硅電池與片式反向二極管集成的太陽電池組件及制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及可再生能源領(lǐng)域，尤其涉及一種對陰影不敏感的太陽電池組件和集成了反向保護(hù)二極管的太陽電池及制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)的反向保護(hù)二極管是電力電子器件，其耐壓高，整流特性好，正向電流大，一般以小的半導(dǎo)體管芯配合金屬封裝而成，外形成柱狀或塊狀。由于成本高、且外形上無法與太陽電池片集成，目前每個(gè)電池組件的電池(約60片)分3組，穿過背板配上3個(gè)反向二極管，以保護(hù)組件內(nèi)電池。然而，太陽電池的低開路電壓需要以串聯(lián)的形式連接成組件，因此，組件對陰影和不均勻光極為敏感。為了減小陰影影響，人們采用了最大功率點(diǎn)跟蹤的方法(MPPT)，即直流變壓+算法+芯片控制技術(shù)。這一技術(shù)從開始的電站級、組串級、發(fā)展到目前的組件級。組件級的MPPT也叫優(yōu)化器，每個(gè)組件配有3個(gè)，通過將電池切半、分3串混合串并聯(lián)，以維持組件輸出電壓不變。
[0003]由電池集成單元連接成的組件則是智能的、對陰影不敏感的、且組件輸出是最大化的、也是最大功率點(diǎn)跟蹤最大化(MPPT)發(fā)展的最高階段。因此在分布式發(fā)電過程中，電站會減少發(fā)電損失，并可通過增加非均勻的反射光來增加發(fā)電，從而幫助電站所有者增加收益至少10%，回收電站成本時(shí)間大為縮短。本發(fā)明擬開發(fā)一種每片電池與二極管反向集成的太陽電池組件，這種集成是在常規(guī)太陽電池背光面貼有片式硅反向保護(hù)二極管，兩者基底的型號相反，并通過金屬連接，作為電池的功率輸出端口；而片式硅反向保護(hù)二極管的另一電極與太陽電池迎光面電極連接，作為電池的另一個(gè)功率輸出端口。這一技術(shù)是革命性的，在降低成本普及后，它的市場非常大，這對全國乃至全球的光伏企業(yè)和市場都將起到巨大的推動作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]單片電池輸出的電壓低，而有用的功率則是高電壓和低電流，例如民用電路中電壓為220V、而電流<10A，所以光伏組件必須以電池串聯(lián)的方式來提高組件的輸出電壓。
[0005]然而，電池串聯(lián)的方式要求每個(gè)電池輸出電流一致，也就是在太陽電池質(zhì)量相同的前提下光照均勻，如果有一片電池的光照受到遮擋，整個(gè)組件就會以這個(gè)電池的低電流輸出，因此，陰影及光不均勻?qū)夥M件的輸出功率影響很大。
[0006]片式硅二極管成本低，可以在現(xiàn)有硅太陽電池產(chǎn)線上制備，再將其切割出來，其成本可以降低到現(xiàn)有硅太陽電池的二百分之一。片式硅反向保護(hù)二極管與硅太陽電池背光面金屬連接，不遮擋太陽光，不影響太陽電池發(fā)電，不影響硅太陽電池組件封裝，與現(xiàn)有硅太陽電池在厚度上匹配，可以組成最佳功率輸出的硅太陽電池組件。通過在片式硅反向保護(hù)二極管摻雜層周邊加入一道或多道反型摻雜線圈，并與襯底型號一致，就可以阻斷pn結(jié)邊緣損傷所帶來的漏電，提高并聯(lián)電阻，降低暗電流。
[0007]最好的方式就是給每個(gè)電池配備一個(gè)反向二極管進(jìn)行保護(hù)，再配以串聯(lián)的光伏組件系統(tǒng)。因此，暗電流小、整流特性好的硅電池與片式硅反向二極管集成的太陽電池組件是本發(fā)明的目標(biāo)。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0009]本發(fā)明公開了一種硅電池與片式反向二極管集成的太陽電池組件，其特征在于，該太陽電池組件是由多(幾十到上百)個(gè)集成電池單元混合串并聯(lián)組成。所謂集成電池單元，其特征在于，由常規(guī)硅太陽電池與片式硅反向保護(hù)二極管連接構(gòu)成，可以是背部連接，如圖1-2所示。也可以是并排連接。而混合串并聯(lián)，其特征在于，組件內(nèi)所有集成電池單元串聯(lián)排列，或者將電池切半，以兩串列并聯(lián)排列。整個(gè)組件對陰影不敏感，并可以通過不均勻反射光來增加發(fā)電。
