其是當(dāng)襯底為玻璃基板時(shí)，電介質(zhì)材料層10還可以為含有L1、K中至少一種元素的堿過(guò)濾層，該堿過(guò)濾層還包含S1、Al、0三種元素。
[0028]進(jìn)一步的，還包括減反射膜層11，減反射膜層11設(shè)置在透明導(dǎo)電層上，具體的，減反射膜層11由氟化鎂膜層、氧化硅膜層或由高折射率材料膜層與低折射率材料膜層組合組成。
[0029]上述CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟:
SI，準(zhǔn)備襯底I;
S2，在襯底I上沿遠(yuǎn)離襯底I的方向依次制備電介質(zhì)材料層10、背電極層2、含碲的半導(dǎo)體膜層4、光吸收層5、緩沖層6、具有高電阻率的氧化鋅膜層8、透明導(dǎo)電層9和減反射膜層
Ilo
[0030]具體的，采用濺射沉積或真空蒸鍍沉積來(lái)制備含碲的半導(dǎo)體膜層4，采用先濺射后砸化和/或硫化法、共蒸鍍法、真空濺射法或非真空法來(lái)制備光吸收層5。采用濺射法或蒸鍍法來(lái)沉積背電極層2，采用水浴法、濺射法、蒸鍍法、原子層沉積法(ALD法)或CVD法沉積緩沖層6，采用濺射法、蒸鍍法、原子層沉積法(ALD法)或CVD法沉積具有高電阻率的氧化鋅膜層8，采用濺射法、CVD法、噴涂法或蒸鍍法來(lái)沉積透明導(dǎo)電層9，采用濺射沉積或蒸鍍沉積減反射膜層11，采用濺射沉積或蒸鍍沉積電介質(zhì)材料層10。
[0031]下面將通過(guò)幾個(gè)具體實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。以下涉實(shí)施例及對(duì)比例，均是在干凈的襯底表面上依次形成各膜層。
[0032]實(shí)施例1
在一襯底I為鈉1丐玻璃上米用磁控派射沉積500nm的金屬鉬電極層作為背電極層2;接著在背電極層2上采用磁控濺射法形成厚度為150nm的碲化鉬半導(dǎo)體膜層4;接著在碲化鉬半導(dǎo)體膜層4上形成厚度為2.0um的銅銦鎵砸膜層作為光吸收層5;接著在光吸收層5上采用水浴法形成厚度為40nm的硫化鎘膜層作為緩沖層6;接著在緩沖層6上采用磁控濺射法形成厚度為50nm的本征氧化鋅膜層8;接著在本征氧化鋅膜層8上采用磁控濺射法形成厚度為SOOnm的氧化鋅摻雜鋁膜層作為透明導(dǎo)電層9。本實(shí)施例的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)如圖2所示。經(jīng)測(cè)試，電池的填充因子FF=64.1%。
[0033]實(shí)施例2
在一襯底I為鈉I丐玻璃上采用磁控派射沉積90nm的氮化娃膜層作為電介質(zhì)材料層10 ；接著在氮化硅膜層10上采用磁控濺射沉積500nm的金屬鉬電極層作為背電極層2;接著在背電極層2上采用磁控濺射法形成厚度為200nm的碲化鉬半導(dǎo)體膜層4;接著在碲化鉬半導(dǎo)體膜層4上形成厚度為1.9um的銅銦鎵砸硫膜層作為光吸收層5;接著在光吸收層5上采用水浴法形成厚度為40nm的硫化鎘膜層作為緩沖層6;接著在緩沖層6上采用磁控濺射法形成厚度為50nm的本征氧化鋅膜層8;接著在本征氧化鋅膜層上采用磁控濺射法形成厚度為600nm的氧化鋅摻雜鋁膜層作為透明導(dǎo)電層9;接著在透明導(dǎo)電層上蒸鍍10nm的氟化鎂膜層作為減反射膜層11。本實(shí)施例的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)如圖3所示。經(jīng)測(cè)試，電池的填充因子FF=64.7%。
[0034]實(shí)施例3
在一襯底I為鈉鈣玻璃上采用磁控濺射沉積10nm的氮氧化硅膜層作為電介質(zhì)材料層10;接著在氮氧化硅膜層10上采用磁控濺射沉積600nm的金屬鉬電極層作為背電極層2;接著在背電極層2上采用磁控濺射法形成厚度為250nm的碲砸化鉬半導(dǎo)體膜層4;接著在碲砸化鉬半導(dǎo)體膜層4上形成厚度為2.0um的銅銦鎵砸硫膜層作為光吸收層5;接著在光吸收層5上采用水浴法形成厚度為35nm的硫化鋅膜層作為緩沖層6;接著在緩沖層6上采用磁控濺射法形成厚度為60nm的本征氧化鋅膜層8;接著在本征氧化鋅膜層8上采用CVD法形成厚度為SOOnm的氧化鋅摻雜硼膜層作為透明導(dǎo)電層9。經(jīng)測(cè)試，電池的填充因子FF=65.2%。
