封裝體電磁防護(hù)層的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的封裝體電磁防護(hù)層的制造方法，包括：a)將可熱剝離的紫外線固化膠涂敷于可透光的基材上；b)將封裝體置放于紫外線固化膠上，使得紫外線固化膠粘附于封裝體的設(shè)有焊墊的一面；c)朝基材照射紫外線以固化紫外線固化膠；d)在封裝體上形成電磁防護(hù)層；e)熱剝離紫外線固化膠；由此，本發(fā)明通過(guò)紫外線固化膠來(lái)遮蔽封裝體底面的焊墊，能夠避免電磁防護(hù)層與焊墊發(fā)生橋接短路的可能性；另一方面，在紫外線固化膠熱剝離的過(guò)程中，電磁防護(hù)層的受力是相對(duì)均勻且緩慢地發(fā)生，能夠降低電磁防護(hù)層的剝落與碎屑。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
封裝體電磁防護(hù)層的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種封裝體電磁防護(hù)層的制法，具體而言是指一種封裝體電磁防護(hù)層 的制造方法，該制造方法能夠降低電磁防護(hù)層剝落或刮傷的可能性。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝(System in package;SiP)模塊的封裝體的外表面通常鍛有一 層電磁防護(hù)層，W作為電磁屏蔽化MI Shielding)。然而，傳統(tǒng)制造電磁防護(hù)層的制程，會(huì)有 多連板（S化ips or panels)的設(shè)計(jì)，此時(shí)，便容易發(fā)生與鄰近的封裝體之間電磁防護(hù)層相 連結(jié)的狀況，使得在后續(xù)制程中必須施加外力W分離各封裝體。在分離各封裝體的過(guò)程中， 常常連帶地剝離了局部的電磁防護(hù)層，或者是產(chǎn)生碎屑沾黏而造成封裝體外觀不良W及電 磁防護(hù)層與焊墊發(fā)生橋接短路的可能性，因此一種可W改善封裝體表面電磁防護(hù)層剝落與 碎屑的制造方法是非常需要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種封裝體電磁防護(hù)層的制造方法，該制 造方法能夠降低電磁防護(hù)層剝落與產(chǎn)生碎屑，進(jìn)而降低電磁防護(hù)層與焊墊發(fā)生橋接短路的 可能性。
[0004] 為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供了一種封裝體電磁防護(hù)層的制造方法，該方法包 括W下幾個(gè)步驟:步驟a)將可熱剝離的紫外線固化膠涂敷于可透光的基材上;步驟b)將封 裝體置放于紫外線固化膠上，使得紫外線固化膠粘附于封裝體的設(shè)有焊墊的一面;步驟C) 朝基材照射紫外線W固化紫外線固化膠;步驟d)在封裝體上形成電磁防護(hù)層;步驟e)熱剝 離紫外線固化膠。
[0005] 由此，本發(fā)明通過(guò)紫外線固化膠來(lái)遮蔽封裝體底面的焊墊，可避免封裝體在形成 電磁防護(hù)層的過(guò)程中，電磁防護(hù)層與焊墊發(fā)生橋接短路的可能性。另一方面，在紫外線固化 膠因熱膨脹而剝離的過(guò)程中，可對(duì)封裝體側(cè)面的電磁防護(hù)層施力而使其斷開(kāi)，電磁防護(hù)層 的受力情況是相對(duì)均勻地且緩慢地發(fā)生，可降低電磁防護(hù)層的發(fā)生剝落與產(chǎn)生碎屑的情 況。
[0006] 在其中一個(gè)方面，本發(fā)明是選擇在將封裝體置放于紫外線固化膠上時(shí)，使紫外線 固化膠也黏附封裝體的側(cè)面底部邊緣，如此一來(lái)，在后續(xù)形成電磁防護(hù)層時(shí)，可更有效地避 免側(cè)面的電磁防護(hù)層與底面的焊墊發(fā)生橋接短路的可能性。
[0007] 另一方面，本發(fā)明是W瓣鍛的方式來(lái)形成電磁防護(hù)層，并且是選擇使用熱剝離溫 度高于瓣鍛制程溫度(例如攝氏170°C)的紫外線固化膠，避免在瓣鍛制程時(shí)因紫外線固化 膠熱剝離而失去了原本遮蔽焊墊的功能。
[000引另一方面，本發(fā)明是選擇將封裝體置放于高溫液體內(nèi)，使紫外線固化膠受熱膨脹 而從封裝體剝離。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例的制法流程圖。
[0010] 圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的基材的俯視圖，用W顯示基材的涂敷區(qū)域的分布情況。