[0010]在常規(guī)硅太陽電池背光面上附著一個(gè)片式硅反向保護(hù)二極管。當(dāng)其中所述的常規(guī)硅太陽電池是以P型硅為襯底1、發(fā)射極為η型摻雜層2時(shí)，則片式硅反向保護(hù)二極管由η型娃襯底5、ρ型摻雜層6，η型隔離區(qū)7，磷基金屬8，與ρ型娃接觸的金屬電極9，與η型娃接觸的金屬電極10組成，參見圖1，電極9與電極3連接后形成輸出端B，電極10與電極4連接后形成另一個(gè)輸出端A。
[0011]所述硅摻雜區(qū)，其邊緣有I至5個(gè)η型隔離區(qū)7和磷基雜質(zhì)漿料8，以防止二極管受邊緣漏電的影響。
[0012]在常規(guī)硅太陽電池背光面上附著一個(gè)片式硅反向保護(hù)二極管。當(dāng)其中所述的常規(guī)硅太陽電池是以η型硅為襯底11、發(fā)射極為P型摻雜層12時(shí)，則片式硅反向保護(hù)二極管由ρ型硅襯底15、η型摻雜層16，ρ型隔離區(qū)17，鋁基金屬18，與η型硅接觸的金屬電極19，與ρ型硅接觸的金屬電極20組成，參見圖2。電極19與電極13連接后形成輸出端E，電極20與電極14連接后形成另一個(gè)輸出端F。
[0013]所述硅摻雜區(qū)，其邊緣有I至5個(gè)ρ型隔離區(qū)17和鋁基金屬18，以防止二極管受邊緣漏電的影響。
[0014]所述片式硅反向保護(hù)二極管的面積尺度遠(yuǎn)大于厚度，可以是圓，也可以是方形，也可以是長方形，平面尺度(直徑)在6-100毫米之間，其厚度在6-200微米之內(nèi)。
[0015]所述片式硅反向保護(hù)二極管，可以是片式單晶硅反向保護(hù)二極管，也可以是片式多晶硅反向保護(hù)二極管。
[0016]所述晶體硅，其兩個(gè)表面具有S12或SiN薄膜鈍化保護(hù)，以減少表面復(fù)合。
[0017]—種硅電池與片式硅反向二極管集成的太陽電池組件的制備方法，包括如下步驟:
[0018]I)采用硅作為襯底(5)，對其進(jìn)行摻雜，形成pn結(jié)，通過加深pn結(jié)的結(jié)深來降低串聯(lián)電阻；
[0019]2)采用熱氧化技術(shù)對硅片雙面進(jìn)行S12鈍化，或者采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)對硅雙面進(jìn)行S12或SiN鈍化；
[0020]3)采用激光對硅片雙面局部開孔，以去除部分鈍化層；
[0021]4)采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對硅片一面進(jìn)行金屬漿料涂敷，經(jīng)烘烤固化金屬漿料，其中P型區(qū)用Al漿，η型區(qū)用Ag漿；
[0022]5)采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對硅片一面隔離區(qū)進(jìn)行雜質(zhì)漿料涂敷，經(jīng)烘烤固化金屬漿料，其中漿料為磷漿或鋁漿；
[0023]6)采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)對硅片另一面進(jìn)行金屬漿料涂敷，經(jīng)燒結(jié)工藝制備歐姆接觸電極和隔離區(qū)隔離，其中漿料為磷漿或鋁漿；
[0024]7)采用激光切割技術(shù)將制備好的硅片分割，形成小片式硅反向保護(hù)二極管；
[0025]8)將片式硅反向保護(hù)二極管貼于常規(guī)晶硅太陽電池背光面，形成集成電池單元；
[0026]9)將集成電池單元鋪設(shè)在鋪有EVA的玻璃板上，將集成電池單元焊接連線，后用EVA和背板壓制，形成太陽電池組件。
[0027]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0028]1、利用本發(fā)明，可以在形體上使反向保護(hù)二極管與硅太陽電池片在厚度上兼容，即貼在硅太陽電池的背面，不遮擋太陽光，不占用太陽電池光吸收面積，不影響太陽電池發(fā)電工作;在同等質(zhì)量前提下大大降低反向保護(hù)二極管的成本，給每個(gè)電池配備一個(gè)反向二極管進(jìn)行保護(hù)，再配以串聯(lián)的光伏組件系統(tǒng)，即保持電池串聯(lián)的方式，同時(shí)排除了陰影的干擾。
[0029]2、利用本發(fā)明，可以通過增加反射等不均勻的光通量，提高電池組件的發(fā)電量，從而縮短電站的成本回收期。
【附圖說明】
[0030]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明，其中:
[0031]圖1(a)