晶圓良率分析方法和裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓良率分析方法和裝置。其中，晶圓良率分析方法包括：將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其中，待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片；獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，其中，多個(gè)區(qū)域與歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)；將獲取的歷史殺傷率作為待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，殺傷率用于表示與殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率；根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率；以及由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率。通過(guò)本發(fā)明，解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的良率計(jì)算不準(zhǔn)確的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
晶圓良率分析方法和裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶圓良率分析方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體組件的生產(chǎn)流程中，包含了諸多工藝，每一個(gè)工藝都存在污染晶圓(wafer)、碰壞晶圓表面等原因，導(dǎo)致晶圓良率不佳，因此，對(duì)晶圓的良率進(jìn)行分析預(yù)測(cè)顯得十分必要。缺陷(Defect)殺傷率(killer rate)是表不晶圓存在致命殺傷的概率，缺陷殺傷率對(duì)于晶圓的良率預(yù)測(cè)至關(guān)重要。
[0003]目前，半導(dǎo)體業(yè)界使用系統(tǒng)在計(jì)算晶圓缺陷(Defect)殺傷率(killer rate)時(shí)往往采用以芯片(Die)為單位進(jìn)行計(jì)算，給定芯片的殺傷率來(lái)計(jì)算待測(cè)晶圓的芯片的殺傷率。然而，由于同型晶圓在不同芯片中殺傷變化很大，采用這樣的計(jì)算方式導(dǎo)致良率的分析預(yù)測(cè)結(jié)果與實(shí)際結(jié)果存在很大差異，導(dǎo)致良率計(jì)算的結(jié)果不準(zhǔn)確。
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的良率計(jì)算不準(zhǔn)確的問(wèn)題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶圓良率分析方法和裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的良率計(jì)算不準(zhǔn)確的問(wèn)題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種晶圓良率分析方法。根據(jù)本發(fā)明的晶圓良率分析方法包括:將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其中，所述待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片；獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，其中，所述多個(gè)區(qū)域與所述歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)；將獲取的歷史殺傷率作為所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率；根據(jù)所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率；以及由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率。
[0007]進(jìn)一步地，根據(jù)所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率包括:通過(guò)判斷所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中是否存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域來(lái)逐個(gè)判斷所述待測(cè)晶圓上多個(gè)待測(cè)芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中不存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片不存在致命缺陷；記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量；以及由所述存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0008]進(jìn)一步地，將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域包括:對(duì)所述待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及將所述缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域。
[0009]進(jìn)一步地，在獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，所述晶圓良率分析方法還包括:依次判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值是否小于差值閾值；如果判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。
[0010]進(jìn)一步地，在由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率之后，所述晶圓良率分析方法還包括:獲取所述待測(cè)晶圓的實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果，所述實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果包括所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率；將所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率與所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0011 ] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種晶圓良率分析裝置。根據(jù)本發(fā)明的晶圓良率分析裝置包括:劃分單元，用于將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其中，所述待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片；第一獲取單元，用于獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，其中，所述多個(gè)區(qū)域與所述歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)；確定單元，用于將獲取的歷史殺傷率作為所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率；第一計(jì)算單元，用于根據(jù)所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率；以及第二計(jì)算單元，用于由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一計(jì)算單元包括:判斷模塊，用于通過(guò)判斷所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中是否存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域來(lái)逐個(gè)判斷所述待測(cè)晶圓上多個(gè)待測(cè)芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中不存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片不存在致命缺陷；記錄模塊，用于記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量；以及計(jì)算模塊，用于由所述存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0013]進(jìn)一步地，所述劃分單元包括:檢測(cè)模塊，用于對(duì)所述待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及劃分模塊，用于將所述缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域。
