用于cad反應(yīng)器的改善的輻射屏障的制作方法
【專利摘要】一種反應(yīng)室，包括內(nèi)部涂覆有金屬氮化物的外殼的罩殼，所述金屬氮化物提供大于90％的內(nèi)部紅外線的平均反射率。所述金屬氮化物可以為氮化鈦、氮化鋯、氮化鉿或其它金屬的氮化物，并且可以為0.1微米到10微米厚度，優(yōu)選為4微米到5微米厚度。所述層不會失去光澤，并且能夠承受達(dá)到至少250℃，優(yōu)選達(dá)到300℃的反應(yīng)室溫度。它適用于沉積過程，例如PVD、CVD、熱噴涂或陰極弧，其中所述罩殼本身為金屬氮化物沉積罩殼。沉積的均勻性能夠由旋轉(zhuǎn)沉積源以360/d的總重復(fù)次數(shù)通過T角度并返回至T±d角度而改善。反應(yīng)器能夠?yàn)閷⒍嗑Ч璩练e在加熱的絲線上的CVD反應(yīng)器。
【專利說明】用于CAD反應(yīng)器的改善的輻射屏障
[0001]相關(guān)申請
[0002]本發(fā)明要求2013年12月30日提交的申請?zhí)枮?4/142，982的美國專利申請的優(yōu)先權(quán)。通過引用的方式將該申請的全部內(nèi)容并入本發(fā)明。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及高溫反應(yīng)室，更特別地，涉及用于在加熱的絲線上沉積多晶硅(卩0178；[1；[(3011)和/或其他材料的高溫反應(yīng)室。
【背景技術(shù)】
[0004]在利用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)方法的半導(dǎo)體制造和光伏應(yīng)用中，材料在大熔爐或反應(yīng)室中加熱以實(shí)現(xiàn)熔化和/或各種化學(xué)試劑的沉積。舉例為被配置成在加熱的硅棒上沉積多晶硅的CVD反應(yīng)器。
[0005]典型的“西門子”型多晶硅CVD反應(yīng)器如圖1所示。通常地，多晶硅是在西門子CVD反應(yīng)器中通過氣態(tài)硅化合物(例如單硅烷或氯硅烷(例如三氯甲硅烷))在硅啟動器“絲線”上的麻痹性分解(paralytic decomposit1n)而產(chǎn)生。CVD反應(yīng)器100包括反應(yīng)室104，所述反應(yīng)室被定義為或具有基板106和罩殼(enclosure)，所述罩殼通常被認(rèn)為是能夠保護(hù)基板106的“鐘形罩(bell jar)” 108。該室包括以U型配置的棒狀絲線144，當(dāng)它暴露在含硅氣體中時它會被通過其自身的電流而加熱，從而使硅102被沉積在絲線144上。參照圖2，在類似的反應(yīng)器中，使用管狀絲線200、202替代固體棒狀絲線144。在圖2中的所述管狀絲線200、202包括一對垂直的硅管200，該硅管200在頂端通過水平的硅橋202相連，形成U型配置。
[0006]鐘形罩108能夠進(jìn)一步包括一個或多個換熱結(jié)構(gòu)，例如一個或多個冷卻導(dǎo)管118。所述鐘形罩108能夠由例如任意各種等級的不銹鋼合金或其它鎳合金的金屬組成。
[0007]在配置中包括換熱媒介，例如冷卻劑或冷卻流體，所述一個或多個冷卻導(dǎo)管118通常具有至少一個導(dǎo)管入口 120和至少一個導(dǎo)管出口 122。出口 122通過所述一個或多個冷卻導(dǎo)管118的一個或多個通道與入口 120流動性地(f IuidIy)可連接。
[0008]在一些配置中，所述CVD反應(yīng)器100與至少一種氣態(tài)多晶硅前驅(qū)化合物(例如單硅烷或氯硅烷(例如三氯甲硅烷))的一個或多個來源可連接。所述一個或多個來源中的每個都通過例如一個或多個室入口 142，與反應(yīng)室的反應(yīng)物入口流動性地可連接。在多晶硅制備過程中，所述一個或多個絲線144通常被來自一個或多個能量源的電能加熱以達(dá)到能夠促進(jìn)所述一種或多種前驅(qū)化合物轉(zhuǎn)變成半導(dǎo)體材料產(chǎn)品102的溫度。來自一種或多種半導(dǎo)體制備反應(yīng)的未反應(yīng)的前驅(qū)化合物和副產(chǎn)物能夠通過至少一個室出口 148排出室104。
[0009]由于CVD反應(yīng)器和其他高溫反應(yīng)器會消耗大量的能量，因此需要提供改善的系統(tǒng)和方法以減少熱通過所述反應(yīng)室108的外表面的徑向散發(fā)。一種方法為在反應(yīng)室108的內(nèi)表面電鍍一層銀層110，這將會使得紅外能量返回至所述室108。或者，所述反應(yīng)室能夠?yàn)殂y包層(silver clad)。然而，銀會失去光澤，因此需要定期地打磨以保持反應(yīng)器的增長的能量效率。另外，銀能夠在升高的壁面溫度下降解(degrade)，特別是超過300°C時，這限制了該反應(yīng)器的最高工作溫度。