[0011] 圖3A至圖3E為本發(fā)明較佳實(shí)施例的封裝體電磁防護(hù)層制造方法的剖面示意圖。 [0012](符號(hào)說(shuō)明）
[OOU] 10 封裝體
[0014] 11 基板
[001引 110 焊墊
[0016] 13 封膠層
[0017] 14 接地層
[001引 15 底面
[0019] 17 側(cè)面
[0020] 20 可透光的基材
[0021] 21 涂敷區(qū)域
[0022] 30 紫外線固化膠
[0023] 40 燈具
[0024] 50 電磁防護(hù)層
[0025] S 間隙
[0026] S1-S6 步驟
【具體實(shí)施方式】
[0027] 為了能更理解本發(fā)明的特點(diǎn)所在，本發(fā)明提供了一較佳實(shí)施例并配合【附圖說(shuō)明】如 下。
[00%]本發(fā)明是W由多個(gè)SiP模塊的封裝體10所組成的封裝體連片（S化ips或panels,省 略圖示)作為舉例對(duì)象，SiP模塊可W是扇出型SiP(化n out SiP)或是內(nèi)嵌式SiP(Embedded SiP)，但本發(fā)明并不W此為限。
[0029] 封裝體連片的各個(gè)封裝體10的結(jié)構(gòu)可參考圖3B，其中，封裝體10包含有基板11和 設(shè)于基板11上方的封膠層13?；?1的內(nèi)層設(shè)有接地層14?；?1的底面15設(shè)有若干個(gè)焊 墊110, W供封裝體10與外部的其他電子組件電性連接。
[0030] W下，對(duì)本發(fā)明的封裝體電磁防護(hù)層的制造方法的各步驟及其特點(diǎn)與功效進(jìn)行說(shuō) 明。
[0031] 步驟SI:將可熱剝離的紫外線固化膠30涂敷于可透光的基材20的一表面上（如圖 3A)。本實(shí)施例中選擇使用可透光的玻璃作為可透光的基材20,并且本實(shí)施例所指稱的可透 光的基材20是指至少可被紫外光透射的基材20。請(qǐng)同時(shí)參考圖2與圖3A，可透光的基材20的 表面被劃分成多個(gè)涂敷區(qū)域21，多個(gè)涂敷區(qū)域21例如是W五乘W四的數(shù)組方式作排列，但 本發(fā)明不W此為限。每個(gè)涂敷區(qū)域21均涂敷有層厚度為100微米(皿)的紫外線固化膠30,涂 敷的面積大于基板11的底面15的面積。此外，本實(shí)施例中選擇使用VALT民ON⑩公司的型 號(hào)為AD4600或AD4601的紫外線固化膠30,關(guān)于該紫外線固化膠30,可在紫外光的照射下在 數(shù)秒內(nèi)固化，并可在置放于溫度超過(guò)攝氏170°C的高溫液體或環(huán)境中時(shí)，紫外線固化膠30失 去黏性(debond)，并且熱膨脹而從黏附的對(duì)象剝離。
[0032] 另一方面，在步驟S2中，將封裝體連片進(jìn)行單體化(singulation)，W從封裝體連 片切割出各個(gè)封裝體10。
[0033] 步驟S3:通過(guò)取放裝置(Pick and Place Machine)將每一個(gè)切割出來(lái)的封裝體10 W其底面15朝下的方式放置在紫外線固化膠30上，使得封裝體10的底面15連同焊墊110完 整地被紫外線固化膠30粘附并覆蓋(如圖3B)。此外，本實(shí)施例中還選擇性地使紫外線固化 膠30粘附封裝體10的側(cè)面17底部邊緣，例如從封裝體10的底部邊緣起算向上30微米(Ml)的 高度處，W利于之后在封裝體10上形成電磁防護(hù)層50時(shí)，電磁防護(hù)層50不會(huì)橋接至封裝體 10的焊墊110。
[0034] 執(zhí)行完步驟S3后，接著執(zhí)行步驟S4，在該步驟S4中，使用燈具40，朝可透光的基材 20的、未涂敷紫外線固化膠30的一面照射紫外線，W固化紫外線固化膠30(如圖3C)，本實(shí)施 例中所使用的燈具例如是水銀燈(mercury vapor bu化），但不W此為限。
[0035] 執(zhí)行完步驟S4后，接著執(zhí)行步驟S5,在該步驟S5中，如圖3D所示，在封裝體10上形 成一層電磁防護(hù)層50,并與接地層14電性連接。本實(shí)施例中是W瓣鍛(sputtering)的方式 來(lái)形成電磁防護(hù)層50,在該瓣鍛的過(guò)程中，電磁防護(hù)層50形成于封裝體10的封膠層13表面 與基板11的側(cè)邊、W及紫外線固化膠30的局部外表面。需要說(shuō)明的是:瓣鍛制程溫度是控制 在攝氏17(TC左右，其低于所選用的紫外線固化膠30的熱剝離的溫度，從而能夠避免在瓣鍛 制程時(shí)因紫外線固化膠30熱剝離而失去了原本遮蔽封裝體10的焊墊110的功能。
