半導體封裝件及其制法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明關于一種半導體封裝件及其制法，特別是指一種以導電柱電性連接增層結構的半導體封裝件及其制法。
【背景技術】
[0002]目前具有增層(build-up)結構或扇出(fan-out)結構的半導體封裝件中，常見于封裝膠體內(nèi)形成多個貫穿孔，并于該封裝膠體上與該些貫穿孔內(nèi)形成線路層以電性連接增層結構的導電盲孔，但需對該些貫穿孔與該些導電盲孔進行精準對位。
[0003]圖1A至圖1H為繪示現(xiàn)有技術的半導體封裝件I及其制法的剖視示意圖。
[0004]如圖1A所示，先提供第一承載板10，并設置具有多個焊墊111及相對的主動面Ila與被動面Ilb的晶片11于該第一承載板10上。
[0005]接著，形成具有相對的第一表面12a與第二表面12b的封裝膠體12于該第一承載板10上，以包覆該晶片11并外露出該晶片11的被動面lib。
[0006]如圖1B所示，設置第二承載板13于該晶片11的被動面Ilb上，并將圖1B的整體結構上下倒置，且移除該第一承載板10。
[0007]如圖1C所示，形成增層結構14于該晶片11的主動面Ila與該封裝膠體12的第一表面12a上。該增層結構14具有至少一介電層141、多個形成于該介電層141內(nèi)的導電盲孔142、及至少一形成于該介電層141上的第一線路層143，且該第一線路層143具有多個電性接觸墊144。
[0008]接著，形成第一絕緣保護層15于該增層結構14上，并形成多個凸塊底下金屬層151于該第一絕緣保護層15上以分別電性連接該些電性接觸墊144。
[0009]如圖1D所示,形成具有剝離層161的第三承載板16于該第一絕緣保護層15上。
[0010]如圖1E所示，將圖1D的整體結構上下倒置，并移除該第二承載板13。
[0011]如圖1F所示，藉由激光于該封裝膠體12內(nèi)形成多個分別精準對位至該些導電盲孔142的端部122的貫穿孔121，且該些貫穿孔121貫穿該封裝膠體12以分別外露出該些導電盲孔142的端部122。
[0012]如圖1G所示,形成晶種層(seed layer) 17于該晶片11的被動面lib、該封裝膠體12的第二表面12b及該些貫穿孔121的壁面上，并形成第二線路層171于部分該晶種層17上以電性連接該些導電盲孔142的端部122。之后，移除對應于該第二線路層171以外的晶種層17。
[0013]如圖1H所示，形成第二絕緣保護層18于該晶片11的被動面Ilb與該封裝膠體12的第二表面12b上，該第二絕緣保護層18具有多個開孔181以外露出該第二線路層171。之后，形成多個焊球19于該些凸塊底下金屬層151上，藉此形成半導體封裝件I。
[0014]上述現(xiàn)有技術的缺點在于:當欲形成圖1F所示的貫穿孔121時，因該增層結構14的導電盲孔142隱藏于該封裝膠體12的第一表面12a下方，使得該激光無法自該封裝膠體12的第二表面12b精準對位至該些導電盲孔142的端部122，以致該激光所形成的貫穿孔121易偏離該些導電盲孔142的端部122而對位至該介電層141上，并易導致該些貫穿孔121的孔徑123大于該些導電盲孔142的端部122的截面積,從而破壞該些導電盲孔142周圍的介電層141。
[0015]同時，圖1G的貫穿孔121內(nèi)的晶種層17與導電盲孔142的端部122的接觸面積太小，以致該晶種層17上的第二線路層171與該些導電盲孔142的端部122之間的導電能力不佳。此外，需增設圖1D的第三承載板16于該第一絕緣保護層15上，以致需增加該第三承載板16的材料成本及制程，且該半導體封裝件I的制程過于繁瑣復雜而不利于實作。
[0016]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]本發(fā)明提供一種半導體封裝件及其制法，無須精準對位，便可將增層結構電性連接至導電柱。
[0018]本發(fā)明的半導體封裝件包括:封裝膠體，其具有相對的第一表面與第二表面；半導體元件，其嵌埋于該封裝膠體內(nèi)并具有相對的主動面與被動面，且該主動面外露于該封裝膠體的第一表面；多個導電柱，其嵌埋于該封裝膠體內(nèi)，且該導電柱具有相對的第一端部與第二端部以分別外露于該封裝膠體的第一表面及第二表面；以及增層結構，其形成于該封裝膠體的第一表面上，并電性連接該半導體元件及該些導電柱的第一端部。