[0010]另一種方法是在反應(yīng)室108的內(nèi)表面電鍍一層金層110。由于金不會失去光澤，定期維護(hù)的需求減少或消失。并且，由于僅有更少的腐蝕產(chǎn)物能夠污染多晶硅，因此這種下降的內(nèi)部腐蝕改善了生產(chǎn)的多晶硅的質(zhì)量。然而，金作為原材料非常昂貴。另外，與銀相比，施加金層通常需要使用會產(chǎn)生有毒廢水從而會造成環(huán)境危害并且合理治理昂貴的電化學(xué)裝置。金層也能夠在高于壁面溫度(約250-300°C)下降解，這限制了該反應(yīng)器的最高工作溫度。
[0011]因此，需要一種比上面描述的銀鍍層、銀包層和金鍍層反應(yīng)器更加經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行生產(chǎn)的高效高溫反應(yīng)器，其不需要過度的維護(hù)，并且能夠在300°c以上的壁面溫度下運(yùn)行。也需要一種生產(chǎn)該高效CVD反應(yīng)器的有效和經(jīng)濟(jì)的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的一個方面為一種新型反應(yīng)室，它比上面描述的現(xiàn)有技術(shù)銀鍍層、銀包層和金鍍層反應(yīng)器能夠更加經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行生產(chǎn)，不需要過度的維護(hù)，并且能夠在300°C以上的壁面溫度下運(yùn)行。本發(fā)明的第二方面為生產(chǎn)該改善的反應(yīng)室的有效和經(jīng)濟(jì)的方法。
[0013]本發(fā)明的反應(yīng)室的通常形態(tài)包括基板和可連接至所述基板的罩殼形成的反應(yīng)室。一種含有金屬氮化物的層被施加到所述罩殼的內(nèi)表面。
[0014]在一種實(shí)施方式中，與現(xiàn)有技術(shù)銀和金層的反射率相比，金屬氮化物層提供大于90%的內(nèi)部紅外輻射的反射率。請注意，本文使用的術(shù)語“紅外輻射”是指具有波長在0.8微米和15微米之間的光。在一些【具體實(shí)施方式】中，金屬氮化物層具有介于0.1微米和10微米之間的厚度。在這些【具體實(shí)施方式】的一些中，所述金屬氮化物層的厚度在4微米和5微米之間。在多種實(shí)施方式中，所述化合物為氮化鈦。在其他【具體實(shí)施方式】中，所述化合物為氮化鋯。在另一些其他的【具體實(shí)施方式】中，所述化合物為氮化鉿。在另一些其他的【具體實(shí)施方式】中，所述化合物為其它金屬的氮化物。
[0015]本發(fā)明的另一方面為生產(chǎn)在提高的溫度下具有高的熱效率的反應(yīng)室罩殼的方法。該方法包括將兼容的(compatible)沉積基板安裝到反應(yīng)室罩殼上以形成密封的沉積室。所述沉積基板包括延伸到所述沉積室的內(nèi)部的沉積源。然后，可控制的氣氛在所述沉積室中建立，以及在沉積期間，金屬氮化物層沉積在所述反應(yīng)室罩殼的內(nèi)表面上以足夠提供所需的金屬氮化物層的厚度。
[0016]生產(chǎn)所述改善的反應(yīng)室罩殼的費(fèi)用由于幾個因素而減少。第一，金屬氮化物與金相比顯著便宜。第二，金屬氮化物通過不產(chǎn)生有毒廢水從而不需要特別的昂貴的廢水處理的沉積方法施加，所述沉積方法為例如磁控派射(Magnetron Sputtering)、離子束輔助磁控派射(1nbeam Assisted Magnetron Sputtering)、陰極弧(Cathodic Arc)、過濾陰極弧(Filtered Cathodic Arc)、電子束蒸發(fā)(Electron Beam Evaporat1n)、熱蒸發(fā)(ThermalEvaporat1n)或化學(xué)氣相沉積(CVD)。另外，沉積設(shè)備的費(fèi)用通過使用作為金屬氮化物沉積室的一部分的反應(yīng)室罩殼本身而減少。因此，沉積設(shè)備只需要具有沉積源和其他適當(dāng)?shù)墓潭ㄑb置和支撐設(shè)備的兼容的基板。由于反應(yīng)室罩殼本身是淀積室的一部分，因此沒有必要提供足夠大以包含反應(yīng)室罩殼的單獨(dú)、完整的沉積室。