[0014]進(jìn)一步地，所述晶圓良率分析裝置還包括:判斷單元，用于在獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，依次判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值是否小于差值閾值；第一合并單元，用于如果判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。
[0015]進(jìn)一步地，所述晶圓良率分析裝置還包括:第二獲取單元，用于在由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率之后，獲取所述待測(cè)晶圓的實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果，所述實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果包括所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率；第二合并單元，用于將所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率與所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，將獲取的歷史殺傷率作為待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率，由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)晶圓的良率的分析預(yù)測(cè)。由于是根據(jù)待測(cè)芯片上劃分的多個(gè)區(qū)域來(lái)確定待測(cè)芯片的致命殺傷率，再由該致命殺傷率計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率，相對(duì)于以芯片為單位來(lái)計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率而言，提高了計(jì)算的精度，解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的良率計(jì)算不準(zhǔn)確的問(wèn)題，達(dá)到了提高晶圓良率的計(jì)算準(zhǔn)確性的效果。
【附圖說(shuō)明】
[0017]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0018]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓良率分析方法的流程圖；以及
[0019]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓良率分析裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0021]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類(lèi)似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例。此外，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶圓良率分析方法。
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓良率分析方法的流程圖。如圖1所示，該晶圓良率分析方法包括步驟如下:
[0025]步驟S102，將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域。其中，待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片。
[0026]每個(gè)待測(cè)晶圓上具有多個(gè)芯片電路，即待測(cè)芯片，本發(fā)明實(shí)施例根據(jù)預(yù)先設(shè)置的規(guī)則將每個(gè)待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其每個(gè)區(qū)域的大小可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。具體地，可以通過(guò)設(shè)計(jì)一套柵格系統(tǒng)自動(dòng)對(duì)每個(gè)芯片進(jìn)行劃分。
[0027]具體地，對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行劃分可以是按照數(shù)量或者固定大小來(lái)劃分。用戶(hù)還可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或者以前的測(cè)試結(jié)果對(duì)劃分的區(qū)域進(jìn)行設(shè)定，以設(shè)定重要區(qū)域(可以是殺傷率較高的區(qū)域)和次要區(qū)域(可以是殺傷率較低的區(qū)域)。
[0028]步驟S104，獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率。其中，多個(gè)區(qū)域與歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)。
[0029]步驟S106，將獲取的歷史殺傷率作為待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率。該殺傷率用于表示與殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率。
[0030]歷史殺傷率為根據(jù)以前芯片中每個(gè)區(qū)域的實(shí)際檢測(cè)結(jié)果得到的殺傷率，其中，每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)有其殺傷率，將其作為待測(cè)芯片上對(duì)應(yīng)區(qū)域的殺傷率。
[0031]具體地，可以按照劃分的區(qū)域從存儲(chǔ)有統(tǒng)計(jì)得到的歷史殺傷率的數(shù)據(jù)庫(kù)中查找相應(yīng)的歷史殺傷率。例如，將待測(cè)芯片劃分成區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C……區(qū)域Z，根據(jù)獲取到的歷史殺傷率，其中，在歷史殺傷率中區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C……區(qū)域Z的殺傷率依次為:a、b、c……z，那么，將殺傷率a、b、c……z依次作為待測(cè)芯片的區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C……區(qū)域Z的殺傷率。
[0032]步驟S108，根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0033]步驟S110，由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率。
