Se基熱電材料相匹配的電極及其連接工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極及其連接工藝。所述電極為Ni-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為40％-60％，余量為Ni-Al合金。所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝是通過放電等離子燒結(jié)連接，其中電極與熱電材料之間設(shè)置有梯度過渡層。本發(fā)明所述電極與Cu2Se基熱電材料界面結(jié)合很穩(wěn)定，接合面電阻躍遷非常小，制備工藝簡(jiǎn)單，成本也比較低。
【專利說明】
一種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極及其連接工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極及其連接工藝，屬于熱電元器件的電極選擇和制備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能相互轉(zhuǎn)化的功能材料，它利用本身的Seebeck效應(yīng)可將熱能直接轉(zhuǎn)化為電能，而Peltier效應(yīng)可將電能轉(zhuǎn)化為熱能。由熱電材料制備的熱電發(fā)電元器件工作時(shí)具有無需機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件、壽命長(zhǎng)、可靠性高、對(duì)環(huán)境無污染等優(yōu)點(diǎn)，在航空領(lǐng)域、工業(yè)余熱、汽車尾氣、地?zé)岬阮I(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。隨著全球能源危機(jī)的日益加劇，涉及熱電材料和熱電器件的研究受到了各國(guó)科學(xué)研究的重視。目前，碲化鉍等低溫溫差發(fā)電的熱電材料元件技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于商業(yè)生產(chǎn)中，中高溫的熱電材料如PbTe, SiGe等制備的熱電元器件已開始應(yīng)用于空間領(lǐng)域。
[0003]Cu2Se化合物是適用于中高溫領(lǐng)域的一類P型熱電材料，由于Cu的類液體行為產(chǎn)生的橫波阻尼效應(yīng)使得其具有本征的低熱導(dǎo)率，在1000K時(shí)其ZT高達(dá)1.8，在中高溫?zé)犭姲l(fā)電領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景，但是目前其元器件技術(shù)還很不完善。其中電極材料的選擇是首先必須面對(duì)的難題。對(duì)于低溫?zé)犭姴牧洗蠖嗖捎肅u作為電極材料，但對(duì)于中高溫?zé)犭姴牧嫌捎谑褂脺囟鹊奶岣?，?duì)電極材料的選用及接合工藝都有著更高的要求。
[0004]Cu2Se熱電材料的電極材料要求具有以下特性:在使用溫度范圍內(nèi)與Cu2Se化合物無嚴(yán)重的相互擴(kuò)散或化學(xué)反應(yīng)，從而保證熱電材料自身性能不受影響；與Cu2Se化合物無電化學(xué)反應(yīng)(這是由于高溫時(shí)Cu2Se化合物存在一定的Cu+電導(dǎo))，從而保證熱電材料自身性能不受影響以及熱電材料與電極界面之間的穩(wěn)定性；具有高的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率以最大程度將溫差傳遞給熱電材料；熱膨脹系數(shù)要與Cu2Se化合物相匹配以防止熱應(yīng)力導(dǎo)致微裂紋；另外在使用溫度范圍內(nèi)還要有一定的抗氧化性。
[0005]目前國(guó)內(nèi)對(duì)于Cu2Se基熱電材料的電極材料及制備工藝還未有報(bào)導(dǎo)，而美國(guó)明尼蘇達(dá)礦務(wù)及制造業(yè)公司，美國(guó)通用電氣公司等單位在上世紀(jì)七八十年代研究Cu2Se基熱電發(fā)電器件時(shí)采用Mo-Re、W-Re合金作為電極材料，電極與熱電材料的結(jié)合工藝采用熱壓焊等方式。M0-Re、W-Re合金作為電極材料的缺點(diǎn)是原料價(jià)格昂貴，材料可加工性差等。除此夕卜，國(guó)外有關(guān)Cu2Se基熱電材料的電極材料及制備工藝均未見報(bào)導(dǎo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極及其連接工藝，接合強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好、界面電性質(zhì)過渡良好且制備工藝簡(jiǎn)單。
[0007]本發(fā)明為解決上述提出的問題所采用的技術(shù)方案為:
[0008]—種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，所述電極為N1-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為40% -60%，余量為N1-Al合金。
[0009]按上述方案，所述N1-Al合金中Ni的質(zhì)量百分含量為48%，其余為Al。
[0010]按上述方案，所述電極的厚度為0.5-3mm。
[0011]本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝是通過放電等離子燒結(jié)連接，其中電極與熱電材料之間設(shè)置有梯度過渡層，其中梯度過渡層為Cu2Se基熱電材料與電極的按照體積比1:1混合而成。
[0012]按上述方案，所述梯度過渡層的厚度為0.1-0.3mm。
[0013]本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，具體工藝步驟為:
[0014](I)按照金屬單質(zhì)Al粉的質(zhì)量百分比為40%-60%、余量為N1-Al合金粉的比例，稱取金屬單質(zhì)Al粉和N1-Al合金粉，混合均勻得到電極層粉體；
[0015](2)按照Cu2Se粉體、步驟⑴所得的電極材料粉體的體積比1: 1，稱取Cu2Se基熱電材料粉體、電極材料粉體，混合均勻得到梯度過渡層粉體；
[0016](3)按照電極層粉體、梯度過渡層粉體、Cu2Se基熱電材料粉體、梯度過渡層粉體、電極層粉體的順序，將Cu2Se基熱電材料粉體、步驟2)所得梯度過渡層粉體和電極層粉體鋪設(shè)于石墨模具中進(jìn)行燒結(jié)，得到電極與Cu2Se基熱電材料結(jié)合良好的致密化塊體，即實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料與所述電極的連接。
[0017]按上述方案，步驟3)中將Cu2Se基熱電材料粉體、步驟2)所得梯度過渡層粉體和電極層粉體鋪設(shè)于石墨模具中燒結(jié)前，還包括預(yù)壓步驟。其中，所述預(yù)壓為將Cu2Se基熱電材料粉體均勻的鋪在石墨模具中，進(jìn)行預(yù)壓；在Cu2Se基熱電材料粉體層上下兩端均勻的鋪設(shè)梯度過渡層粉體，進(jìn)行預(yù)壓；再在上下端的梯度過渡層粉體上分別均勻的鋪上步驟(I)中的電極層粉體，進(jìn)行預(yù)壓。
[0018]按上述方案，所述燒結(jié)為放電等離子燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)真空度為10pa_15pa，燒結(jié)壓力為 30-50MPa，燒結(jié)溫度為 470-550 °C。
[0019]按上述方案，所述放電等離子燒結(jié)的升溫速率為60-80°C /min。
[0020]按上述方案，所述放電等離子燒結(jié)的保溫時(shí)間為3_5min。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0022]第一，本發(fā)明選用N1-Al合金和金屬單質(zhì)Al混合的復(fù)合電極，相比單一 Al電極，界面處的微裂紋更少，從而接觸電阻更小；
[0023]第二，本發(fā)明所述的電極與熱電材料連接時(shí)，電極與熱電材料之間設(shè)置有梯度過渡層，將進(jìn)一步減少界面處的微裂紋，使得接觸電阻進(jìn)一步降低；
[0024]第三，本發(fā)明所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝是通過放電等離子燒結(jié)連接，一次燒結(jié)實(shí)現(xiàn)成功連接，同時(shí)實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料的致密化以及與電極的良好連接，接合面界面電阻躍迀非常小，結(jié)合界面良好，可靠性好且工藝操作簡(jiǎn)便。
【附圖說明】
[0025]圖1是實(shí)施例2中電極與Cu2Se熱電材料連接界面的背散射電子圖像。
[0026]圖2是與圖1相對(duì)應(yīng)的電極與Cu2Se熱電材料連接界面電阻分布變化情況，其中橫坐標(biāo)為測(cè)試位置，單位為mm，縱坐標(biāo)為電阻，單位為mohm。
[0027]圖3是對(duì)照組I中電極與Cu2Se熱電材料連接界面的背散射電子圖像。
[0028]圖4是與圖3相對(duì)應(yīng)的電極與Cu2Se熱電材料連接界面電阻分布變化情況，其中橫坐標(biāo)為測(cè)試位置，單位為mm，縱坐標(biāo)為電阻，單位為mohm。
[0029]圖5是對(duì)照組2中Al電極與Cu2Se熱電材料連接界面的背散射電子圖像。
[0030]圖6是與圖5相對(duì)應(yīng)的Al電極與Cu2Se熱電材料連接界面電阻分布變化情況，其中橫坐標(biāo)為測(cè)試位置，單位為_，縱坐標(biāo)為電阻，單位為mohm。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為了更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)例來進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明的內(nèi)容并不僅僅局限于下面的實(shí)施例。