[0017]這里所描述的特征和優(yōu)點(diǎn)并不全面并且，特別的，許多另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將對閱讀了附圖、說明書和權(quán)利要求書的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。此外，需要強(qiáng)調(diào)的是，說明書中所用的語言主要出于可讀性和指導(dǎo)性的目的選擇，并不用于限定本發(fā)明主題的范圍。
【附圖說明】
[0018]圖1是包括固體棒狀絲線的現(xiàn)有技術(shù)的硅CVD反應(yīng)器的一部分的剖切示意圖；
[0019]圖2是與圖1相似的現(xiàn)有技術(shù)的CVD反應(yīng)器的一部分的剖切示意圖，但是包括管狀絲線；
[0020]圖3是在本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】的金屬氮化物沉積裝置中安裝在沉積基板上的CVD反應(yīng)室的俯視透視圖；
[0021]圖4是圖3的反應(yīng)室和沉積裝置的剖視圖，示出了室中的沉積源的位置。
[0022]圖5是圖3的反應(yīng)室和沉積裝置的俯視剖視圖。
[0023]圖6A至6F是示出本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】中沉積源旋轉(zhuǎn)方法的簡化圖。
[0024]圖7是由PVD通過磁控濺射在不銹鋼樣品上沉積的氮化鈦層的掃描電子顯微鏡圖像；
[0025]圖8是由PVD通過陰極弧在不銹鋼樣品上沉積的氮化鈦層的掃描電子顯微鏡圖像；以及
[0026]圖9是由CVD在不銹鋼樣品上沉積的氮化鈦層的掃描電子顯微鏡圖像。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明的一個方面為一種改善的反應(yīng)室，以及在【具體實(shí)施方式】中為一種改善的化學(xué)氣相沉積(CVD)反應(yīng)器，包括比現(xiàn)有技術(shù)的金層反應(yīng)器能夠更加經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行生產(chǎn)的反應(yīng)室，并且能夠在300 °C以上的壁面溫度下運(yùn)行。
[0028]本發(fā)明的一個或多個特定方面能夠指制造系統(tǒng)，例如CVD反應(yīng)器，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體材料，例如硅。特別地，化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器包括定義為或具有基板和能夠保護(hù)該基板的罩殼的反應(yīng)室。更特別地，所述反應(yīng)器包括基板中的具有至少一個絲線的絲線支撐結(jié)構(gòu)，所述絲線位于該絲線支撐結(jié)構(gòu)上并放置于所述反應(yīng)室內(nèi)部，所述絲線例如為硅絲線(細(xì)棒狀或管狀)。此外，所述反應(yīng)器包括在基板上的電引線(feedthroughs)，該電引線用于將電源與所述絲線的兩端連接以加熱所述絲線，以及包括氣體入口和氣體出口，優(yōu)選在基板上。所述氣體入口與反應(yīng)氣體的來源可連接，所述反應(yīng)氣體為例如含硅氣體，所述氣體出口根據(jù)需要設(shè)置以使氣體例如未反應(yīng)氣體或氣體反應(yīng)副產(chǎn)物，可以從反應(yīng)室中被釋放。
[0029]反應(yīng)室的罩殼具有含有金屬氮化物的反射層的輻射護(hù)罩(shield)，其通常設(shè)置在所述罩殼的內(nèi)表面。所述輻射護(hù)罩影響生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的過程中入射的紅外輻射的至少部分反射，并由此至少部分地降低了輻射熱從半導(dǎo)體產(chǎn)品傳遞到罩殼。需要注意的是，本文所使用的術(shù)語“紅外輻射”指的是具有0.8微米至15微米之間的波長的光。因此，所述反應(yīng)器包括具有至少部分內(nèi)表面涂覆有金屬氮化物的罩殼的反應(yīng)室，所述金屬氮化物提供至少與現(xiàn)有技術(shù)的金涂層相當(dāng)?shù)膬?nèi)部紅外輻射的反射率。在【具體實(shí)施方式】中，所述金屬氮化物層具有0.1微米至10微米之間的厚度。在這些【具體實(shí)施方式】中的一些中，所述金屬氮化物層的厚度在4微米和5微米之間。在各種實(shí)施方式中，所述化合物是氮化鈦。在其他【具體實(shí)施方式】中，所述化合物為氮化鋯。在另一些其他的【具體實(shí)施方式】中，所述化合物為氮化鉿。在另一些其他的【具體實(shí)施方式】中，所述化合物為其它金屬的氮化物。所述罩殼能夠由金屬，諸如任何的各種等級的不銹鋼合金或其它鎳基合金組成，所述罩殼可以進(jìn)一步包括與所述輻射護(hù)罩熱連通的冷卻導(dǎo)管。
