一種psm對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方設(shè)置樣本柵，在該樣本柵的頂部制備掩膜堆疊，且在高介電常數(shù)金屬柵極的工藝中，由于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)的臺(tái)階高度使得部分該掩膜堆疊得以保留，并籍由位于該樣本柵之上的殘留的掩膜堆疊保障第二樣本柵在研磨過(guò)程中免受損傷，從而使得該樣本柵的厚度得以完整保留，進(jìn)而提高了接觸孔與金屬柵的對(duì)準(zhǔn)質(zhì)量，且該工藝簡(jiǎn)單方便，與傳統(tǒng)工藝的兼容性強(qiáng)，具有很強(qiáng)的實(shí)用性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法。 【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透至生活中的各個(gè)領(lǐng)域，例如航天、醫(yī)療器戒、手機(jī)通訊都離不開(kāi)半導(dǎo)體所制備出的芯片。
[0003]以前很多芯片都是采用二氧化硅作為柵極介電質(zhì)，但是從65nm開(kāi)始，由于技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)很小，無(wú)法讓柵極介電質(zhì)繼續(xù)縮短變薄，同時(shí)隨著晶體管尺寸的不斷縮小，源極和漏極之間的距離也越來(lái)越小，進(jìn)而容易造成短溝道效應(yīng)。因此，針對(duì)上述問(wèn)題，本領(lǐng)域技術(shù)人員經(jīng)不懈研究，HKMG(High_K Metal Gate，高介電金屬柵)工藝被開(kāi)發(fā)出來(lái)。其是采用一種具有高介電常數(shù)(或稱(chēng)高K)的柵極介電層，并采用金屬材料來(lái)作為柵極，采用HKMG工藝制備的器件相比較傳統(tǒng)器件而言，極大的減小了漏電流，同時(shí)有效提升了驅(qū)動(dòng)電流，因此HKMG 成了目前高性能晶體管所采用的主流技術(shù)。
[0004]特別是在28nm的HKMG工藝中，如圖1所示，接觸孔對(duì)準(zhǔn)的質(zhì)量和金屬柵(Metal Gate，簡(jiǎn)稱(chēng)MG)的厚度具有很強(qiáng)的相關(guān)性，而接觸孔對(duì)準(zhǔn)金屬柵，金屬柵移相掩膜(phase shift mask，簡(jiǎn)稱(chēng)PSM)標(biāo)記的厚度成為影響晶圓質(zhì)量的一個(gè)至關(guān)重要的因素至關(guān)重要的因素，在圖1中，橫坐標(biāo)表示金屬柵厚度(MG thickness)，縱坐標(biāo)表示晶圓質(zhì)量(wafer quality)，1所指的區(qū)域表示位線性能(BL performance)。目前，現(xiàn)有的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在經(jīng)過(guò)ILD CMP以及DPRM和AL-CMP之后，其厚度大大減小，進(jìn)而影響接觸孔與金屬柵的對(duì)準(zhǔn)質(zhì)量。
[0005]例如，在壓力鄰近技術(shù)(Stress proximity technology，簡(jiǎn)稱(chēng)SPT)之后，樣本柵的厚度為670埃，但由于金屬硅化物阻擋層(Salicide block，簡(jiǎn)稱(chēng)SAB)以及PM0S鍺硅氮化硅層(PM0S SiGe Nitride，簡(jiǎn)稱(chēng)PSR)掩膜層打開(kāi)，在層間介質(zhì)層CMP(ILD CMP)以及樣本柵移除(Du_y poly remove，簡(jiǎn)稱(chēng)DPRM)填充金屬并進(jìn)行CMP之后，其厚度大大減小，僅剩余200埃左右，這將會(huì)影響接觸孔與金屬柵的對(duì)準(zhǔn)質(zhì)量，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不期望看到的。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)計(jì)在經(jīng)過(guò)ILD CMP以及DPRM和金屬CMP的步驟之后，其厚度大大減小，進(jìn)而影響接觸孔與金屬柵的對(duì)準(zhǔn)質(zhì)量的問(wèn)題。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，應(yīng)用于高介電常數(shù)金屬柵極工藝中，其中，包括如下步驟:
[0008]步驟S1，提供一具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)的襯底，所述襯底的表面設(shè)置有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有位于所述有源區(qū)上方的第一柵槽和位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方的第二柵槽，所述第一柵槽內(nèi)設(shè)置有第一樣本柵，所述第二柵槽內(nèi)設(shè)置有第二樣本柵，且所述第一樣本柵的長(zhǎng)度等于所述第一柵槽的深度，所述第二樣本柵的長(zhǎng)度小于所述第二柵槽的深度；
[0009]步驟S2、制備一掩膜堆疊覆蓋在所述第一樣本柵和所述第二樣本柵的頂部，并將所述第二柵槽內(nèi)位于所述第二樣本柵之上的間隙空間完全予以填充；
[0010]步驟S3、完全移除位于第一樣本柵之上的掩膜堆疊，同時(shí)移除第二樣本柵之上的一部分掩膜堆疊并在第二樣本柵之上保留部分掩膜堆疊；