[0034]在得到待測(cè)芯片上的每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率之后，可以根據(jù)該殺傷率確定相應(yīng)的待測(cè)芯片是否具有致命殺傷，采用上述方式對(duì)每個(gè)待測(cè)芯片進(jìn)行判定，從而得到存在致命缺陷的待測(cè)芯片與不存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量，計(jì)算得到待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率，再有該致命缺陷率分析計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)晶圓的良率的分析預(yù)測(cè)。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，將獲取的歷史殺傷率作為待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率，由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)晶圓的良率的分析預(yù)測(cè)。由于是根據(jù)待測(cè)芯片上劃分的多個(gè)區(qū)域來(lái)確定待測(cè)芯片的致命殺傷率，再由該致命殺傷率計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率，相對(duì)于以芯片為單位來(lái)計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率而言，提高了計(jì)算的精度，解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的良率計(jì)算不準(zhǔn)確的問(wèn)題，達(dá)到了提高晶圓良率的計(jì)算準(zhǔn)確性的效果。
[0036]優(yōu)選地，根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率包括:通過(guò)判斷待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域中是否存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域來(lái)逐個(gè)判斷待測(cè)晶圓上多個(gè)待測(cè)芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該待測(cè)芯片存在致命缺陷；如果判斷出待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域中不存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該待測(cè)芯片不存在致命缺陷；記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量；以及由存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0037]由于每個(gè)區(qū)域都對(duì)應(yīng)存在一個(gè)殺傷率，本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置相應(yīng)的閾值，該閾值可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，與每個(gè)區(qū)域的殺傷率進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定待測(cè)芯片中是否存在致命殺傷。
[0038]具體地，如果待測(cè)芯片中只要存在一個(gè)致命殺傷的區(qū)域，則該待測(cè)芯片存在致命殺傷。通過(guò)上述預(yù)設(shè)閾值來(lái)逐個(gè)判斷每個(gè)待測(cè)芯片中是否存在致命殺傷的區(qū)域，如果是，則存在致命缺陷的待測(cè)芯片的計(jì)數(shù)加I。遍歷完每個(gè)待測(cè)芯片后，記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量，該數(shù)量除以總的待測(cè)芯片的數(shù)量得到待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0039]優(yōu)選地，將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域包括:對(duì)待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及將缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域。
[0040]先對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行缺陷掃描，得到掃描結(jié)果，該掃描結(jié)果中包含有存在缺陷的芯片和不存在缺陷的芯片。由于不存在缺陷的芯片中也不存在致命殺傷，而存在致命殺傷的芯片均為有缺陷的芯片。本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選將存在缺陷的缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域，以便于只對(duì)存在缺陷的區(qū)域進(jìn)行判斷，從而提高致命殺傷率的計(jì)算速度。
[0041]優(yōu)選地，在獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，晶圓良率分析方法還包括:依次判斷多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值是否小于差值閾值；如果判斷多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值小于差值閾值，則將相鄰的兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。
[0042]在獲取到多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，對(duì)相鄰的兩個(gè)區(qū)域的殺傷率進(jìn)行判斷，判斷其殺傷率的差值是否小于預(yù)設(shè)閾值(該閾值很小)，即判斷相鄰兩個(gè)區(qū)域的殺傷率是否比較接近，如果是，則將兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。按照上述方式對(duì)劃分后的多個(gè)區(qū)域進(jìn)行合并處理，從而減少區(qū)域的數(shù)量。由于只要芯片中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則認(rèn)為芯片存在致命缺陷，將殺傷率接近的區(qū)域合并，減少區(qū)域的數(shù)量可以提高對(duì)芯片進(jìn)行致命缺陷判斷的速度。
[0043]優(yōu)選地，在由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率之后，晶圓良率分析方法還包括:獲取待測(cè)晶圓的實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果，實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果包括多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率；將多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率與多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0044]由于計(jì)算得到地待測(cè)晶圓的良率為分詞預(yù)測(cè)得到的值，可以用于判斷待測(cè)晶圓的可用性。本發(fā)明實(shí)施例中，為了提高晶圓良率的預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性，在對(duì)該待測(cè)晶圓進(jìn)行實(shí)際檢測(cè)之后，可以將檢測(cè)的結(jié)果再放入存在殺傷率的數(shù)據(jù)庫(kù)中，將該待測(cè)晶圓的實(shí)際檢測(cè)結(jié)果再作為歷史殺傷率。
[0045]可選地，本發(fā)明實(shí)施例的方法可以通過(guò)分析系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，該分析系統(tǒng)由Dice分區(qū)設(shè)定系統(tǒng)、分區(qū)killer rate計(jì)算系統(tǒng)，Yield predict系統(tǒng)組成。具體地，系統(tǒng)運(yùn)行流程如下:
[0046]I)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)根據(jù)defect檢測(cè)結(jié)果按工程師定義或系統(tǒng)默認(rèn)的劃分方法自動(dòng)對(duì)檢測(cè)結(jié)果的每個(gè)Dice進(jìn)行分區(qū)。并根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)中對(duì)應(yīng)分區(qū)的killer rate計(jì)算該defect對(duì)dice的影響，從而預(yù)測(cè)出defect impact wafer的良率。
[0047]2)當(dāng)新的良率反饋后，系統(tǒng)自動(dòng)根據(jù)該產(chǎn)品分區(qū)情況，對(duì)檢測(cè)的defect進(jìn)行按站點(diǎn)，區(qū)域計(jì)算每層defect的killer rate，并結(jié)合歷史數(shù)據(jù)，更新到數(shù)據(jù)庫(kù)中，以備同型產(chǎn)品未來(lái)預(yù)測(cè)使用。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例中，系統(tǒng)可以根據(jù)生產(chǎn)產(chǎn)品的缺陷檢測(cè)狀態(tài)，自動(dòng)對(duì)wafer進(jìn)行分組。并通過(guò)主系統(tǒng)，對(duì)分組后區(qū)域進(jìn)行分析。其分組標(biāo)準(zhǔn)可由系統(tǒng)自動(dòng)設(shè)定或由工程人員設(shè)定和修改，其分組以wafer或dice為對(duì)象。
[0049]系統(tǒng)可根據(jù)killer rate數(shù)據(jù)庫(kù)，并結(jié)合分組單元，進(jìn)行不同區(qū)域defect分析，提供區(qū)域impact rate匯總分析。系統(tǒng)分析killer rate主要由defect所在分區(qū)，分類(lèi)，大小等defect參數(shù)，并不局限與以上defect參數(shù)信息該數(shù)據(jù)可以由良率系統(tǒng)自動(dòng)反饋更新。
[0050]系統(tǒng)可以根據(jù)分區(qū)統(tǒng)計(jì)wafer的良率，提示工程師該產(chǎn)品是否需要報(bào)廢。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種晶圓良率分析裝置。該裝置可以通過(guò)計(jì)算機(jī)設(shè)備實(shí)現(xiàn)其功能。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的晶圓良率分析裝置可以用于執(zhí)行本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶圓良率分析方法，本發(fā)明實(shí)施例的晶圓良率分析方法也可以通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶圓良率分析裝置來(lái)執(zhí)行。
[0052]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓良率分析裝置的不意圖。如圖2所不，該晶圓良率分析裝置包括:劃分單元10、第一獲取單元20、確定單元30、第一計(jì)算單元40和第二計(jì)算單元50。
[0053]劃分單元10用于將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其中，待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片。
[0054]每個(gè)待測(cè)晶圓上具有多個(gè)芯片電路，即待測(cè)芯片，本發(fā)明實(shí)施例根據(jù)預(yù)先設(shè)置的規(guī)則將每個(gè)待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其每個(gè)區(qū)域的大小可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。具體地，可以通過(guò)設(shè)計(jì)一套柵格系統(tǒng)自動(dòng)對(duì)每個(gè)芯片進(jìn)行劃分。
[0055]具體地，對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行劃分可以是按照數(shù)量或者固定大小來(lái)劃分。用戶(hù)還可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)或者以前的測(cè)試結(jié)果對(duì)劃分的區(qū)域進(jìn)行設(shè)定，以設(shè)定重要區(qū)域(可以是殺傷率較高的區(qū)域)和次要區(qū)域(可以是殺傷率較低的區(qū)域)。
[0056]第一獲取單元20用于獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，其中，多個(gè)區(qū)域與歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)。
[0057]確定單元30用于將獲取的歷史殺傷率作為待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，殺傷率用于表示與殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率。
[0058]歷史殺傷率為根據(jù)以前芯片中每個(gè)區(qū)域的實(shí)際檢測(cè)結(jié)果得到的殺傷率，其中，每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)有其殺傷率，將其作為待測(cè)芯片上對(duì)應(yīng)區(qū)域的殺傷率。
[0059]具體地，可以按照劃分的區(qū)域從存儲(chǔ)有統(tǒng)計(jì)得到的歷史殺傷率的數(shù)據(jù)庫(kù)中查找相應(yīng)的歷史殺傷率。例如，將待測(cè)芯片劃分成區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C……區(qū)域Z，根據(jù)獲取到的歷史殺傷率，其中，在歷史殺傷率中區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C……區(qū)域Z的殺傷率依次為:a、b、c……z，那么，將殺傷率a、b、c……z依次作為待測(cè)芯片的區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C……區(qū)域Z的殺傷率。
[0060]第一計(jì)算單元40用于根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0061]第二計(jì)算單元50用于由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率。
[0062]在得到待測(cè)芯片上的每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率之后，可以根據(jù)該殺傷率確定相應(yīng)的待測(cè)芯片是否具有致命殺傷，采用上述方式對(duì)每個(gè)待測(cè)芯片進(jìn)行判定，從而得到存在致命缺陷的待測(cè)芯片與不存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量，計(jì)算得到待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率，再有該致命缺陷率分析計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)晶圓的良率的分析預(yù)測(cè)。