[0032]本發(fā)明所用Cu2Se基熱電材料的組成為Cu2Se,對(duì)于其它組分的Cu2Se基熱電材料作基體的熱電元件，本發(fā)明所述電極同樣適用。
[0033]下述實(shí)施例中所采用的Cu2Se熱電材料粉體可以通過高溫自蔓延反應(yīng)合成，可參考中國(guó)專利申請(qǐng)2013100875206。
[0034]下述實(shí)施例中所采用N1-Al合金中Ni的質(zhì)量百分含量為48%，其余為Al。
[0035]下述實(shí)施例中石墨模具內(nèi)徑為15mm。
[0036]實(shí)施例1
[0037]—種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，所述電極為N1-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為40%，余量為N1-Al合金。
[0038]本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，具體工藝步驟為:
[0039](I)按照金屬單質(zhì)Al粉的質(zhì)量百分比為40%、余量為N1-Al合金粉的比例，稱取金屬單質(zhì)Al粉和N1-Al合金粉，混合均勻得到電極層粉體；
[0040](2)按照Cu2Se粉體、步驟⑴所得的電極材料粉體的體積比1: 1，稱取Cu2Se基熱電材料粉體、電極材料粉體，在瑪瑙研缽中研磨30min混合均勾，得到梯度過渡層粉體；
[0041](3)稱取步驟(I)中的電極層粉體2份，每份Ig ;稱取梯度過渡層粉體2份，每份
0.20g ;稱取Cu2Se熱電材料粉體12.0g ;
[0042]將稱取的Cu2Se粉體均勻的鋪在石墨模具中，進(jìn)行預(yù)壓；然后在Cu2Se基熱電材料粉體層上下兩端均勻的鋪設(shè)梯度過渡層材料粉體，并進(jìn)行預(yù)壓；再在梯度過渡層粉體上下兩端分別均勻的鋪設(shè)電極層粉體，并進(jìn)行預(yù)壓，所得石墨模具中各層按照電極層粉體、梯度過渡層粉體、Cu2Se基熱電材料粉體、梯度過渡層粉體、電極層粉體的順序分布；
[0043]然后將該石墨模具中進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，真空度為13pa，升溫速度70°C /min,燒結(jié)溫度為540°C，燒結(jié)壓力為30MPa，保溫時(shí)間在3min，燒結(jié)完畢自然冷卻至室溫，得到電極與Cu2Se基熱電材料結(jié)合良好的致密化塊體，即實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料與所述電極的連接。
[0044]本實(shí)施例所得電極厚度1.5-2mm，梯度過渡層厚度約為0.2mm，熱電材料層厚度約為 10mnin
[0045]實(shí)施例2
[0046]—種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，所述電極為N1-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為40%，余量為N1-Al合金。
[0047]本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，具體工藝步驟為:
[0048](I)按照金屬單質(zhì)Al粉的質(zhì)量百分比為40%、余量為N1-Al合金粉的比例，稱取金屬單質(zhì)Al粉和N1-Al合金粉，混合均勻得到電極層粉體；
[0049](2)按照Cu2Se粉體、步驟⑴所得的電極材料粉體的體積比1: 1，稱取Cu2Se基熱電材料粉體、電極材料粉體，在瑪瑙研缽中研磨30min混合均勾，得到梯度過渡層粉體；
[0050](3)稱取步驟(I)中的電極層粉體2份，每份0.5g ;稱取梯度過渡層粉體2份，每份0.20g ;稱取Cu2Se熱電材料粉體12.0g ;
[0051]將稱取的Cu2Se粉體均勻的鋪在石墨模具中，進(jìn)行預(yù)壓；然后在Cu2Se基熱電材料粉體層上下兩端均勻的鋪設(shè)梯度過渡層材料粉體，并進(jìn)行預(yù)壓；再在梯度過渡層粉體上下兩端分別均勻的鋪設(shè)電極層粉體，并進(jìn)行預(yù)壓，所得石墨模具中各層按照電極層粉體、梯度過渡層粉體、Cu2Se基熱電材料粉體、梯度過渡層粉體、電極層粉體的順序分布；
[0052]然后將該石墨模具中進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，真空度為12pa，升溫速度80°C /min,燒結(jié)溫度為500°C，燒結(jié)壓力為40MPa，保溫時(shí)間在4min，燒結(jié)完畢自然冷卻至室溫，得到電極與Cu2Se基熱電材料結(jié)合良好的致密化塊體，即實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料與所述電極的連接。