[0035]實(shí)施例4
在一襯底I為鈉鈣玻璃上采用磁控濺射沉積10nm的氮氧化硅膜層作為電介質(zhì)材料層10;接著在氮氧化硅膜層10上采用磁控濺射沉積500nm的金屬鉬電極層作為背電極層2;接著在背電極層2上采用磁控濺射法形成厚度為200nm的碲砸化鉬半導(dǎo)體膜層4;將采用激光器對(duì)金屬鉬電極層2進(jìn)行Pl刻劃;接著在碲砸化鉬半導(dǎo)體膜層4上形成厚度為2.0um的銅銦鎵砸硫膜層作為光吸收層5;接著在光吸收層5上采用水浴法形成厚度為35nm的硫化鋅膜層作為緩沖層6;接著在緩沖層6上采用磁控濺射法形成厚度為60nm的本征氧化鋅膜層8;接著采用金屬刻針進(jìn)行P2刻劃;接著在本征氧化鋅膜層8上采用CVD法形成厚度為SOOnm的氧化鋅摻雜硼膜層作為透明導(dǎo)電層9;最后采用金屬刻針進(jìn)行P3刻劃，以此形成由多個(gè)單元電池串聯(lián)而成的電池組件。本實(shí)施例的CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)如圖4所示。經(jīng)測(cè)試，電池的填充因子FF=65.5%。
[0036]對(duì)比例I
在一襯底I為鈉1丐玻璃上米用磁控派射沉積500nm的金屬鉬電極層作為背電極層2;接著在鉬電極層2上形成厚度為2.0um的銅銦鎵砸膜層作為光吸收層5，在形成光吸收層5后會(huì)在光吸收層5與背電極層2之間形成一砸化鉬膜層3;接著在光吸收層5上采用水浴法形成厚度為40nm的硫化鎘膜層作為緩沖層6;接著在緩沖層6上采用磁控濺射法形成厚度為50nm的本征氧化鋅膜層7;接著在本征氧化鋅膜層7上采用磁控濺射法形成厚度為SOOnm的氧化鋅摻雜鋁膜層作為透明導(dǎo)電層9。本實(shí)施例的CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)如圖1所示。經(jīng)測(cè)試，電池的填充因子FF=61.6%。
[0037]對(duì)比例2
在一襯底I為鈉I丐玻璃上采用磁控派射沉積90nm的氮化娃膜層作為電介質(zhì)材料層10 ；接著在氮化硅膜層10上采用磁控濺射沉積500nm的金屬鉬電極層作為背電極層2;接著在鉬電極層2上形成厚度為2.0um的銅銦鎵砸硫膜層作為光吸收層5;接著在光吸收層5上采用水浴法形成厚度為40nm的硫化鎘膜層作為緩沖層6;接著在緩沖層6上采用磁控濺射法形成厚度為50nm的本征氧化鋅膜層7;接著在本征氧化鋅膜層7上采用磁控濺射法形成厚度為SOOnm的氧化鋅摻雜鋁膜層作為透明導(dǎo)電層9;接著在透明導(dǎo)電層9上采用蒸鍍法沉積10nm氟化鎂膜層作為減反射膜層11。經(jīng)測(cè)試，電池的填充因子FF=62.4%。
[0038]從實(shí)施例與對(duì)比實(shí)施例進(jìn)行比較可以看出，本發(fā)明可提升CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的填充因子，因而可提高異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的性能，同時(shí)不會(huì)使制備薄膜電池的整個(gè)工藝過(guò)程控制變得更復(fù)雜;再者，形成的含碲的半導(dǎo)體膜層4對(duì)采用金屬刻針進(jìn)行P2和P3的刻劃可以起到很好的潤(rùn)滑作用。