[0063]本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，將獲取的歷史殺傷率作為待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，根據(jù)待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率，由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)晶圓的良率的分析預(yù)測(cè)。由于是根據(jù)待測(cè)芯片上劃分的多個(gè)區(qū)域來(lái)確定待測(cè)芯片的致命殺傷率，再由該致命殺傷率計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率，相對(duì)于以芯片為單位來(lái)計(jì)算得到待測(cè)晶圓的良率而言，提高了計(jì)算的精度，解決了現(xiàn)有技術(shù)中晶圓的良率計(jì)算不準(zhǔn)確的問(wèn)題，達(dá)到了提高晶圓良率的計(jì)算準(zhǔn)確性的效果。
[0064]優(yōu)選地，第一計(jì)算單元包括:判斷模塊，用于通過(guò)判斷待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域中是否存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域來(lái)逐個(gè)判斷待測(cè)晶圓上多個(gè)待測(cè)芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該待測(cè)芯片存在致命缺陷；如果判斷出待測(cè)芯片上多個(gè)區(qū)域中不存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該待測(cè)芯片不存在致命缺陷；記錄模塊，用于記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量；以及計(jì)算模塊，用于由存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量計(jì)算待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0065]由于每個(gè)區(qū)域都對(duì)應(yīng)存在一個(gè)殺傷率，本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置相應(yīng)的閾值，該閾值可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，與每個(gè)區(qū)域的殺傷率進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定待測(cè)芯片中是否存在致命殺傷。
[0066]具體地，如果待測(cè)芯片中只要存在一個(gè)致命殺傷的區(qū)域，則該待測(cè)芯片存在致命殺傷。通過(guò)上述預(yù)設(shè)閾值來(lái)逐個(gè)判斷每個(gè)待測(cè)芯片中是否存在致命殺傷的區(qū)域，如果是，則存在致命缺陷的待測(cè)芯片的計(jì)數(shù)加I。遍歷完每個(gè)待測(cè)芯片后，記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量，該數(shù)量除以總的待測(cè)芯片的數(shù)量得到待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。
[0067]優(yōu)選地，劃分單元包括:檢測(cè)模塊，用于對(duì)待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及劃分模塊，用于將缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域。
[0068]先對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行缺陷掃描，得到掃描結(jié)果，該掃描結(jié)果中包含有存在缺陷的芯片和不存在缺陷的芯片。由于不存在缺陷的芯片中也不存在致命殺傷，而存在致命殺傷的芯片均為有缺陷的芯片。本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選將存在缺陷的缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域，以便于只對(duì)存在缺陷的區(qū)域進(jìn)行判斷，從而提高致命殺傷率的計(jì)算速度。
[0069]優(yōu)選地，晶圓良率分析裝置還包括:判斷單元，用于在獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，依次判斷多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值是否小于差值閾值；第一合并單元，用于如果判斷多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值小于差值閾值，則將相鄰的兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。
[0070]在獲取到多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，對(duì)相鄰的兩個(gè)區(qū)域的殺傷率進(jìn)行判斷，判斷其殺傷率的差值是否小于預(yù)設(shè)閾值(該閾值很小)，即判斷相鄰兩個(gè)區(qū)域的殺傷率是否比較接近，如果是，則將兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。按照上述方式對(duì)劃分后的多個(gè)區(qū)域進(jìn)行合并處理，從而減少區(qū)域的數(shù)量。由于只要芯片中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則認(rèn)為芯片存在致命缺陷，將殺傷率接近的區(qū)域合并，減少區(qū)域的數(shù)量可以提高對(duì)芯片進(jìn)行致命缺陷判斷的速度。
[0071]優(yōu)選地，晶圓良率分析裝置還包括:第二獲取單元，用于在由致命缺陷率計(jì)算待測(cè)晶圓的良率之后，獲取待測(cè)晶圓的實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果，實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果包括多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率；第二合并單元，用于將多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率與多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
[0072]由于計(jì)算得到地待測(cè)晶圓的良率為分詞預(yù)測(cè)得到的值，可以用于判斷待測(cè)晶圓的可用性。本發(fā)明實(shí)施例中，為了提高晶圓良率的預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性，在對(duì)該待測(cè)晶圓進(jìn)行實(shí)際檢測(cè)之后，可以將檢測(cè)的結(jié)果再放入存在殺傷率的數(shù)據(jù)庫(kù)中，將該待測(cè)晶圓的實(shí)際檢測(cè)結(jié)果再作為歷史殺傷率。
[0073]需要說(shuō)明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。
[0074]在上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒(méi)有詳述的部分，可以參見(jiàn)其他實(shí)施例的相關(guān)描述。
[0075]在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的裝置，可通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。
[0076]所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
