性和極性有機物以及無機污垢;清洗后用高純氮氣吹干可減少金屬襯底層表面的氧化；
[0033]2)旋涂表面處理劑:在金屬襯底面中心滴加表面處理劑，以100rpm預(yù)轉(zhuǎn)后再以3000rpm旋轉(zhuǎn)使表面處理劑在金屬襯底上分散均勻;預(yù)轉(zhuǎn)使表面處理劑先分散平鋪于金屬襯底上，進(jìn)一步增加旋轉(zhuǎn)速度，使處理劑更加均勻平鋪在金屬襯底面上；
[0034]3)旋涂光刻膠:在金屬襯底面中心滴加正性光刻膠，以100rpm預(yù)轉(zhuǎn)后再以3000rpm旋轉(zhuǎn)使正性光刻膠在金屬襯底上分散均勻;本步驟也采用先分散后均勻的方式，提高光刻膠在金屬襯底上的分散均勻性；
[0035]4)刷涂光刻膠:用刷子將金屬襯底的側(cè)面刷上正性光刻膠;使金屬襯底側(cè)面封口；該步驟能有效防止金屬襯底側(cè)面被腐蝕；
[0036]5)烘干:將步驟4)處理后的氮化鎵基垂直LED片先于105-115°C干燥后再于135-145 °C烘干；105-115 °C下將光刻膠中的大部分溶劑緩慢并均勻地干燥，使光刻膠的曝光特性固定，避免光刻膠表面裂紋的產(chǎn)生。
[0037]實施例1
[0038]—種濕法剝離中防止氮化鎵基垂直LED襯底被腐蝕的方法，包括以下步驟:
[0039]I)清洗:將氮化鎵基垂直LED片依次置于丙酮中超聲3min、乙醇中超聲3min、去離子水中超聲3min;取出后經(jīng)去離子水清洗，用氮氣吹干;該氮化鎵基垂直LED片自下至上依次由硅襯底、LED外延層和金屬襯底復(fù)合而成；
[0040]2)旋涂表面處理劑:將步驟I)處理后的氮化鎵基垂直LED片以金屬襯底面朝上的方式吸附于勾膠機上，在金屬襯底面中心以ImL/cm2的量滴加六甲基二娃胺，以100rpm預(yù)轉(zhuǎn)5s后再以3000rpm旋轉(zhuǎn)30s使六甲基二娃胺分散均勾；
[0041 ] 3)旋涂光刻膠:在金屬襯底面中心以3mL/cm2的量滴加正性光刻膠，以100rpm預(yù)轉(zhuǎn)5s后再以3000rpm旋轉(zhuǎn)30s使正性光刻膠在金屬襯底上分散均勾；
[0042]4)刷涂光刻膠:用刷子將金屬襯底的側(cè)面刷上正性光刻膠;使金屬襯底側(cè)面封口；
[0043]5)烘干:將步驟4)處理后的氮化鎵基垂直LED片先于110°C干燥60s后再于140°C烘干 60s ；
[0044]6)濕法剝離:采用由氫氟酸和硝酸按1:2的體積比組成的混合硅腐蝕液將硅襯底剝離，取出；
[0045]7)去光刻膠:將步驟6)處理后的氮化鎵基垂直LED片放入KMP ST600中于70_85°C超聲15-30min;再放入到丙酮中于40-45°C超聲10-20min;再放入到異丙醇中于45-55°C超聲15-20min，用去離子水清洗后采用氮氣吹干。
[0046]上述實施方式僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，不能以此來限定本發(fā)明保護的范圍，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的基礎(chǔ)上所做的任何非實質(zhì)性的變化及替換均屬于本發(fā)明所要求保護的范圍。
【主權(quán)項】
1.濕法剝離中防止氮化鎵基垂直LED襯底被腐蝕的方法，包括以下步驟: 1)清洗:將氮化鎵基垂直LED片依次置于丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗;取出后經(jīng)去離子水清洗，用氮氣吹干;該氮化鎵基垂直LED片自下至上依次由硅襯底、LED外延層和金屬襯底復(fù)合而成； 2)旋涂表面處理劑:在金屬襯底面中心滴加表面處理劑，以100rpm預(yù)轉(zhuǎn)后再以3000rpm旋轉(zhuǎn)使表面處理劑在金屬襯底上分散均勻； 3)旋涂光刻膠:在金屬襯底面中心滴加正性光刻膠，以100rpm預(yù)轉(zhuǎn)后再以3000rpm旋轉(zhuǎn)使正性光刻膠在金屬襯底上分散均勻； 4)刷涂光刻膠:用刷子將金屬襯底的側(cè)面刷上正性光刻膠;使金屬襯底側(cè)面封口； 5)烘干:將步驟4)處理后的氮化鎵基垂直LED片先于105-115°C干燥后再于135-145°C烘干。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，使用勻膠機旋涂表面處理劑，將氮化鎵基垂直LED片以金屬襯底朝上的方式吸附于勻膠機吸盤。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，所述表面處理劑為六甲基二硅胺。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，表面處理劑的旋涂量為l-2mL/cm2。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中，光刻膠的旋涂量為3-4mL/cm2。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)中，先于105-115°C干燥40-80S后再于135-145°C 烘干40-80s。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)后還包括步驟6)濕法剝離:采用以氫氟酸和硝酸按1:2的體積比混合硅腐蝕液將硅襯底剝離，取出。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，步驟6)后還包括步驟7)去光刻膠:采用正膠去膜劑超聲振蕩去膠，清洗，干燥。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟7)中，所述正膠去膜劑為KMPST600。10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟7)中，將步驟6)處理后的氮化鎵基垂直LED片放入KMP ST600中于70-85°C超聲15-30min;再放入到丙酮中于40-45°C超聲10-20min；再放入到異丙醇中于45-55 °C超聲15_20min。
【專利摘要】本發(fā)明提供濕法剝離中防止氮化鎵基垂直LED襯底被腐蝕的方法，該方法用于防止氮化鎵基垂直LED片硅腐蝕液濕法剝離過程中不被腐蝕，該氮化鎵基垂直LED片自下至上依次由硅襯底、LED外延層和金屬襯底復(fù)合而成；該方法依次包括清洗、旋涂表面處理劑、旋涂表面處理劑光刻膠、刷涂光刻膠和烘干，以在金屬襯底層上依次形成表面處理劑層以及在該氮化鎵基垂直LED片外形成光刻膠層步驟。該方法使用的原料均可市售，原料成本低廉；該方法在氮化鎵基垂直LED片襯底在濕法剝離過程中不易損傷；該方法能更有效地防止外延層的翹曲，減少了裂紋的產(chǎn)生。
【IPC分類】H01L33/00, H01L21/306
【公開號】CN105679889
【申請?zhí)枴緾N201610099451
【發(fā)明人】李國強
【申請人】河源市眾拓光電科技有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2016年2月23日