[0030]本發(fā)明的第二方面為一種用于生產(chǎn)具有內(nèi)部金屬氮化物層的改善的反應(yīng)室罩殼的有效和經(jīng)濟(jì)的方法。參考圖3，所述方法包括提供能夠與所述反應(yīng)室罩殼兼容的沉積基板300，以及將所述罩殼裝配在所述沉積基板上以形成沉積室。在圖3的一種【具體實(shí)施方式】中，所述反應(yīng)室罩殼為覆蓋CVD反應(yīng)器的鐘形罩。一對密封環(huán)308在罩殼108和沉積基板300之間插入。底部的密封環(huán)連接所述基板300并且頂部的密封環(huán)連接所述罩殼108。在這兩個密封環(huán)308之間為大的非導(dǎo)電線圈(non-conductive gasket)(未示出)，用于在所述方法的清洗步驟中將所述罩殼108與所述沉積基板300進(jìn)行電隔離，其中，電壓施加于所述罩殼108。所述沉積基板300被設(shè)置在支撐平臺306上，通過所述支撐平臺306各種服務(wù)能夠從沉積基板300的下方提供。然后所述罩殼108被密封在沉積基板300上，從而形成沉積室。能夠用于在罩殼108的內(nèi)表面上產(chǎn)生金屬氮化物層的沉積方法包括物理氣相沉積(PVD)和其上的各種變形方法，例如磁控濺射、離子束輔助磁控濺射、陰極弧、過濾陰極弧、電子束蒸發(fā)和熱蒸發(fā)。CVD或熱噴涂(thermal spray)也能夠用作沉積方法。根據(jù)所述沉積方法提供控制電子器件(eleCtrOniCS)302，并且在【具體實(shí)施方式】中，用安全屏障304包圍裝置以保護(hù)操作人員。
[0031]生產(chǎn)所述金屬氮化物涂覆的反應(yīng)室罩殼的費(fèi)用由于幾個因素而減少。第一，氮化鈦或其它金屬氮化物與金相比顯著便宜。第二，用于沉積所述金屬氮化物的方法不產(chǎn)生有毒廢水，并且從而不需要特別的、昂貴的廢水處理。另外，沉積設(shè)備的費(fèi)用通過使用反應(yīng)室罩殼108本身作為金屬氮化物沉積室罩殼而減少。
[0032]在【具體實(shí)施方式】中，用于沉積金屬氮化物層的金屬和氮的相對濃度在沉積期間是變化的，從而產(chǎn)生在金屬氮化物層的厚度方向上的金屬濃度不均勻的金屬氮化物層。
[0033]圖4是使用PVD沉積的一種【具體實(shí)施方式】的剖切側(cè)視圖。PVD源400通過由沉積控制電子器件302驅(qū)動的機(jī)械圍繞其中心軸402可旋轉(zhuǎn)。在圖4的【具體實(shí)施方式】中，所述源包括以與反應(yīng)室108的內(nèi)部形狀接近的形狀形成的材料的兩個交叉正交環(huán)路。俯視圖示于圖5中。
[0034]在【具體實(shí)施方式】中，在施加所述金屬氮化物層之前在所述罩殼的內(nèi)表面施加中間金屬層，以使得中間層在內(nèi)表面和金屬氮化物層之間。在這些【具體實(shí)施方式】的一些中，所述中間金屬層為鈦層、鋯層或鉿層。
[0035]在【具體實(shí)施方式】中，在沉積過程中在CVD反應(yīng)室的內(nèi)壁上的所述金屬氮化物層沉積的均勻性通過定期地將沉積源順時針旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)角T，并且然后逆時針旋轉(zhuǎn)角度T’而增強(qiáng)，其中T與T’通過增量角d而不同。這些交替的旋轉(zhuǎn)被重復(fù)直到所述源已經(jīng)被順時針然后逆時針旋轉(zhuǎn)達(dá)到總次數(shù)為N次，其中N是360/d乘以整數(shù)。例如，T能夠?yàn)?80度，T’能夠?yàn)?78度，并且N可以為180(或180的倍數(shù))，從而使所述源的方向在每對順時針和逆時針旋轉(zhuǎn)之后增加兩度，直到它穿過完整的圓，并返回到其原始方向。例如當(dāng)T為178度以及T’為180度時能夠獲得類似的結(jié)果。
