太陽能電池裝置的制造方法
【專利摘要】一種太陽能電池裝置，具有多結(jié)太陽能電池和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)，其中所述多結(jié)太陽能電池和所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)具有一個共同的背側(cè)面以及通過臺面型溝槽分離的前側(cè)，所述共同的背側(cè)面包括導(dǎo)電層并且光通過所述前側(cè)進(jìn)入到所述多結(jié)太陽能電池中，其中所述多結(jié)太陽能電池包括由多個太陽能電池組成的疊堆并且具有最接近所述前側(cè)地布置的上太陽能電池和最接近所述背側(cè)地布置的下太陽能電池，每一個太陽能電池包括一個np結(jié)并且在相鄰的太陽能電池之間布置有隧道二極管，并且在所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體層的數(shù)量小于在所述多結(jié)太陽能電池中的半導(dǎo)體層的數(shù)量，然而在所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體層的順序相應(yīng)于所述多結(jié)太陽能電池的半導(dǎo)體層的順序。
【專利說明】
太陽能電池裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽能電池裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由EP1008 188 AUUS 6 600 100 A2、EP I 443 566 Al和US 7 449 630 A2已知用于具有多結(jié)太陽能電池(Mehrfachsolarzelle)和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的太陽能電池裝置的不同方案。此外，由DE 10 2004 055 225 Al和DE 10 2004 023 856 Al并且尤其由G.F.X.Strobl 等所發(fā)表的Evolut1n of Fully European Triple GaAs Solar Cell，Proc.(第7屆歐洲空間電力會議，意大利，斯特雷薩，2005年5月9_13日，(ESA SP-589，2005年5月))已知構(gòu)成所述類型的其他太陽能電池裝置。特別地，EP I 008 188 Al在太陽能電池疊堆的上側(cè)上僅僅具有已知的由P+摻雜的AlGaAs構(gòu)成的窗層，所述窗層直接平置在GaInP部分單元上，而在保護(hù)結(jié)構(gòu)上直接將金屬構(gòu)造到隧道二極管的η++摻雜的部分層上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在此背景下，本發(fā)明的任務(wù)在于，說明一種擴(kuò)展現(xiàn)有技術(shù)的裝置。
[0004]所述任務(wù)通過具有權(quán)利要求1的特征的太陽能電池裝置來解決。本發(fā)明的有利構(gòu)型是從屬權(quán)利要求的主題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的主題，提供一種太陽能電池裝置，其具有多結(jié)太陽能電池和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)，其中所述多結(jié)太陽能電池和所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)具有一個共同的背側(cè)面和通過臺面型溝槽(Mesa-Graben)分離的前側(cè)，并且所述共同的背側(cè)面包括導(dǎo)電層并且光通過所述前側(cè)進(jìn)入到所述多結(jié)太陽能電池中，其中所述多結(jié)太陽能電池包括由三個或更多個太陽能電池組成的疊堆并且具有最接近所述前側(cè)地布置的上太陽能電池和最接近所述背側(cè)地布置的下太陽能電池，并且每一個太陽能電池包括一個np結(jié)并且在相鄰的太陽能電池之間布置有隧道二極管，并且所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體層的數(shù)量小于所述多結(jié)太陽能電池中的半導(dǎo)體層的數(shù)量，然而所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體層的順序相應(yīng)于所述多結(jié)太陽能電池的半導(dǎo)體層的順序，其中在所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中構(gòu)造有至少一個上保護(hù)二極管和至少一個最接近所述背側(cè)地布置的下保護(hù)二極管并且在相鄰的保護(hù)二極管之間布置有隧道二極管，并且所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的np結(jié)的數(shù)量比所述多結(jié)太陽能電池的np結(jié)的數(shù)量至少小I，在所述多結(jié)太陽能電池和所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的前側(cè)上構(gòu)造有連接接觸結(jié)構(gòu)和在所述連接接觸結(jié)構(gòu)下方的由多個半導(dǎo)體層組成的導(dǎo)電接觸層，所述連接接觸結(jié)構(gòu)包含一個或多個金屬層，并且所述接觸層包括隧道二極管。