[0019]本發(fā)明另提供一種半導體封裝件的制法，其包括:嵌埋半導體元件及多個導電柱于一具有相對的第一表面與第二表面的封裝膠體內(nèi)，其中，該半導體元件具有相對的主動面與被動面，且該主動面外露于該封裝膠體的第一表面，該導電柱具有相對的第一端部與第二端部，并令該些導電柱的第一端部外露于該封裝膠體的第一表面；以及形成增層結構于該封裝膠體的第一表面上，且該增層結構電性連接該半導體元件及該些導電柱的第一端部。
[0020]上述導電柱可為圓柱體、橢圓柱體、方形柱體、多邊形柱體或球形柱體，且該導電柱的材質(zhì)可為金、銀、銅、錫、鎳或其任意組合的合金。
[0021]上述半導體封裝件的制法可包括:提供第一承載板且其上設置有該半導體元件，該主動面面向該第一承載板；設置該些導電柱于該第一承載板上，該第一端部面向該第一承載板；形成該封裝膠體于該第一承載板上以嵌埋該半導體元件及該些導電柱于該封裝膠體內(nèi)，并自該封裝膠體的第二表面外露出該些導電柱的第二端部；以及移除該第一承載板，以自該封裝膠體的第一表面外露出該半導體元件的主動面及該些導電柱的第一端部。
[0022]上述第一承載板可具有剝離層，且該半導體元件、導電柱與封裝膠體位于該剝離層上。
[0023]上述半導體封裝件的制法可包括:自該第二表面薄化該封裝膠體與該些導電柱以外露出該半導體元件的被動面。
[0024]上述半導體封裝件的制法可包括:在移除該第一承載板之前，先設置第二承載板于該封裝膠體的第二表面上。
[0025]上述半導體封裝件及其制法可包括:形成第一線路層于該封裝膠體的第二表面上以電性連接該些導電柱的第二端部。
[0026]上述半導體封裝件及其制法可包括:在嵌埋該些導電柱于該封裝膠體內(nèi)之前，先形成第一線路層于該封裝膠體的第二表面上；或者，在嵌埋該些導電柱于該封裝膠體內(nèi)的同時，一并形成第一線路層于該封裝膠體的第二表面上。
[0027]上述半導體封裝件及其制法可包括:形成第一絕緣保護層于該半導體元件的被動面與該封裝膠體的第二表面上以包覆該第一線路層，該第一絕緣保護層具有多個第一開孔以外露出部分該第一線路層。
[0028]上述增層結構可具有至少一介電層、多個形成于該介電層內(nèi)的導電盲孔、及至少一形成于該介電層上并電性連接該些導電盲孔的第二線路層，該第二線路層具有多個電性接觸墊。
[0029]上述半導體封裝件及其制法可包括:形成第二絕緣保護層于最外層的該介電層與該第二線路層上，該第二絕緣保護層具有多個第二開孔以外露出最外層的該第二線路層的電性接觸墊。
[0030]上述半導體封裝件可包括多個凸塊底下金屬層與多個焊球，該些凸塊底下金屬層分別形成于該些第二開孔所外露的電性接觸墊上，且該些焊球分別形成于該些凸塊底下金屬層上。
[0031]上述半導體封裝件的制法可包括:形成多個凸塊底下金屬層于該些第二開孔所外露的電性接觸墊上；進行切單作業(yè)；以及形成多個焊球于該些凸塊底下金屬層上。
[0032]由上可知，本發(fā)明的半導體封裝件及其制法中，主要是在封裝膠體內(nèi)嵌埋半導體元件與多個導電柱并外露出該些導電柱的端部，且將增層結構形成于該封裝膠體上，再將該增層結構的導電盲孔電性連接至該半導體元件及該些導電柱的端部。
[0033]因此，本發(fā)明無需以現(xiàn)有技術的激光于該封裝膠體內(nèi)形成多個精準對位至該增層結構的導電盲孔的貫穿孔，而改將該增層結構的導電盲孔電性連接至該封裝膠體所外露的導電柱，藉此免除現(xiàn)有技術的貫穿孔容易偏離導電盲孔的端部而對位至介電層以致受損的情形，亦可省去將該些貫穿孔精準對位至該些導電盲孔的工序及相關治具(如激光裝置)。
[0034]另外，本發(fā)明的導電柱的截面積可以加大，而無需受限于該些導電盲孔的較小截面積，故可增加該些導電柱的端部與該些導電盲孔的接觸面積而增強彼此之間的導電能力。
[0035]此外，本發(fā)明無需設置現(xiàn)有技術的第三承載板以減少材料及降低成本，也可簡化現(xiàn)有技術的半導體封裝件的制程而利于實作。
【附圖說明】
[0036]圖1A至圖1H為繪示現(xiàn)有技術的半導體封裝件及其制法的剖視示意圖；
[0037]圖2A至圖2F為繪示本發(fā)明的半導體封裝件及其制法的剖視示意圖，其中，圖2A’與圖2B’為圖2A及圖2B的另一實施例；以及
[0038]圖3A至圖3C為繪示圖2A的制法的剖視示意圖。
[0039]符號說明
[0040]1、2半導體封裝件
[0041]10、20 第一