[0053]本實(shí)施例所得電極厚度0.5-0.9mm，梯度過渡層厚度約為0.2mm，熱電材料層厚度約為13_。
[0054]圖1為Cu2Se元件接頭界面處的背散射電子圖像。從圖中可知，復(fù)合電極與梯度過渡層之間、梯度過渡層與Cu2Se之間的界面結(jié)合良好，無明顯的微裂紋。
[0055]圖2為與圖1相對(duì)應(yīng)的Cu2Se元件接頭附近處的電阻變化曲線，接頭截面為5mmX5mm。從圖中可知，接頭處的接觸電阻(包括電極電阻、電極與梯度過渡層之間的界面電阻、梯度過渡層電阻、梯度過渡層與Cu2Se之間的界面電阻)在0.1mohm左右，即接觸電阻率在25uohm*cm2左右。
[0056]對(duì)照組1:該對(duì)照組與實(shí)施例2的區(qū)別之處在于:沒有設(shè)置梯度過渡層。
[0057]對(duì)照組2:該對(duì)照組與實(shí)施例2的區(qū)別之處在于:沒有設(shè)置梯度過渡層，電極層粉體米用Al粉。
[0058]圖3為對(duì)照組I中Cu2Se元件接頭界面處的背散射電子圖像。從圖中可知，復(fù)合電極與Cu2Se之間的界面結(jié)合較好，但有少量的微裂紋出現(xiàn)。
[0059]圖4為與圖3相對(duì)應(yīng)的Cu2Se元件接頭附近處的電阻變化曲線，接頭截面為5mmX 5mm。從圖中可知，接頭處的接觸電阻(包括電極電阻、電極與Cu2Se之間的界面電阻)在0.3mohm左右，即接觸電阻率在75uohm*cm2左右。
[0060]圖5為對(duì)照組I中Cu2Se元件接頭界面處的背散射電子圖像。從圖中可知，Al電極與Cu2Se之間的界面結(jié)合較好，但有較多的微裂紋出現(xiàn)。
[0061]圖6為與圖5相對(duì)應(yīng)的Cu2Se元件接頭附近處的電阻變化曲線，接頭截面為5mmX 5mm。從圖中可知，接頭處的接觸電阻(包括電極電阻、電極與Cu2Se之間的界面電阻)在0.4mohm左右，即接觸電阻率在100uohm*cm2左右。
[0062]實(shí)施例3
[0063]—種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，所述電極為N1-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為60%，余量為N1-Al合金。
[0064]本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，具體工藝步驟為:
[0065](I)按照金屬單質(zhì)Al粉的質(zhì)量百分比為60%、余量為N1-Al合金粉的比例，稱取金屬單質(zhì)Al粉和N1-Al合金粉，混合均勻得到電極層粉體；
[0066](2)按照Cu2Se粉體、步驟⑴所得的電極材料粉體的體積比1: 1，稱取Cu2Se基熱電材料粉體、電極材料粉體，在瑪瑙研缽中研磨30min混合均勾，得到梯度過渡層粉體；
[0067](3)稱取步驟(I)中的電極層粉體2份，每份0.5g ;稱取梯度過渡層粉體2份，每份0.20g ;稱取Cu2Se熱電材料粉體12.0g ;
[0068]將稱取的Cu2Se粉體均勻的鋪在石墨模具中，進(jìn)行預(yù)壓；然后在Cu2Se基熱電材料粉體層上下兩端均勻的鋪設(shè)梯度過渡層材料粉體，并進(jìn)行預(yù)壓；再在梯度過渡層粉體上下兩端分別均勻的鋪設(shè)電極層粉體，并進(jìn)行預(yù)壓，所得石墨模具中各層按照電極層粉體、梯度過渡層粉體、Cu2Se基熱電材料粉體、梯度過渡層粉體、電極層粉體的順序分布；
[0069]然后將該石墨模具中進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，真空度為12pa，升溫速度80°C /min,燒結(jié)溫度為500°C，燒結(jié)壓力為30MPa，保溫時(shí)間在5min，燒結(jié)完畢自然冷卻至室溫，得到電極與Cu2Se基熱電材料結(jié)合良好的致密化塊體，即實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料與所述電極的連接。
[0070]本實(shí)施例所得電極厚度0.4-0.7mm，梯度過渡層厚度約為0.2mm，熱電材料層厚度約為10_。
[0071]實(shí)施例4
[0072]—種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，所述電極為N1-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為50%，余量為N1-Al合金。
[0073]本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，具體工藝步驟為:
[0074](I)按照金屬單質(zhì)Al粉的質(zhì)量百分比為50%、余量為N1-Al合金粉的比例，稱取金屬單質(zhì)Al粉和N1-Al合金粉，在瑪瑙研缽中研磨30min混合均勻得到電極層粉體；