[0006]要注意的是，臺面型溝槽完全構(gòu)造在保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的層疊堆和疊堆狀的多結(jié)太陽能電池之間，從而所述兩個疊堆在其上側(cè)完全分離并且僅僅在下側(cè)具有共同構(gòu)造的連續(xù)層。也要注意的是，多結(jié)太陽能電池和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)構(gòu)造為np結(jié)，即從前側(cè)看η層布置在P層之上。
[0007]不言而喻，保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的層疊堆在前側(cè)雖然具有與多結(jié)太陽能電池相同的連接接觸結(jié)構(gòu)，所述連接接觸結(jié)構(gòu)尤其具有金屬層，然而與多結(jié)太陽能電池相比，在保護(hù)二極管上的連接接觸結(jié)構(gòu)之下蝕刻掉多個層。由此，保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)具有更少的半導(dǎo)體層。也優(yōu)選的是，太陽能電池裝置包括半導(dǎo)體晶片，特別優(yōu)選地包括鍺晶片。通常，多結(jié)太陽能電池占據(jù)絕大部分、優(yōu)選超過晶片面積的90%，而保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)布置在晶片的角中的一個上。在晶片表面的俯視圖中，所述兩個結(jié)構(gòu)并排地布置并且通過臺面型溝槽分離。
[0008]此外不言而喻，保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)和多結(jié)太陽能電池主要具有由II1-V半導(dǎo)體材料組成的層。在此，多結(jié)太陽能電池的各個太陽能電池具有不同的帶隙，其中最接近前側(cè)地布置的上太陽能電池比中間太陽能電池具有更大的帶隙，而中間太陽能電池比最接近背側(cè)地布置的下太陽能電池具有更大的帶隙。由此，光入射始終通過上太陽能電池發(fā)生。沒有由上太陽能電池吸收的光譜入射到其他太陽能電池中。要指出的是，太陽能電池疊堆和保護(hù)結(jié)構(gòu)優(yōu)選單片地集成。在一種替代的實施方式中，相應(yīng)的疊堆包含半導(dǎo)體鍵合面。在一種替代的實施方式中，太陽能電池疊堆具有多于三個太陽能電池。優(yōu)選地，太陽能電池疊堆具有四個或五個或六個太陽能電池。
[0009]所述裝置的一個優(yōu)點是，借助金屬接觸部在隧道二極管上尤其在保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的構(gòu)造提高保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的可靠性和長時間穩(wěn)定性。此外，對于保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的構(gòu)造而言不施加附加的半導(dǎo)體或金屬層，而是使用多結(jié)電池的半導(dǎo)體和金屬層用于保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的前側(cè)連接。換言之，保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)和多結(jié)電池具有相同的連接接觸結(jié)構(gòu)。兩個不同接觸系統(tǒng)的特征化和定性是多余的。
[0010]研究已經(jīng)表明，借助隧道二極管的構(gòu)造得到更好的產(chǎn)量或者更穩(wěn)健的制造工藝。此外，可以靈活地利用生產(chǎn)工藝，即從多結(jié)太陽能電池出發(fā)可以在使用相同的連接接觸結(jié)構(gòu)的情況下借助少的附加工藝步驟制造保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)。
[0011]其他研究已經(jīng)表明，附加的隧道二極管的引入在保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)中的較高的電流密度時也驚奇地僅僅不顯著地影響電壓降并且特別地保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的連通行為沒有變化。也表明，為了制造隧道二極管引入附加層不降低而是提高產(chǎn)量。
[0012]在一種實施方式中，導(dǎo)電層在背側(cè)具有一個或多個金屬層和/或一個或多個布置在所述金屬層上的半導(dǎo)體層。尤其在使用鍺襯底晶片的情況下有利的是，設(shè)置由鍺組成的半導(dǎo)體層，即為了構(gòu)造臺面型溝槽的臺面型蝕刻在鍺襯底中停止。
[0013]在一種擴(kuò)展方案中，在連接接觸結(jié)構(gòu)和隧道二極管之間構(gòu)造有P摻雜半導(dǎo)體層。優(yōu)選地，所述P摻雜半導(dǎo)體層包括GaInP和/或GaAs的化合物，并且接觸層在前側(cè)包括一個或多個金屬層。
[00M]研究已經(jīng)表明，當(dāng)所述連接接觸結(jié)構(gòu)包括由AuZn合金組成的層和/或由Ag的化合物組成的層和/或由Au的化合物組成的層和/或由Zn合金組成的層時，是有利的。由此，尤其可以在P摻雜半導(dǎo)體層上實現(xiàn)低歐姆連接。換言之有利的是，在P摻雜半導(dǎo)體層上材料鎖合地構(gòu)造金屬層。