[0077]另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以?xún)蓚€(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0078]所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可為個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)終端、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:U盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-OnlyMemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、移動(dòng)硬盤(pán)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0079]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓良率分析方法，其特征在于，包括: 將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其中，所述待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片；獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，其中，所述多個(gè)區(qū)域與所述歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)； 將獲取的歷史殺傷率作為所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率； 根據(jù)所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率；以及 由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，根據(jù)所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率包括: 通過(guò)判斷所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中是否存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域來(lái)逐個(gè)判斷所述待測(cè)晶圓上多個(gè)待測(cè)芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中不存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片不存在致命缺陷； 記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量；以及 由所述存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域包括: 對(duì)所述待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及 將所述缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，在獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，所述晶圓良率分析方法還包括: 依次判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值是否小于差值閾值；如果判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，在由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率之后，所述晶圓良率分析方法還包括: 獲取所述待測(cè)晶圓的實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果，所述實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果包括所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率； 將所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率與所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。6.一種晶圓良率分析裝置，其特征在于，包括: 劃分單元，用于將待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片劃分為多個(gè)區(qū)域，其中，所述待測(cè)晶圓包括多個(gè)待測(cè)芯片； 第一獲取單元，用于獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率，其中，所述多個(gè)區(qū)域與所述歷史殺傷率一一對(duì)應(yīng)； 確定單元，用于將獲取的歷史殺傷率作為所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率，所述殺傷率用于表示與所述殺傷率對(duì)應(yīng)的區(qū)域的存在致命缺陷的概率； 第一計(jì)算單元，用于根據(jù)所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率；以及 第二計(jì)算單元，用于由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述第一計(jì)算單元包括: 判斷模塊，用于通過(guò)判斷所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中是否存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域來(lái)逐個(gè)判斷所述待測(cè)晶圓上多個(gè)待測(cè)芯片是否存在致命缺陷，其中，如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片存在致命缺陷；如果判斷出所述待測(cè)芯片上所述多個(gè)區(qū)域中不存在殺傷率超過(guò)預(yù)設(shè)閾值的區(qū)域，則確定該所述待測(cè)芯片不存在致命缺陷； 記錄模塊，用于記錄存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量；以及 計(jì)算模塊，用于由所述存在致命缺陷的待測(cè)芯片的數(shù)量計(jì)算所述待測(cè)晶圓對(duì)應(yīng)的致命缺陷率。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述劃分單元包括: 檢測(cè)模塊，用于對(duì)所述待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片進(jìn)行缺陷檢測(cè)，得到存在缺陷的缺陷芯片；以及 劃分模塊，用于將所述缺陷芯片劃分成多個(gè)區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述晶圓良率分析裝置還包括: 判斷單元，用于在獲取根據(jù)預(yù)先統(tǒng)計(jì)的芯片上所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率之后，依次判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值是否小于差值閾值； 第一合并單元，用于如果判斷所述多個(gè)區(qū)域中相鄰的兩個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的殺傷率的差值小于所述差值閾值，則將所述相鄰的兩個(gè)區(qū)域合并成一個(gè)區(qū)域。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓良率分析裝置，其特征在于，所述晶圓良率分析裝置還包括: 第二獲取單元，用于在由所述致命缺陷率計(jì)算所述待測(cè)晶圓的良率之后，獲取所述待測(cè)晶圓的實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果，所述實(shí)際缺陷檢測(cè)結(jié)果包括所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率；第二合并單元，用于將所述多個(gè)區(qū)域的實(shí)際殺傷率與所述多個(gè)區(qū)域的歷史殺傷率合并，得到合并后的歷史殺傷率。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK105990170SQ201510044709
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年1月28日
【發(fā)明人】楊健, 陳思安, 朱瑜杰, 方三軍
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司