[0075](2)按照Cu2Se粉體、步驟(I)所得的電極材料粉體的體積比1:1，稱取Cu2Se基熱電材料粉體、電極材料粉體，在瑪瑙研缽中研磨30min混合均勾，得到梯度過渡層粉體；
[0076](3)稱取步驟(I)中的電極層粉體2份，每份0.5g ;稱取梯度過渡層粉體2份，每份0.20g ;稱取Cu2Se熱電材料粉體12.0g ;
[0077]將稱取的Cu2Se粉體均勻的鋪在石墨模具中，進(jìn)行預(yù)壓；然后在Cu2Se基熱電材料粉體層上下兩端均勻的鋪設(shè)梯度過渡層材料粉體，并進(jìn)行預(yù)壓；再在梯度過渡層粉體上下兩端分別均勻的鋪設(shè)電極層粉體，并進(jìn)行預(yù)壓，所得石墨模具中各層按照電極層粉體、梯度過渡層粉體、Cu2Se基熱電材料粉體、梯度過渡層粉體、電極層粉體的順序分布；
[0078]然后將該石墨模具中進(jìn)行放電等離子燒結(jié)，真空度為12pa，升溫速度80°C /min,燒結(jié)溫度為490°C，燒結(jié)壓力為50MPa，保溫時(shí)間在5min，燒結(jié)完畢自然冷卻至室溫，得到電極與Cu2Se基熱電材料結(jié)合良好的致密化塊體，即實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料與所述電極的連接。
[0079]本實(shí)施例所得電極厚度0.5-0.8mm，梯度過渡層厚度約為0.2mm，熱電材料層厚度約為10_。
[0080]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變換，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種與Cu 2Se基熱電材料相匹配的電極，其特征在于所述電極為N1-Al合金與金屬單質(zhì)Al的混合物，其中金屬單質(zhì)Al的質(zhì)量百分含量為40% -60%，余量為N1-Al合金。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，其特征在于所述N1-Al合金中Ni的質(zhì)量百分含量為48%，其余為Al。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種與Cu2Se基熱電材料相匹配的電極，其特征在于所述電極的厚度為0.5-3mm。4.權(quán)利要求1所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于本發(fā)明所述的電極與Cu2Se基熱電材料通過放電等離子燒結(jié)連接，其中電極與熱電材料之間設(shè)置有梯度過渡層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于所述梯度過渡層為Cu2Se基熱電材料粉體與電極粉體的按照體積比1:1混合而成。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于所述梯度過渡層的厚度為0.1-0.3mm。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于其工藝步驟為: (1)按照金屬單質(zhì)Al粉的質(zhì)量百分比為40%-60%、余量為N1-Al合金粉的比例，稱取金屬單質(zhì)Al粉和N1-Al合金粉，混合均勻得到電極層粉體； (2)按照Cu2Se粉體、步驟(I)所得的電極材料粉體的體積比1:1，稱取Cu2Se基熱電材料粉體、電極材料粉體，混合均勻得到梯度過渡層粉體； (3)按照電極層粉體、梯度過渡層粉體、Cu2Se基熱電材料粉體、梯度過渡層粉體、電極層粉體的順序，將Cu2Se基熱電材料粉體、步驟2)所得梯度過渡層粉體和電極層粉體鋪設(shè)于石墨模具中進(jìn)行燒結(jié)，得到電極與Cu2Se基熱電材料結(jié)合良好的致密化塊體，即實(shí)現(xiàn)Cu2Se基熱電材料與所述電極的連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于步驟3)中將Cu2Se基熱電材料粉體、步驟2)所得梯度過渡層粉體和電極層粉體鋪設(shè)于石墨模具中燒結(jié)前，還包括預(yù)壓步驟。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于所述燒結(jié)時(shí)真空度為10pa-15pa，燒結(jié)壓力為30_50MPa，燒結(jié)溫度為470_550°C。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述電極與Cu2Se基熱電材料的連接工藝，其特征在于所述燒結(jié)為放電等離子燒結(jié)，升溫速率為60-80°C /min，保溫時(shí)間為3_5min。
【文檔編號(hào)】H01L35/02GK105826459SQ201510003602
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月4日
【發(fā)明人】鄢永高, 徐行濤, 唐新峰, 蘇賢禮, 吳林春
【申請(qǐng)人】武漢理工大學(xué)