[0015]在一種實施方式中，所述隧道二極管由至少一個負(fù)摻雜層和至少一個正摻雜層構(gòu)成，其中所述負(fù)摻雜通過元素Si和/或Te和/或Se實現(xiàn)，和/或，所述正摻雜通過元素C和/或Zn和/或Mg實現(xiàn)。優(yōu)選地，所述層的摻雜材料濃度大于I X 1018cm—3、最優(yōu)選地大于3 X 118Cm
-3
O
[0016]在另一實施方式中，隧道二極管構(gòu)造在所述上太陽能電池和所述連接接觸結(jié)構(gòu)之間。優(yōu)選地，所述隧道二極管由至少兩個相互重疊的由GaA化合物組成的層構(gòu)造，其中所述層中的至少一個層或所述兩個層具有在1%和40%之間的鋁含量。最優(yōu)選地，所述層的一個層中的Al含量或者兩個層中的Al含量在5 %和20 %之間。
[0017]在另一擴(kuò)展方案中，所述多結(jié)太陽能電池具有中間太陽能電池。優(yōu)選的是，所述上太陽能電池包括GaInP并且所述中間太陽能電池包括GaAs或GaInAs并且所述下太陽能電池包括Ge。
[0018]在一種優(yōu)選的實施方式中，所述多結(jié)太陽能電池包括多于三個太陽能電池。不言而喻，隨著具有不同帶隙的太陽能電池的數(shù)量的增加，相應(yīng)的太陽能電池的帶隙可以更簡單地相互協(xié)調(diào)并且可以提高所述裝置的效率。
[0019]在另一擴(kuò)展方案中，所述保護(hù)二極管的連接接觸結(jié)構(gòu)至少部分地或者完全地直接與P摻雜半導(dǎo)體層鄰接，其中優(yōu)選地，所述P摻雜半導(dǎo)體層由GaInP和/或AlGaAs和/SGaAs和/或Ga I nAs的化合物組成。在一種替代的實施方式中，所述多結(jié)太陽能電池的連接接觸結(jié)構(gòu)至少部分地或者完全地直接與正摻雜半導(dǎo)體層鄰接，其中所述半導(dǎo)體層由GaAs的化合物組成。換言之，連接接觸結(jié)構(gòu)至少部分地或者完全地構(gòu)造與P摻雜半導(dǎo)體層的材料鎖合的連接。
[0020]在一種實施方式中，所述保護(hù)二極管的和所述多結(jié)太陽能電池的連接接觸結(jié)構(gòu)具有相同的層序列。不言而喻，所述兩個層疊堆優(yōu)選外延地生長為共同連續(xù)的層并且在所述層的生長之后所述兩個疊堆才借助臺面型蝕刻分離。
[0021]在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)和所述多結(jié)太陽能電池包括半導(dǎo)體鏡，其中所述半導(dǎo)體鏡的層具有大于11Vcm3的摻雜。借助高的摻雜，半導(dǎo)體鏡具有更低的電阻。優(yōu)選地，半導(dǎo)體鏡構(gòu)造在兩個相鄰的太陽能電池之間。
[0022]在一種擴(kuò)展方案中，所述保護(hù)二極管的前側(cè)不與所述多結(jié)太陽能電池的背側(cè)導(dǎo)電連接。相反地，保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)與另一晶片的多結(jié)太陽能電池連接，即該晶片的保護(hù)結(jié)構(gòu)保護(hù)最接近的、優(yōu)選直接相鄰的晶片的太陽能電池結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0023]下面參考附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明。在此，相同的部分標(biāo)有相同的標(biāo)記。所示實施方式是強烈示意性的，即間距以及橫向和垂直的延展是不按比例的并且只要沒有說明也不具有可導(dǎo)出的相互幾何關(guān)系。附圖示出:
[0024]圖1:根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的橫剖圖；
[0025]圖2:在圖1中所示出的橫剖圖的詳細(xì)實施方式。
【具體實施方式】
[0026]圖1的示圖示出太陽能電池裝置SV的根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的橫剖圖，所述太陽能裝置具有多結(jié)太陽能電池MS和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD，其中多結(jié)太陽能電池MS和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD具有一個共同的背側(cè)面RF和通過臺面型溝槽MG分離的前側(cè)。所述共同的背側(cè)面RF包括導(dǎo)電層MR。多結(jié)太陽能電池MS包括由多個太陽能電池SC 1、SC2、SC3組成的疊堆，它們具有最接近前側(cè)地布置的上太陽能電池SCl并且具有中間太陽能電池SC2并且具有最接近背側(cè)地布置的下太陽能電池SC3。每一個太陽能電池SC1、SC2、SC3包括一個沒有示出的np結(jié)。在相鄰的太陽能電池SC1、SC2以及SC2、SC3之間分別布置有隧道二極管TD。
[0027]雖然所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD中的半導(dǎo)體層的數(shù)量小于所述多結(jié)太陽能電池MS中的半導(dǎo)體層的數(shù)量，然而在所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD中的剩余的半導(dǎo)體層的順序與所述多結(jié)太陽能電池MS的半導(dǎo)體層的順序相同。所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD包括上保護(hù)二極管Dl和最接近所述背側(cè)地布置的下保護(hù)二極管D2。在兩個保護(hù)二極管Dl和D2之間布置有隧道二極管TD0