[0011]步驟S4、對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行研磨，以移除部分所述第一樣本柵并對(duì)第二樣本柵之上的余下的掩膜堆疊進(jìn)行部分移除；
[0012]步驟S5、刻蝕以完全移除第一柵槽內(nèi)余下的第一樣本柵；
[0013]步驟S6、填充金屬至第一柵槽內(nèi)并進(jìn)行研磨，籍由第二樣本柵之上的殘留的掩膜堆疊保障第二樣本柵在研磨過(guò)程中免受損傷。
[0014]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述掩膜堆疊包括氧化物層和覆蓋所述氧化物層的氮化硅層。
[0015]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，在所述步驟S3中，移除第二樣本柵之上的一部分掩膜堆疊后，在第二樣本柵之上保留部分掩膜堆疊中，所述氮化硅層的厚度為 450-500埃，氧化物層的厚度為50-90埃。
[0016]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，在所述步驟S4中，對(duì)第二樣本柵之上的余下的掩膜堆疊進(jìn)行部分移除后，所述第二樣本柵之上的剩余的氮化硅層的厚度為 50-100 埃。
[0017]上述的P SM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的深度為 150-250 埃。
[0018]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化物。
[0019]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，在步驟S4和步驟S6中，所述研磨均為化學(xué)機(jī)械研磨。
[0020]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述樣本柵為多晶硅或無(wú)定形碳。
[0021]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述金屬為A1。
[0022]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，在移除第一樣本柵之后，且在填充金屬之前，先制備一層高K介電層覆蓋在第一柵槽暴露的表面。
[0023]上述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，所述方法應(yīng)用于28nm高介電常數(shù)金屬柵極的工藝中。
[0024]本發(fā)明公開(kāi)了一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu) (shallow trench isolat1n，簡(jiǎn)稱(chēng)STI)上方設(shè)置樣本柵，在該樣本柵的頂部制備掩膜堆疊，且在高介電常數(shù)金屬柵極的工藝中，由于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)的臺(tái)階高度使得部分該掩膜堆疊得以保留，并籍由位于該樣本柵之上的殘留的掩膜堆疊保障第二樣本柵在研磨過(guò)程中免受損傷，從而使得該樣本柵的厚度得以完整保留，進(jìn)而提高了接觸孔與金屬柵的對(duì)準(zhǔn)質(zhì)量。
[0025]具體【附圖說(shuō)明】
[0026]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0027]圖1是本發(fā)明【背景技術(shù)】中金屬柵厚度與晶圓質(zhì)量的關(guān)系示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法的流程圖；
[0029]圖3a_3g是本發(fā)明實(shí)施例中PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法的流程結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但是不作為本發(fā)明的限定。
[0031]如圖2所示，本實(shí)施例涉及一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，可應(yīng)用于高介電常數(shù)金屬柵極工藝中，尤其是應(yīng)用于28nm高介電常數(shù)金屬柵極的工藝中，具體的，該方法包括如下步驟:
[0032]步驟一，首先，提供一設(shè)置有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)22和有源區(qū)21的襯底(該襯底并未于圖中示出)，且位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)22的襯底上表面的高度低于位于有源區(qū)21的襯底上表面的高度，在此需要說(shuō)明的是，此處所說(shuō)的高度是指位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)22的襯底上表面和位于有源區(qū)21的襯底上表面相對(duì)于同一水平面的高度。
[0033]其次，于襯底上制備一上表面在同一水平面的介質(zhì)層(該介質(zhì)層并未于圖中示出)后，回蝕部分該介質(zhì)層至襯底的上表面，以形成貫穿介質(zhì)層的若干柵槽；該若干柵槽包括位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)22上方的若干第二柵槽32和位于有源區(qū)21上方的若干第一柵槽31，且第一柵槽31和第二柵槽32的上表面平齊，顯而易見(jiàn)的，第一柵槽31的深度小于第二柵槽32的深度；形成如圖3a所示的結(jié)構(gòu)。