[0036]T為180度、T’為182度并且旋轉(zhuǎn)對的數(shù)目為180的實(shí)施例在圖6A至圖6F中示出。圖6A顯示所述源400的初始方向。圖6B顯示在一對旋轉(zhuǎn)之后的方向。在第一對旋轉(zhuǎn)(先通過順時針旋轉(zhuǎn)T度然后通過逆時針旋轉(zhuǎn)T’度)的最后，所得方向與原始方向相差2度。圖6C顯示在40對旋轉(zhuǎn)之后的方向，圖6D顯示在90對旋轉(zhuǎn)之后的方向，以及圖6E顯示在120對旋轉(zhuǎn)之后的方向。圖中所提供的字母A、B、C和D僅用于表明方向之間的不同，否則可能由于對稱性而不能互相區(qū)分。最后，圖6F顯示所述源400在180對旋轉(zhuǎn)之后的方向，由此所述源400返回至它的原始方向。
[0037]圖7是由PVD通過磁控濺射在不銹鋼樣品上沉積的氮化鈦層的掃描電子顯微鏡圖像。標(biāo)示出該光滑層有相對較少的凹點(diǎn)(P i ts) 700和沉積鈦的大顆粒702。
[0038]圖8是由PVD通過陰極弧在不銹鋼樣品上沉積的氮化鈦層的掃描電子顯微鏡圖像，以及圖9是由CVD在不銹鋼樣品上沉積的氮化鈦層的掃描電子顯微鏡圖像。
[0039]本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】的前述描述是為了說明和描述的目的。該提交文本的每一個和上面的所有內(nèi)容，不管怎樣表征、認(rèn)定或編號，均被認(rèn)為是本發(fā)明用于所有目的的實(shí)質(zhì)部分，而無論形式或在本發(fā)明中的布局。本說明書不旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的精確形式。根據(jù)披露的內(nèi)容許多修改和變化是可能的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，包括由基板和可連接至所述基板的罩殼形成的反應(yīng)室，其中，所述罩殼具有含有金屬氮化物層的內(nèi)表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述反應(yīng)器進(jìn)一步包括: 基板中的絲線支撐結(jié)構(gòu)； 設(shè)置于所述反應(yīng)室的絲線支撐結(jié)構(gòu)中的至少一個絲線； 基板中的電引線； 通過所述電引線可連接至所述絲線的兩端的電源； 基板中可連接至反應(yīng)氣體來源的氣體入口 ；以及 基板中的氣體出口，氣體能夠通過該氣體出口從反應(yīng)室中被釋放。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層包括在金屬氮化物層的厚度方向上不均勻的金屬濃度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層對于具有0.8微米至15微米之間的波長的所有紅外線具有至少90%的平均反射率。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層能夠承受罩殼壁面溫度達(dá)到至少250°C而不失效。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層具有0.1微米至10微米之間的厚度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層具有4微米至5微米之間的厚度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，進(jìn)一步包括施覆在所述罩殼的內(nèi)表面和金屬氮化物層之間的中間金屬層。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述中間金屬層為鈦層、鋯層或給層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層含有氮化鈦。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層含有氮化鋯。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層含有氮化鉿。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述罩殼含有各種等級的不銹鋼合金或其他鎳合金。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器被配置為用于將多晶硅沉積在加熱絲線上。