[0028]不言而喻，所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD中的np結(jié)的數(shù)量比所述多結(jié)太陽能電池MS的np結(jié)的數(shù)量小I。
[0029]在所述多結(jié)太陽能電池MS和所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD的前側(cè)上構(gòu)造有連接接觸結(jié)構(gòu)M，所述連接接觸結(jié)構(gòu)由多個沒有示出的金屬層組成。在多結(jié)太陽能電池MS中，在連接接觸結(jié)構(gòu)M之下構(gòu)造有由多個沒有詳細(xì)示出的半導(dǎo)體層組成的導(dǎo)電接觸層C。所述多個半導(dǎo)體層包括隧道二極管TD。在連接接觸結(jié)構(gòu)M和隧道二極管TD之間構(gòu)造有P摻雜半導(dǎo)體層PHL作為接觸層C的一部分。
[0030]在保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD中，在所述連接接觸結(jié)構(gòu)M之下構(gòu)造有由多個沒有詳細(xì)示出的半導(dǎo)體層組成的導(dǎo)電接觸層Cl。所述多個半導(dǎo)體層包括隧道二極管TD。在連接接觸結(jié)構(gòu)M和隧道二極管TD之間構(gòu)造有P摻雜半導(dǎo)體層PHLl作為接觸層Cl的一部分。
[0031]在圖2的示圖中示出在圖1中所示出的橫剖圖的詳細(xì)實施方式。下面僅僅闡述與圖1的示圖的區(qū)別。
[0032]連接接觸結(jié)構(gòu)M由平置的金層和位于所述金層之下的由銀構(gòu)成的層和位于所述銀層之下的由AuZn合金構(gòu)成的層組成。在AuZn層之下，在多結(jié)太陽能電池MS中構(gòu)造有由GaAs化合物組成的P摻雜半導(dǎo)體層PHL，而在保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD中構(gòu)造有由p-GalnP化合物組成的P摻雜半導(dǎo)體層PHLl。在隧道二極管TD之下，在多結(jié)太陽能電池MS中是屬于接觸層C的η摻雜的GaAs層，而在保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD中位于所述隧道二極管之下的η摻雜的n-GalnAs層已經(jīng)屬于上保護(hù)二極管，即不再由接觸層Cl包括。
[0033]在接觸層C之下，太陽能電池疊堆MS具有上太陽能電池SCl，所述上太陽能電池具有η摻雜的GaInP發(fā)射極層和P摻雜的GaInP基極層。在TD之下，中間太陽能電池SC2具有η摻雜的InGaAs發(fā)射極層和P摻雜的InGaAs基極層。在TD之下，下太陽能電池SC3具有η摻雜的Ge發(fā)射極層和P摻雜的Ge基極層。
[0034]在接觸層Cl之下，保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD在隧道二極管TD之下具有上保護(hù)二極管Dl，所述上保護(hù)二極管具有η摻雜的InGaAs層和P摻雜的InGaAs層。在TD之下，下保護(hù)二極管D2具有η摻雜的Ge層和P摻雜的Ge層。P摻雜的Ge基極層是對于太陽能電池疊堆MS和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)SD而言共同的層。
[0035]在P摻雜的Ge基極層之下，對于背側(cè)連接接觸部MR構(gòu)造有金/鍺層AU/GE。在所述金/鍺層AU/GE之下構(gòu)造有AG層并且在所述AG層之下構(gòu)造有AU層。
[0036]要注意的是，所述實施方式也可以轉(zhuǎn)移到η結(jié)太陽能電池SCn(未示出)上。在此，η是大于3的自然數(shù)。保護(hù)二極管D1、D2、DN的數(shù)量N比太陽能電池的數(shù)量至少小1，即適用于二極管數(shù)量N=n-1。
【主權(quán)項】
1.一種太陽能電池裝置(SV)，其具有多結(jié)太陽能電池(MS)和保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)，其中，所述多結(jié)太陽能電池(MS)和所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)具有一個共同的背側(cè)面(RF)和通過臺面型溝槽(MG)分離的前側(cè)，并且 所述共同的背側(cè)面(RF)包括導(dǎo)電層，并且 光通過所述前側(cè)進(jìn)入到所述多結(jié)太陽能電池(MS)中， 其中，所述多結(jié)太陽能電池(MS)包括由多個太陽能電池(SCl，SC2，SC3)組成的疊堆并且具有最接近所述前側(cè)地布置的上太陽能電池(SCl)和最接近所述背側(cè)地布置的下太陽能電池(SC3)，并且每一個太陽能電池(SC1，SC2，SC3)包括一個np結(jié)并且在相鄰的太陽能電池之間布置有隧道二極管(TD)，并且所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)中的半導(dǎo)體層的數(shù)量小于所述多結(jié)太陽能電池(MS)中的半導(dǎo)體層的數(shù)量，然而所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)中的剩余的半導(dǎo)體層的順序與所述多結(jié)太陽能電池(MS)的半導(dǎo)體層的順序相同，其中， 