[0034]再次，在若干柵槽中填充樣本柵材料，以于所述第一柵槽31中形成第一樣本柵41，于第二柵槽32中形成第二樣本柵42，且第一樣本柵41從底部端面至頂部端面之間的長(zhǎng)度Ll(即第一樣本柵41的長(zhǎng)度)與第二樣本柵42從底部端面至頂部端面之間的長(zhǎng)度L2(即第二樣本柵42的長(zhǎng)度)相同，由于第一柵槽31的深度小于第二柵槽32的深度，而第一樣本柵41和第二樣本柵42的長(zhǎng)度又相同，所以就使得第二樣本柵42在設(shè)置于襯底上時(shí)，其上表面相對(duì)于襯底的位于同一水平面的頂部表面的高度就會(huì)不同，也就是說(shuō)，第一樣本柵41的頂部端面相對(duì)于襯底的高度hi要大于第二樣本柵42頂部端面相對(duì)于襯底的高度h2，即第一樣本柵41的長(zhǎng)度等于第一柵槽31的深度，第二樣本柵42的長(zhǎng)度小于第二柵槽32的深度，如圖3b所示的結(jié)構(gòu)。
[0035]在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，第二柵槽32的深度與第二樣本柵42的長(zhǎng)度之差(即位于第二樣本柵42之上的間隙空間的高度)剛好等于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)22的深度。
[0036]優(yōu)選的，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)22的深度為150-250埃(例如150埃、200埃、210?；蛘?50埃)，則第二柵槽32的深度與第二樣本柵42的長(zhǎng)度之差為150-250埃(例如150埃、200埃、210?；蛘?50埃)ο
[0037]優(yōu)選的，第一樣本柵41和第二樣本柵42的材質(zhì)均為多晶硅或無(wú)定形碳。
[0038]優(yōu)選的，上述介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化物。
[0039]步驟二、制備一掩膜堆疊5覆蓋在第一樣本柵41和第二樣本柵42的頂部，并將第二柵槽32內(nèi)位于第二樣本柵42之上的間隙空間完全予以填充，在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，掩膜堆疊5包括氧化物層和覆蓋氧化物層的氮化硅層(該氧化物層和氮化硅層并未于圖中標(biāo)識(shí)出)；如圖3c所示的結(jié)構(gòu)。
[0040]可選的，采用化學(xué)氣相沉積的方法制備一掩膜堆疊5覆蓋在第一樣本柵41和第二樣本柵42的頂部。
[0041]步驟三、采用刻蝕工藝完全移除位于第一樣本柵41之上的掩膜堆疊5,同時(shí)移除第二樣本柵42之上的一部分掩膜堆疊5并在第二樣本柵42之上保留部分掩膜堆疊5 ;如圖3d所示的結(jié)構(gòu)。
[0042]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在步驟三中，移除第二樣本柵42之上的一部分掩膜堆疊后，在第二樣本柵42之上保留部分掩膜堆疊5中，氮化硅層的厚度為450-550埃(例如450埃、490埃、500?；蛘?50埃等)，氧化物層的厚度為50-90埃(例如50埃、65埃、 70?；蛘?0埃等)。
[0043]可選的，采用干法刻蝕工藝完全移除位于第一樣本柵41之上的掩膜堆疊5,同時(shí)移除第二樣本柵42之上的一部分掩膜堆疊5并在第二樣本柵42之上保留部分掩膜堆疊5。
[0044]步驟四、對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行研磨(ILD CMP)，以移除部分第一樣本柵41并對(duì)第二樣本柵42之上的余下的掩膜堆疊5進(jìn)行部分移除，如圖3e所示的結(jié)構(gòu)。
[0045]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在步驟四中，對(duì)第二樣本柵42之上的余下的掩膜堆疊5進(jìn)行部分移除后，第二樣本柵之上的剩余的氮化硅層的厚度為50-100埃(例如50 埃、70埃、80?；蛘?00埃等)。
[0046]可選的，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行研磨，移除部分第一樣本柵41并將第二樣本柵42之上的余下的掩膜堆疊5進(jìn)行部分移除。
[0047]步驟五、刻蝕以完全移除第一柵槽31內(nèi)余下的第一樣本柵41 (DPRM)，在此過(guò)程中，由于不同的材質(zhì)刻蝕速率的不同，第二樣本柵42之上剩余的掩膜堆疊5僅部分被移除， 由于剩余的掩膜堆疊5的保護(hù)，第二樣本柵42得以完全保留，形成如圖3f所示的結(jié)構(gòu)。
[0048]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，采用干法刻蝕工藝刻蝕以完全移除第一柵槽31 內(nèi)余下的第一樣本柵41。在此需要說(shuō)明的是，采用干法刻蝕工藝是針對(duì)第一樣本柵41材料為多晶硅的情況下進(jìn)行的，若樣本柵為無(wú)定形碳，則采用灰化處理移除樣本柵。
[0049]步驟六、填充金屬至第一柵槽31內(nèi)并進(jìn)行研磨，籍由第二樣本柵42之上的殘留的掩膜堆疊5保障第二樣本柵42在研磨過(guò)程中免受損傷，進(jìn)而在形成金屬柵極6,且在形成金屬柵極6的過(guò)程中第二樣本柵42得以完整保留。