[0036] 之后執(zhí)行步驟S6,在該步驟S6中，熱剝離紫外線固化膠，例如是將紫外線固化膠30 放入高溫液體內(nèi)，使固化的紫外線固化膠30從封裝體10剝離。本實(shí)施例中是將封裝體10置 放到溫度高于攝氏170°C的高溫液體中W熱剝離紫外線固化膠30,此時(shí)位于封裝體10的底 面15W及靠近側(cè)面17底部邊緣的紫外線固化膠30因受熱膨脹而從封裝體10剝離，并且在熱 膨脹的過(guò)程中，靠近側(cè)面17底部邊緣的電磁防護(hù)層50也會(huì)斷開(kāi)，進(jìn)而使封裝體10和紫外線 固化膠30W及可透光的基材20分離，剝離后的封裝體10如圖3E所示。
[0037] 需要說(shuō)明的是:本實(shí)施例在步驟S5形成電磁防護(hù)層50之前，先利用紫外線固化膠 30來(lái)遮蔽封裝體10的底面15(包含焊墊110)，可降低后續(xù)形成電磁防護(hù)層50時(shí)，電磁防護(hù)層 50與焊墊110之間發(fā)生橋接短路的可能性。此外，也因?yàn)樵诓襟ES3中，封裝體10的側(cè)面17底 部邊緣黏附有紫外線固化膠30,因此封裝體10的側(cè)面17底部邊緣至少留有30微米的高度是 沒(méi)有鍛上電磁防護(hù)層50,在執(zhí)行步驟S6之后，如圖3E所示，封裝體10的底面15與電磁防護(hù)層 50之間留有間隙S，更可有效降低側(cè)面17上形成的電磁防護(hù)層50與焊墊110發(fā)生橋接短路的 可能性。
[0038] 進(jìn)而，本實(shí)施例在步驟S6中，紫外線固化膠30是通過(guò)高溫液體的溫度作用而熱膨 脹，紫外線固化膠30施加于電磁防護(hù)層50的力量是相對(duì)均勻且緩慢的，因此不易造成電磁 防護(hù)層50產(chǎn)生剝落(chips)與碎屑(burrs)的情況。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種封裝體電磁防護(hù)層的制造方法，其特征在于包括以下步驟： a) 將紫外線固化膠涂敷于可透光的基材上； b) 將封裝體置放于所述紫外線固化膠上，使得所述紫外線固化膠粘附于所述封裝體的 設(shè)有焊墊的一面； c) 朝所述可透光的基材照射紫外線以固化所述紫外線固化膠； d) 在所述封裝體上形成電磁防護(hù)層； e) 熱剝離所述紫外線固化膠。2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟d)中，以濺鍍制程的方式形成所述電磁防護(hù)層，并且所述紫外線固化膠熱 剝離的溫度高于所述濺鍍制程的溫度。3. 如權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟a)中，將所述紫外線固化膠涂敷于可透光的玻璃上。4. 如權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟a)中，將100微米厚度的所述紫外線固化膠涂敷于所述可透光的基材。5. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟b)中，所述紫外線固化膠黏附所述封裝體的側(cè)面底部邊緣。6. 如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟b)中，所述紫外線固化膠黏附所述封裝體的從底部邊緣起算高度為30微米 的側(cè)面。7. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟e)中，將所述封裝體置放于高溫液體中，以熱剝離所述紫外線固化膠。8. 如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于， 所述高溫液體的溫度高于攝氏170°C。9. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于， 在所述步驟b)之前，還執(zhí)行將封裝體連片進(jìn)行單體化的步驟，以從所述封裝體連片切 割出各所述封裝體。10. 如權(quán)利要求1至2、5至9中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述封裝體的底面 與所述電磁防護(hù)層之間留有間隙。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK105977169SQ201610353315
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年5月25日
【發(fā)明人】簡(jiǎn)圣華
【申請(qǐng)人】環(huán)旭電子股份有限公司