在所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)中構(gòu)造有至少一個上保護(hù)二極管(Dl)和至少一個最接近所述背側(cè)地布置的下保護(hù)二極管(D2)，并且在相鄰的保護(hù)二極管(D1，D2)之間布置有隧道二極管(TD)，并且 所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)中的np結(jié)的數(shù)量比所述多結(jié)太陽能電池(MS)的np結(jié)的數(shù)量至少小1， 其特征在于， 在所述多結(jié)太陽能電池(MS)和所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)的前側(cè)上構(gòu)造有連接接觸結(jié)構(gòu)(M)和在所述連接接觸結(jié)構(gòu)(M)之下的由多個半導(dǎo)體層組成的導(dǎo)電接觸層(C，C1)，所述連接接觸結(jié)構(gòu)包含一個或多個金屬層，并且所述多個半導(dǎo)體層包括隧道二極管(TD)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，在所述連接接觸結(jié)構(gòu)(M)和所述隧道二極管(TD)之間構(gòu)造有P摻雜半導(dǎo)體層(PHL，PHL1)作為所述接觸層(C，C1)的一部分。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述P摻雜半導(dǎo)體層包括GaInP的化合物和/或GaAs的化合物。4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述連接接觸結(jié)構(gòu)(M)包括由AuZn合金組成的層和/或由Ag的化合物組成的層和/或由Au的化合物組成的層和/或由Zn合金組成的層。5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述隧道二極管(TD)由至少一個負(fù)摻雜層和至少一個正摻雜層構(gòu)成，其中，所述負(fù)摻雜通過元素Si和/或Te和/或Se實現(xiàn)，和/或，所述正摻雜通過元素C和/或Zn和/或Mg實現(xiàn)，并且所述層的摻雜材料濃度大于I X 1018cm—3。6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，隧道二極管(TD)構(gòu)造在所述上太陽能電池(SCl)和所述連接接觸結(jié)構(gòu)(M)之間，并且所述隧道二極管(TD)由至少兩個相互重疊的由GaA化合物組成的層構(gòu)造，和/或，所述兩個層中的至少一個具有在I %和40%之間的鋁含量。7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項或多項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述多結(jié)太陽能電池(MS)具有中間太陽能電池(SC2)，并且所述上太陽能電池(SCl)包括GalnP，并且所述中間太陽能電池(SC2)包括GaAs或GalnAs，并且所述下太陽能電池(SC3)包括Ge。8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項或多項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述多結(jié)太陽能電池(MS)包括多于三個太陽能電池(SCl，SC2 ； SC3，SCn)。9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項或多項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述保護(hù)二極管(M)的連接接觸結(jié)構(gòu)至少部分地直接與正摻雜半導(dǎo)體層鄰接，其中，所述半導(dǎo)體層由Ga I nP和/或AI GaAs的化合物組成，和/或，所述多結(jié)太陽能電池(MS)的連接接觸結(jié)構(gòu)(M)至少部分地直接與正摻雜半導(dǎo)體層鄰接，其中，所述半導(dǎo)體層由GaAs的化合物組成。10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項或多項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述保護(hù)二極管的和所述多結(jié)太陽能電池(MS)的連接接觸結(jié)構(gòu)(M)具有相同的層序列。11.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項或多項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)(SD)和所述多結(jié)太陽能電池(MS)包括半導(dǎo)體鏡，并且所述半導(dǎo)體鏡的層具有大于I O1Vcm3的摻雜。12.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項或多項所述的太陽能電池裝置(SV)，其特征在于，所述保護(hù)二極管的前側(cè)不與所述多結(jié)太陽能電池(MS)的背側(cè)導(dǎo)電連接。
【文檔編號】H01L31/02GK105938854SQ201610115399
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年3月1日
【發(fā)明人】M·莫伊澤爾, W·克斯特勒, D·富爾曼, T·勞爾曼
【申請人】阿聚爾斯佩西太陽能有限責(zé)任公司