一種提升晶圓受熱均勻性的裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及進入熱盤工藝時對晶圓加熱的設備，具體地說是一種提升晶圓受熱均勻性的裝置。
【背景技術】
[0002]目前，晶圓被送入熱盤內進行前烘或者后烘對晶圓整體受熱要求越來越高。晶圓整體受熱均勻性直接影響膜厚的均勻性以及關鍵尺寸的形成。當前的熱盤被加熱到設定溫度時，加熱絲周邊的空氣溫度會升高，氣體會膨脹。隨著不斷的膨脹，導致加熱絲和加熱盤體之間不能充分接觸，影響受熱均勻性；其次，以往晶圓與加熱盤體盤面之間的距離不能調整也會影響均勻性。

【發(fā)明內容】

[0003]為了解決晶圓因受熱不均勻而導致膜厚均勻性差的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種提升晶圓受熱均勻性的裝置。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現的:
[0005]本發(fā)明包括基礎及分別安裝在該基礎上的升降機構、加熱機構，其中升降機構包括動力裝置、上密封蓋及頂針，所述動力裝置安裝在基礎上，所述上密封蓋與頂針分別位于加熱機構的上下兩側，所述上密封蓋與頂針分別與動力裝置連動、同步升降；所述加熱機構包括下密封體、下蓋板、加熱盤體及加熱絲，該下蓋板安裝在所述基礎上，所述下密封體的底部密封連接于下蓋板的邊緣，頂部與所述上密封蓋密封連接、形成容置晶圓的工藝腔室，所述加熱盤體放置在下蓋板上，該加熱盤體與下蓋板之間盤繞有加熱絲，所述下蓋板與加熱絲接觸的上表面設有排走所述加熱絲產生熱氣的排氣槽；所述晶圓位于加熱盤體的上方，通過由所述下蓋板、加熱盤體穿過的所述頂針支撐。
[0006]其中:所述加熱盤體上沿圓周方向均布有多個高度可調的球頭頂絲，各所述球頭頂絲的頂部高出所述加熱盤體的上表面；各所述球頭頂絲的高度相同，且頂部距所述加熱盤體上表面的距離相等；所述晶圓放置在該球頭頂絲上時，與所述加熱盤體的上表面等距；所述加熱絲由內至外螺旋狀盤繞，所述排氣槽的開設軌跡與加熱絲的盤繞軌跡相同；所述排氣槽上均布有多個導氣孔；
[0007]所述加熱盤體上表面的外邊緣沿圓周方向均布有多個止動銷，所述晶圓通過各止動銷限位，保持與所述加熱盤體軸向中心線共線；所述下密封體的頂部外邊緣沿圓周方向設有凹槽，該凹槽內容置有密封圈，所述密封圈在上密封蓋下降至下限位與所述上密封蓋密封抵接、形成所述工藝腔室，所述晶圓位于該工藝腔室內；所述上密封蓋的下表面沿軸向向內凹陷，所述上密封蓋下表面的外邊緣在上密封蓋下降至下限位與所述下密封體上的密封圈抵接，形成所述工藝腔室；
[0008]所述動力裝置的輸出端連接有連接架，所述上密封蓋通過支撐架安裝在該連接架上；所述頂針為多個，沿圓周方向均布，所述下蓋板及加熱盤體上均開有與各頂針一一對應的通孔，各所述頂針的上端由通孔穿過，下端安裝在固定盤上，該固定盤通過托板與所述連接架相連；所述上密封蓋、加熱盤體、下蓋板、下密封體及晶圓的軸向中心線共線。
[0009]本發(fā)明的優(yōu)點與積極效果為:
[0010]1.本發(fā)明的下蓋板上設有排氣槽，可以避免由于加熱使加熱絲周邊氣體膨脹影響加熱絲與加熱盤體的有效接觸面積，排氣槽將膨脹的熱氣排走，從而提升加熱盤體整體的受熱均勻性。
[0011]2.本發(fā)明的加熱盤體上均布有可調整高度的球頭頂絲，可以保證所有球頭部分高于盤面固定高度，當晶圓放置在所有球頭上之后，就能保證與加熱盤體上表面等距。
[0012]3.本發(fā)明的加熱盤體沿周向設有止動銷，保證晶圓與加熱盤體的同心，可以避免由于不同心導致的受熱影響。
[0013]4.本發(fā)明的下密封體外沿周向設有密封圈，通過上密封蓋和下密封體上的密封圈形成工藝所需的密封的工藝腔室，保證了晶圓的正常工藝的進行。
[0014]5.本發(fā)明的升降機構可以實現上密封蓋和頂針裝置的聯動，可以同時實現晶圓的承載和工藝腔室的形成。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的整體結構示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明升降機構的立體結構示意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明加熱機構的放大示意圖；
[0018]圖4為本發(fā)明加熱盤體上加熱絲盤繞軌跡的示意圖；
[0019]圖5為本發(fā)明下蓋板上排氣槽的結構示意圖；
[0020]其中:1為升降機構，101為動力裝置，102為上密封蓋，103為頂針，104為支撐架，105為固定盤，106為托板，107為連接架，
[0021]2為加熱機構，201為晶圓，202為止動銷，203為下密封體，204為下蓋板，205為加熱盤體，206為球頭頂絲，207為密封圈，208為加熱絲，209為通孔，210為立柱，211為排氣槽，212為導氣孔。
[0022]3為基礎。
【具體實施方式】
[0023]下面結合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。
[0024]如圖1?5所示，本發(fā)明包括升降機構1、加熱機構2及基礎3，其中升降機構I及加熱機構2分別安裝在基礎3上。
[0025]升降機構I包括動力裝置101、上密封蓋102、頂針103、支撐架104、固定盤105、托板106及連接架107，動力裝置101固定在基礎3上(本實施例的動力裝置101為氣缸)，動力裝置101的輸出端固接有連接架107 ;上密封蓋102為圓盤形，通過支撐架104固定在連接架107上；頂針103位于上密封蓋102的下方，為多個，沿圓周方向均勻固定在固定盤105上，該固定盤105通過托板106與連接架7固接；上密封蓋102及各頂針103通過動力裝置101的驅動同步升降。
[0026]加熱機構2位于上密封蓋102與頂針103之間，包括止動銷202、下密封體203、下蓋板204、加熱盤體205、球頭頂絲206、密封圈207及加熱絲208，下蓋板204為圓盤狀，通過多根立柱210固定在基礎3上。下密封體203為圓環(huán)狀,其頂端內圓直徑大于底端內圓直徑，且下密封體203內部沿徑向向外凹陷；下密封體203的底端密封連接于下蓋板204的下表面邊緣，頂部外邊緣沿圓周方向設有凹槽，該凹槽內容置有密封圈207。上密封蓋102的直徑與下密封體203的外徑相同，上密封蓋102的下表面沿軸向向內凹陷，當上密封蓋102在動力裝置101的驅動下下降至下限位時，下密封體203上的密封圈207與上密封蓋102下表面的外邊緣密封抵接、形成所述工藝腔室，晶圓201位于該工藝腔室內。
[0027]加熱盤體205為圓盤狀，其直徑與下蓋板204的直徑相同；加熱盤體205放置在下蓋板204上，在加熱盤體205與下蓋板204之間盤繞有加熱絲208，加熱絲208由內至外以螺旋狀盤繞，相應地在加熱盤體205的下表面按加熱絲208盤繞軌跡開有容置加熱絲208的槽。下蓋板204與加熱絲208接觸的上表面設有排氣槽211，排氣槽211的開設軌跡與加熱絲208