[0050]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，填充金屬至第一柵槽31內(nèi)并進(jìn)行研磨所采用的研磨工藝為化學(xué)機(jī)械研磨。[0051 ]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，該金屬的材質(zhì)為A1。
[0052]在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在移除第一樣本柵41之后，且在填充金屬之前， 先制備一層高K介電層覆蓋在第一柵槽31暴露的表面，以在填充金屬之后，在第一柵槽31 內(nèi)形成高K金屬柵極。
[0053]本發(fā)明公開(kāi)了一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方設(shè)置樣本柵，在該樣本柵的頂部制備掩膜堆疊，且在高介電常數(shù)金屬柵極的工藝中，由于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)的臺(tái)階高度使得部分該掩膜堆疊得以保留，并籍由位于該樣本柵之上的殘留的掩膜堆疊保障第二樣本柵在研磨過(guò)程中免受損傷，從而使得該樣本柵的厚度得以完整保留，進(jìn)而提高了接觸孔與金屬柵的對(duì)準(zhǔn)質(zhì)量，且該工藝簡(jiǎn)單方便，與傳統(tǒng)工藝的兼容性強(qiáng)，具有很強(qiáng)的實(shí)用性。
[0054]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0055]以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，應(yīng)用于高介電常數(shù)金屬柵極工藝中，其特征在于，包括如下步驟: 步驟S1、提供一具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和有源區(qū)的襯底，所述襯底的表面設(shè)置有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有位于所述有源區(qū)上方的第一柵槽和位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方的第二柵槽，所述第一柵槽內(nèi)設(shè)置有第一樣本柵，所述第二柵槽內(nèi)設(shè)置有第二樣本柵，且所述第一樣本柵的長(zhǎng)度等于所述第一柵槽的深度，所述第二樣本柵的長(zhǎng)度小于所述第二柵槽的深度； 步驟S2、制備一掩膜堆疊覆蓋在所述第一樣本柵和所述第二樣本柵的頂部，并將所述第二柵槽內(nèi)位于所述第二樣本柵之上的間隙空間完全予以填充； 步驟S3、完全移除位于第一樣本柵之上的掩膜堆疊，同時(shí)移除第二樣本柵之上的一部分掩膜堆疊并在第二樣本柵之上保留部分掩膜堆疊； 步驟S4、對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行研磨，以移除部分所述第一樣本柵并對(duì)第二樣本柵之上的余下的掩膜堆疊進(jìn)行部分移除； 步驟S5、刻蝕以完全移除第一柵槽內(nèi)余下的第一樣本柵； 步驟S6、填充金屬至第一柵槽內(nèi)并進(jìn)行研磨，籍由第二樣本柵之上的殘留的掩膜堆疊保障第二樣本柵在研磨過(guò)程中免受損傷。2.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜堆疊包括氧化物層和覆蓋所述氧化物層的氮化硅層。3.如權(quán)利要求2所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述步驟S3中，移除第二樣本柵之上的一部分掩膜堆疊后，在第二樣本柵之上保留部分掩膜堆疊中，所述氮化硅層的厚度為450-500埃，氧化物層的厚度為50-90埃。4.如權(quán)利要求2所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述步驟S4中，對(duì)第二樣本柵之上的余下的掩膜堆疊進(jìn)行部分移除后，所述第二樣本柵之上的剩余的氮化硅層的厚度為50-100埃。5.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的深度為150-250埃。6.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化物。7.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在步驟S4和步驟S6中，所述研磨均為化學(xué)機(jī)械研磨。8.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述樣本柵為多晶娃或無(wú)定形碳。9.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述金屬為Al。10.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在移除第一樣本柵之后，且在填充金屬之前，先制備一層高K介電層覆蓋在第一柵槽暴露的表面。11.如權(quán)利要求1所述的PSM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于28nm高介電常數(shù)金屬柵極的工藝中。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK105990094SQ201510061273
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月5日
【發(fā)明人】趙簡(jiǎn), 邵群, 王杭萍
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司