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，其中，所述金屬氮化物層能夠承受罩殼壁面溫度達(dá)到至少30(TC而不失效。16.—種生產(chǎn)用于化學(xué)氣相沉積(“CVD”)反應(yīng)器的罩殼的方法，該罩殼在高的溫度下具有高的熱效率，該方法包括: 提供CVD罩殼； 將兼容的沉積基板安裝到CVD罩殼上以形成密封的沉積室，所述沉積基板包括延伸到所述沉積室的內(nèi)部的沉積源； 以及 在沉積期間將金屬氮化物層沉積在所述CVD罩殼的內(nèi)表面上。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，該方法進(jìn)一步包括在沉積所述金屬氮化物層期間改變金屬和氮的相對濃度，從而在金屬氮化物層的厚度方向產(chǎn)生金屬濃度不均勻的金屬氮化物層。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層對于具有0.8微米至15微米之間的波長的所有紅外線具有至少90%的平均反射率。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層能夠承受CVD罩殼壁面溫度達(dá)到至少250°C而不失效。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括沉積所述金屬氮化物層直到該金屬氮化物層具有0.1微米至10微米之間的厚度。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括沉積所述金屬氮化物層直到該金屬氮化物層具有4微米至5微米之間的厚度。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述沉積源能夠被旋轉(zhuǎn)，并且所述方法進(jìn)一步包括在沉積期間旋轉(zhuǎn)所述沉積源。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述沉積源在順時針方向和逆時針方向交替旋轉(zhuǎn)，所述順時針和逆時針旋轉(zhuǎn)具有以增量角d相區(qū)分的不同的旋轉(zhuǎn)角度，在沉積期間，所述順時針旋轉(zhuǎn)被重復(fù)N次并且所述逆時針旋轉(zhuǎn)被重復(fù)N次，所述N等于360/d乘以整數(shù)。24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層通過磁控濺射、離子束輔助磁控濺射、陰極弧、過濾陰極弧、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)而被沉積。25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，該方法進(jìn)一步包括在向所述CVD罩殼的內(nèi)表面上施加所述金屬氮化物層之前，向所述CVD罩殼的內(nèi)表面上施加中間金屬層。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述中間金屬層為鈦層、鋯層或鉿層。27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層含有氮化鈦。28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層含有氮化鋯。29.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層含有氮化鉿。30.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述CVD罩殼含有各種等級的不銹鋼合金或其他鎳合金。31.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述CVD反應(yīng)器被配置為用于將多晶硅沉積在加熱絲線上。32.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述金屬氮化物層能夠承受CVD罩殼壁面溫度達(dá)到至少300°C而不發(fā)生故障。
【文檔編號】H01L21/205GK105900213SQ201480071670
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2014年12月29日
【發(fā)明人】J·C·伽姆, B·E·克拉克, P·E·甘農(nóng), M·麥克法蘭, S·曼德普迪
【申請人】Gtat公司