[0039]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，包括襯底，以及沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置在襯底上的背電極層、光吸收層、緩沖層和透明導(dǎo)電層，其特征在于:還包括含碲的半導(dǎo)體膜層，所述含碲的半導(dǎo)體膜層設(shè)置在背電極層與光吸收層之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述含碲的半導(dǎo)體膜層還含有砸元素、硫元素或砸硫組合元素。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述含碲的半導(dǎo)體膜層的厚度不大于800nmo4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述光吸收層為P型銅銦鎵砸膜層、P型銅銦鎵砸硫膜層、P型銅銦鎵硫膜層、P型銅銦鎵鋁砸膜層、P型銅銦鎵鋁砸硫膜層、P型銅銦鎵鋁硫膜層、P型銅銦砸膜層、P型銅銦砸硫膜層、P型銅銦硫膜層或它們的任一組合中的一種;所述緩沖層為硫化鎘膜層、硫化鋅膜層、砸化鋅膜層、硫砸化鋅膜層、氧化鋅膜層、鋅鎂氧化物膜層、硫化銦膜層、砸化銦膜層、硫砸化銦膜層或它們的任一組合中的一種;所述背電極層為鉬電極層、鈦電極層、鉻電極層、AZO透明導(dǎo)電層或它們的任一組合中的一種;所述透明導(dǎo)電層為銀基透明導(dǎo)電膜層、氧化銦摻雜錫膜層、氧化鋅摻雜鋁膜層、氧化鋅摻雜鎵膜層、氧化鋅摻雜銦膜層、氧化鋅摻雜硼膜層、氧化錫摻雜氟膜層、氧化錫摻碘膜層、氧化錫摻雜銻膜層、石墨烯膜層或它們的任一組合中的一種;所述襯底為鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃、不銹鋼薄板、聚酰亞胺板、鋁薄板或鈦薄板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于:還包括具有高電阻率的氧化鋅膜層，所述具有高電阻率的氧化鋅膜層設(shè)置在所述緩沖層與透明導(dǎo)電層之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于:還包括電介質(zhì)材料層，所述電介質(zhì)材料層設(shè)置在襯底與背電極層之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述透明導(dǎo)電層上設(shè)置有一減反射膜層，所述減反射膜層由氟化鎂膜層、氧化硅膜層或由高折射率材料膜層與低折射率材料膜層組合組成。8.一種CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:包括如下步驟 SI，準(zhǔn)備襯底； S2，在襯底上沿遠(yuǎn)離襯底的方向依次制備背電極層、含碲的半導(dǎo)體膜層、光吸收層、緩沖層和透明導(dǎo)電層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:采用濺射沉積或真空蒸鍍沉積來(lái)制備含碲的半導(dǎo)體膜層。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:采用先濺射后砸化和/或硫化法、共蒸鍍法、真空濺射法或非真空法來(lái)制備光吸收層。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:還包括在緩沖層與透明導(dǎo)電層之間制備一具有高電阻率的氧化鋅膜層。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:還包括在襯底與背電極層之間制備一電介質(zhì)材料層。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CIGS基薄膜太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:還包括在透明導(dǎo)電層上制備一減反射膜層。
【文檔編號(hào)】H01L31/0445GK106024937SQ201610466033
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月23日
【發(fā)明人】李藝明, 鄧國(guó)云, 李 浩
【申請(qǐng)人】鹽城普蘭特新能源有限公司